JP6810667B2 - 洗浄溶剤及び半導体装置製造用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明では、下記一般式(A)で示される化合物を含む洗浄溶剤を、半導体装置製造用基板を製造する際に、塗布膜が形成された基板(ウエハー)上の端部の塗布膜を洗浄除去するための洗浄溶剤として用いる。
また、本発明では、半導体装置製造用基板の製造方法であって、塗布膜を基板上に回転塗布する工程と、前記基板上の端部の塗布膜を下記一般式(A)で示される化合物を含有する洗浄溶剤を用いて洗浄除去する工程と、洗浄除去工程後に得られた塗布膜を150℃以上450℃以下の温度で10秒〜300秒の範囲で熱処理を加えて硬化膜を得る工程とを含む半導体装置製造用基板の製造方法も提供する。以下、各工程について詳しく説明する。
本発明の半導体装置製造用基板の製造方法において、塗布膜はスピンコーター等を用いた常法の回転塗布によって、ウエハー上に形成することができる。
ウエハー端部の塗布膜の洗浄除去工程は、塗布膜をウエハー上に回転塗布した後、熱処理工程前に行われる。
熱処理工程は、洗浄除去工程後に得られた塗布膜をホットプレート等で加熱することで行われる。また、熱処理工程は150℃以上450℃以下の温度で10秒〜300秒の範囲で行われる。
ケイ素含有レジスト中間層ポリマー(SOG−1)として、以下のポリマーのプロピレングリコールエチルエーテル2%溶液を調製した。該SOG−1を、東京エレクトロン(株)製クリーントラックACT12を用いてシリコンウエハーに1500rpmで回転塗布し、塗布膜を形成した。塗布膜が形成されたシリコンウエハーを回転させたまま、ウエハー端部の塗布膜をγ−ブチロラクトンで7秒間かけ流して外周部から3mm洗浄除去した後に、240℃で60秒間加熱して、膜厚38nmの塗布膜(ケイ素含有レジスト中間層)を作製した。得られた塗布膜の中心、端部、及びウエハー端部付近の膜厚を(株)日立ハイテクノロジーズ製電子顕微鏡(S−4700)で得られた断面図から測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をδ−バレロラクトンで洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜(ケイ素含有レジスト中間層)を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をプロピレンカーボネートで洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜(ケイ素含有レジスト中間層)を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をγ−ブチロラクトン30%、プロピレングリコールモノメチルエーテル70%の混合液で洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をδ−バレロラクトン30%、プロピレングリコールモノメチルエーテル70%の混合液で洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をプロピレンカーボネート30%、プロピレングリコールモノメチルエーテル70%の混合液で洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)で洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
ウエハー端部の塗布膜をPGMEA30%、プロピレングリコールモノメチルエーテル70%の混合液で洗浄除去した以外は、実施例1と同様の方法で塗布膜を作製した。その後、得られた塗布膜の膜厚を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表1に示す。
次いで、実施例1〜6、比較例1、2で作製した塗布膜を、後述のエッチング条件(1)でドライエッチングした後、得られたウエハー表面をKLA−Tencor社製暗視野欠陥検査装置SP2で60nm以上の大きさの表面ダスト数を計測した。その結果を表2に示す。
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置TeliusSP
チャンバー圧力:10Pa
Upper/LowerRFパワー:500W/300W
CHF3ガス流量:50ml/min
CF4ガス流量:150ml/min
Arガス流量:100ml/min
処理時間:40sec
Claims (5)
- 前記一般式(A)で示される化合物が、常温・常圧で液体であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄溶剤。
- 前記一般式(A)で示される化合物を30質量%以上含有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の洗浄溶剤。
- 前記ケイ素含有膜として、ポリシロキサンを含有するケイ素含有膜を用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置製造用基板の製造方法。
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