KR20030089326A - 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법, 세정 장치 및 세정기능을 포함한 웨이퍼 가장자리 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 플랫존 경사면의 세정방법 및 세정장치가 개시되어 있다. 웨이퍼를 제공하고, 상기 웨이퍼 플랫존 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위로 세정액을 분사하며, 상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존 경사면으로 유도하여 세정한다. 이에 따라, 웨이퍼 가장자리에 기인한 불량을 개선하여 수율을 증가시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 가장자리 노광 장치, 코팅 장치 및 현상 장치와 같은 사진 공정 시스템에 세정액 공급부 및 진공 유도부를 포함한 세정 어셈블리를 장착함으로써 별도의 부가비용 없이 세정할 수 있다. 반도체 웨이퍼 가장자리에 기인한 불량을 개선하여 수율을 증가시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법, 세정 장치 및 세정 기능을 포함한 웨이퍼 가장자리 노광 장치{Method of cleaning wafer plat-zone bevel, cleaning machine and edge exposure wafer system having cleaning function}
본 발명은 웨이퍼 플랫존(plat zone) 경사면(bevel)의 세정방법 및 세정장치에 관한 것이다.
대부분의 집적회로 공정은 사진 공정(photolithography)을 이용함으로써 칩 회로망(chip circuitry) 각 층에 원하는 패턴의 회로를 형성한다. 이때, 사진 공정은 반도체 제조 공정에서 반도체 웨이퍼에 원하는 패턴 형태를 담은 마스크(mask)에 빛을 통과시켜 그 형태를 마스크로부터 포토레지스트로 옮기는 작업을 일컫는다.
상기 사진 공정에서는 광화학적 반응물질인 포토레지스트(photoresist)를 사용하게 된다. 포토레지스트는 빛을 받으면 화학결합을 일으켜 거대분자를 이루는 음성 포토레지스트와, 빛을 받으면 화학결합이 깨어져 단위분자로 분리되는 양성 포토레지스트가 있다. 상기한 포토레지스트의 특성을 이용함으로써 포토레지스트를 웨이퍼로부터 선택적으로 제거하여 복잡한 회로를 형성한다.
또한, 상기 사진 공정을 수행하기 위해서 포토레지스트가 도포된 웨이퍼는 주변부를 척이나 튀져로 잡혀 운반되거나, 가공될 수 있다. 이러한 경우, 웨이퍼에서 척이나 클램프, 튀져로 접촉되는 위치에는 포토레지스트 파티클(particle)이 발생하여 이후 공정에 불량요인이 되는 경우가 많다.
한편, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 포토마스크에 의해 노광시킬 때, 노광은 웨이퍼의 칩영역에서 이루어지므로 양성포토레지스트를 사용하는 경우 칩영역이 아닌 가장자리부분은 노광이 이루어지지 않고, 따라서 현상 후에도 포토레지스트가 그대로 남게 된다. 가장자리부분은 특히 튀져 등의 접촉이 많은 곳이므로 별도로 가장자리부분의 포토레지스트를 제거하지 않으면 공정을 진행하면서 파티클 불량이 많아지게 된다. 상기한 이유로 포토레지스트의 도포시 가장자리를 세척하는 사이드 린스(Side Rinse)를 하기도 하지만 불량을 예방하기에 완전하지 못했다.
따라서, 상기한 문제를 없애기 위해 별도로 가장자리를 노광시켜 가장자리부분의 포토레지스트를 제거하는 공정을 두고 있으며 상기 공정을 수행하기 위해 웨이퍼 가장자리 노광(edge exposure wafer : 이하 'EEW'라 한다) 장치가 마련된다.
일반적으로, 상기 사진 공정에 사용되는 포토레지스트를 제거하기 위해 이면 세정(edge back rinse: 이하 'EBR'라 한다)시 세정제를 이용하여 앞면 및 뒷면 세정을 실시하고 있다.
그러나, 웨이퍼의 플랫존은 EBR을 할 수 없으므로 플랫존의 경사면에 포토레지스트가 남아 있게 된다.
잔류한 포토레지스트는 EEW 이후, 식각되어야 하나 현상액이 충분히 닿지 않아 포토레지스트가 남게되고 EEW 후 식각하더라도 포토레지스트의 블록킹(blocking)으로 잔류막이 남게된다.
따라서, 상기 잔류 막이 파티클(particle)의 원인으로 작용하여 불량이 발생한다.
이에 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 제1 목적은 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면의 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면의 세정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제3 목적은 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면의 세정 기능을 포함한 웨이퍼 가장자리 노광 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 과정의 사진 공정을 개략적으로 나타낸 블럭도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예 1에 의한 세정장치의 구성 요소를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2b은 본 발명의 실시예들에 의한 세정장치의 일부분을 도시한 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 실시예들에 의한 세정장치를 도시한 평면도이다.
도 3는 본 발명의 실시예 2에 의한 EEW 장치의 단면도이다.
도 4은 본 발명의 실시예 3에 의한 코팅 장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
200 ; 웨이퍼 200a ; 웨이퍼 플랫존
210 ; 웨이퍼 테이블 240 ; 세정 어셈블리
250 ; 진공 펌프 라인 260 ; 세정 노즐
270 ; 세정액 흐름
상기한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위해 웨이퍼를 제공하는 단계, 상기 웨이퍼 플랫존 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위로 세정액을 분사하는 단계 및 상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존 경사면으로 유도하는 단계를 구비하는 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면의 세정 방법을 제공한다.
구체적으로, 세정 방법은 상기 웨이퍼 플랫존으로부터 소정 간격 이격된 부위에 진공을 제공하여 상기 세정액을 진공 흡입시켜 상기 웨이퍼 플랫존의 측면 부위로 상기 세정액의 흐름을 유도한다. 상기 세정액은 상기 웨이퍼 플랫존 측면 전체에 유도되도록 상기 웨이퍼 플랫존과 평행하게 이동시키면서 분사되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 세정액은 웨이퍼에 코팅된 포토레지스트막을 제거하기 위한 세정액을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 목적을 달성하기 위해 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척, 상기 웨이퍼 플랫존 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위로 세정액을 분사하는 세정액 공급부 및 상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존의 경사면으로 유도하는 세정액 유도부를 구비하는 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치를 제공한다.
상기 세정액 유도부는 상기 세정액 공급부로부터 분사되는 세정액을 흡입하기 위한 적어도 하나의 진공 흡입구, 상기 진공 흡입구와 연결되는 진공 라인 및 상기 진공 라인으로 진공압을 제공하는 진공 펌프를 구비하는 것을 특징한다.
본 발명의 제3 목적을 달성하기 위해 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척, 상기 웨이퍼 척을 회전하는 구동부, 상기 웨이퍼의 상부에 놓여지는 조명박스, 상기 조명박스에 구비되는 광케이블, 상기 조명박스에 구비되고 상기 웨이퍼로 세정액을 분사시키는 세정액 노즐, 상기 조명박스에 구비되고 상기 분사되는 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존 경사면으로 유도하는 진공 흡입구 및 상기 조명박스를 상기 웨이퍼의 플랫존과 평행하게 직선 운동시키는 구동부를 구비하는 웨이퍼 가장자리 노광 장치를 제공한다.
상기한 웨이퍼 플랫존 경사면 세정방법, 세정장치 및 가장자리 노광 장치를 사용하여 웨이퍼 플랫존 경사면을 세정함으로써 가장자리에 기인한 불량을 개선하여 수율을 증가시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 과정의 사진 공정을 개략적으로 나타낸 블럭도이다.
도 1을 참조하여, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 사진 공정을 살펴보면, 기판을 로딩(S10)하여 포토레지스트를 코팅(S20)하고 상기 포토레지스트를노광(S30)한 후, 상기 노광한 포토레지스트를 현상(S40)함으로써 패턴을 형성하고 다음 공정으로 웨이퍼를 언로딩(S50)한다.
상기한 사진 공정을 진행하는 중 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면 세정장치를 이용한 세정은 포토레지스트 코팅(S20), 노광(S30), 현상(S40)하기 위한 과정 중 어느 한 과정에서 진행될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.
도 2a는 본 발명의 실시예 1에 의한 세정장치의 구성 요소를 나타낸 개략적인 단면도이고, 도 2b은 본 발명의 실시예들에 의한 세정장치의 일부분을 도시한 단면이며, 도 2c는 본 발명의 실시예들에 의한 세정장치를 도시한 평면도이다.
실시예 1
도 2a 내지 도 2c을 참조하면, 세정 장치는 웨이퍼(200)의 반경보다 작은 반경을 갖으며 상기 웨이퍼(200)가 놓여졌을 때 상기 웨이퍼(200)의 하면과 맞닿는 웨이퍼 척(210)을 구비한다. 웨이퍼 플랫존(200a) 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위에 대해 수직 방향으로 세정액을 분사하는 세정액 공급부를 구비한다. 상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존(200a)의 경사면으로 유도하는 상기 웨이퍼 플랫존(200a)의 경사면 및 상기 웨이퍼(200)의 저면과 마주보도록 소정 간격 만큼 이격된 진공 흡입구(250), 진공 라인(230) 및 진공 펌프(235)를 구비하는 세정액 유도부를 구비한다. 상기 세정액 공급부 및 세정액 유도부와 연결되고, 상기 세정액이상기 웨이퍼 플랫존(200a) 전체 영역에 제공되도록 상기 세정액 공급부 및 세정액 유도부를 직선 운동시키는 구동부(255)를 구비한다.
상기 웨이퍼 척(210)에 웨이퍼(200)를 제공하면 진공으로 상기 웨이퍼(200)를 상기 웨이퍼 척(210)에 고정한다. 세정액 공급 라인(220) 및 진공 흡입 라인(230)이 구비된 세정 어셈블리(240)를 상기 세정 어셈블리 구동부(255)의 모터로 상기 웨이퍼(200)의 플랫존(200a)으로 이동시켜 상기 웨이퍼(200)가 세정 어셈블리(240)의 홈 안으로 위치하게 한 후, 상기 세정 어셈블리(240)를 플랫존(200a)의 길이 방향(205)으로 수평하게 이동하여 상기 플랫존(200a)의 끝부분에 위치 시킨다. 가동중인 진공 펌프(235)의 진공 흡입 라인(230)을 통해 상기 세정 어셈블리(240) 홈의 측벽 및 하부에 위치한 진공 흡입구(350)로 부터 진공 흡입을 시작한다.
세정액 공급 탱크(225)로부터 세정액 공급 라인(220)을 거쳐 세정액을 펌핑하여 상기 세정 어셈블리(240) 홈 상부 및 하부에 위치한 세정액 노즐(260)로부터 상기 세정액을 분사시킨다. 상기 세정액은 진공 흡입으로 인해 상기 플랫존(200a) 경사면을 거쳐 측면 부위로 세정액 흐름(270)이 유도된다. 이때, 상기 세정 어셈블리는 구동부(255)에 의해 플랫존(200a)의 길이 방향(205)으로 평행하게 일정 속도로 이동한다.
이와 같이, 상기 웨이퍼 플랫존(200a)의 길이 방향(205)으로 세정 어셈블리(240)가 일정 속도로 이동하며 세정액 노즐(260)에서 세정액을 분사하고 진공 흡입구(250)에서 상기 세정액을 흡입하여 세정액 흐름(270)을 형성함으로써상기 웨이퍼 플랫존(200a) 경사면을 세정한다.
실시예 2
도 3은 본 발명의 실시예 2에 의한 EEW 장치의 단면도이다.
도 2b 내지 도 3을 참조하면, EEW 장치는 웨이퍼(200,300)의 반경보다 작은 반경을 갖으며 상기 웨이퍼(200,300)가 놓여졌을 때 상기 웨이퍼(200,300)의 하면과 맞닿는 회전운동이 가능한 웨이퍼 척(210,310)을 구비한다. 상기 웨이퍼(200,300)의 상부에는 조명박스(380)가 구비된다. 상기 조명박스(380)에는 웨이퍼 플랫존(200a,300a) 상부에 위치하는 광케이블(385), 상기 광케이블(385)과 간섭되지 않게 상기 웨이퍼 플랫존(200a,300a) 부근의 상부 및 하부에 위치하며 상기 웨이퍼(200,300)에 대해 수직방향으로 세정액을 분사하는 적어도 하나 이상인 세정액 노즐(260)이 구비된다. 또한, 상기 조명박스(380)에는 상기 웨이퍼 플랫존(200a,300a)의 경사면 및 상기 웨이퍼(200,300)의 저면과 마주보도록 상기 웨이퍼 플랫존(200a,300a)으로부터 소정 간격 만큼 이격된 진공 흡입구(250)가 구비된다. 상기 조명박스(380)를 상기 웨이퍼의 플랫존(200a,300a)과 평행하게 직선 운동시키는 구동부(미도시)를 구비한다.
EEW 장치 내부의 웨이퍼 척(210,310)에 웨이퍼(200,300)를 제공하면 진공으로 상기 웨이퍼(200,300)를 상기 웨이퍼 척(210,310)에 고정한다.
상기 웨이퍼(200,300)의 플랫존(200a,300a)을 검출하여 웨이퍼(200,300)를 정렬하고 상기 웨이퍼(200,300)의 주변 노광폭과 주변 노광량을 측정하여, 주변 노광 개시점을 찾아 조명박스(380)에 연결되며 광케이블(385)을 포함하는 세정용 노즐(260) 및 진공 흡입구(250)가 위치하는 세정 어셈블리(340)로부터 광을 발생하여 통상의 과정을 통해 웨이퍼(200,300) 주변 노광을 진행한다.
주변 노광이 끝나면 플랫존(200a,300a)을 다시 검출하여 웨이퍼(200,300)의 정렬이 진행된다.
상기 세정 어셈블리(240,340)를 플랫존(200a,300a)의 길이 방향(205)으로 수평하게 이동하여 상기 플랫존(200a,300a)의 끝부분에 위치 시킨다. 상기 세정 어셈블리(240,340) 홈의 측벽 및 하부에 위치한 진공 흡입구(250)로부터 진공 흡입을 시작한다.
상기 세정 어셈블리(240,340) 홈 상부 및 하부에 위치한 세정액 노즐(260)로부터 세정액을 분사시킨다. 상기 세정액은 진공 흡입으로 인해 상기 플랫존(200a,300a) 경사면을 거쳐 측면 부위로 세정액 흐름(270)이 유도된다. 이때, 상기 세정 어셈블리는 플랫존(200a,300a)의 길이 방향(205)으로 평행하게 일정 속도로 이동한다.
이와 같이, 상기 웨이퍼 플랫존(200a,300a)의 길이 방향(205)으로 조명박스(380)가 일정 속도로 이동하며 세정액 노즐(260)에서 세정액을 분사하고 진공 흡입구(250)에서 상기 세정액을 흡입하여 세정액 흐름(270)을 형성함으로써 상기 웨이퍼 플랫존(200a,300a) 경사면을 세정한다.
실시예 3
도 4는 본 발명의 실시예 3에 의한 코팅 장치의 단면도이다.
도 2b 내지 도 2c 및 도 4를 참조하면, 포토레지스트 코팅 장치 내부의 웨이퍼 척(210,410)에 웨이퍼(200,400)를 제공하면 진공으로 상기 웨이퍼(200,400)를 상기 웨이퍼 척(210,410)에 고정한다. 이때, 상기 웨이퍼 척(210,410)의 반경은 상기 웨이퍼(200,400) 보다 작은 것으로 한다.
상기 웨이퍼 척(210,410)을 회전 운동시키며 포토레지스트 분사구(490)로부터 포토레지스트를 공급하여 웨이퍼(200,400)의 상면에 소정량의 포토레지스트를 분사하는 통상의 포토레지스트 코팅 공정을 진행한다.
상기 포토레지스트 코팅이 완결되면 상기 웨이퍼 척(210,410)의 회전 운동을 정지시키고 세정용 노즐(260) 및 진공 흡입구(250)를 포함한 세정 어셈블리(240,440)를 플랫존(200a,400a)의 길이 방향(205)으로 수평하게 이동하여 상기 플랫존(200a,400a)의 끝부분에 위치시킨다. 상기 세정 어셈블리(240,440) 홈의 측벽 및 하부에 위치한 상기 진공 흡입구(250)로부터 진공 흡입을 시작한다.
상기 세정 어셈블리(240,440) 홈 상부 및 하부에 위치한 세정액 노즐(260)로부터 세정액을 분사시킨다. 이때, 상기 세정액 노즐(260)은 플랫존(200a,400a)의 상면 및 하면에 대해 수직한 위치에 마주하게 놓인다. 또한, 상기 세정 어셈블리(240,440)의 하부에 위치한 세정액 노즐(260)은 진공 흡입구보다 상기 플랫존(200a,400a)에 가깝게 일정 간격 이격되며 상기 진공 흡입구(250)와 일직선 상에 위치한다. 상기 세정액은 진공 흡입으로 인해 상기 플랫존(200a,400a) 경사면을 거쳐 측면 부위로 세정액 흐름(270)이 유도된다. 이때, 상기 세정 어셈블리는 플랫존(200a,400a)의 길이 방향(205)으로 평행하게 일정 속도로 이동한다.
이와 같이, 상기 웨이퍼 플랫존(200a,400a)의 길이 방향(205)으로 세정 어셈블리(240,440)가 일정 속도로 이동하며 세정액 노즐(260)에서 세정액을 분사하고 진공 흡입구(250)에서 상기 세정액을 흡입하여 세정액 흐름(270)을 형성함으로써 상기 웨이퍼 플랫존 경사면(200a,400a)을 세정한다.
코팅 장치내부에 세정 기능을 수행할 수 있는 세정액 공급부 및 세정액 유도부를 구비하는 것과 같이 현상장치에도 구비함으로써 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면을 세정한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 웨이퍼 플랫존의 상하에서 세정액을 분사하고 진공으로 상기 세정액을 유도하여 세정액 흐름을 형성함으로써 상기 반도체 웨이퍼 플랫존 경사면을 세정한다. 따라서, 웨이퍼 가장자리에 기인한 불량을 개선하여 수율을 증가시킬 수 있다. 또한, EEW 장치, 코팅 장치 및 현상 장치와 같은 사진 공정 시스템에 세정액 공급부 및 진공 유도부를 포함한 세정 어셈블리를 장착함으로써 별도의 부가비용 없이 세정할 수 있다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 웨이퍼를 척으로 제공하는 단계;
    상기 웨이퍼 플랫존 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위로 세정액을 분사하는 단계; 및
    상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존 경사면으로 유도하여 상기 세정액의 흐름에 의해 상기 플렛존 부위를 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정액의 유도는 상기 웨이퍼 플랫존으로부터 소정 간격 이격된 부위에 진공을 제공하여 상기 세정액을 진공 흡입시킴에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 상기 웨이퍼 플랫존의 상부 및 하부에 대해 수직 방향으로 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 상기 웨이퍼 플랫존과 평행하게 이동시키면서 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 웨이퍼에 코팅된 포토레지스트막을 제거하기위한 세정액을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법.
  6. 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척;
    상기 웨이퍼 플랫존 부근의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 부위로 세정액을 분사하는 세정액 공급부; 및
    상기 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존의 경사면으로 유도하는 세정액 유도부를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 세정액 공급부는 상기 웨이퍼 플랫존의 상부 및 하부에 대해 수직 방향으로 세정액이 분사되도록 설치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 세정액 유도부는,
    상기 세정액 공급부로부터 분사되는 세정액을 흡입하기 위한 적어도 하나의 진공 흡입구;
    상기 진공 흡입구와 연결되는 진공 라인;
    상기 진공 라인으로 진공압을 제공하는 진공 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 진공 흡입구는 상기 웨이퍼 플랫존의 경사면 및 상기웨이퍼의 저면과 마주보도록 소정 간격만큼 이격되어 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 세정액 공급부와 연결되고, 상기 세정액이 상기 웨이퍼 플랫존 전체 영역에 제공되도록 상기 세정액 공급부를 직선 운동시키는 구동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 세정액 공급부의 이동에 따라 상기 세정액 유도부가 이동하도록 상기 구동부는 세정액 유도부와도 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 장치.
  12. 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척;
    상기 웨이퍼 척을 회전하는 구동부;
    상기 웨이퍼의 상부에 놓여지는 조명박스;
    상기 조명박스에 구비되는 광케이블;
    상기 조명박스에 구비되고, 상기 웨이퍼의 상부 및 하부로 세정액을 분사시키는 하나 이상의 세정액 노즐;
    상기 조명박스에 구비되고, 상기 분사되는 세정액을 상기 웨이퍼 플랫존의 경사면으로 유도하는 하나 이상의 진공 흡입구; 및
    상기 조명박스를 상기 웨이퍼의 플랫존과 평행하게 직선 운동시키는 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리 노광 장치.
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