JP2007142181A - 基板処理方法及びリンス装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】液浸液の追随性を確保しつつ、意図しない基板ベベル部の段差、ダストの発生源となる基板ベベル部のレジスト膜或いは保護膜を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかる。
【解決手段】液浸露光により被処理基板上にレジストパターンを形成する基板処理方法において、被処理基板10に対し、基板表面側11の中央部、周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部14、及び端部13にレジスト膜23を形成した後、レジスト膜23と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、レジスト膜23に所望パターンの潜像を形成する露光工程を行い、潜像が形成されたレジスト膜23を現像し、露光工程後に基板10の端部13にリンス液34を供給し、基板10の端部13のレジスト膜23を除去する。
【選択図】図4
【解決手段】液浸露光により被処理基板上にレジストパターンを形成する基板処理方法において、被処理基板10に対し、基板表面側11の中央部、周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部14、及び端部13にレジスト膜23を形成した後、レジスト膜23と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、レジスト膜23に所望パターンの潜像を形成する露光工程を行い、潜像が形成されたレジスト膜23を現像し、露光工程後に基板10の端部13にリンス液34を供給し、基板10の端部13のレジスト膜23を除去する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板上に液浸露光によってレジストパターンを形成するための基板処理方法に係わり、特に現像処理前後の洗浄処理の改良をはかった基板処理方法に関する。また本発明は、上記の基板処理方法に使用する基板処理装置に関する。
近年、半導体装置の微細化に伴い様々なリソグラフィー技術が検討されており、次世代のリソグラフィー技術としては、液浸露光法が注目されている。この液浸露光法は、投影レンズと露光対象であるレジスト膜との間の光路を占める媒質の屈折率を大きくすることで、投影レンズの光軸下流側における臨界角を大きくし、光路媒質が空気である露光の場合に比べて、限界解像以下での微細パターンによる回折光の投影が可能となる。現在、開発の主流とされている液浸露光装置は、レジスト膜と投影レンズとの間に位置する光路周辺部のみに光路媒質を占める方式(部分液浸露光装置)である。
しかしながら、部分液浸露光装置を用いた液浸リソグラフィー工程においては、次の問題が発生することが懸念される。
A)液浸液と基板との相互作用
液浸液と基板が直接接触するため、レジスト膜の含有成分或いは吸着成分が液浸液に溶出する場合がある。レジスト中のPAG(及び光発生酸)、クエンチャー、基板からのアミンなどは、液浸液に接している投影光学系の最終要素に対して作用し、前記光学系要素を劣化させる。また、一部のメタル不純物もレンズに対して影響を与える可能性がある。このため、レジスト膜の樹脂の種類、或いは溶出する添加物であるPAGやクエンチャー自身の種類、或いはレジスト薬液の溶剤の変更などが検討されている。
液浸液と基板が直接接触するため、レジスト膜の含有成分或いは吸着成分が液浸液に溶出する場合がある。レジスト中のPAG(及び光発生酸)、クエンチャー、基板からのアミンなどは、液浸液に接している投影光学系の最終要素に対して作用し、前記光学系要素を劣化させる。また、一部のメタル不純物もレンズに対して影響を与える可能性がある。このため、レジスト膜の樹脂の種類、或いは溶出する添加物であるPAGやクエンチャー自身の種類、或いはレジスト薬液の溶剤の変更などが検討されている。
一方、レジスト膜の上層に保護膜を形成し、前記レジスト膜からの溶出を抑制することも検討されている。保護膜もレジスト膜と同様に回転塗布により形成される。保護膜としては、東京応化工業製TSP−3Aを典型例とする溶剤剥離型、レジストの現像時にレジスト同時に現像液に溶解する現像溶解型がある。
B)ウェハエッジ露光における保持された液浸液の追随性
基板エッジ部の単位露光領域を露光する際に、シャワーヘッド及び内部に保持された液浸液が基板エッジ部を通過する。この際、シャワーヘッドとウェハ間に保持された液浸液がウェハステージの移動に追随しきれない可能性がある。その結果、シャワーヘッド内に気泡を巻き込むことにより、気泡によるレンズ効果或いはフレアが発生することで、パターン欠陥が発生する可能性がある。また、逆に、基板エッジ部の段差に液浸液が残留することで、ウォーターマークに起因する欠陥が発生する可能性もある。また、極端な場合には、シャワーヘッド内の液浸液が制御しきれない動きが発生することで、ウェハステージの高さ方向の制御が当該部位において悪化し、フォーカス制御の劣化によるパターン欠陥が発生する可能性もある。
基板エッジ部の単位露光領域を露光する際に、シャワーヘッド及び内部に保持された液浸液が基板エッジ部を通過する。この際、シャワーヘッドとウェハ間に保持された液浸液がウェハステージの移動に追随しきれない可能性がある。その結果、シャワーヘッド内に気泡を巻き込むことにより、気泡によるレンズ効果或いはフレアが発生することで、パターン欠陥が発生する可能性がある。また、逆に、基板エッジ部の段差に液浸液が残留することで、ウォーターマークに起因する欠陥が発生する可能性もある。また、極端な場合には、シャワーヘッド内の液浸液が制御しきれない動きが発生することで、ウェハステージの高さ方向の制御が当該部位において悪化し、フォーカス制御の劣化によるパターン欠陥が発生する可能性もある。
最上層に存在するレジスト膜或いは保護膜は、基板エッジ部においてエッジリンスによる段差を設けないことが、前記A)記載の液浸液の追随性の観点から有利であることは明白である。しかし、一方で基板エッジ部、特にベベル部の側面近くまでにレジスト膜或いは保護膜を形成し、レジストパターン形成以降にも存在した場合、基板エッジ部の加工状態に差が生じ、意図しない基板ベベル部の段差、ダストの発生源となる。
特開昭57−153433号公報
W. Hinsberg etc, Proc. SPIE vol. 5376, pp.21-33 (2004)
J. Talylor etc, Proc. SPIE vol.5376, pp.34-43 (2004)
このように、従来の液浸露光によるレジストパターンの形成方法においては、液浸液の追随性の観点からは最上層に存在するレジスト膜或いは保護膜は基板エッジ部においても存在することが有利であるが、この場合、基板エッジ部の加工状態に差が生じ、意図しない基板ベベル部の段差、ダストの発生源となる問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、液浸液の追随性を確保しつつ、意図しない基板ベベル部の段差、ダストの発生源となる基板ベベル部のレジスト膜或いは保護膜を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかり得る基板処理方法及びこの方法に用いる基板処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
即ち、本発明の一態様は、液浸露光法を用いてレジストパターンを形成するための基板処理方法であって、被処理基板に対し、基板表面側の中央部、周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部、及び端部にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、前記潜像が形成されたレジスト膜を現像する工程と、前記露光工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部のレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の別の一態様は、液浸露光法を用いてレジストパターンを形成するための基板処理方法であって、被処理基板に対し、基板表面側の中央部、又は周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部及び基板表面側の中央部にレジスト膜を形成する工程と、前記基板の表面上に前記レジスト膜を覆うように、且つ前記基板の端部に達するように保護膜を形成する工程と、前記保護膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、前記露光工程後に、前記保護膜を剥離する工程と、前記保護膜の剥離工程後に、前記潜像が形成されたレジスト膜を現像する工程と、前記露光工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部に残った保護膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の別の一態様は、液浸露光法を用いてレジストパターンを形成するための基板処理方法であって、被処理基板に対し、基板表面側の中央部、又は周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部及び基板表面側の中央部にレジスト膜を形成する工程と、前記基板の表面上に前記レジスト膜を覆うように、且つ前記基板の端部に達するように、前記レジストの現像液で剥離できる保護膜を形成する工程と、前記保護膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、前記露光工程後に、前記保護膜の剥離と前記レジスト膜の現像を連続して行う工程と、前記現像工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部に残った保護膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の別の一態様は、液浸露光に供される被処理基板を現像又は洗浄するための基板処理装置であって、被処理基板を載置して回転するステージと、前記基板の上方及び/又は下方に設置され、基板周辺部に対して斜め方向から基板の外側方向に第1のリンス液を吹き付ける第1のノズルと、前記基板の上方及び/又は下方に設置され、基板周辺部に対して斜め方向から基板の外側方向に第2のリンス液を吹き付ける第2のノズルと、前記基板の上方に設置され、基板の中心部に対して現像液又はリンス液を吹き付ける第3のノズルと、を具備してなることを特徴とする。
本発明によれば、露光時には基板エッジにおける段差を無くして液浸液の追随性を確保することができ、良好な液浸露光を行うことができる。そして、露光後には、ダストの発生源となる基板エッジ部のレジスト膜或いは保護膜を除去することができるため、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかることができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
(第1の実施形態)
図1〜図4は、本発明の第1の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。
図1〜図4は、本発明の第1の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。
本実施形態は、例えば193nm光のArF露光による部分液浸露光装置を用いた液浸リソグラフィーであり、保護膜を使用せずに、レジスト膜と液浸液が直接接する例であり、従って液浸液への溶出物が液浸露光装置の状態を劣化させない程度のレジスト膜材料を用いる必要がある。
素子形成工程において、基板表面の薄膜を加工するために、基板上にリソグラフィー工程によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンを加工マスクとして基板表面の薄膜を加工する。薄膜とレジスト膜との間には、反射防止膜或いはレジストパターンを転写して前記薄膜の加工マスクとして機能するハードマスクを用いる場合もある。ハードマスクの例としては、SiOHN系膜,SiC膜,ポリSi膜,アモルファスSi(a−Si)膜などがある。また、ハードマスクを形成した上に、反射防止膜を形成する場合もある。さらには、反射防止膜とハードマスク層を兼ねる2層反射防止膜がある。具体例として、下層に有機膜或いはスパッタカーボン膜、下層膜とレジスト膜の中間層にSOG(Spin On Glass)膜或いはSiONH系の膜がある。
まず、図1(a)に示すように、素子形成に用いる被加工膜が形成された被処理基板10上に、下層膜21を形成する。ここで、基板10は、表面側11と裏面側12及び端部13以外に、搬送中のダストや割れを防止するために終端部を面取り加工したベベル部14を有するものとする。また、本実施形態では、基板10の表面側11の素子形成領域であって平坦とみなせる領域を中央部、ベベル部14及び端部13を含んだ基板10の周辺部をエッジ部と称することにする。
下層膜21の形成方法としては、炭素含有量が高い、典型例としては76%以上である有機膜を回転塗布工程で形成した後、加熱工程を行う。回転塗布においては、基板10の端部13及び基板裏面側12(裏面側のベベル部を含む)に塗膜が形成される場合がある。これは、基板搬送過程においてダスト源となるなど、問題を引き起こす場合がある。そこで、図1(b)に示すように、回転塗布工程中において、基板裏面側12にリンス液31を供給するバックリンスを実施し、基板10の搬送時に搬送ケースと接触する端部13及び裏面側12の膜を除去する。これにより、図1(c)に示すような構造が得られる。
加熱工程の典型例は、200℃,60秒の第1の加熱工程と、300℃,60秒の第2の加熱工程である。なお、材料によっては単一の温度による加熱工程でもよく、また前記2段階の加熱工程は同一或いは別々のユニットで行っても良い。他の典型例としては、スパッタ法により形成する炭素膜層である。
次いで、図1(d)に示すように、下層膜21上に、中間層22を形成する。中間層22の典型例はSOG膜であり、回転塗布工程で形成した後、加熱工程を行う。回転塗布法においては、図2(e)に示すように、基板表面側11及び裏面側12にリンス液32を供給するエッジリンス及びバックリンスを実施する。これにより、図2(f)に示すように、中間層22が基板表面側11の下層膜21上のみに存在し、且つ下層膜21よりも内側に後退した構造が得られる。
加熱工程の典型例は、200℃,60秒の第1の加熱工程と、300℃,60秒の第2の加熱工程である。なお、材料によっては単一の温度による加熱工程でもよく、また前記2段階の加熱工程は同一或いは別々のユニットで行っても良い。
中間層22の他の例は、プラズマCVD工程で形成されるSiOHN膜である。この場合には、ベベル部14、端部13、場合によっては基板裏面側12にもSiOHN層が形成される。裏面側12、端部13及びベベル部14に堆積されたSiOHN膜は、必要に応じて、裏面エッチング或いは裏面CMP工程、ベベルCMP工程によって除去しても良い。
次いで、図2(g)に示すように、中間層22の上に例えば(JSR株式会社製:AR2014)からなるポジ型のレジスト膜23を形成する。中間層22或いは/及び下層膜21が液浸液に対する溶出物を含有或は吸着している場合には、レジスト膜23は前記溶出物の発生源となる膜の全てを覆うように、バックリンス(及び場合によってはエッジリンス)によって、ウェハエッジ部の塗布状態を制御する。典型的な方法は、回転塗布工程で形成した後、加熱工程を行う。
回転塗布法においては、図3(h)に示すように、レジスト膜23に対する第1のエッジリンス工程を行う。即ち、基板裏面側12にリンス液33を供給するバックリンスを実施する。これにより、図3(i)に示すように、下層膜21及び中間層22がレジスト膜23により覆われ、且つレジスト膜23は基板周辺のベベル部14及び端部13に残ることになる。レジスト膜23の加熱工程は、レジスト樹脂のガラス転移温度以下で行うことが多く、一般的には90℃から150℃以下で行う。
次いで、図3(j)に示すように、基板表面側11の中央部にパターンを露光し、レジスト膜23に所望パターンの潜像を形成する。具体的には、液浸露光装置を用いて、露光マスク上のパターンを通じてエネルギー線を照射することにより、レジスト膜23中に潜像を形成する。
次いで、図4(k)に示すように、基板周辺部のレジスト膜23を露光し、図4(l)に示すように基板周辺部に位置するレジスト膜23の全体を感光させる。即ち、基板エッジ露光を行う。典型的な方法としては、高圧水銀ランプとフィルターを組み合わせて、所定の波長範囲のみを照射する。ArF用レジストにおける典型的な照射量は50〜500J/cm2 である。照射部位は感光し、後述する現像工程において溶解する。
パターン露光後の基板に対して、必要に応じて、レジスト種に応じた加熱工程(PEB工程)を実施する。ArFレジストにおいて典型的なPEB条件は、90℃〜140℃であり、PEB時間は90秒である。
次いで、図4(m)に示すように、レジスト膜23に対する第2のエッジリンス工程を行う。即ち、レジスト膜23を溶解させる薬液34を基板上方から基板端部13に吐出し、端部13のレジスト膜23を除去する。このレジスト膜23に対する第2のエッジリンス工程は、基板側面に対して実施することから、エッジリンス薬液34は基板表面に対する鉛直方向に対して角度を有する方向で行うことが望ましい。レジスト膜23に対する第2のエッジリンス液34は、レジスト膜23を溶解させるが、基板10、中間層22、下層膜21の膜質や組成にレジストパターン形状や露光プロセスマージン等の観点において、事実上保護膜影響を与えないことが必要である。
パターン露光工程からの経過時間、即ちPED(Post Exposure Delay)の観点から望ましいのは、レジスト膜23に対する第2のエッジリンスをPEB工程以降に実施することである。さらに、レジスト膜23の種類によっては、基板周辺露光を実施した部位のレジスト膜23の溶解性が、レジスト膜23の第2のエッジリンス溶液によって変質する可能性があることから、さらに望ましい実施順序は、レジストパターンの現像工程後である。但し、リソグラフィー工程を実施する塗布現像装置から一度搬出した後に実施する場合には、基板搬送容器との接触を防止できない限り、基板側面のレジスト膜23がダスト源となる。従って、当該塗布現像装置の内部で、レジスト膜23の第2のエッジリンス工程を行うことが望ましい。
次いで、図4(n)に示すように、レジスト膜23に対して、所定の現像液による現像工程を行う。レジストがポジ型レジストであれば、所定の露光量以上が照射された部位が溶解する。現像液は典型的には2.38%のTMAH水溶液である。界面活性剤をさらに含む場合も存在する。
現像後のレジスト膜23に対して更にリンス工程を実施し、溶解したレジスト膜、現像液及び前記リンス液を除去し、所望のレジストパターン24を得る。また、基板周辺露光工程を実施した場合、周辺露光領域のレジストパターンも溶解する。
これ以降は、レジストパターン24を加工マスクにして、中間層22を加工する。続いて、中間層22のパターンを加工マスクにして、下層膜21を加工する。そして、この下層膜21のパターンを加工マスクにして、基板10上の被加工膜を加工する。
このように本実施形態によれば、液浸露光によってレジストパターンを形成することができる。そしてこの場合、レジスト膜23を基板10の表面側の中央部だけでなく、ベベル部14及び端部13に形成した状態で液浸露光を行うことから、意図しない基板ベベル部の段差等により液浸液の追随性が劣化することはなく、良好な液浸露光を行うことができる。即ち、基板エッジ分の段差が比較的緩やかであることから、後述する比較例1で示した基板エッジの段差に起因した問題は改善される。また、レジスト膜23の露光後に基板10の端部13のレジスト膜23に対して第2のエッジリンスを施しているため、後述する比較例2とは異なり、ダストの発生源となる基板端部13のレジスト膜23を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかることができる。
(比較例1)
前記図3(h)に示したレジスト膜23の第1のエッジリンス工程において、図5(a)に示すように、基板裏面側からだけではなく基板表面側からもリンス液33を供給すると、図5(b)に示すように、レジスト膜23の端部に段差が生じてしまう。
前記図3(h)に示したレジスト膜23の第1のエッジリンス工程において、図5(a)に示すように、基板裏面側からだけではなく基板表面側からもリンス液33を供給すると、図5(b)に示すように、レジスト膜23の端部に段差が生じてしまう。
即ち、基板エッジ部において、レジスト膜23と中間層22或いは下層膜21の表面の間に段差が存在する。このため、部分液浸露光時に、ウェハステージの移動において、シャワーヘッド内に保持された液浸液に意図しない流れが生じる。ウェハステージとシャワーヘッドを相対移動として記述すると、シャワーヘッドの進行方向の端が段差部位を通過する時に気泡を巻き込むことでフレアやレンズ効果によるパターン欠陥が発生し、シャワーヘッドの進行方向と逆側が段差部位を通過することで基板上に液浸液を残留させることで発生するウォーターマークに起因するパターン欠陥が発生する可能性がある。
また、さらには液浸液の意図しない流れによって、段差部位を通過後、即ち相対移動でウェハの外側からウェハ内部シャワーヘッドが移動する場合において、ウェハステージの高さ制御、即ちフォーカス制御が狂う場合が考えられる。図5(c)がこの状態を示しており、図中の25は残留水滴、26は気泡による結像不良部を示している。
また、液浸液と中間層22及び下層膜21が直接接する。このため、中間層22及び/或いは下層膜21の含有物或は/及び吸着物が液浸液へ溶出し、液浸液と接する投影光学系の要素に損傷を与える。また、中間層22或いは/及び下層膜21が液浸液を吸収する場合、露光中に当該膜の光学定数が変化し、パターン欠陥を発生する。
この場合、図5(d)に示すように、周辺露光を行った後に、現像処理を施すと、図6(e)に示すように、ウォーターマーク27等が形成される。そして、レジスト膜23に現像処理を施すと、図6(f)に示すように、ウォーターマーク27に起因するパターン欠陥28が発生する。
先に説明した第1の実施形態では、レジスト膜23に対する第1のエッジリンスを裏面側からのみ行い、レジスト膜23を基板10の端部13に残しているので、上記の問題を未然に防止することができるのである。
(比較例2)
従来方法では一般に、レジスト膜23に対しては第1のエッジリンスしか行わない。第1の実施形態において、レジスト膜23に対して第1のエッジリンスのみを行い、第2のエッジリンスを施さないと、次のような問題が発生する可能性がある。
従来方法では一般に、レジスト膜23に対しては第1のエッジリンスしか行わない。第1の実施形態において、レジスト膜23に対して第1のエッジリンスのみを行い、第2のエッジリンスを施さないと、次のような問題が発生する可能性がある。
前記液浸液の追随性のために第1の実施形態と同様に、基板ベベル部14及び基板端部13までレジスト膜23を形成する。周辺露光工程においては、基板上部から露光光を照射するため、端部13に存在するレジスト膜23に対しては、十分な照射量を与えることは難しい。また、現像工程において、現像液は基板10上に液膜を形成し、所定間保持した後に現像液を振り切る、或いはリンス液によって洗い流すことが一般的である。
従って、基板10の端部13は十分な時間、或いは十分な濃度を有する現像液に接することはなく、当該位置に存在し、かつ周辺露光が不十分であるレジスト膜23を溶解除去することは困難である。このため、図7に示すように、基板10の端部13にレジスト膜23が残ってしまう。そして、この残留レジスト膜23はダストの発生源となる。
また、当該リソグラフィー工程以前の工程や基板の搬送過程において、基板ベベル部の側面に微小亀裂や溝などが形成される場合がある。回転塗布工程においてレジスト膜が前記微小亀裂や溝に入り込んだ場合、通常のエッジリンスやバックリンス、或いは基板周辺露光工程と現像工程によって除去することは困難である。溝や亀裂に入り込んだレジスト膜は、当該リソグラフィー工程の後に実施する加工工程において、ダスト源となり、当該基板の歩留まりを低下させる場合がある。
先に説明した第1の実施形態では、レジスト膜23に対する第2のエッジリンスを行うことにより、基板10の端部13に残ったレジスト膜23を確実に除去しているので、上記の問題を未然に防止することができるのである。
(第2の実施形態)
図8及び図9は、本発明の第2の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。なお、前記図1〜図4と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図8及び図9は、本発明の第2の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。なお、前記図1〜図4と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態は、露光装置が部分液浸露光装置を用いた液浸リソグラフィーであり、レジスト膜上に保護膜を使用する場合であって、保護膜の剥離を溶剤で行う方法である。本実施形態における下層膜21、中間層22の形成工程などは、基本的に第1の実施形態と同様であることから、レジスト膜形成工程及び保護膜形成工程、保護膜剥離工程を中心に記載する。
第1の実施形態と同様にして、素子形成に用いる被加工膜が形成された基板10上に、下層膜21を形成し、その上に中間層22を形成する。次いで、中間層22の上に、例えば(JSR株式会社:AR2014)からなるレジスト膜23を形成する。典型的な方法は、回転塗布工程で形成した後、加熱工程を行う。回転塗布法においては、図8(a)に示すように、エッジリンス及びバックリンスを実施する。エッジリンスの位置は、当該リソグラフィー工程後に実施する加工工程に依存する。ここでは、中間層22がレジスト膜23よりも外側に位置する条件とする。これにより、図8(b)に示すように、レジスト膜23は中間層22よりも基板の内側方向に後退したものとなる。
次いで、図8(c)に示すように、レジスト膜23が形成された基板10上に、例えば(東京応化工業製 TSP3A)からなる保護膜41を形成する。保護膜41の形成の典型例は回転塗布法である。ここで、レジスト膜23、更にはレジスト膜23よりも下層膜からの液浸液への溶出を抑制することが、保護膜41を使用する目的の一つである。従って、中間層22及び/又は下層膜21からの液浸液への溶出物が存在する場合、保護膜41は当該膜の全てを覆うことが望ましい。
また、(背景技術)の項でB)で記載したように、レジスト膜23や中間層22などの基板エッジ部の段差や膜種の違いによるシャワーノズル内の液浸液の追随性の低下を防止する意味であっても、保護膜41は当該段差を含む膜の全てを覆うことが望ましい。本実施形態では、保護膜41を形成した後に、保護膜41に対して基板裏面側から第1のエッジリンス(バックリンス)を施すことにより、保護膜41が基板10の表面側11とベベル部14及び端部13に残るようにした。
次いで、図8(d)に示すように、基板表面側11の中央部に位置するレジスト膜23に対して、部分液浸露光装置によるパターン露光を実施する。続いて、図9(e)に示すように、基板周辺部の所定範囲について、基板周辺露光工程を行う。さらに、レジスト膜23の種類に応じて、レジスト膜23の潜像を現像液に対する溶解性に変化させるために、必要に応じてPEB工程を実施する。
次いで、加熱工程を実施した基板に対して、所定の薬液(所定の剥離液)を用いて、図9(f)に示すように、保護膜41の剥離を実施する。剥離液として望ましい特性は、保護膜は溶解して除去できるが、レジスト膜及びその含有物を溶解しないことである。例えば低分子アルコール、低分子エーテル、低分子ケトンなどの有機溶媒を用いることができる。
次いで、図9(g)に示すように、保護膜41の剥離を実施したレジスト膜23に対して、所定現像液による現像工程を実施し、レジストパターン24を形成する。
なお、本実施形態においては、周辺露光工程はパターン露光工程とPEB工程の間に実施するとして記載したが、保護膜41の形成からパターン露光工程の間であっても良い。また、保護膜41の剥離工程はPEB工程と現像工程の間に実施するとして記載したが、パターン露光から現像工程の間に実施することが可能である場合もある。前記溶出の抑制と液浸液の追随性とを共に満足させる場合には、保護膜41は基板ベベル部側面までを覆う必要が発生する。
次いで、図9(h)に示すように、基板10の端部13にリンス液35を吹き付けることにより、保護膜41に対する第2のエッジリンス工程を行う。即ち、保護膜41を溶解させる薬液35を基板下方から基板端部13に吐出し、端部13の保護膜41を除去する。この第2のエッジリンスは、基板側面に対して実施することから、エッジリンス薬液は基板表面に対する鉛直方向に対して角度を有する方向で行うことが望ましい。保護膜41に対する第2のエッジリンス液は、保護膜41を溶解させるが、基板10、中間層22、下層膜21、レジスト膜23の膜質や組成にレジストパターン形状や露光プロセスマージン等の観点において、事実上保護膜41の影響を与えないことが必要である。従って、保護膜41に対する第2のエッジリンス溶液として最も可能性が高い薬液は、保護膜41の剥離溶液自身、或いは保護膜41の塗布溶液である。
パターン露光工程からの経過時間、即ちPED(Post Exposure Delay)の観点から望ましいのは、PEB工程以降に実施することである。さらに、レジスト膜23の種類によっては、基板周辺露光を実施した部位のレジスト膜23の溶解性が、保護膜41の第2のエッジリンス溶液によって変質する可能性があることから、さらに望ましい実施順序は、レジストパターンの現像工程後である。但し、リソグラフィー工程を実施する塗布現像装置から一度搬出した後に実施する場合には、基板搬送容器との接触を防止できない限り、基板側面の保護膜41がダスト源となる。従って、当該塗布現像装置の内部で、保護膜41の第2のエッジリンス工程を行うことが望ましい。
このように本実施形態によれば、レジスト膜23上に保護膜41を形成した状態で、液浸露光によってレジストパターンを形成することができる。そしてこの場合、保護膜41を基板10の表面側の中央部だけでなく、ベベル部14及び端部13に形成した状態で液浸露光を行うことから、意図しない基板ベベル部の段差等により液浸液の追随性が劣化することはなく、良好な液浸露光を行うことができる。また、レジスト膜23の現像後に基板10の端部13の保護膜41に対して第2のエッジリンスを施しているため、後述する比較例3とは異なり、ダストの発生源となる基板端部13のレジスト膜23を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかることができる。
(比較例3)
先に説明した第2の実施形態においては、保護膜41に対して第2のエッジリンス工程を施したが、従来一般的な方法では保護膜に対しては第1のエッジリンスしか行っていない。従来方法のように保護膜41に対し第1のエッジリンスのみを行い、第2のエッジリンスを施さないと、次のような問題が発生する可能性がある。
先に説明した第2の実施形態においては、保護膜41に対して第2のエッジリンス工程を施したが、従来一般的な方法では保護膜に対しては第1のエッジリンスしか行っていない。従来方法のように保護膜41に対し第1のエッジリンスのみを行い、第2のエッジリンスを施さないと、次のような問題が発生する可能性がある。
第2の実施形態でも説明したが、前記溶出の抑制と液浸液の追随性とを共に満足させる場合には、保護膜41は基板10の端部13までを覆う必要がある。基板10の上面から保護膜41の剥離液を吐出することで、特に剥離液の液膜を保持する方法では、基板端部13に存在する保護膜41を除去することは困難である。そして、基板10の端部13に保護膜41が残ると、この残留保護膜41はダストの発生源となる。
先に説明した第2の実施形態では、保護膜41に対する第2のエッジリンスを行うことにより、基板10の端部13に残った保護膜41を確実に除去しているので、上記の問題を未然に防止することができるのである。
(第3の実施形態)
図10は、本発明の第3の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。なお、図1〜図4と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図10は、本発明の第3の実施形態に係わる基板処理方法を説明するための工程断面図である。なお、図1〜図4と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態は、露光装置が部分液浸露光装置を用いた液浸リソグラフィーであり、レジスト膜上に保護膜を使用する場合であって、前記保護膜の剥離をレジスト膜の現像液で行う方法である。本実施形態おける下層膜21、中間層22の形成工程などは、基本的に第1の実施形態と同様であることから、レジスト膜形成工程及び保護膜形成工程、保護膜剥離工程を中心に記載する。
第1の実施形態と同様にして、素子形成に用いる被加工膜が形成された基板10上に、下層膜21を形成し、その上に中間層22を形成する。次いで、第2の実施形態と同様にして、前記図8(a)(b)に示すように、中間層22の上にレジスト膜23を形成する。
次いで、図10(a)に示すように、レジスト膜23が形成された基板10上に、保護膜42を形成する。保護膜42の形成の典型例は回転塗布法である。保護膜42は、現像液可溶型である。ここで、レジスト膜23、更にはレジスト膜23よりも下層膜からの液浸液への溶出を抑制することが、保護膜42を使用する目的の一つである。従って、中間層22及び/又は下層膜21からの液浸液への溶出物が存在する場合、保護膜42は当該膜の全てを覆うことが望ましい。
また、(背景技術)の項のB)で記載したように、レジスト膜23や中間層22などの基板エッジ部の段差や膜種の違いによるシャワーノズル内の液浸液の追随性の低下を防止する意味であっても、保護膜42は当該段差を含む膜の全てを覆うことが望ましい。本実施形態では、保護膜42を形成した後に、保護膜42に対して基板裏面側から第1のエッジリンス(バックリンス)を施すことにより、保護膜42が基板10の表面が11とベベル部14及び端部13に残るようにした。
次いで、図10(b)に示すように、前記基板に対して、部分液浸露光装置によるパターン露光を実施する。続いて、基板周辺部の所定範囲について基板周辺露光工程を行う。そして、レジスト膜23の種類に応じて、レジスト膜23の潜像を現像液に対する溶解性に変化させるために、必要に応じてPEB工程を実施する。
次いで、図10(c)に示すように、加熱工程を実施した基板に対して、所定現像による現像工程を実施する。本現像工程において、レジスト膜23の露光部と共に、現像液可溶型の保護膜42が除去される。
なお、本実施形態においては、周辺露光工程はパターン露光工程とPEB工程の間に実施するとして記載したが、保護膜42の形成からパターン露光工程の間であっても良い。前記溶出の抑制と液浸液の追随性とを共に満足させる場合には、保護膜42は基板ベベル部側面までを覆う必要が発生する。
次いで、図10(d)に示すように、パターン露光工程以降において、基板10の端部13にリンス液36を吹き付けることにより、保護膜42に対する第2のエッジリンス工程を行う。即ち、保護膜42を溶解させる薬液を基板下方から基板端部13に吐出し、端部13の保護膜42を除去する。この第2のエッジリンスは、基板側面に対して実施することから、エッジリンス薬液は基板表面に対する鉛直方向に対して角度を有する方向で行うことが望ましい。保護膜42に対する第2のエッジリンス液は、保護膜42を溶解させるが、基板10、中間層22、下層膜21、レジスト23の膜質や組成にレジストパターン形状や露光プロセスマージン等の観点において、事実上保護膜42の影響を与えないことが必要である。従って、保護膜42に対する第2のエッジリンス溶液として最も可能性が高い薬液は、保護膜42の剥離溶液自身、或いは保護膜42の塗布溶液である。
パターン露光工程からの経過時間、即ちPED(Post Exposure Delay)の観点から望ましいのは、PEB工程以降に実施することである。さらに、レジスト膜23の種類によっては、基板周辺露光を実施した部位のレジスト膜23の溶解性が、保護膜42の第2のエッジリンス溶液によって変質する可能性があることから、さらに望ましい実施順序は、レジストパターンの現像工程後である。但し、リソグラフィー工程を実施する塗布現像装置から一度搬出した後に実施する場合には、基板搬送容器との接触を防止できない限り、基板側面の保護膜42がダスト源となる。従って、当該塗布現像装置の内部で、保護膜42の第2のエッジリンス工程を行うことが望ましい。また、プロセス時間の観点からは、レジストの現像工程と保護膜の剥離工程を同時に行うことが最も望ましい
このように本実施形態によれば、レジスト膜23上に保護膜42を形成した状態で、液浸露光によってレジストパターンを形成することができる。そしてこの場合、保護膜42を基板10の表面側の中央部だけでなく、ベベル部14及び端部13に形成した状態で液浸露光を行うことから、意図しない基板ベベル部の段差等により液浸液の追随性が劣化することはなく、良好な液浸露光を行うことができる。また、レジスト膜23の現像後に基板10の端部13の保護膜42に対して第2のエッジリンスを施しているため、後述する比較例4とは異なり、ダストの発生源となる基板端部13のレジスト膜23を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかることができる。
このように本実施形態によれば、レジスト膜23上に保護膜42を形成した状態で、液浸露光によってレジストパターンを形成することができる。そしてこの場合、保護膜42を基板10の表面側の中央部だけでなく、ベベル部14及び端部13に形成した状態で液浸露光を行うことから、意図しない基板ベベル部の段差等により液浸液の追随性が劣化することはなく、良好な液浸露光を行うことができる。また、レジスト膜23の現像後に基板10の端部13の保護膜42に対して第2のエッジリンスを施しているため、後述する比較例4とは異なり、ダストの発生源となる基板端部13のレジスト膜23を除去することができ、レジストパターンの製造歩留まり向上をはかることができる。
また、保護膜42としてレジスト23の現像液で剥離可能な材料を用いているので、レジスト23の現像時に保護膜42を剥離することができ、工程の簡略化をはかることが可能となる。
(比較例4)
先に説明した第3の実施形態においては、保護膜42に対して第2のエッジリンス工程を施したが、この第2のエッジリンス工程を行わないと次のような問題が発生する可能性がある。
先に説明した第3の実施形態においては、保護膜42に対して第2のエッジリンス工程を施したが、この第2のエッジリンス工程を行わないと次のような問題が発生する可能性がある。
第3の実施形態でも説明したが、前記溶出の抑制と液浸液の追随性とを共に満足させる場合には、保護膜42は基板10の端部13までを覆う必要がある。基板10の上面から現像液を吐出することで、特に現像液を保持する方法では、基板端部13に存在する保護膜42を除去することは困難である。そして、基板10の端部13に保護膜42が残ると、この残留保護膜42はダストの発生源となる。
先に説明した第3の実施形態では、保護膜42に対する第2のエッジリンスを行うことにより、基板10の端部13に残った保護膜42を確実に除去しているので、上記の問題を未然に防止することができるのである。
(第4の実施形態)
図11は、本発明の各実施形態に用いた液浸露光装置の概略構成を示す断面図である。
図11は、本発明の各実施形態に用いた液浸露光装置の概略構成を示す断面図である。
図中の101は被処理基板であり、この基板101は移動可能なステージ102上に載置され、ステージ102の基板周辺部には補助板103が設けられている。ステージ102の上方には、投影光学系113が配置され、更にその上にマスク111を載置するマスクステージ112が配置されている。そして、マスク111のパターンが、投影光学系113により基板表面に結像されるものとなっている。
投影光学系113の下部には、投影光学系113の最下部と基板101との間に液浸液115を保持するためのシャワーヘッド114が取り付けられている。そして、液浸液供給機構116からシャワーヘッド114に液浸液が供給され、液浸液回収機構117により液浸液115が回収されるようになっている。
このような構成であれば、液浸液115が存在する領域で部分液浸露光を行い、更にウェハステージ102を移動させることにより、基板上の全体の領域を露光することが可能である。
図12は、本発明の各実施形態に用いた基板処理装置を示す概略構成図である。
図中の201は被処理基板であり、この基板201上にレジスト膜202及び保護膜203が形成されている。基板201はスピンチャック211上に載置され吸着される。スピンチャック211は、回転機構212により回転可能となっている。
スピンチャック211の上方の中心部には、現像液又はリンス液を供給するためのノズル220が設けられている。スピンチャック211の上方の周辺部には、リンス液を供給するためのノズル221,222が設けられている。ここで、ノズル221,222の先端側は基板外側方向に傾けられており、これにより基板中央部にリンス液を供給することなく基板エッジ部のみをリンスすることが可能となっている。スピンチャック211の下方の周辺部にはリンス液を供給するためのノズル231,232が設けられている。ノズル231,232もノズル221,222と同様に、先端側が基板外側方向に傾けられている。
このような構成であれば、第1の実施形態においては、ノズル221,222からそれぞれ第1及び第2のリンス液を供給することによって、例えば前記図1(b)及び前記図3(h)に示すようなバックリンスを行うことができる。また、ノズル231,ノズル232から第1及び第2のリンス液を供給することによって、エッジリンス及びバックリンスを実施することができる。また、ノズル220若しくは図示されていない現像ノズルから現像液を供給することによって、例えば前記図4(n)に示すような現像処理を実施することができる。
また、ノズル221,222の先端側を基板内側方向に傾け、基板201の端部にそれぞれ第1及び第2リンス液を吹き付けるようにすれば、前記図4(m)に示すようなレジスト膜23に対する第2のエッジリンス工程を行うことができる。さらに、ノズル231,232の先端側を基板内側方向に傾け、基板201の端部にリンス液を吹き付けるようにすれば、前記図9(h)又は前記図10(d)に示すような保護膜41に対する第2のエッジリンス工程を行うことができる。
また、本実施形態における第1のリンス液は純水、第2のリンス液は現像液を用いているが、これらの薬液に何ら限定されるものではなく、例えば第2のリンス液が純水であっても良い。
(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、レジスト膜としてはポジ型を用いたが、ネガ型であっても同様に適用することができる。また、レジスト膜や保護膜の材料は、仕様に応じて適宜変更可能である。同様に、リンス液や現像液の材料も、仕様に応じて適宜変更可能である。また、本発明に用いる液浸露光装置は前記図11に何ら限定されるものではなく、レジスト膜と投影レンズとの間に位置する光路周辺部のみに光路媒質を占めさせる部分液浸露光装置であればよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、レジスト膜としてはポジ型を用いたが、ネガ型であっても同様に適用することができる。また、レジスト膜や保護膜の材料は、仕様に応じて適宜変更可能である。同様に、リンス液や現像液の材料も、仕様に応じて適宜変更可能である。また、本発明に用いる液浸露光装置は前記図11に何ら限定されるものではなく、レジスト膜と投影レンズとの間に位置する光路周辺部のみに光路媒質を占めさせる部分液浸露光装置であればよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
10…被処理基板、21…下層膜、22…中間層、23…レジスト膜、24…レジストパターン、25…残留水滴、26…結像不良部、27…ウォーターマーク、28…パターン欠陥、31〜37…リンス液、41,42…保護膜、101…被処理基板、102…ステージ、103…補助板、111…マスク、112…マスクステージ、113…投影光学系、114…シャワーヘッド、115…液浸液、116…液浸液供給機構、117…液浸液回収機構、201…被処理基板、202…レジスト膜、203…保護膜、211…スピンチャック、212…回転機構、220,221,222,231,232…ノズル
Claims (5)
- 被処理基板に対し、基板表面側の中央部、周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部、及び端部にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、
前記潜像が形成されたレジスト膜を現像する工程と、
前記露光工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部のレジスト膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記レジスト膜を形成する工程として、
前記基板の表面側にレジスト膜を回転塗布により形成した後、バックリンスを施して前記基板の裏面側のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。 - 被処理基板に対し、基板表面側の中央部、又は周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部及び基板表面側の中央部にレジスト膜を形成する工程と、
前記基板の表面上に前記レジスト膜を覆うように、且つ前記基板の端部に達するように保護膜を形成する工程と、
前記保護膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、
前記露光工程後に、前記保護膜を剥離する工程と、
前記保護膜の剥離工程後に、前記潜像が形成されたレジスト膜を現像する工程と、
前記露光工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部に残った保護膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板に対し、基板表面側の中央部、又は周辺部を面取り加工された基板表面側のベベル部及び基板表面側の中央部にレジスト膜を形成する工程と、
前記基板の表面上に前記レジスト膜を覆うように、且つ前記基板の端部に達するように、前記レジストの現像液で剥離できる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成するパターン露光工程と、
前記露光工程後に、前記保護膜の剥離と前記レジスト膜の現像を連続して行う工程と、
前記現像工程後に、前記基板の端部にリンス液を供給し、前記基板の端部に残った保護膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板を載置して回転するステージと、
前記基板の上方及び/又は下方に設置され、基板周辺部に対して斜め方向から基板の外側方向に第1のリンス液を吹き付ける第1のノズルと、
前記基板の上方及び/又は下方に設置され、基板周辺部に対して斜め方向から基板の外側方向に第2のリンス液を吹き付ける第2のノズルと、
前記基板の上方に設置され、基板の中心部に対して現像液又はリンス液を吹き付ける第3のノズルと、
を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
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