JP4445315B2 - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4445315B2 JP4445315B2 JP2004118279A JP2004118279A JP4445315B2 JP 4445315 B2 JP4445315 B2 JP 4445315B2 JP 2004118279 A JP2004118279 A JP 2004118279A JP 2004118279 A JP2004118279 A JP 2004118279A JP 4445315 B2 JP4445315 B2 JP 4445315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- processing
- suction
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 216
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 438
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 162
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 248
- 238000011161 development Methods 0.000 description 25
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
本発明は、基板を薬液で処理する基板処理方法に関する。
半導体デバイスや液晶ディスプレの製造工程における基板の加工技術には広くウエットプロセスが用いられている。特に感光性樹脂を感光させた後の現像処理においては、パドル法が積極的に検討されている。
従来のパドル法では、処理するべき基板（被処理基板）を回転させながら、基板上に薬液を供給している。該薬液の供給は、基板の上方に配置した薬液供給部により行われる。しかし、上記薬液供給部により、基板の中心部と周辺部で薬液の吐出圧力や単位面積あたりの薬液供給量をそろえることは非常に困難である。したがって、基板の面内で、均一の現像精度を得ることは、非常に困難となってきている。このような加工精度の問題は、現像処理以外の基板処理方法にも同様に存在する。
また、現像が進行するに従いその副産物として、溶解生成物や濃度の低い現像液が発生する。一般に、溶解生成物や濃度の薄くなった現像液は、感光性薄膜の溶解を阻害する効果があると考えられている。上記溶解生成物等は、基板内のパターン疎密に応じて生じるので、基板上に分布を持って生じてしまう。その後、上記溶解生成物等は、基板の回転による遠心力等の力を受け、基板上を不均一に動き回る。このような理由でも、従来のパドル法では、面内で均一の加工精度を得ることができなくなってきている。
現像途中に、薬液流動を起こさせるために、吸引ノズルを使った基板処理方法も提案されている。例えば、薬液吐出開口および薬液吸引開口を備えたノズルおよびそのノズルを用いた基板処理方法が提案されている（特許文献１）。
上記基板処理方法は、薬液として現像液を使用した場合、つまり、現像液吐出開口から現像液を吐出しながら現像液吸引開口から現像液を吸引し、ノズルを基板に近接させて走査しながら基板を処理する方法に関するものである。そして、上記基板処理方法は、ノズルを基板に近接させ、基板上の薬液の流れを高速化させることで、パターン間における薬液の置換を実現し、ひいてはパターン疎密によるパターン寸法差を低減させるという方法の一つである。
このようにノズルと基板の間が非常に近接した状態においては、ノズルと基板の間に気泡等が存在してしまう。このような気泡等は、基板上における薬液の流れの均一性を悪化させる原因となる。具体的には、気泡が存在する位置に対して上流側と下流側とでは、薬液の流速等は異なってします。
特開２００２−２５２１６７号公報
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、気泡による薬液の流れの不均一性を防止できる基板処理方法を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理方法は、第１の主面を有する被処理基板を保持するための基板保持機構と、第１の処理液を吐出するための処理液吐出開口と、前記第１の処理液を含む処理液を吸引するための処理液吸引開口とを備えた処理液吐出／吸引機構と、第２の主面を有し、該第２の主面と前記第１の主面とが略面一になるように、前記被処理基板の周辺に配置される補助板とを具備してなる基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記第１の主面と前記第２の主面とが略面一になるように、前記被処理基板の周囲に前記補助板を配置する工程と、前記第１および第２の主面上に第２の処理液を供給する工程と、前記第２の主面上で、前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する第１の処理工程と、第１の処理工程の後に、前記第１の主面上で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１の処理液を吸引しながら、前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程であって、前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を前記被処理基板の上面に対向させた状態で前記処理液吐出／吸引機構を走査する第２の処理工程とを有することを特徴とする。
本発明に係る他の基板処理方法は、主面を有する被処理基板を保持するための基板保持機構と、第１の処理液を吐出するための処理液吐出開口と、前記第１の処理液を吸引するための処理液吸引開口とを備えた処理液吐出／吸引機構とを具備してなる基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記主面上に第２の処理液を供給する工程と、前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程と、前記処理液吐出開口内に気泡が存在する否かを判断する工程と、前記処理液吐出開口内に気泡が存在すると判断した場合、前記処理液吐出開口内に気泡が存在しないと判断されるまで、前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程と、前記処理液吐出開口内に気泡が存在する否かを判断する工程とを繰り返す工程と、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１の処理液を吸引しながら、前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程であって、前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を前記被処理基板の上面に対向させた状態で前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程とを有することを特徴とする。
本発明に係る基板処理装置は、第１の主面を有する被処理基板を保持するための基板保持機構と、前記第１の主面上に第１の処理液を吐出するための処理液吐出開口と、前記第１の主面上の前記第１の処理液を含む処理液を吸引するための処理液吸引開口とを備えた処理液吐出／吸引機構とを具備してなる基板処理装置であって、第２の主面を有し、該第２の主面と前記第１の主面とが略面一になるように、前記被処理基板の周辺に配置され、かつ、前記薬液吐出開口および薬液吸引開口を含む領域よりも広い凹部を備えた補助板、前記処理液吐出開口内に泡が存在する否かを判断するための判断機構、前記処理液吐出／吸引機構を振動させるための振動機構、および、前記第１および第２の処理液を振動させるための振動機構の少なくとも一つを備えていることを特徴とする。
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
本発明によれば、気泡による薬液の流れの不均一性を防止できる基板処理方法を実現できるようになる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。また、図２は、本実施形態の基板処理装置の薬液吐出／吸引機構の概略構成を模式的に示す図である。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。また、図２は、本実施形態の基板処理装置の薬液吐出／吸引機構の概略構成を模式的に示す図である。
基板処理装置１００は、被処理基板１を略水平に保持する基板保持機構１０と、被処理基板１および基板保持機構１０の周囲を囲い、上下動する補助板２０と、基板保持機構１０の上方に配置された薬液吐出／吸引機構３０と、薬液吐出／吸引機構３０内に薬液等を供給するとともに、薬液吐出／吸引機構３内から薬液等を吸引する薬液供給／吸引系４０とを備えている。
被処理基板１は、例えば、Ｓｉウェハと、該Ｓｉウェハ上に設けられた感光性薄膜とを備えている。基板保持機構１０は、例えば、ウェハ保持具である。補助板２０の上面は、被処理基板１の上面（例えば、感光性薄膜の上面）と略同じ高さに設定される。
薬液吐出／吸引機構３０は、図２に示すように、薬液吐出／吸引部（以下、スキャンノズルと称する）３０ＳＮを備えている。スキャンノズル３０ＳＮの上部側には、薬液５０が導入される薬液導入口３１と、薬液導入口３１を挟むように配置され、液５１が排出される第１および第２の液排出口３２1 ，３２2 と、液排出口３２1 ，３２2 の外側に配置し、リンス液５２が導入される第１および第２のリンス液導入口３３1 ，３３2 とが設けられている。薬液５０は、例えば、現像液（第１の薬液）である。上記液は、例えば、現像液、純水、現像液と純水、現像液と純水とリンス液、または、現像液とリンス液である。
一方、スキャンノズル３０ＳＮの下部側には、被処理基板１上に薬液５０を供給するためのスリット状の薬液吐出開口３４と、薬液吐出開口３４の両側に配置し、被処理基板１上の液５１を吸引するためのスリット状の第１および第２の薬液吸引開口３５1 ，３５2 と、薬液吸引開口３５1 ，３５2 の外側に配置し、被処理基板１上にリンス液５２を供給するための第１および第２のリンス液吐出開口３６1 ，３６2 とが設けられている。
薬液導入口３１と薬液吐出開口３４は、配管３７で繋がっている。同様に、液排出口３２1 ，３２2 と液吸引開口３５1 ，３５2 は配管３８で繋がり、リンス液導入口３３1 ，３３2 とリンス液吐出開口３６1 ，３６2 は配管３９で繋がっている。各配管３７，３８，３９は液溜めを備えている。
薬液供給／吸引系４０は、薬液供給系４１と、第１および第２の液吸引系４２1 ，４２2 と、第１および第２のリンス液供給系４３1 ，４３2 とを備えている。薬液供給系４１、液吸引系４２1 ，４２2 、リンス液供給系４３1 ，４３2 は、それぞれ、配管４４，４５，４６を介して、薬液導入口３１、液排出口３２1 ，３２2 、リンス液導入口３３1 ，３３2 に繋がっている。各配管４４，４５，４６の途中にはバルブ４７，４８，４９が設けられている。
図示されない薬液キャニスターを加圧することにより、薬液５０が薬液導入口３１を介して配管４５内に供給され、薬液吐出開口３４から吐出される。液吸引系４２1 ，４２2 はそれぞれ図示しないポンプを介して液排出口３２1 ，３２2 に接続されている。上記ポンプの吸引力で液の吸引が行われる。リンス液吐出開口３６1 ，３６2 からはリンス液が連続的に吐出される。この場合、薬液とリンス液を含む液が液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引される。
薬液吐出／吸引機構３０には図示しない周知のギャップ測定機構およびギャップ調整機構が設けられている。基板処理装置１００は、さらに、薬液吐出／吸引機構３０と基板保持機構１０を相対的に略水平方向に移動させるための周知の移動機構を備えている。
図３は、本実施形態の基板処理装置を用いた基板処理方法を説明するための図である。ここでは、薬液が現像液の場合、つまり、現像処理方法の場合について説明する。図３以降の図において、基板保持機構１０は簡略化のため省略してある。
まず、被処理基板１が用意される。被処理基板１は、ウェハと、該ウエハ上に設けられ、加工される下地膜と、該下地膜上に設けられたレジストパターンとを備えている。該レジストパターンは以下のようにして作成された。すなわち、上記下地膜上に、厚さ０．４μｍのレジスト等の感光性樹脂膜が形成され、その後、ＫｒＦエキシマ・ステッパーを用いた露光プロセスにより、上記感光性樹脂膜上に０．１０μｍのパターン潜像が形成される。
次に、被処理基板１は、基板保持機構により、水平に保持される。
次に、図３（ａ）に示すように、被処理基板１および被処理基板１を取り囲むように配置された補助板２０上（第１および第２の主面上）に、液５１（この段階では純水）が液盛りされる。液５１（第２の薬液）は液盛用ノズル７０から供給される。液５１の液盛時、液盛用ノズル７０は図示しない液盛用ノズル待機位置から被処理基板１上に移動され、液５１の液盛の終了後、液盛用ノズル７０は被処理基板１上から上記液盛用ノズル待機位置に移動される。
次に、図３（ｂ）に示すように、図示しないスキャンノズル待機位置から補助板２０の上方にスキャンノズル３０ＳＮが移動される。
次に、図３（ｃ）に示すように、補助板２０の上方に移動されたスキャンノズル３０ＳＮが降下され、そして、図３（ｄ）に示すように、スキャンノズル３０ＳＮの下面（ノズル下面）が液５１の液面に接触した状態で、スキャンノズル３０ＳＮが保持される。
ここで、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面にある薬液吐出開口３４内に気泡８０が混入する。
そこで、本実施形態では、薬液吐出開口３４内から気泡８０を除去するために、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行う。これらの動作により、薬液吐出開口３４内に混入した気泡８０は薬液吐出開口３４外に追い出され、薬液吐出開口３４外に追い出された気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
同様に、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面に付着した気泡８０も、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作により、ノズル下面に付着した気泡８０はノズル下面から離れ、ノズルから離れた気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
薬液吐出開口３４内に混入した気泡８０やノズル下面に付着した気泡８０を確実に除去を確実するために、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作は断続的に複数回行うことが好ましい。
上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作時の、ノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ１は、ノズル下面に混入した気泡８０の径よりも大きいことが望ましい。その理由は、ギャップＧ１が気泡８０の径以上の場合、気泡８０を移動させるのに大きな力が必要にならないからである。実際には、気泡８０の径は一般的には１〜３ｍｍ程度なので、ギャップＧ１は３ｍｍ程度であれば望ましいといえる。また、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作時に、薬液吐出開口３４から吐出された現像液が被処理基板１上に接しないことが好ましい。さらに、リンス液吐出開口３６1 ，３６2 から吐出されたリンス液が被処理基板１上に接しないことが好ましい。
次に、図３（ｅ）に示すように、ノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ２が所望の値、本実施形態では１００μｍになるまで、スキャンノズル３０ＳＮをさらに降下させ、その後、ギャップＧ２を上記所望の値に保持しながら、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行うとともに、スキャンノズル３０ＳＮを１ｍｍ／ｓｅｃの速度で被処理基板１の上方を走査することにより、現像処理を行う。このとき、薬液吐出開口３４、薬液吸引開口３５1 ，３５2 およびリンス液吐出開口３６1 ，３６2 を被処理基板１の上面に対向させた状態でスキャンノズル３０ＳＮを走査する。
本実施形態では、現像液としてＴＭＡＨ（規定度０．２７Ｎ）が使用され、さらに、薬液吐出開口３４から吐出された現像液が、薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸い込まれるように、現像液の吐出流量、液の吸引流量および液の吸引流量の吸引圧は予め調整されている。
次に、被処理基板１を回転させて被処理基板１上の液を振り切り、その後、被処理基板１を乾燥することにより、レジストパターンの形成プロセスが完了する。
本実施形態の方法により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、２．７ｎｍ（３σ）という結果が得られた。一方、従来の方法（気泡８０の除去を行わずに現像）により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、７．５ｎｍ（３σ）という結果が得られた。以上の結果から、本実施形態によれば、大幅に均一性が向上したレジストパターンを実現できることが確認された。
また、透明素材でスキャンノズル３０ＳＮを製作し、薬液吐出開口３４内の気泡や異物およびノズル下面に付着している気泡や異物の存在をモニターしたところ、本実施形態を用いることにより、気泡および異物の数を０個にできることが確認できた。
以上述べたように本実施形態によれば、被処理基板１の周辺に配置された補助板２０上で気泡８０の径よりも大きい隙間を保ちながら処理液（薬液、リンス液）の吐出および吸引を行うことにより、薬液吐出開口３４内に存在する気泡や異物等およびノズル下面に吸着した気泡や異物等を吸引により除去（泡抜き処理）することが可能となる。
また、本実施形態では、補助板２０の上方で、ノズル下面を液面に接しながら泡抜き処理を行うことによって、基板処理を行う前に、被処理基板１上に処理液が流出を避けながら、泡抜き処理することが可能となる。そして、泡抜き処理の後は、液面に接した状態でスキャンノズル３０ＳＮを被処理基板１の上方に移動させ、基板処理を行うことにより、新規に気泡等が混入する可能性はほとんどなくなる。
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を用いた基板処理方法を説明するための図である。ここでは、薬液が現像液の場合、つまり、現像処理方法の場合について説明する。なお、図１−図３と対応する部分には図１−図３と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。また、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を用いた基板処理方法を説明するための図である。ここでは、薬液が現像液の場合、つまり、現像処理方法の場合について説明する。なお、図１−図３と対応する部分には図１−図３と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。また、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
本実施形態の基板処理装置が第１の実施形態のそれと異なる点は、補助板２０が、薬液吐出開口３４と液吸引開口３５1 ，３５2 とリンス液吐出開口３６1 ，３６2 で囲まれた領域よりも一回り大きい凹部２１を備えていることにある。本実施形態では、凹部２１の深さは５ｎｍである。また、本実施形態の基板処理方法が第１の実施形態のそれと異なる点は、凹部２１内で気泡の除去を行うことにある。以下、本実施形態の詳細に説明する。
まず、第１の実施形態と同様に、ウェハ、下地膜およびレジストパターンを備えた被処理基板１が用意され、その後、被処理基板１は基板保持機構により水平に保持される。
次に、図４（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、被処理基板１および被処理基板１を取り囲むように配置された補助板２０上に、液５１が液盛りされる。
次に、図４（ｂ）に示すように、図示しないノズル待機位置から補助板２０の上方にスキャンノズル３０ＳＮが移動される。
このとき、スキャンノズル３０ＳＮの上から見て、薬液吐出開口３４と液吸引開口３５1 ，３５2 とリンス液吐出開口３６1 ，３６2 で囲まれた領域が、補助板２０の表面に設けられた凹部２１内に収まる位置に、スキャンノズル３０ＳＮの位置は設定される。
次に、図４（ｃ）に示すように、補助板２０上に移動されたスキャンノズル３０ＳＮが降下され、そして、図４（ｄ）に示すように、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、スキャンノズル３０ＳＮが保持される。このときのノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ３は、第１の実施形態のギャップＧ２と同様である。
ここで、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面にある薬液吐出開口３４内に気泡８０が混入する。
そこで、本実施形態では、薬液吐出開口３４内から気泡８０を除去するために、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行う。これらの動作により、薬液吐出開口３４内に混入した気泡８０は薬液吐出開口３４外に追い出され、薬液吐出開口３４外に追い出された気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
同様に、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面に付着した気泡８０も、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作により、ノズル下面に付着した気泡８０はノズル下面から離れ、ノズル下面から離れた気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
薬液吐出開口３４内に混入した気泡８０やノズル下面に付着した気泡８０を確実に除去を確実するために、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作は断続的に複数回行うことが好ましい。
次に、図４（ｅ）に示すように、ノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ３（＝Ｇ２）を変えずに、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行うとともに、スキャンノズル３０ＳＮを１ｍｍ／ｓｅｃの速度で被処理基板１の上方を走査することにより、現像処理を行う。
本実施形態では、現像液としてＴＭＡＨ（規定度０．２７Ｎ）が使用され、さらに、薬液吐出開口３４から吐出された現像液が、薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸い込まれるように、現像液の吐出流量、液の吸引流量、液の吸引流量の吸引圧は予め調整されている。
次に、被処理基板１を回転させて被処理基板１上の液を振り切り、その後、被処理基板１を乾燥することにより、レジストパターンの形成プロセスが完了する。
本実施形態の方法により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、２．７ｎｍ（３σ）という結果が得られた。一方、従来の方法（気泡８０の除去を行わずに現像）により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、７．５ｎｍ（３σ）という結果が得られた。以上の結果から、本実施形態によれば、大幅に均一性が向上したレジストパターンを実現できることが確認された。
また、透明素材でスキャンノズル３０ＳＮを製作し、薬液吐出開口３４内の気泡や異物およびノズル下面に付着している気泡や異物の存在をモニターしたところ、本実施形態を用いることにより、気泡および異物の数を０個にできることが確認できた。
本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られ、さらに本実施形態によれば、上から見て、補助板２０の凹部２１内に薬液吐出開口３４と液吸引開口３５1 ，３５2 とリンス液吐出開口３６1 ，３６2 で囲まれた領域が収まる状態で、処理液の吐出および吸引（ノズル動作）を行うことにより、より効果的に泡抜き処理を行うことが可能となる。また、ノズル動作を行うレシピ数が少なくなり、泡抜き処理を簡便に行えるという利点もある。
なお、本実施形態の効果を高めるために、自動洗浄機構、液抜き機構あるいはこれらの両機構等を用いるなどして、凹部２１内に異物等が溜まらないようにしても構わない。
（第３の実施形態）
図５は本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置のスキャンノズルを示す図であり、図５（ａ）はスキャンノズルの概略構成を模式的に示す図、図５（ｂ）はスキャンノズルの斜視図である。
図５は本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置のスキャンノズルを示す図であり、図５（ａ）はスキャンノズルの概略構成を模式的に示す図、図５（ｂ）はスキャンノズルの斜視図である。
本実施形態の基板処理装置が第１の実施形態と異なる点は、スキャンノズル３０ＳＮが光源１１（光放射機構）および受光部１２（光受信機構）を備えていることにある。光源１１は、例えば、レーザーを備えたものである。受光部１２は、例えば、フォトダイオードを備えたものである。
光源１１はスリット状の薬液吐出開口３４の一端に設けられ、受光部１２は薬液吐出開口３４の他端に設けられている。光源１１から照射された光が、薬液吐出開口３４を透過して、受光部１２で受光されるように、光軸アライメントが取られている。
なお、光源１１および受光部１２を含む光学系は、スキャンノズル３０ＳＮに直接取り付けなければならないわけではなく、光源１１より放射された光が薬液吐出開口３４を透過する形で伝搬し、その透過光量、散乱光量または反射光量等を受光部１２で測定できるのであれば、スキャンノズル３０ＳＮ以外の別の装置に取り付けても構わない。
図６は、本実施形態の基板処理装置を用いた基板処理方法を説明するための図である。
ここでは、薬液が現像液の場合、つまり、現像処理方法の場合について説明する。
まず、被処理基板１が用意される。被処理基板１は、ウェハと、該ウエハ上に設けられ、加工される下地膜と、該下地膜上に設けられたレジストパターンとを備えている。該レジストパターンは以下のようにして作成された。すなわち、上記下地膜上に、厚さ０．３μｍのレジスト等の感光性樹脂膜が形成され、その後、ＡｒＦエキシマ・ステッパーを用いた露光プロセスにより、上記感光性樹脂膜上に０．０７μｍのパターン潜像が形成される。
次に、被処理基板１は基板保持機構１０により水平に保持される。
次に、図６（ａ）に示すように、被処理基板１および被処理基板１を取り囲むように配置された補助板２０上に、液５１（この段階では純水）が液盛りされる。
次に、図６（ｂ）に示すように、図示しないスキャンノズル待機位置から補助板２０の上方にスキャンノズル３０ＳＮが移動される。
次に、図６（ｃ）に示すように、補助板２０上に移動されたスキャンノズル３０ＳＮが降下され、そして、図６（ｄ）に示すように、スキャンノズル３０ＳＮの下面（ノズル下面）が液５１の液面に接触した状態で、スキャンノズル３０ＳＮが保持される。このときのノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ１は、例えば３ｍｍに設定される。
ここで、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面にある薬液吐出開口３４内に気泡８０が混入する。
そこで、本実施形態では、薬液吐出開口３４内から気泡８０を除去するために、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行う。これらの動作により、薬液吐出開口３４内に混入した気泡８０は薬液吐出開口３４外に追い出され、薬液吐出開口３４外に追い出された気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
同様に、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面に付着した気泡８０も、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作により、ノズル下面に付着した気泡８０はノズル下面から離れ、ノズル下面から離れた気泡８０は薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸引され、液排出口３２1 ，３２2 からスキャンノズル３０ＳＮ外に追い出される。
次に、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を終了し、その後、薬液吐出開口３４の一端に設けられた光源１１から光を放射する。光源１１から放射した光は、薬液吐出開口３４内をその長手方向に伝搬し、薬液吐出開口３４の他端に設けられた受光部１２により受光される。受光部１２は受光した光量に対応した電流を出力し、該電流は図示しない計測により計測される。計測結果は、図示しないスキャンノズル制御部に送られる。
ここでは、上記光量は１２００（ａ．ｕ．）であった。一方、予め測定しておいた光量（基準値）、つまり、薬液吐出開口３４内に気泡が含まれず、かつ、現像液で満たされた状態で、光源１１から放射された光を受光部１２で受光した光の光量は、１２４０（ａ．ｕ．）であった。上記光量（１２４０（ａ．ｕ．））は、基準値として、図示しないスキャンノズル制御部に予め記憶される。
本実施形態では、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を終了した後、受光部１２にて受光された光の光量と基準値としての光量とがスキャンノズル制御部により比較される。比較の結果、両者の光量の値が同じの場合には、図６（ｄ）の工程に進む。一方、同じでない場合には、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を再び行われる。すなわち、薬液吐出開口３４内に気泡がないと判断されるまで、上記現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作が繰り返される。
薬液吐出開口３４内に気泡がないと判断された場合には、図６（ｅ）に示すように、ノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ２が所望の値、本実施形態では５０μｍになるまで、スキャンノズル３０ＳＮをさらに降下させ、その後、ギャップＧ２を上記所望の値に保持しながら、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行うとともに、スキャンノズル３０ＳＮを１ｍｍ／ｓｅｃの速度で被処理基板１の上方を走査することにより、現像処理を行う。
本実施形態では、現像液としてＴＭＡＨ（規定度０．２７Ｎ）が使用され、さらに、薬液吐出開口３４から吐出された現像液が、薬液吸引開口３５1 ，３５2 内に吸い込まれるように、現像液の吐出流量、液の吸引流量、液の吸引流量の吸引圧は予め調整されている。
次に、被処理基板１を回転させて被処理基板１上の液を振り切り、その後、被処理基板１を乾燥することにより、レジストパターンの形成プロセスが完了する。
本実施形態の方法により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、２．７ｎｍ（３σ）という結果が得られた。一方、従来の方法（気泡８０の除去を行わずに現像）により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、７．５ｎｍ（３σ）という結果が得られた。以上の結果から、本実施形態によれば、大幅に均一性が向上したレジストパターンを実現できることが確認された。
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、光源１１と受光部１２を備えたスキャンノズル３０ＳＮを用いることにより、薬液吐出開口３４内に気泡がないことを確認した後に、現像工程を行えるという効果も得られる。すなわち、本実施形態によれば、薬液吐出開口３４内に確実に気泡がない状態で現像工程を行え、これにより、気泡による薬液の流れの不均一性を確実に防止することが可能となる。
本実施形態では、第１の実施形態の補助板２０を使用したが、第２の実施形態の補助板２０、つまり、凹部２１を備えた補助板２０を使用しても構わない。この場合の泡抜き処理は、薬液吐出開口３４内の気泡の有無の判断工程を除いて、第２の実施形態と同様に行われる。なお、光源１１と受光部１２を含む光学系の感度調整は定期的に実施される。
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図であり、より詳細には、第３の実施形態における現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作方法を説明するための図である。
図７は、本発明の第４の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図であり、より詳細には、第３の実施形態における現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作方法を説明するための図である。
まず、第３の実施形態と同様に、図６（ｃ）までの工程が行われる。
次に、スキャンノズル３０ＳＮの下面（ノズル下面）が液５１の液面に接触した状態で、スキャンノズル３０ＳＮが保持される。
ここで、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面にある薬液吐出開口３４内に気泡８０が混入する。
そこで、本実施形態では、薬液吐出開口３４内から気泡８０を除去するために、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、図７（ａ）−７（ｄ）に示すように、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作（吐出／吸引の動作）を行う。以下、該動作についてさらに説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、薬液吐出開口３４、薬液吸引開口３５1 ，３５2 、リンス液吐出開口３６1 ，３６2 の全ての開口において、５秒間吐出／吸引の動作を行う。
このとき、薬液吐出開口３４の真下に気泡が存在した場合、該気泡は薬液吸引開口３５1 ，３５2 から略同じ吸引力で吸引されるので、上記気泡は略同じ位置を保ち、除去されない場合がある。
次に、図７（ｂ）に示すように、薬液吸引開口３５1 を除いた全ての開口において、さらに５秒間吐出／吸引の動作を行う。
このとき、薬液吐出開口３４の真下に気泡が存在した場合、薬液吸引開口３５1 による吸引は停止しているので、上記気泡は薬液吸引開口３５2 内に吸引され、除去される。
次に、図７（ｃ）に示すように、薬液吸引開口３５2 を除いた全ての開口において、さらに５秒間吐出／吸引の動作を行う。
このとき、薬液吐出開口３４の真下に気泡が残っていた場合、薬液吸引開口３５2 による吸引は停止しているので、上記残った気泡は薬液吸引開口３５1 内に吸引され、除去される。
次に、第３の実施形態と同様に、薬液吐出開口３４の一端に設けられた光源１１から光を放射し、薬液吐出開口３４の一端に設けられた受光部１２で上記光を受光し、さらに受光した光の光量と基準値としての光量１２４０（ａ．ｕ．）とを比較する。本実施形態では、受光した光の光量は１１５０（ａ．ｕ．）であった。
そこで、図７（ｄ）に示すように、再度、薬液吐出開口３４、薬液吸引開口３５1 ，３５2 、リンス液吐出開口３６1 ，３６2 の全ての開口において、５秒間吐出／吸引の動作を行う。その後、再度、光源１１から光を放射し、受光部１２で該光を受光し、光量を再び測定した。
その結果、光量は基準値と同じ１２４０（ａ．ｕ．）であった。すなわち、薬液吸引開口３５2 内に気泡がないと判断された。なお、図７（ｄ）に示した吐出／吸引の動作の代わりに、図７（ａ）−図７（ｃ）に示した吐出／吸引の動作を行っても構わない。本実施形態の吐出／吸引の動作は、薬液吸引開口３５2 内に気泡がないと判断されるまで繰り返される。
この後、第３の実施形態の同様の工程（図６（ｅ）−６（ｆ）の工程）が行われ、現像処理が終了する。
本実施形態の方法により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、２．７ｎｍ（３σ）という結果が得られた。一方、従来の方法（気泡８０の除去を行わずに現像）により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、７．５ｎｍ（３σ）という結果が得られた。以上の結果から、本実施形態によれば、大幅に均一性が向上したレジストパターンを実現できることが確認された。
本実施形態によれば、第３の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、薬液吐出開口３４内に気泡が残存しにくい吐出／吸引の動作が行われるので、より効果的に気泡による薬液の流れの不均一性を防止することが可能となる。
なお、本実施形態の吐出／吸引の動作は、第１の実施形態、第２の実施形態、さらには次に説明する第５の実施形態にも適用できる。さらにまた、補助板を用いない基板処理装置および基板処理方法にも適用できる。
また、吐出／吸引の組み合わせ例は、本実施形態のそれに限定されるものではない。スキャンノズル３０ＳＮの吐出開口数や吸引開口数あるいはその並び順によって種種の変形が可能である。すなわち、吐出開口内の気泡を抜くために、吐出開口を挟む左右の領域において液の圧力、流れを変化させるような形態であれば、どのような構成であっても構わない。
（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。本実施形態の基板処理装置が第３の実施形態の基板処理装置と異なる点は、スキャンノズル３０ＳＮ内に振動子１３が内蔵されていることにある。
図８は、本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。本実施形態の基板処理装置が第３の実施形態の基板処理装置と異なる点は、スキャンノズル３０ＳＮ内に振動子１３が内蔵されていることにある。
振動子１３は、複数の振動周波数のうちの任意の一つを選択して振動させることが可能となっている。上記振動周波数は、被処理基板１内のパターン寸法に影響を及ぼさない値であれば、特に限定されるものではない。
次に、本実施形態の基板処理装置を用いた基板処理方法について説明する。ここでは、薬液が現像液の場合、つまり、現像処理方法の場合について説明する。
まず、第３の実施形態と同様に、被処理基板１および被処理基板１を取り囲むように配置された補助板２０上に、液５１が液盛りされる。
次に、図示しないスキャンノズル待機位置から補助板２０の上方にスキャンノズル３０ＳＮが移動され、その後、スキャンノズル３０ＳＮが降下され、ノズル下面が液５１の液面に接触した状態で、スキャンノズル３０ＳＮが保持される。このときのノズル下面と補助板２０との間のギャップＧ１は、例えば４ｍｍに設定される。
ここで、ノズル下面が液５１の液面に接触した瞬間に、ノズル下面にある薬液吐出開口３４内に気泡８０が混入する。
そこで、本実施形態では、薬液吐出開口３４内から気泡８０を除去するために、ノズル下面が液５１の液面に接触し、かつ、振動子１３を動作させ、スキャンノズル３１を振動させた状態で、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作（吐出／吸引の動作）を行う。より詳細には、薬液吐出開口３４、薬液吸引開口３５1 ，３５2 、リンス液吐出開口３６1 ，３６2 の全ての開口において、５秒間吐出／吸引の動作を５回行う。
次に、薬液吐出開口３４の一端に設けられた光源１１から光を放射し、薬液吐出開口３４の一端に設けられた受光部１２で上記光を受光し、さらに受光した光の光量と基準値としての光量１２４０（ａ．ｕ．）とを比較する。本実施形態では、受光した光の光量は１１２４０（ａ．ｕ．）であった。すなわち、薬液吸引開口３５2 内に気泡がないと判断された。
次に、ノズル下面と補助板２０との間のギャップが所望の値、本実施形態では１００μｍになるまで、スキャンノズル３０ＳＮをさらに降下させ、その後、ギャップを上記所望の値に保持しながら、現像液吐出、液吸引およびリンス液吐出の動作を行うとともに、スキャンノズル３０ＳＮを３ｍｍ／ｓｅｃの速度で被処理基板１の上方を走査することにより、現像処理を行う。
次に、被処理基板１を回転させて被処理基板１上の液を振り切り、その後、被処理基板１を乾燥することにより、レジストパターンの形成プロセスが完了する。
本実施形態の方法により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、２．７ｎｍ（３σ）という結果が得られた。一方、従来の方法（気泡８０の除去を行わずに現像）により形成されたレジストパターンの面内均一性を測定したところ、７．５ｎｍ（３σ）という結果が得られた。以上の結果から、本実施形態によれば、大幅に均一性が向上したレジストパターンを実現できることが確認された。
本実施形態によれば、第３の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、吐出／吸引の動作時に振動子１３によりスキャンノズル３０ＳＮを振動させることにより、薬液吐出開口３４内の気泡を効果的に動かすことができるので、より効果的に機能を除去することが可能となる。
また、本実施形態の振動子を用いた基板処理装置および基板処理方法は第１、第２、第４の実施形態のいずれにも適用することができる。
図９−図１１に本実施形態の変形例を示す。
図９は、振動子１３の代わりに、スキャンノズル３０ＳＮを保持した状態で、スキャンノズル３０ＳＮを上下に振動させることができるアーム１４を用いた例を示している。
図１０は、振動子１３の代わりに、薬液導入口３１内に導入される薬液に振動（脈動を含む）を与える振動機構１５を用いることで、薬液導入口３１内の気泡を動き易くさせる変形例である。
図１１は、振動子１３の代わりに、液排出口３２1 ，３２2 から排出される液に振動（脈動を含む）を与える振動機構１５を用いたことで、薬液導入口３１内の気泡を動き易くさせる変形例である。
上記図９−図１１に示した変形例も第１、第２、第４の実施形態のいずれにも適用することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、本発明をウエハ上のレジストの現像に適用する場合について説明したが、その他に、本発明は、例えば、ウエハ上の膜（絶縁膜、導電膜）のウエットエッチングや、半導体製造用のフォトマスク製作プロセスにおける基板上の感光性膜の現像、ウエットエッチング、剥離処理、洗浄またはカラーフィルター製作プロセスや、ＤＶＤ等のディスクの加工プロセスにおける現像または洗浄等にも適用できる。
また、泡抜き時のギャップは薬液吐出開口内に存在する気泡や異物の径に応じて変化させることも可能である。
以上述べた実施形態の上位概念、中位概念または下位概念は、例えば以下のような付記１−１２で表現できる。
［付記１］
被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の補助板を配置し、被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記第一の工程で形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、前記第二の工程後、前記被処理基板上及び補助板上に形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触し、かつ前記被処理面と前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口との距離が前記第二の工程における距離に比べ近接した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第三の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の補助板を配置し、被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記第一の工程で形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、前記第二の工程後、前記被処理基板上及び補助板上に形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触し、かつ前記被処理面と前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口との距離が前記第二の工程における距離に比べ近接した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第三の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
［付記２］
前記第二の工程における薬液吐出／吸引動作は、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口／薬液吸引開口が前記被処理面の直上方に配置されていない状態で行うことを特徴とする付記１記載の基板処理方法。
前記第二の工程における薬液吐出／吸引動作は、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口／薬液吸引開口が前記被処理面の直上方に配置されていない状態で行うことを特徴とする付記１記載の基板処理方法。
［付記３］
被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の補助板を配置し、被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域よりも広い凹部を設けた前記補助板上に、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域が存在する状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、前記略水平に保持された被処理基板に対して前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する第三の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の補助板を配置し、被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域よりも広い凹部を設けた前記補助板上に、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域が存在する状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、前記略水平に保持された被処理基板に対して前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する第三の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
［付記４］
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の面を持つ補助板と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、前記補助板に前記薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域よりも広い凹部を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の周辺に前記被処理基板の被処理面と略面一の面を持つ補助板と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、前記補助板に前記薬液吐出開口及び薬液吸引開口で囲まれた領域よりも広い凹部を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
［付記５］
被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の少なくとも1つ以上の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の少なくとも1つ以上の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記第一の工程で形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、薬液吐出開口を透過可能な光で照射し、前記薬液吐出開口を透過あるいは前記薬液吐出開口内で散乱した光を受光する第三の工程と、前記第三の工程における受光量と予め設定された閾値との大小を比較することにより、前記薬液吐出開口内に気泡が存在するか否かを判定する第四の工程と、前記気泡が存在しないと判定された時点以降で薬液吐出／吸引動作を行う第五の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
被処理面が略水平に保持された被処理基板に対して薬液吐出／吸引部内の少なくとも1つ以上の薬液吐出開口から薬液を前記基板に対して連続的に吐出するとともに、前記薬液吐出／吸引部内の少なくとも1つ以上の薬液吸引開口にて前記被処理面上の薬液を連続的に吸引しつつ、前記薬液吐出／吸引部と前記被処理基板とを相対的に水平移動させながら前記被処理面を薬液処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上及び補助板上に液盛りを行う第一の工程と、前記第一の工程で形成された液膜に前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口及び薬液吸引開口が接触した状態で薬液吐出／吸引動作を行う第二の工程と、薬液吐出開口を透過可能な光で照射し、前記薬液吐出開口を透過あるいは前記薬液吐出開口内で散乱した光を受光する第三の工程と、前記第三の工程における受光量と予め設定された閾値との大小を比較することにより、前記薬液吐出開口内に気泡が存在するか否かを判定する第四の工程と、前記気泡が存在しないと判定された時点以降で薬液吐出／吸引動作を行う第五の工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
［付記６］
前記請求項１記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部の薬液吐出開口、及び前記薬液吐出開口を挟む左右の領域における液体の圧力のバランスを変えることを特徴とする基板処理方法。
前記請求項１記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部の薬液吐出開口、及び前記薬液吐出開口を挟む左右の領域における液体の圧力のバランスを変えることを特徴とする基板処理方法。
［付記７］
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部の薬液吐出開口、及び前記薬液吐出開口に隣接するどちらか一方の薬液吸引開口において、吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部の薬液吐出開口、及び前記薬液吐出開口に隣接するどちらか一方の薬液吸引開口において、吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
［付記８］
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引開口は前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から、第一の薬液吐出開口、薬液吸引開口、第二の薬液吐出開口、薬液吸引開口、第三の薬液吐出開口の順に配置され、前記２つの薬液吸引開口のうち一方の薬液吸引開口と第一、第二、第三の薬液吐出開口において吸引／吐出動作を行う工程と、前記薬液吸引開口とは別のもう一方の薬液吸引開口と第一、第二、第三の薬液吐出開口において吸引／吐出動作を行う工程と、すべての薬液吐出開口、薬液吸引開口において吐出／吸引動作を行う工程と、前記記載の工程の組み合わせによる吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引開口は前記被処理基板と前記薬液吐出／吸引部の相対的な水平移動方向側から、第一の薬液吐出開口、薬液吸引開口、第二の薬液吐出開口、薬液吸引開口、第三の薬液吐出開口の順に配置され、前記２つの薬液吸引開口のうち一方の薬液吸引開口と第一、第二、第三の薬液吐出開口において吸引／吐出動作を行う工程と、前記薬液吸引開口とは別のもう一方の薬液吸引開口と第一、第二、第三の薬液吐出開口において吸引／吐出動作を行う工程と、すべての薬液吐出開口、薬液吸引開口において吐出／吸引動作を行う工程と、前記記載の工程の組み合わせによる吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
［付記９］
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部或いは薬液を振動させながら薬液吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
付記５記載の第二の工程において、薬液吐出／吸引部或いは薬液を振動させながら薬液吐出／吸引動作を行うことを特徴とする基板処理方法。
［付記１０］
前記付記５乃至９のいずれかに記載の第二の工程における薬液吐出／吸引動作は、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口／薬液吸引開口が前記被処理面の直上方に配置されていない状態で行うことを特徴とする基板処理方法。
前記付記５乃至９のいずれかに記載の第二の工程における薬液吐出／吸引動作は、前記薬液吐出／吸引部内の薬液吐出開口／薬液吸引開口が前記被処理面の直上方に配置されていない状態で行うことを特徴とする基板処理方法。
［付記１１］
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、前記薬液吐出開口内を長手方向に平行に照射可能な光照射機構と前記光照射機構より照射された光を受光する受光機構と、前記受光機構で受光した光量及び光量閾値から前記薬液吐出開口内に気泡が存在するか否かを判定する機構とを具備してなることを特徴とする基板処理装置。
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、前記薬液吐出開口内を長手方向に平行に照射可能な光照射機構と前記光照射機構より照射された光を受光する受光機構と、前記受光機構で受光した光量及び光量閾値から前記薬液吐出開口内に気泡が存在するか否かを判定する機構とを具備してなることを特徴とする基板処理装置。
［付記１２］
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、
薬液吐出／吸引部或いは薬液を振動させる機構を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板の被処理面に対向配置され、前記被処理基板に対して薬液を吐出するための薬液吐出開口と、被処理基板上の薬液を吸引するための薬液吸引開口とを具備した薬液吐出／吸引部を有する薬液吐出／吸引機構とを具備する基板処理装置において、
薬液吐出／吸引部或いは薬液を振動させる機構を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
１…被処理基板、１０…基板保持機構、１１…光源、１２…受光部、１３…振動子、１４…アーム、１５，１６，１７…振動機構、２０…補助板、２１…凹部、３０…薬液吐出／吸引機構、３４…薬液吐出開口、３５1 ，３５2 …薬液吸引開口、３６1 ，３６2 …リンス液吐出開口、５０…薬液、５１…液、５２…リンス液。
Claims (7)
- 第１の主面を有する被処理基板を保持するための基板保持機構と、
第１の処理液を吐出するための処理液吐出開口と、前記第１の処理液を含む処理液を吸引するための処理液吸引開口とを備えた処理液吐出／吸引機構と、
第２の主面を有し、該第２の主面と前記第１の主面とが略面一になるように、前記被処理基板の周辺に配置される補助板とを具備してなる基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記第１の主面と前記第２の主面とが略面一になるように、前記被処理基板の周囲に前記補助板を配置する工程と、
前記第１および第２の主面上に第２の処理液を供給する工程と、
前記第２の主面上で、前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する第１の処理工程と、
第１の処理工程の後に、前記第１の主面上で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１の処理液を吸引しながら、前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程であって、前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を前記被処理基板の上面に対向させた状態で前記処理液吐出／吸引機構を走査する第２の処理工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記第１の処理工程において、前記第１の処理液は、前記第１の主面上に接触しないことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
- 前記処理液吐出／吸引機構と前記被処理基板との間の前記第１の主面に垂直な方向の距離は、前記第１の処理工程よりも、前記第２の処理工程の方が小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
- 前記処理液吐出開口内に気泡が存在する否かを判断する工程をさらに含み、前記処理液吐出開口内に前記気泡が存在しないと判断した後に、前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
- 主面を有する被処理基板を保持するための基板保持機構と、
第１の処理液を吐出するための処理液吐出開口と、前記第１の処理液を吸引するための処理液吸引開口とを備えた処理液吐出／吸引機構とを具備してなる基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記主面上に第２の処理液を供給する工程と、
前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程と、
前記処理液吐出開口内に気泡が存在する否かを判断する工程と、
前記処理液吐出開口内に気泡が存在すると判断した場合、前記処理液吐出開口内に気泡が存在しないと判断されるまで、前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程と、前記処理液吐出開口内に気泡が存在する否かを判断する工程とを繰り返す工程と、
前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１の処理液を吸引しながら、前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程であって、前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を前記被処理基板の上面に対向させた状態で前記処理液吐出／吸引機構を走査する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記処理液吸引開口は、前記処理液吐出開口を挟むように設けられた第１および第２の処理液吸引開口を備え、
前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程において、前記処理液吐出開口と前記第１の処理液吸引開口との間の液の圧力と、前記処理液吐出開口と前記第２の処理液吸引開口との間の液の圧力との間に圧力差をつけるか、前記第１および第２の処理液吸引開口の一方のみで前記被処理基板上の液を吸引するか、または、前記第１および第２の処理液吸引開口の少なくとも一方の処理液吸引開口で前記被処理基板上の液を吸引することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 前記第２の処理液に前記処理液吐出開口および前記処理液吸引開口を接触させた状態で、前記処理液吐出開口から前記第１の処理液を吐出し、かつ、前記処理液吸引開口から前記第１および第２の処理液を吸引する工程は、前記処理液吐出／吸引機構、前記第１および第２の処理液、または、前記処理液吐出／吸引機構ならびに前記第１および第２の処理液を振動させながら行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004118279A JP4445315B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 基板処理方法 |
| US11/103,472 US7354869B2 (en) | 2004-04-13 | 2005-04-12 | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
| US12/071,235 US8025732B2 (en) | 2004-04-13 | 2008-02-19 | Apparatus for processing a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004118279A JP4445315B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005296851A JP2005296851A (ja) | 2005-10-27 |
| JP4445315B2 true JP4445315B2 (ja) | 2010-04-07 |
Family
ID=35329044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004118279A Expired - Lifetime JP4445315B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4445315B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3280883B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JPH11233406A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びその装置 |
| JP3923676B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2007-06-06 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
| JP3782294B2 (ja) * | 1999-08-10 | 2006-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法 |
| JP3798201B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2006-07-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3814468B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および製造装置、カラーフィルタを備えた表示装置の製造方法、表示装置を備えた装置の製造方法 |
| JP4189141B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
| JP4037624B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2004
- 2004-04-13 JP JP2004118279A patent/JP4445315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005296851A (ja) | 2005-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8025732B2 (en) | Apparatus for processing a substrate | |
| US6929903B2 (en) | Developing method, substrate treating method, and substrate treating apparatus | |
| US6550990B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method by use of the apparatus | |
| JP2006523029A (ja) | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム | |
| KR20080034935A (ko) | 포토레지스트를 현상하는 장치 및 그 장치를 동작시키는방법 | |
| JP2000124122A (ja) | 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法 | |
| JP4445315B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP4037624B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH11147068A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2003264132A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2007510283A (ja) | 処理液塗布装置及び処理液塗布方法 | |
| JP4189279B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH07283184A (ja) | 処理装置 | |
| JP2006013228A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2006319350A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3817107B2 (ja) | 半導体装置の製造装置、液晶表示装置の製造装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0562960A (ja) | 液処理槽および液処理装置 | |
| JP2685027B2 (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
| JPH10335230A (ja) | 現像液供給ノズル | |
| JP2003203851A (ja) | 基板の現像処理装置および現像処理方法 | |
| JP2013069840A (ja) | 薬液処理方法及び薬液処理装置 | |
| JP2003106808A (ja) | 表面位置測定方法・装置 | |
| JP2006267820A (ja) | 液体現像方法及び現像装置 | |
| JP2005129555A (ja) | 現像方法及びそれに用いる現像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060502 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100115 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4445315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |