JP2001188359A - エッジビードリムーバ - Google Patents
エッジビードリムーバInfo
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- JP2001188359A JP2001188359A JP37283299A JP37283299A JP2001188359A JP 2001188359 A JP2001188359 A JP 2001188359A JP 37283299 A JP37283299 A JP 37283299A JP 37283299 A JP37283299 A JP 37283299A JP 2001188359 A JP2001188359 A JP 2001188359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge bead
- bead remover
- ether acetate
- resist
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れたレジスト溶解速度を有し、低毒性で極
めて安全性が高く、環境保全にも優れ、不快臭も極めて
少なく、比較的高沸点で操作性が良好であり、残さや析
出物を生じることがなく、高品位の電子部品製造用基材
を高効率で製造することができるエッジビードリムーバ
を提供する。 【解決手段】 α−ヒドロキイソ酪酸メチル及びグリコ
ールモノアルキルエーテルアセテートを含有するエッジ
ビードリムーバ。
めて安全性が高く、環境保全にも優れ、不快臭も極めて
少なく、比較的高沸点で操作性が良好であり、残さや析
出物を生じることがなく、高品位の電子部品製造用基材
を高効率で製造することができるエッジビードリムーバ
を提供する。 【解決手段】 α−ヒドロキイソ酪酸メチル及びグリコ
ールモノアルキルエーテルアセテートを含有するエッジ
ビードリムーバ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なエッジビー
ドリムーバであり、このエッジビードリムーバを用いて
レジスト塗布時あるいは塗布後の電子部品用基材から不
要なレジスト分を洗浄除去する方法に関する。
ドリムーバであり、このエッジビードリムーバを用いて
レジスト塗布時あるいは塗布後の電子部品用基材から不
要なレジスト分を洗浄除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストなどの塗布には、スピンコー
ト、ロールコート、リバースロールコート、流延塗布、
ドクターコート、ディップコート、ランドコート等の種
々の方法が採られており、例えば集積回路素子の製造に
おいては、レジスト塗布法として、スピンコート法が主
として用いられている。スピンコート法では、基材上に
レジスト溶液が滴下され、この滴下されたレジスト溶液
は基材の回転により基材外周方向に流延され、過剰のレ
ジスト溶液は基材外周から飛散除去され、基材中心部は
所望の膜厚を有するレジスト膜が形成される。この時、
レジスト溶液の一部が基材の背面にまで回り込んだり、
或いは基材の外周縁にはレジスト溶液が他の部分より厚
く残る、いわゆるビードの形成がなされる欠点がある。
このようなレジストは次工程の熱処理によってもろくな
り、基材の搬送中に小りん片状に剥離し、これが装置内
のゴミ発生の原因になったり、基材上のレジスト表面に
付着し、高品質の半導体素子を製造する上で大きな問題
となっている。このため基材側面周辺部或いは裏面から
不要なレジストを除去したり、ビードの除去を行う必要
がある。また、スピンコート法以外の塗布法において
も、不必要な部分にレジストが付着することがあること
はスピンコート法における場合と同様である。この時に
用いる溶剤が「エッジビードリムーバ」であり、この表
現は、株式会社プレスジャーナル平成１１年３月２０日
発行の月刊FPDintelligence増刊号「ＬＣＤパネル部品
・材料技術」第六章「現像液・剥離液」ｐ３８に記述さ
れている。
ト、ロールコート、リバースロールコート、流延塗布、
ドクターコート、ディップコート、ランドコート等の種
々の方法が採られており、例えば集積回路素子の製造に
おいては、レジスト塗布法として、スピンコート法が主
として用いられている。スピンコート法では、基材上に
レジスト溶液が滴下され、この滴下されたレジスト溶液
は基材の回転により基材外周方向に流延され、過剰のレ
ジスト溶液は基材外周から飛散除去され、基材中心部は
所望の膜厚を有するレジスト膜が形成される。この時、
レジスト溶液の一部が基材の背面にまで回り込んだり、
或いは基材の外周縁にはレジスト溶液が他の部分より厚
く残る、いわゆるビードの形成がなされる欠点がある。
このようなレジストは次工程の熱処理によってもろくな
り、基材の搬送中に小りん片状に剥離し、これが装置内
のゴミ発生の原因になったり、基材上のレジスト表面に
付着し、高品質の半導体素子を製造する上で大きな問題
となっている。このため基材側面周辺部或いは裏面から
不要なレジストを除去したり、ビードの除去を行う必要
がある。また、スピンコート法以外の塗布法において
も、不必要な部分にレジストが付着することがあること
はスピンコート法における場合と同様である。この時に
用いる溶剤が「エッジビードリムーバ」であり、この表
現は、株式会社プレスジャーナル平成１１年３月２０日
発行の月刊FPDintelligence増刊号「ＬＣＤパネル部品
・材料技術」第六章「現像液・剥離液」ｐ３８に記述さ
れている。
【０００３】従来エッジビードリムーバに用いられてい
る溶剤として、例えば特開昭６３−６９５６３号公報で
は、１−メチル２−ピロリドン、アセトン、キシレンの
使用が記述され、もう一例として特開平７−１４６５６
２号公報では、レジスト除去用洗浄溶剤として、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノ
アルキルアセテートなどのエーテルやエーテルアセテー
ト類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類やアルコキシカルボン酸エステル類、あ
るいはこれらの混合物などの使用が従来例を含めて記述
されている。
る溶剤として、例えば特開昭６３−６９５６３号公報で
は、１−メチル２−ピロリドン、アセトン、キシレンの
使用が記述され、もう一例として特開平７−１４６５６
２号公報では、レジスト除去用洗浄溶剤として、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノ
アルキルアセテートなどのエーテルやエーテルアセテー
ト類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類やアルコキシカルボン酸エステル類、あ
るいはこれらの混合物などの使用が従来例を含めて記述
されている。
【０００４】しかし、従来の洗浄剤は、あるものはレジ
ストに対する溶解能が十分でなく、洗浄時に残さや析出
物が生じやすく、十分な洗浄を行うためには時間がかか
ったり、多量の洗浄剤が必要とされる。また、蒸発速度
の遅いものは乾燥性が悪く使用する上で不利となり、逆
に大部分のケトン、エステルは蒸気圧が高くなり作業性
が悪くなる。さらに、溶解力の高いエチレングリコール
系をはじめ、各溶剤には多かれ少なかれ毒性を有すと共
に不快臭を発生するものも多く、優れた溶解性と人体に
対するより高い安全性を同時に満たす洗浄剤が望まれて
いた。このことは、集積回路素子の製造に限らず、カラ
ーフィルタ、液晶表示素子等の製造の場合においても同
様である。
ストに対する溶解能が十分でなく、洗浄時に残さや析出
物が生じやすく、十分な洗浄を行うためには時間がかか
ったり、多量の洗浄剤が必要とされる。また、蒸発速度
の遅いものは乾燥性が悪く使用する上で不利となり、逆
に大部分のケトン、エステルは蒸気圧が高くなり作業性
が悪くなる。さらに、溶解力の高いエチレングリコール
系をはじめ、各溶剤には多かれ少なかれ毒性を有すと共
に不快臭を発生するものも多く、優れた溶解性と人体に
対するより高い安全性を同時に満たす洗浄剤が望まれて
いた。このことは、集積回路素子の製造に限らず、カラ
ーフィルタ、液晶表示素子等の製造の場合においても同
様である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
有さない、少量の使用量で、かつ短時間の洗浄時間で十
分な洗浄を行うことができる高い溶解性を有すると共に
人体に対しての安全性が高く、操作性にも優れたエッジ
ビードリムーバを提供することを目的とするものであ
る。
有さない、少量の使用量で、かつ短時間の洗浄時間で十
分な洗浄を行うことができる高い溶解性を有すると共に
人体に対しての安全性が高く、操作性にも優れたエッジ
ビードリムーバを提供することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究し
た結果、α−ヒドロキシイソ酪酸メチルとグリコールモ
ノアルキルエーテルアセテートとの均質溶剤をエッジビ
ードリムーバとして用いることにより、少量の使用量
で、かつ短時間の洗浄時間で十分な洗浄を行うことがで
きる高い溶解性を有し、人体に対しての安全性が高く、
有機溶剤にありがちな不快臭が非常に少ないエッジビー
ドリムーバとなることを見いだして本発明をなしたもの
である。
た結果、α−ヒドロキシイソ酪酸メチルとグリコールモ
ノアルキルエーテルアセテートとの均質溶剤をエッジビ
ードリムーバとして用いることにより、少量の使用量
で、かつ短時間の洗浄時間で十分な洗浄を行うことがで
きる高い溶解性を有し、人体に対しての安全性が高く、
有機溶剤にありがちな不快臭が非常に少ないエッジビー
ドリムーバとなることを見いだして本発明をなしたもの
である。
【０００７】
【発明の実施の形態】すなわち本発明はα−ヒドロキシ
イソ酪酸メチル及び下記一般式（Ｉ）で表されるグリコ
ールモノアルキルエーテルアセテートを含有することを
特徴とするエッジビードリムーバであり、このエッジビ
ードリムーバを用いることにより、人体に対しての安全
性が高く、有機溶剤にありがちな不快臭を極力抑えなが
ら、レジスト塗布時あるいは塗布後の電子部品用基材か
ら不要なレジスト分を少量の溶剤使用量で短時間に除去
する方法である。
イソ酪酸メチル及び下記一般式（Ｉ）で表されるグリコ
ールモノアルキルエーテルアセテートを含有することを
特徴とするエッジビードリムーバであり、このエッジビ
ードリムーバを用いることにより、人体に対しての安全
性が高く、有機溶剤にありがちな不快臭を極力抑えなが
ら、レジスト塗布時あるいは塗布後の電子部品用基材か
ら不要なレジスト分を少量の溶剤使用量で短時間に除去
する方法である。
【化２】 （R1は Hもしくはメチル基、R2は炭素数１〜４のアルキ
ル基、n は１〜３を表す。）
ル基、n は１〜３を表す。）
【０００８】上記グリコールモノアルキルエーテルアセ
テートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート等が挙げられ、特に好ましくは
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで
ある。このグリコールモノアルキルエーテルは単独で用
いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いることも
できる。
テートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート等が挙げられ、特に好ましくは
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで
ある。このグリコールモノアルキルエーテルは単独で用
いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いることも
できる。
【０００９】本発明のエッジビードリムーバにおいて
は、α−ヒドロキシイソ酪酸メチルとグリコールモノア
ルキルエーテルアセテートを重量混合比で９：１〜１：
９の割合、より好ましくは７：３〜５：５の割合で用い
るのがよい。
は、α−ヒドロキシイソ酪酸メチルとグリコールモノア
ルキルエーテルアセテートを重量混合比で９：１〜１：
９の割合、より好ましくは７：３〜５：５の割合で用い
るのがよい。
【００１０】本発明のエッジビードリムーバは必要に応
じて他の溶剤を混合することができる。その溶剤として
は、エーテル類、エステル類、ケトン類、ケトエール
類、ケトール類、アルコール類、アルコキシカルボン酸
エステル類、ジケトン類、アミド類、芳香族炭化水素等
が挙げられる。これらの溶剤は単独で又は２種以上を組
み合わせてもよい。
じて他の溶剤を混合することができる。その溶剤として
は、エーテル類、エステル類、ケトン類、ケトエール
類、ケトール類、アルコール類、アルコキシカルボン酸
エステル類、ジケトン類、アミド類、芳香族炭化水素等
が挙げられる。これらの溶剤は単独で又は２種以上を組
み合わせてもよい。
【００１１】本発明のエッジビードリムーバは、公知の
ポジ型レジスト、ネガ型レジストのいずれにも適用する
ことができる。本発明のエッジビードリムーバが適用で
きるレジストの代表的なものを例示すると、ポジ型で
は、例えば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性
樹脂とからなるもの、化学増幅型レジストなどが、ネガ
型では、例えば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有
する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含
有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなる
ようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含む
もの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、
化学増幅型ネガレジストなどが挙げられる。
ポジ型レジスト、ネガ型レジストのいずれにも適用する
ことができる。本発明のエッジビードリムーバが適用で
きるレジストの代表的なものを例示すると、ポジ型で
は、例えば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性
樹脂とからなるもの、化学増幅型レジストなどが、ネガ
型では、例えば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有
する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含
有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなる
ようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含む
もの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、
化学増幅型ネガレジストなどが挙げられる。
【００１２】また、被膜形成物質としては、例えばフェ
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
【００１３】また、レジストには、必要に応じて、相容
性のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料な
どを添加してもよいし、さらに他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
性のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料な
どを添加してもよいし、さらに他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
【００１４】本発明のエッジビードリムーバの適用を具
体的に説明すると、まずレジスト溶液はスピンコート法
など従来から公知の塗布法により、必要に応じて前処理
されたシリコン基材、ガラス基材等に塗布される。塗布
がスピンコート法によりなされる場合は周辺部の膜厚が
中央部の膜厚よりも大きいビードの形成がおこり、また
基材の縁辺部や裏面部にも塗布物が回り込んでいるのが
普通である。本発明のエッジビードリムーバを回転する
縁ビード上にスプレーすることによりビードの流動を促
進させ、基板上に実質的に均一な厚みを有するレジスト
膜の形成をなすことができる。また、基板側面周辺或い
は背面に回り込んだレジストはエッジビードリムーバの
スプレーにより除去することができる。
体的に説明すると、まずレジスト溶液はスピンコート法
など従来から公知の塗布法により、必要に応じて前処理
されたシリコン基材、ガラス基材等に塗布される。塗布
がスピンコート法によりなされる場合は周辺部の膜厚が
中央部の膜厚よりも大きいビードの形成がおこり、また
基材の縁辺部や裏面部にも塗布物が回り込んでいるのが
普通である。本発明のエッジビードリムーバを回転する
縁ビード上にスプレーすることによりビードの流動を促
進させ、基板上に実質的に均一な厚みを有するレジスト
膜の形成をなすことができる。また、基板側面周辺或い
は背面に回り込んだレジストはエッジビードリムーバの
スプレーにより除去することができる。
【００１５】本発明のエッジビードリムーバは極めて溶
解性に優れるため、前記したような利用態様以外に、例
えばスピンナーカップなどに付着して固着したレジスト
の洗浄除去にも有効に利用できる。
解性に優れるため、前記したような利用態様以外に、例
えばスピンナーカップなどに付着して固着したレジスト
の洗浄除去にも有効に利用できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により更に
詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。 実施例１〜３及び比較例１〜４ シリコンウエハー上に市販のポジ型フォトレジスト（東
京応化製、TFR-790）をスピンナーにより、乾燥膜厚が
１６０００Åになるように塗布したのち、乾燥オーブン
にて、１２０℃で３０分間プリベークし、レジスト膜を
形成した。次いで、表に示す組成の各溶剤１００ｍｌを
ビーカーに入れ、上記で作成したウエハーを１０秒間溶
剤に浸し、溶剤から引き上げてからすぐにエアーブロー
にて乾燥を行い、各ウエハーの膜厚（Å）を膜厚計（ナ
ノメトリック・ジャパン社製、ナノスペックＭ５００
０）にて測定することにより溶解速度（Å/sec.)を求め
た。実施例及び比較例の結果を表１に示す。なお、比較
例１、３は実際にレジスト除去用洗浄溶剤として用いら
れている溶剤である。
詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。 実施例１〜３及び比較例１〜４ シリコンウエハー上に市販のポジ型フォトレジスト（東
京応化製、TFR-790）をスピンナーにより、乾燥膜厚が
１６０００Åになるように塗布したのち、乾燥オーブン
にて、１２０℃で３０分間プリベークし、レジスト膜を
形成した。次いで、表に示す組成の各溶剤１００ｍｌを
ビーカーに入れ、上記で作成したウエハーを１０秒間溶
剤に浸し、溶剤から引き上げてからすぐにエアーブロー
にて乾燥を行い、各ウエハーの膜厚（Å）を膜厚計（ナ
ノメトリック・ジャパン社製、ナノスペックＭ５００
０）にて測定することにより溶解速度（Å/sec.)を求め
た。実施例及び比較例の結果を表１に示す。なお、比較
例１、３は実際にレジスト除去用洗浄溶剤として用いら
れている溶剤である。
【００１７】 表１ エッジビードリムーバ組成 溶解速度 臭気 （重量比） (Å/sec.) 実施例１ HBM:PGMEA=5:5 1152 不快臭なし ２ HBM:PGMEA=6:4 1086 不快臭なし ３ HBM:PGMEA=7:3 673 不快臭なし 比較例１ PGME 1517 不快臭 ２ PGMEA 669 不快臭 ３ 乳酸エチル 701 独特の臭気 ４ HBM 247 不快臭なし HBM: α−ヒドロキシイソ酪酸メチル PGME: プロピレングリコールモノメチルエーテル PGMEA: プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【００１８】
【発明の効果】本発明のエッジビードリムーバは、優れ
た溶解速度を有し、毒性が極めて低く、生分解性がある
ので自然界への蓄積が無く環境保全に望ましい。また、
蒸発速度が適度な値であり程良い乾燥性を有しながら引
火点が比較的高く、不快臭も極めて少なく、操作性や安
全性が高い利点がある。
た溶解速度を有し、毒性が極めて低く、生分解性がある
ので自然界への蓄積が無く環境保全に望ましい。また、
蒸発速度が適度な値であり程良い乾燥性を有しながら引
火点が比較的高く、不快臭も極めて少なく、操作性や安
全性が高い利点がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７７ Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 AA27 CA12 CA20 JA02 4D075 BB20Z DC21 4H003 DA15 DB03 ED32 FA01 FA03 FA25 5F046 AA28 MA02
Claims (4)
- 【請求項１】 α−ヒドロキシイソ酪酸メチルと下記一
般式（Ｉ）で表されるグリコールモノアルキルエーテル
アセテートからなる混合物であることを特徴とするエッ
ジビードリムーバ。 【化１】 （R1は Hもしくはメチル基、R2は炭素数１〜４のアルキ
ル基、n は１〜３を表す。） - 【請求項２】 グリコールモノアルキルエーテルアセテ
ートがプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートである請求項１記載のエッジビードリムーバ。 - 【請求項３】 α−ヒドロキシイソ酪酸メチルとグリコ
ールモノアルキルエーテルアセテートとの重量比が９：
１〜１：９である請求項１記載のエッジビードリムー
バ。 - 【請求項４】 レジスト形成用塗布物を基材に塗布した
後、基材の周辺部、縁辺部及び／又は裏面部に付着した
不要のレジスト形成用塗布物を請求項１記載のエッジビ
ードリムーバを用いて除去する方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37283299A JP2001188359A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | エッジビードリムーバ |
| SG200007139A SG84619A1 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-05 | Edge bead remover |
| TW089127836A TW527528B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | Edge bead remover |
| KR1020000082464A KR100733650B1 (ko) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | 엣지비드 리무버 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37283299A JP2001188359A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | エッジビードリムーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001188359A true JP2001188359A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18501122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37283299A Pending JP2001188359A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | エッジビードリムーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001188359A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005115373A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト除去用シンナー組成物 |
| JP2005227770A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Samsung Electronics Co Ltd | シンナー組成物及びこれを用いたフォトレジストの除去方法 |
| KR20160072628A (ko) | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물 |
| JP7179147B1 (ja) | 2021-12-14 | 2022-11-28 | 東京応化工業株式会社 | 金属レジスト除去用洗浄液、及び該洗浄液を用いた洗浄方法 |
| JP7179146B1 (ja) | 2021-12-14 | 2022-11-28 | 東京応化工業株式会社 | 金属レジスト除去用洗浄液、及び該洗浄液を用いた洗浄方法 |
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1999
- 1999-12-28 JP JP37283299A patent/JP2001188359A/ja active Pending
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