KR100512822B1 - 현상방법, 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents
현상방법, 기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100512822B1 KR100512822B1 KR10-2003-0060072A KR20030060072A KR100512822B1 KR 100512822 B1 KR100512822 B1 KR 100512822B1 KR 20030060072 A KR20030060072 A KR 20030060072A KR 100512822 B1 KR100512822 B1 KR 100512822B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical liquid
- substrate
- liquid discharge
- suction
- developer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (43)
- 현상액 중의 레지스트의 용해 농도와, 상기 현상액에 의한 레지스트의 용해 속도의 관계를 미리 구하는 공정과,상기 관계로부터, 상기 레지스트의 용해 속도가 원하는 속도 이상이 되는 레지스트의 용해 농도를 미리 견적하는 공정과,상기 현상액 중의 레지스트의 용해 농도가 그 견적된 용해 농도 이하인 상태로 현상처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상방법.
- 제1항에 있어서, 상기 현상처리는 상기 레지스트가 형성된 기판 위에 현상액을 토출하는 현상액 토출구와, 상기 현상액 토출구에 인접하여, 상기 기판 위의 현상액을 흡인하는 흡인구를 구비하는 현상액 토출/흡인부와 상기 기판과 상대적으로 이동시키면서 행해지는 것을 특징으로 하는 현상방법.
- 제2항에 있어서, 상기 현상처리 시 현상액 중의 레지스트의 용해 농도가 견적된 용해 농도 이하가 되도록, 현상액의 토출 속도 및 상기 현상액 토출/흡인부와 상기 기판의 상대적인 이동속도의 적어도 한쪽을 제어하는 것을 특징으로 하는 현상방법.
- 제3항에 있어서, 현상처리에 의해, 상기 기판의 레지스트가 상기 현상액에 용해되어 형성되는 구의 개구율 분포를 미리 구하는 공정과,상기 개구율 분포와 상기 레지스트의 용해 속도로부터, 상기 레지스트가 상기 현상액에 용해되는 레지스트 용해 속도 분포를 산출하는 공정과,상기 현상처리 시, 상기 레지스트 용해 속도 분포로부터 상기 현상액 중의 레지스트 용해 농도가 상기 견적된 농도 이하가 되도록, 현상액 토출 속도 및 상기 현상액 토출/흡인부와 상기 기판의 상대적인 이동속도의 적어도 한쪽을 제어하는 것을 특징으로 하는 현상방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 제1 약액 토출구로 제1 약액을 상기 피처리 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 제1 약액 토출구를 끼우도록 상기 제1 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 제1 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 기판 표면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 기판에 접하는 단위 체적영역에 단위 시간당 통과하는 제1 약액의 양을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 흡인구, 제1 약액 토출구, 흡인구의 순으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 약액 토출/흡인부는, 2개의 흡인구를 끼우도록 배치되어, 제2 약액을 토출하는 제2 약액 토출구 및 제3 약액을 토출하는 제3 약액 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제7항에 있어서, 상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 제2 약액 토출구, 흡인구, 제1 약액 토출구, 흡인구, 제3 약액 토출구의 순으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 약액으로서 현상액을 이용하고,상기 약액 처리는, 소정의 패턴이 노광된 포지티브형 레지스트를 현상하는 처리이고,상기 약액 처리 전에, 상기 기판의 노광부의 비율을 소정의 영역마다 산출하는 공정과,상기 제1 약액 토출구 근방에 있어서의 그 비율의 노광부의 비율이 높아질수록,상기 기판에 접하는 단위 체적영역에 단위 시간당 통과하는 제1 약액의 양을 많게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 약액으로서 현상액을 이용하고,상기 약액 처리는, 소정의 패턴이 노광된 네가티브형 레지스트를 현상하는 처리이고,상기 약액 처리 전에, 그 기판의 미노광부의 비율을 소정의 영역마다 산출하는 공정과,상기 제1 약액 토출구 근방에 있어서의 미노광부의 비율이 높아질수록,상기 기판에 접하는 단위 체적영역에 단위시간당 통과하는 제1 약액의 양을 많게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 약액 토출/흡인부를 상기 기판과 상대적으로 이동시키면서, 상기 흡인구로 흡인된 용액 중 상기 약액 처리에 관계되는 성분의 농도를 측정하고,측정값으로부터, 상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부 사이에 흐르는 제1 약액 중의 상기 성분의 농도가 소정값을 유지하도록, 상기 기판에 접하는 단위 체적영역에 단위 시간당 통과하는 제1 약액의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제11항에 있어서, 상기 성분의 농도는 흡인된 용액의 광학 투과율로부터 구해지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제11항에 있어서, 상기 성분의 농도는 흡인된 용액의 전기 전도도로부터 구해지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제11항에 있어서, 상기 성분의 농도는 흡인된 용액의 pH로부터 구해지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서, 상기 약액 처리는 세정처리이고,상기 약액 토출/흡인부를 상기 기판과 상대적으로 이동시키면서, 상기 흡인구로 흡인된 용액 중에 포함되는 파티클 수를 측정하고,측정된 파티클 수가 소정값 이하가 되도록, 상기 기판에 접하는 단위 체적영역에 단위시간당 통과하는 제1 약액의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 약액을 상기 피처리 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 상기 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 피처리면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부의 사이에 흐르는 약액의 유속은, 그 약액 토출/흡인부와 기판의 상대적인 이동속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 약액을 상기 피처리 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 상기 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 피처리면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부 하면의 간격이 0.01㎜ 이상 0.5㎜ 이하의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 약액을 상기 피처리 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 상기 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 피처리면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부의 사이를 흐르는 약액의 평균 유속이 0.02m/sec 이상인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 약액을 상기 피처리 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 상기 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 약액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 피처리면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판 사이에 흐르는 약액의 유속을 시간적으로 변동시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 약액을 상기 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 상기 약액 토출/흡인부에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 피처리면을 약액 처리하는 기판처리방법으로서,상기 약액 토출/흡인부와 기판의 상대이동속도 및 그 약액 토출/흡인부와 기판 표면의 간격의 적어도 한쪽을 시간적으로 변동시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제1 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 제1 약액 토출구로 제1 약액을 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 제1 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 제1 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 기판의 거의 표면을 제1 약액에 의해 약액 처리하는 스텝과,제1 약액 토출/흡인부와 다른 제2 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 제2 약액 토출구로 제1 약액과 다른 제2 약액을 기판에 대해서 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출구를 끼우도록 제2 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 2개의 흡인구로 상기 기판 위의 용액을 연속적으로 흡인하면서, 제2 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 수평 직선 이동시키면서 상기 기판의 거의 표면을 제2 약액에 의해 약액 처리하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제21항에 있어서, 제1 약액 토출/흡인부는, 2개의 제1 흡인구를 끼우도록 상기 제1 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 2개의 제3 및 제4 약액 토출구를 구비하고,제2 약액 토출/흡인부는, 2개의 제2 흡인구를 끼우도록 상기 제2 약액 토출/흡인부 하면에 배치된 2개의 제5 및 제6 약액 토출구를 구비하고,상기 제1 약액 처리 시, 제3 및 제4 약액 토출구로 기판에 대해서 제3 및 제4의 약액의 연속토출을 하고,상기 제2 약액 처리 시, 제5 및 제6 약액 토출구로 기판에 대해서 제5 및 제6 약액의 연속토출을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제21항에 있어서, 상기 기판과 제1 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 제1 흡인구, 제1 약액 토출구, 제1 흡인구의 순으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제21항에 있어서, 제2 약액 토출/흡인부에 있어서, 상기 기판과 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 제2 흡인구, 제2 약액 토출구, 제2 흡인구의 순으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제21항에 있어서, 제1 약액이 오존수, 제2 약액이 현상액인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제22항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 제3 약액 토출구, 제1 흡인구, 제1 약액 토출구, 제1 흡인구, 제4의 약액 토출구의 순으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제22항에 있어서, 상기 기판과 상기 제2 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향에 대해서, 제5 약액 토출구, 제2 흡인구, 제2 약액 토출구, 제2 흡인구, 제6 약액 토출구의 순으로 구가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제22항에 있어서, 제1 약액이 오존수, 제2 약액이 현상액, 제3 내지 제6 약액이 순수인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제25항 또는 제28항에 있어서, 상기 오존수 중의 오존농도가 0.2ppm 내지 35ppm인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 제1 약액을 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 토출/흡인부에 설치되어 상기 약액 토출구의 주위를 연속적으로 둘러싸도록 배치된 약액 흡인구로 상기 피처리면상의 약액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 약액 흡인구의 외부로 상기 약액이 유출되지 않도록 흡인압을 조정해서 약액 처리하는 기판처리방법에 있어서,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 제거되지 않는 패턴의 피복율과, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판의 상대속도와, 상기 약액 처리 후의 상기 패턴의 마무리 치수와의 관계를 미리 취득하는 스텝과,상기 관계에 근거하여, 상기 패턴의 피복율에 따른 상기 약액 토출/흡인부와 기판의 상대속도를 결정하는 스텝과,결정된 상대속도와 상기 처리영역 내의 상기 패턴의 피복율에 따라, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서, 상기 약액 처리하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판에 대해서 약액 토출/흡인부의 약액 토출구로 제1 약액을 연속적으로 토출하는 동시에, 상기 약액 흡인부의 약액 흡인구로 상기 피처리면상의 약액을 연속적으로 흡인하면서, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 약액 흡인구는 상기 약액 토출구를 둘러싸도록 배치되어, 약액 흡인부 밖으로 제1 약액이 유출되지 않도록 흡인압을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법에 있어서,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 제거되지 않는 패턴의 피복율과, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판 사이에 흐르는 제1 약액의 유속과, 상기 약액 처리 후의 상기 패턴의 마무리 치수와의 관계를 미리 취득하는 스텝과,상기 관계로부터, 상기 패턴의 피복율에 따른, 상기 제1 약액의 유속을 결정하는 스텝과,결정된 유속과 상기 처리영역 내의 상기 패턴의 피복율에 따라, 상기 제1 약액의 유속을 변화시키면서, 상기 약액 처리하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제30항 또는 제31항에 있어서, 기판 위에 상기 제1 약액과는 다른 제2 약액을 공급하면서 상기 약액 처리하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제30항 또는 제31항에 있어서, 기판 위의 제1 약액에 대해서 진동이 부여된 상태로 상기 약액 처리하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제30항 또는 제31항에 있어서, 약액 토출/흡인부는 기판에 대해서 상대적으로 한 방향으로 왕복운동을 행하면서, 또한 그 왕복운동의 반환 위치에서 왕복운동방향과 직각의 방향으로 소망량 이동시켜, 상기 기판 위의 전면 또는 일부만을 약액 처리하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판을 유지하는 기판 유지기구와,이 기판 유지기구로 유지되는 기판에 대해서 제1 약액을 토출하는 약액 토출구와, 상기 약액 토출구의 주위에 연속적으로 둘러싸도록 배치되어, 상기 기판 위의 용액을 흡인하는 흡인구를 포함하는 약액 토출/흡인부와,상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부를 상대적으로 이동시키는 이동기구와,상기 약액 토출/흡인기구에의 약액의 공급과, 상기 약액 토출/흡인기구로 용액의 흡인을 동시에 행하는 약액 토출/흡인계와,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 처리되는 패턴의 피복율을 산출하는 피복율 산출부와,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 처리되는 패턴의 피복율과, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판의 상대속도와, 상기 약액 처리 후의 상기 패턴의 마무리 치수와의 관계로부터 구해진 상기 상대 속도와 상기 피복율 산출부에서 산출된 상기 패턴의 피복율에 따라, 상기 이동기구를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 기판을 유지하는 기판 유지기구와,이 기판 유지기구로 유지되는 기판에 대해서 제1 약액을 토출하는 약액 토출구와, 상기 약액 토출구의 주위에 연속적으로 둘러싸도록 배치되어, 상기 기판 위의 용액을 흡인하는 흡인구를 포함하는 약액 토출/흡인부와,상기 기판과 상기 약액 토출/흡인부를 상대적으로 이동시키는 이동기구와,상기 기판 상면과 상기 약액 토출/흡인부의 간격을 조정하는 간격 조정부와,상기 약액 토출/흡인기구에의 약액의 공급과, 상기 약액 토출/흡인기구로 용액의 흡인을 동시에 행하는 약액 토출/흡인계와,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 처리되는 패턴의 피복율을 산출하는 피복율 산출부와,상기 기판 위에 제1 약액류가 존재하는 처리영역 내에서 상기 제1 약액에 의해 처리되는 패턴의 피복율과, 상기 약액 토출/흡인부와 상기 기판 사이에 흐르는 제1 약액의 유속과, 상기 약액 처리 후의 상기 패턴의 마무리 치수와의 관계로부터 구해진 상기 패턴의 피복율에 대한 제1 약액의 유속과, 상기 피복율 산출부에서 산출된 상기 패턴의 피복율에 따라, 상기 약액 토출/흡인계 및 간격 조정부의 적어도 한쪽을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 제1 약액과는 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 토출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제35항 또는 제36항에 있어서, 기판 위에 토출되는 제1 약액에 진동을 부여하는 진동기를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 피복율 산출부는, 상기 약액 토출/흡인부의 상대적인 이동방향 전방측의 기판 표면에 빛을 조사해서 얻어지는 투과광 강도 및 반사광 강도의 어느 한쪽을 이용해서 상기 패턴의 피복율을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 피복율 산출부는, 설계 데이터에 근거해서 상기 패턴의 피복율을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 기재된 현상방법을 이용해서 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제5항 내지 제28항, 제30항, 제31항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 이용해서 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 기판처리방법을 이용해서 포토마스크를 제조하고, 제조된 포토마스크를 이용해서 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00252503 | 2002-08-30 | ||
JP2002252503A JP4005879B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040020016A KR20040020016A (ko) | 2004-03-06 |
KR100512822B1 true KR100512822B1 (ko) | 2005-09-07 |
Family
ID=32058752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0060072A KR100512822B1 (ko) | 2002-08-30 | 2003-08-29 | 현상방법, 기판처리방법 및 기판처리장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6929903B2 (ko) |
JP (1) | JP4005879B2 (ko) |
KR (1) | KR100512822B1 (ko) |
CN (2) | CN100552549C (ko) |
DE (2) | DE10362373B3 (ko) |
TW (1) | TWI249196B (ko) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200410912A (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Au Optronics Corp | Method and device for cleaning glass substrate prior to coating of photoresist |
JP3990322B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 基板乾燥方法及び装置 |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
US7354869B2 (en) * | 2004-04-13 | 2008-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
WO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4908756B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2012-04-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4834310B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2006253552A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体洗浄装置および半導体洗浄方法 |
US7681581B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP4841376B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2009543338A (ja) * | 2006-07-07 | 2009-12-03 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
JP2008091782A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | パターン形成用テンプレート、パターン形成方法、及びナノインプリント装置 |
KR100834827B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2008-06-04 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크 세정장치 및 그의 세정방법 |
JP4810411B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-11-09 | 東京応化工業株式会社 | 処理装置 |
JP5014811B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法 |
KR100849070B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2008-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 cmp 방법 |
US8092599B2 (en) * | 2007-07-10 | 2012-01-10 | Veeco Instruments Inc. | Movable injectors in rotating disc gas reactors |
KR101060664B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2011-08-31 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 |
US8051863B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-11-08 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus |
KR20130083940A (ko) | 2008-05-09 | 2013-07-23 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
JP2009295840A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びマスク製造方法 |
JP5175696B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | 現像方法、及びフォトマスクの製造方法 |
JP2010199326A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toyota Motor Corp | 樹脂回路基板の製造方法 |
US7849554B2 (en) * | 2009-04-28 | 2010-12-14 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning substrate |
CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
JP2015091569A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
TWI654666B (zh) | 2014-01-27 | 2019-03-21 | Veeco Instruments, Inc. | 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具 |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11220737B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
US9547743B2 (en) * | 2015-02-25 | 2017-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for a semiconductor device, pattern generating method and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program |
JP6443242B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル、処理液供給装置、液処理装置、及び処理液供給方法 |
KR102420015B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
CN106900141B (zh) * | 2015-10-08 | 2020-11-17 | 三菱制纸株式会社 | 抗蚀层的薄膜化装置 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
WO2017081817A1 (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 株式会社日立製作所 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
CN108463437B (zh) | 2015-12-21 | 2022-07-08 | 德尔塔阀门公司 | 包括消毒装置的流体输送系统 |
US10416575B2 (en) * | 2016-11-16 | 2019-09-17 | Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate |
JP7166089B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
CN109375481A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-02-22 | 上海彩丞新材料科技有限公司 | 一种新型光刻胶显影装置及显影方法 |
US10809620B1 (en) * | 2019-08-16 | 2020-10-20 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for developer drain line monitoring |
EP4327834A1 (en) | 2022-08-11 | 2024-02-28 | NUOVA OMPI S.r.l. Unipersonale | Apparatus and method for coating an injection medical device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62280751A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Hitachi Condenser Co Ltd | 印刷配線板の現像方法 |
JPS62293796A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | 日立エーアイシー株式会社 | 印刷配線板の現像方法及びその装置 |
US4857750A (en) * | 1987-12-17 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Sensor for determining photoresist developer strength |
JPH02118662A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像処理方法 |
JPH03211721A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
JP3116297B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
CN2202935Y (zh) * | 1994-10-28 | 1995-07-05 | 洪帝坤 | 网版印刷自动制版设备 |
CN1133902C (zh) * | 1996-07-11 | 2004-01-07 | 精工爱普生株式会社 | 抗蚀剂的显影方法以及显影装置 |
JPH1092784A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
US6207231B1 (en) * | 1997-05-07 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and coating apparatus |
US6092937A (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Fastar, Ltd. | Linear developer |
AU6504400A (en) * | 1999-07-27 | 2001-06-06 | Philip Culpovich | Automatic etchant regeneration system with highly accurate sensor for monitoringetchant composition |
DE60111283T2 (de) * | 2000-01-31 | 2006-05-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara | Verfahren zum Nachfüllen von Entwickler in einem automatischen Entwicklungsgerät |
JP4189141B2 (ja) | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
US6692165B2 (en) * | 2001-03-01 | 2004-02-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2003007581A (ja) | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法および現像装置 |
JP3880480B2 (ja) | 2001-12-06 | 2007-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002252503A patent/JP4005879B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-20 TW TW092122901A patent/TWI249196B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-28 US US10/653,611 patent/US6929903B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 DE DE10362373.6A patent/DE10362373B3/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 KR KR10-2003-0060072A patent/KR100512822B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-29 DE DE10339915A patent/DE10339915B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 CN CNB2006101633524A patent/CN100552549C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-29 CN CNB031560865A patent/CN1300640C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-21 US US10/969,018 patent/US7094522B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-21 US US10/968,992 patent/US7001086B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-21 US US10/969,017 patent/US7390365B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4005879B2 (ja) | 2007-11-14 |
CN1489000A (zh) | 2004-04-14 |
US7001086B2 (en) | 2006-02-21 |
US6929903B2 (en) | 2005-08-16 |
CN100552549C (zh) | 2009-10-21 |
KR20040020016A (ko) | 2004-03-06 |
DE10339915A1 (de) | 2004-05-19 |
DE10339915A8 (de) | 2004-09-30 |
DE10362373B3 (de) | 2016-02-11 |
DE10339915B4 (de) | 2013-03-07 |
US20040106072A1 (en) | 2004-06-03 |
US7094522B2 (en) | 2006-08-22 |
US7390365B2 (en) | 2008-06-24 |
US20050079639A1 (en) | 2005-04-14 |
JP2004095712A (ja) | 2004-03-25 |
US20050106511A1 (en) | 2005-05-19 |
CN1300640C (zh) | 2007-02-14 |
TW200407997A (en) | 2004-05-16 |
CN1952791A (zh) | 2007-04-25 |
US20050081996A1 (en) | 2005-04-21 |
TWI249196B (en) | 2006-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100512822B1 (ko) | 현상방법, 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
JP4189141B2 (ja) | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 | |
KR100509536B1 (ko) | 알칼리액의 제조 방법, 알칼리액, 패턴 형성 방법,레지스트막의 박리 방법, 약액 도포 장치, 기판 처리 방법및 약액 공급 방법 | |
KR100452898B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 약액 처리 방법 | |
JP3946999B2 (ja) | 流体吐出ノズル、その流体吐出ノズルを用いた基板処理装置及び基板処理方法 | |
JPH11147068A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2006319350A (ja) | 基板処理方法 | |
WO2006018960A1 (ja) | 現像処理方法 | |
JP2009295840A (ja) | 基板処理方法及びマスク製造方法 | |
JP2006013228A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR20030089326A (ko) | 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법, 세정 장치 및 세정기능을 포함한 웨이퍼 가장자리 노광 장치 | |
JP4189279B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4477019B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2004014869A (ja) | 現像装置 | |
Ooishi et al. | New development method eliminating the loading and microloading effect | |
JP2004022764A (ja) | 基板の処理装置および基板の処理方法 | |
JP4445315B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JPH09258459A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2013069840A (ja) | 薬液処理方法及び薬液処理装置 | |
JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 | |
JPH0534930A (ja) | 現像方法及び現像装置 | |
KR20100127669A (ko) | 현상 공정 장비 | |
JP2006000799A (ja) | レジスト塗布装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120802 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130801 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150730 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160727 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170804 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180730 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190729 Year of fee payment: 15 |