JPH11218933A - レジスト洗浄除去用溶剤および電子部品製造用基材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストの溶解性に優れ、毒性がなく、作業
安全性が高く、また、エッジ部レジストの形状が滑らか
で、しかも膜厚を一定に保つのに好適に用いられるレジ
スト洗浄除去用溶剤を提供し、また反射防止膜成分に対
しても良好な溶解性を有するレジスト洗浄除去用溶剤を
提供すること、更に前記溶剤を用いた電子部品製造用基
材の製造方法を提供することである。 【解決手段】 （ａ）プロピレングリコールアルキルエ
ーテル、（ｂ）炭素数１〜７のモノケトン、および
（ｃ）ラクタム類またはラクトン類を含有することを特
徴とするレジスト洗浄除去用溶剤及びスピンナーにより
レジストまたは反射防止膜を基板表面上に塗布、形成
し、次いで、該基板の裏面及びエッジ部に付着した不要
のレジストまたは反射防止膜を上記レジスト洗浄除去用
溶剤であらかじめ除去した後乾燥処理することを特徴と
する電子部品製造用基材の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業用の利用分野】本発明は、レジスト洗浄除去用溶
剤及びそれを使用する電子部品製造用基材の製造法に関
するものである。更に詳しく言えば、本発明は特に、半
導体素子などの微細加工に使用されるウエハー等の基板
の裏面及びエッジ部に付着された不要レジスト成分また
は反射防止膜成分を除去するためのレジスト洗浄除去用
溶剤及びそれを用いてウエハー裏面やエッジ部に付着し
た不要のレジストまたは反射防止膜成分を洗浄除去して
高品質の電子部品製造用基材を簡単かつ効率的に製造す
る方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ウエハー等の基板にスピンナー等
によりレジストを塗布した場合、第１図に示す様に、ウ
エハー１のエッジ部が中心部に対して厚膜になったり、
また裏面部にもレジスト５が付着する。このようなレジ
ストは次の工程の熱処理によってもろくなり、基材の搬
送中に剥離し、これが装置内のゴミの発生の原因になっ
たり、基板上のレジスト表面２などに付着し、高品質の
半導体素子を製造する上で、大きな問題になる。またウ
エハー裏面に付着した不要レジストは露光時のdefocus
の要因となり、精度の高いパターンが形成されず歩留り
が低下することが大きな問題となる。また、エッジ部レ
ジストの形状は滑らかでなくてはならず、滑らかでない
場合には基板から剥がれやすく、ごみが発生しやすいと
いう問題を生じる。

【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、例えば特開昭６３−６９５６３号公報には基材のエ
ッジ部、裏面部の不要のレジスト分を洗浄除去する方法
が提案されている。そして洗浄除去する溶剤としては、
例えば特公平５−７５１１０号公報記載のエチレングリ
コール系溶剤及びそのエステル系溶剤を用いるものや、
特公平４−４９９３８号公報のプロピレングリコールア
ルキルエーテルアセテートを用いるもの、及び特開平４
−４２５２３号公報記載の３−アルコキシプロピオン酸
アルキル類を用いるもの、特開平４−１３０７１５号公
報記載のピルビン酸アルキル類等が開示されている。

【０００４】さらにアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルブチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酸酢
プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル等
のエステル類、あるいはＮ−メチル−２−ピロリドンの
様な高沸点溶剤をそれぞれ単独で用いることは公知であ
る。また、前記溶剤を併用し、溶解速度や蒸発速度のコ
ントロールをすることも公知である。

【０００５】しかしながら、従来より知られている溶剤
をレジスト洗浄除去溶剤として、使用した場合、必らず
しも満足できるものではなかった。例えば、３−エトキ
シプロピオン酸エチル、乳酸エチル等は、エステル化率
の高い、または添加量の多い１，２−ナフトキノンジア
ジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジストに対する
溶解性が良好でなくこれらを用いた場合、スピンナーカ
ップ洗浄時に残渣が残ったり、析出物が生じることの原
因になる。

【０００６】また、酢酸メチルや酢酸エチル等の乾燥性
が高い溶剤を裏面洗浄に使用した場合には基板が冷却さ
れるため膜厚のバラツキが生じやすくなり、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン等の乾燥性が低い溶剤を使用した場合
にはウエハー端面の洗浄性が良好でないために使用しに
くいなどの不利がある。また、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等は長期間使用しているとスピンナーのカ
ップの金属を腐食させることがわかった。その上、エチ
レングリコール系溶剤やそのエステル類は特開平８−１
３７１００号公報に記載される様に毒性の問題があり、
好ましくない。また、アセトンやメチルエチルケトン等
は引火点が低く、作業性が悪いという欠点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、レジス
ト洗浄除去溶剤の満たすべき要件は数多くあり、従っ
て、単にウエハー裏面やエッジ部に付着した不要レジス
トを洗浄除去できれば良いという単純なものではなく、
更につけ加えて言うならば、フォトレジスト用の溶剤と
して、これまで用いられているものが、そのまま用いら
れるという単純なものでもない。また、近年レジストの
解像度、光学的性能を改良する目的でレジストと異なる
成分よりなる反射防止膜をレジストと同一の手法により
塗布、形成するケースが増加している。従来のレジスト
洗浄除去用溶剤を使用した場合、これら反射防止膜成分
に対して充分な溶解性を有していない為、除去残りが発
生したり、除去後排液ライン中等で析出物が生じる原因
になったり、問題を回避する為に専用の洗浄除去溶剤を
別途用意して使用する必要があった。

【０００８】従って、本発明の目的は、上記従来のレジ
スト洗浄除去用溶剤のもつ欠点を克服し、レジストの溶
解性に優れ、毒性がなく、作業安全性が高く、また、エ
ッジ部レジストの形状が滑らかで、しかも膜厚を一定に
保つのに好適に用いられるレジスト洗浄除去用溶剤を提
供することにある。本発明の他の目的は反射防止膜成分
に対しても良好な溶解性を有するレジスト洗浄除去用溶
剤を提供することである。本発明の更なる目的は前記溶
剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法を提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有するレジスト洗浄除去用溶剤を開発すべ
く鋭意研究を重ねた結果、プロピレングリコールアルキ
ルエーテル、炭素数１〜７のモノケトン、ラクタム類、
もしくはラクトン類の混合物がその目的に適合すること
を見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発
明は、 （１） （ａ）プロピレングリコールアルキルエーテ
ル、（ｂ）炭素数１〜７のモノケトン、および（ｃ）ラ
クタム類またはラクトン類を含有することを特徴とする
レジスト洗浄除去用溶剤。 （２） 前記（ａ）成分を合計７０〜９８重量部、前記
（ｂ）成分を合計１〜２０重量部、および前記（ｃ）成
分が０．１〜１０重量部であることを特徴とする前記
（１）に記載のレジスト洗浄除去用溶剤。 （３） 前記（ａ）成分がプロピレングリコールモノメ
チルエーテルであることを特徴とする前記（１）または
（２）に記載のレジスト洗浄除去用溶剤。 （４） 前記（ｂ）成分がメチルエチルケトンであるこ
とを特徴とする前記（１）または（２）に記載のレジス
ト洗浄除去用溶剤。 （５） 前記（ｃ）成分のうち、ラクタムがＮ−メチル
−２−ピロリドン、ラクトンがγ−ブチロラクトンであ
ることを特徴とする前記（１）または（２）に記載のレ
ジスト洗浄除去用溶剤。 （６） スピンナーによりレジストまたは反射防止膜を
基板表面上に塗布、形成し、次いで、該基板の裏面及び
エッジ部に付着した不要のレジストまたは反射防止膜を
前記（１）〜（５）のいずれかに記載のレジスト洗浄除
去用溶剤であらかじめ除去した後乾燥処理することを特
徴とする電子部品製造用基材の製造方法。

【００１０】本発明のレジスト洗浄除去用溶剤は、レジ
ストおよび反射防止膜の溶解性に優れ、毒性がなく、作
業安全性が高く、またエッジ部のレジスト形状が滑らか
で、しかも膜厚を一定に保つという顕著な効果を有す
る。また本発明の方法によれば、高品質の電子部品製造
用基材を簡単に効率よく製造することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳細に説明
する。本発明のレジスト洗浄除去用溶剤中に含有する
（ａ）成分、プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルとしては、アルキル基として低級アルキル基を有する
ものが好ましい。具体的にはプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル等を挙げること
ができる。この中でもプロピレングリコールモノメチル
エーテルが特に好適に使用される。これらは２種類以上
組み合わせて使用してもよい。

【００１２】また、本発明の溶剤中に含有する（ｂ）成
分、炭素数３〜７のモノケトンとしては、具体的にはア
セトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル
プロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミ
ルケトン等を挙げることができる。この中でもメチルエ
チルケトンが特に好適に使用される。これらは２種類以
上組み合わせて使用してもよい。（ｃ）成分、ラクタム
としては、２−ピロリドン、Ｎ−メチル２−ピロトド
ン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等を挙げる
ことができる。この中でもＮ−メチル−２−ピロリドン
が特に好適に使用される。ラクトンとしては、γ−ブチ
ロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトンが好適に
使用される。この中でもγ−ブチロラクトンが特に好適
に使用される。ラクタム、ラクトンのみ２種以上組み合
わせてもよいし、ラクタムとラクトンを併用してもよ
い。

【００１３】本発明のレジスト洗浄除去用溶剤中に含有
する前記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）各成分の混合比と
しては、（ａ）成分は７０〜９８重量部である必要があ
る。さらに好ましくは、８５〜９８重量部である。７０
重量部未満では、レジストに対する溶解性が高くなりす
ぎ、レジストのエッジ部が平滑にならず、かえってパー
ティクルの発生原因となってしまい好ましくない。９８
重量部を超えて多くなると溶解性が悪化し、レジスト除
去残りを生じ好ましくない。（ｂ）成分は１〜２０重量
部である必要がある。さらに好ましくは１〜１０重量部
である、１重量部未満では、レジスト、反射防止膜成分
に対する溶解性の悪化が生じ、２０重量部を越えて多く
なると、蒸発速度が速くなりレジスト、反射防止膜の膜
厚コントロールが難しくなる。又、引火点の低下により
作業安全性も悪化する。（ｃ）成分は０．１〜１０重量
部である必要がある。さらに好ましくは１〜５重量部で
ある。０．１重量部未満では、レジスト、反射防止膜成
分に対する溶解性の悪化が生じ、１０ｗｔ％を越えて多
くなると、乾燥性が悪化、洗浄性が低下する。

【００１４】本発明のレジスト洗浄除去用溶剤は、前記
（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分の３成分からなる
ものであるが、必要に応じて他の溶剤を混合することが
できる。混合比は本発明よりなるレジスト洗浄除去溶剤
に対して７０ｗｔ％以下であり、好ましくは５０ｗｔ％
以下、さらに好ましくは３０ｗｔ％以下である。

【００１５】混合できる他の溶媒の具体例としては、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチル
エーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、
エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル等の
エーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミ
ル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸
アミル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、安息香酸エチル、
蓚酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクト
ン等のエステル類、ジ−ｉｓｏ−プロピルケトン、シク
ロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の
脂環式ケトン類、アセチルアセトン、アセトニルアセト
ン等のジケトン類、１−メトキシ−２−ブタノン、１−
エトキシ−２−ブタノン、１−メトキシ−３−ペンタノ
ン、１−エトキシ−３−ペンタノン、１−メトキシ−２
−ペンタノン、１−エトキシ−２−ペンタノン、４−ｎ
−プロポキシ−２−プロパノン、４−ｉｓｏ−プロポキ
シ−２−プロパノン、４−メトキシ−２−ブタノン、４
−エトキシ−２−ブタノン、４−ｎ−プロポキシ−２−
ブタノン、４−ｉｓｏ−プロポキシ−２−ブタノン、５
−メトキシ−２−ペンタノン、５−エトキシ−２−ペン
タノン、５−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン、
５−メトキシ−３−メチル−２−ペンタノン、５−メト
キシ−４−メチル−２−ペンタノン、４−メトキシ−４
−メチル−２−ペンタノン、４−エトキシ−４−メチル
−２−ペンタノン、４−エトキシ−４−メチル−２−ブ
タノン、４−エトキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトエール類、４−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−ヒ
ドロキシ−２−ブタノン、３−ヒドロキシ−２−ペンタ
ノン、５−ヒドロキシ−２−ペンタノン、３−ヒドロキ
シ−２−ヘキサノン、４−ヒドロキシ−３−メチル−２
−ブタノン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノ
ン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等の
ケトール類、ブチルアルコール、ｎ−アミルアルコー
ル、ｉｓｏ−アミルアルコール、ベンジルアルコール、
シクロヘキサノール、フルフリルアルコール等のアルコ
ール類、２−メトキシ酢酸メチル、２−エトキシ酢酸エ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロ
キシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エ
チル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシ
プロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチ
ル、２−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、２−メトキ
シプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロ
ピル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシ
プロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α
−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のモノオキシカルボン酸
エステル類、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ア
ニソール等の芳香族炭化水素類、ピルビン酸メチル、ピ
ルビン酸エチル等のジケトン系溶剤、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の高極性溶剤類を挙げることができる。

【００１６】これらの中で３−エトキシプロピオン酸エ
チル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシ
プロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチ
ル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、β−メトキシ
イソ酪酸メチル、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピオン酸イソアミル、酢酸イソアミル、酢酸ｎ
−ブチル、２−メトキシ−２−メチル−４−ペンタノン
等が特に好ましい。

【００１７】本発明の溶剤が適用されるレジストは特に
制限されず、通常使用されているものの中から任意に選
ぶことができるが、被膜形成物質と感光性物質とを含む
ものを挙げることができる。好ましいレジストは、超微
細加工に十分適応しうる諸要求特性を備えたポジ型フォ
トレジストである。

【００１８】ポジ型フォトレジストの例としては、例え
ば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジア
ジド系感光物を含有するものが特に好ましい。また、米
国特許４４９１６２８号、欧州特許２４９１３９号、特
開昭５９−４３４３９号、Polym. Eng. Sci., ２３（１
８）１０１２（１９８３）等に記載されている化学増幅
系ポジ型レジストも好適に用いられる。

【００１９】また、本発明の溶剤が適用される反射防止
膜についても特に制限されず、水溶性のレジスト上層反
射防止膜組成物、もしくは有機溶剤に溶解させて使用さ
れるレジスト下層反射防止膜組成物等を挙げることがで
きる。好ましい反射防止膜はレジストの光学的性能を改
良するための特性、より大きな光吸収を有し、また、そ
の使用を容易にするために均一なコーティング性、良好
な密着性、現像時の良好な溶解性等を有するものであ
る。上記の反射防止膜に関して、レジスト上層反射防止
膜組成物は特開平５−１８８５９８号公報に開示されて
おり、レジスト下層反射防止膜組成物については特公平
６−１２４５２号公報等に開示されている。

【００２０】次に、前記本発明のレジスト洗浄除去用溶
剤を利用した電子部品製造用基材の製造法について説明
する。まず、スピンナーによりレジストおよび反射防止
膜（レジスト層上または基板とレジスト層の中間に形
成）をシリコンウエハーなどの基板に回転塗布し、次い
で基材のエッジ部、裏面部に付着した不要のレジスト
を、基材を回転させながら前記本発明の溶剤であらかじ
め除去した後、乾燥処理することによって。電子部品製
造用基材を製造することができる。

【００２１】図１はスピンナーによりレジストおよびレ
ジスト上層反射防止膜をウエハーの表面上に塗布した際
のウエハー周辺付近の状態を示す断面図であって、１は
ウエハー（基板）、２はレジスト、３，４はウエハーエ
ッジ部のレジスト、５はウエハー裏面部のレジスト、６
は反射防止膜、７はウエハーエッジ部の反射防止膜、８
はウエハー裏面部の反射防止膜を示す。図２はスピンナ
ーによりレジストをウェハーに塗布し、レジスト洗浄除
去用溶剤を噴射した後のシリコンウェハーのエッジの形
状を光学顕微鏡で観察した様子を示す図である。図３
(a),(b),(c)は各々図２の円形部分を示す拡大図であ
り、(a)はエッジ部レジストがきれいに除去されている
状態、(b) はエッジ部レジストほぼ除去可能だが、ひげ
状に除去残りがある状態、(c) はエッジ部が蛇行してお
り僅かにレジスト除去残りがある状態、(d) はエッジ部
にレジストが薄膜状に残る。除去できていない状態を示
す図である。

【００２２】この場合、溶剤の供給手段としては、溶剤
供給ノズルにより、基材の周辺部分に溶剤を滴下又は吹
き付ける方法が用いられる。また溶剤の供給量は使用す
るレジストの種類や膜厚あるいは基板の大きさなどによ
り、適宜変わるが通常は１０〜１００ml／分の範囲で選
ばれる。その後、レジストが塗布された基材を、乾燥処
理することによって電子部品製造用基材を形成させるこ
とから成る。

【００２３】

【実施例】以下、本発明を実施例によって、更に具体的
に説明するが、勿論本発明の範囲は、これらによって限
定されるものではない。各実施例中、「％」は特に断ら
ない限り「重量％」を示すものである。

【００２４】実施例１〜６、比較例１〜７ （ｉ線ポジ型フォトレジスト）ｍ−クレゾール、ｐ−ク
レゾールを蓚酸を触媒としてホルムアルデヒドで縮合し
て得られたノボラック樹脂（ｍ−クレゾール／ｐ−クレ
ゾール＝４３／５７モル比、Ｍｗ＝７２００）１００重
量部と２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル（平均エステル化率７５％）２６重量部、フッ
素系界面活性剤「フロラードＦＣ−４３０」（フロロケ
ミカル−住友スリーエム製）０．０５重量部をエチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート２５０重量部
に溶解し、ポアサイズ０．２０μｍのポリテトラフルオ
ロエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、ｉ線ポ
ジ型フォトレジスト組成物を調製した。

【００２５】このフォトレジスト組成物を６インチシリ
コンウエハー上に東京エレクトロン社製塗布機Ｍａｒｋ
−Ｖｚを用いて３０００rpm、６０秒間で塗布し、膜厚
２．６６μｍのレジスト膜を得た。次いで同装置のウエ
ハーリンス用ノズルから表−１に示される溶剤を８ml／
minで噴射し、シリコンウエハーのエッジ部のレジスト
の溶解状態を光学顕微鏡で観察した。結果を表−１に示
す。

【００２６】（化学増幅型ポジ型フォトレジスト）アセ
タール基、アルコキシカルボニルオキシ基によりにより
保護されたポリ（ヒドロキシスチレン）８２重量とスル
ホニウム塩１８部をプロピレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート３００重量部に溶解し、ポアサイズ
０．２０μｍのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフ
ィルターを用いて濾過し、化学増幅型ポジ型フォトレジ
スト組成物を調製した。

【００２７】このフォトレジスト組成物を６インチシリ
コンウエハー上に東京エレクトロン社製塗布機Ｍａｒｋ
−Ｖｚを用いて３０００rpm、６０秒間で塗布し、膜厚
０．７０μｍのレジスト膜を得た。次いでｉ線レジスト
と同一の方法で表中の各溶剤使用してエッジ部を溶解し
た。溶解状態は光学顕微鏡で観察した。結果を表−１に
示す。評価基準はｉ線レジストの場合と同一とした。

【００２８】

【表１】

【００２９】 ＊評価基準 ○ ：エッジ部レジストがきれいに除去可能。（図３(a)） △（ひげ） ：エッジ部レジストほぼ除去可能だが、ひげ状に除去残りあり。 （図３(b)） △（にじみ）：エッジ部が蛇行しており僅かにレジスト除去残りあり。 （図３(c)) × ：エッジ部にレジストが薄膜状に残る。除去できていない。 （図３(d))

【００３０】表１の結果からわかるように本発明のレジ
スト洗浄除去用溶剤を用いたもの（実施例１〜６）は従
来知られている溶剤に比較し、ｉ線ポジ型フォトレジス
トおよび化学増幅型ポジ型フォトレジストに対して、エ
ッジ部のレジストがきわめて効率良く除去できることが
わかる。また、エッジ部のレジスト形状が滑らかである
ことがわかる。比較例１〜７のように、エッジ部のレジ
ストが完全に除去できていないものは、基板から剥がれ
やすくごみが発生しやすいという問題を生じる。

【００３１】実施例７〜８、比較例８〜１１ （水溶性反射防止膜）クラリアント社製、Ａｑｕａ−Ｔ
ＡＲを東京エレクトロン社製塗布機Ｍａｒｋ−Ｖｚを用
いて４０００rpm、３０秒間塗布し、膜厚０．０５μｍ
の反射防止膜を得た。次いで同装置のウエハーリンス用
ノズルから表２に示される溶剤を８ml／minで噴射し、
シリコンウエハーのエッジ部の反射防止膜を除去した。
結果を表２に示す（除去性）。また、クラリアント社
製、Ａｑｕａ−ＴＡＲ１０ｇと表２に示された各溶媒１
００ｇを２５０ｍｌ透明ガラス容器中で振とう、攪拌し
た。これを１分間放置し、混合液の状態を目視で観察し
た。結果を表２に示す（溶解性）。

【００３２】

【表２】

【００３３】＊評価基準（反射防止膜除去性） ○：エッジ部反射防止膜がきれいに除去可能。 △：エッジ部反射防止膜がギザギザしており僅かに除去
残りあり。 ×：エッジ部反射防止膜が薄膜状に残る。除去できてい
ない。 ＊＊ 評価基準（反射防止膜溶解性） ○：混合しても白濁がなく、析出物もなし。 ×：混合により白濁が発生する。

【００３４】表２の結果からわかるように本発明のレジ
スト洗浄除去用溶剤を用いたもの（実施例７〜８）は従
来知られている溶剤に比較し、反射防止膜の溶解性が良
好で反射防止膜がきわめて効率良く除去できることがわ
かる。

【００３５】

【発明の効果】本発明のレジスト洗浄除去用溶剤は、レ
ジスト及び反射防止膜の溶解性に優れ、乾燥性が過度に
早すぎることがないために、エッジ部のレジスト形状が
滑らかで膜厚を一定に保ち、毒性がないという顕著な効
果を有する。また、本発明の方法によれば、高品質の電
子部品製造用基材を簡単に効率よく製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】スピンナーによりレジストおよび反射防止膜を
ウエハーの表面上に塗布した際のウエハー周辺付近の状
態を示す断面図である。

【図２】スピンナーによりレジストをウェハーに塗布
し、レジスト洗浄除去用溶剤を噴射した後のシリコンウ
ェハーのエッジの形状を光学顕微鏡で観察した様子を示
す図である。

【図３】図２の円形部分を示す拡大図である。

【符号の説明】

１…ウエハー ２…レジスト ３，４…ウエハーエッジ部のレジスト ５…ウエハー裏面部のレジスト ６…反射防止膜 ７…ウエハーエッジ部の反射防止膜 ８…ウエハー裏面部の反射防止膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）プロピレングリコールアルキルエ
   ーテル、（ｂ）炭素数１〜７のモノケトン、および
   （ｃ）ラクタム類またはラクトン類を含有することを特
   徴とするレジスト洗浄除去用溶剤。
2. 【請求項２】 前記（ａ）成分を合計７０〜９８重量
   部、前記（ｂ）成分を合計１〜２０重量部、および前記
   （ｃ）成分が０．１〜１０重量部であることを特徴とす
   る請求項１に記載のレジスト洗浄除去用溶剤。
3. 【請求項３】 前記（ａ）成分がプロピレングリコール
   モノメチルエーテルであることを特徴とする請求項１ま
   たは２に記載のレジスト洗浄除去用溶剤。
4. 【請求項４】 前記（ｂ）成分がメチルエチルケトンで
   あることを特徴とする請求項１または２に記載のレジス
   ト洗浄除去用溶剤。
5. 【請求項５】 前記（ｃ）成分のうち、ラクタムがＮ−
   メチル−２−ピロリドン、ラクトンがγ−ブチロラクト
   ンであることを特徴とする請求項１または２に記載のレ
   ジスト洗浄除去用溶剤。
6. 【請求項６】 スピンナーによりレジストまたは反射防
   止膜を基板表面上に塗布、形成し、次いで、該基板の裏
   面及びエッジ部に付着した不要のレジストまたは反射防
   止膜を請求項１〜５のいずれかに記載のレジスト洗浄除
   去用溶剤であらかじめ除去した後乾燥処理することを特
   徴とする電子部品製造用基材の製造方法。