JP4762867B2 - ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の洗浄方法 - Google Patents
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Description
(i)ホトリソグラフィ用洗浄液を噴出するノズルを基板縁辺部に沿って移動させ洗浄除去する手段。
(ii)回転する基板の下方にホトリソグラフィ用洗浄液を噴出するノズルを配置し、基板裏面を洗浄液除去する手段。
(iii)基板を静止した状態で、あらかじめホトリソグラフィ用洗浄液を満たした洗浄液貯留部を基板へ水平に移動し、基板の縁辺部を該貯留部のホトリソグラフィ用洗浄液に接触する手段。
(iv)あらかじめホトリソグラフィ用洗浄液を満たした洗浄液貯留部で基板の両端を狭持し、基板を移動させる手段。
(v)ホトリソグラフィ用洗浄液で満たされた槽に基板を垂直に保持し浸漬する方法。
直径200mmのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物である「ARC29」(ブリューワサイエンス社製)を塗布し、205℃にて60秒間加熱処理し、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。次いでこの反射防止膜上にポジ型レジストである「TArF−P6111」(東京応化工業(株)製)を塗布し、シリコンウェーハを回転させてスピンドライを行って不完全乾燥させ、膜厚215nmのホトレジスト膜を形成した基板を用意した。
次いで、上記基板の縁辺部を表1に示す各ホトリソグラフィ用洗浄液を25℃で基板端縁から5mmの位置に配置したノズルから10mL/分の割合で10秒間吹き付け、ホトレジスト膜端縁部を洗浄した。
(評価基準)
A: ホトレジスト膜の不要部が完全に洗浄除去されていた。
B: ホトレジスト膜の不要部が完全ではないが後続の工程で支障がない程度に洗浄除去されていた。
C: ホトレジスト膜の不要部に明らかに残渣物が残っていた。
次に、前記操作によりホトレジスト不要部の洗浄除去処理が行われた基板について、ホトレジスト膜の必要部の断面形状を、触針式断差測定器「DEKTAK8」(日本真空技術(株)製)により測定し、洗浄除去後のホトレジスト膜の断面形状を下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。
(評価基準)
A: ホトレジスト膜界面付近に盛り上がりおよびテーパー形状などがみられず、良好な形状であった。
B: ホトレジスト膜界面付近に盛り上がりあるいはテーパー形状の傾向がある程度みられるものの、後続の工程で支障がない程度であった。
C: ホトレジスト膜界面付近での盛り上がりあるいはテーパー形状が極端であった。
一方、洗浄処理後の基板を30秒間風乾した後、各ホトリソグラフィ用洗浄液が接触した部分を目視により観察し、下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。
(評価基準)
A: 洗浄液の残りが認められなかった。
B: 部分的に洗浄液の残りが認められた。
C: 洗浄液が完全に残っていた。
Claims (7)
- シリコンウェーハ上のホトレジスト塗膜をスピンドライすることにより形成したホトレジスト膜の不要部を除去するための洗浄液であって、(a)ラクトン系有機溶剤を10〜60質量%、および(b)アルコキシベンゼン、芳香族アルコール、アルキレングリコールの中から選ばれる少なくとも1種の水溶性有機溶剤を40〜90質量%を含有してなるホトリソグラフィ用洗浄液。
- 前記ホトリソグラフィ用洗浄液が、シリコンウェーハ上の周辺部、縁辺部および裏面部の少なくとも一部に付着した不要のホトレジスト膜を洗浄除去するための洗浄液である、請求項1記載のホトリソグラフィ用洗浄液。
- 前記(a)成分がγ−ブチロラクトンである、請求項1または2記載のホトリソグラフィ用洗浄液。
- 前記(b)成分がアルコキシベンゼンである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のホトリソグラフィ用洗浄液。
- 前記(b)成分がアニソールである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のホトリソグラフィ用洗浄液。
- さらに、(c)成分として低級アルキルケトンを含有してなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載のホトリソグラフィ用洗浄液。
- シリコンウェーハ上にホトレジスト組成物を塗布した後、スピンドライすることによりホトレジスト膜を形成し、次いでシリコンウェーハの周辺部、縁辺部および裏面部の少なくとも一部に付着した不要のホトレジスト膜を、請求項1〜6のいずれか1項に記載のホトリソグラフィ用洗浄液を用いて溶解除去することにより洗浄除去する工程を含むシリコンウェーハの洗浄方法。
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