JPH10335230A - 現像液供給ノズル - Google Patents
現像液供給ノズルInfo
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- JPH10335230A JPH10335230A JP9146790A JP14679097A JPH10335230A JP H10335230 A JPH10335230 A JP H10335230A JP 9146790 A JP9146790 A JP 9146790A JP 14679097 A JP14679097 A JP 14679097A JP H10335230 A JPH10335230 A JP H10335230A
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- developing solution
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン形成精度を落とすことなく、現像欠
陥を低減してウエハの歩留まりを向上させることができ
る現像液供給ノズルを提供する。 【解決手段】 ノズル本体２下部のノズル先端部３下面
に、櫛歯状の凸部４を所定間隔で突設し、ノズル先端部
３から現像液を吐出しながらウエハＷ上のレジストＲ表
面に現像液を塗布していくと、凸部４によってカルマン
渦が現像液に発生し、カルマン渦がレジストＲに付着し
たマイクロバブルを除去する。
陥を低減してウエハの歩留まりを向上させることができ
る現像液供給ノズルを提供する。 【解決手段】 ノズル本体２下部のノズル先端部３下面
に、櫛歯状の凸部４を所定間隔で突設し、ノズル先端部
３から現像液を吐出しながらウエハＷ上のレジストＲ表
面に現像液を塗布していくと、凸部４によってカルマン
渦が現像液に発生し、カルマン渦がレジストＲに付着し
たマイクロバブルを除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハ表面に形
成されたレジストに現像液を塗布するための現像液供給
ノズルに関するものである。
成されたレジストに現像液を塗布するための現像液供給
ノズルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの集積度が進むと共にそのデザイ
ンルールは小さくなり、これに伴ってレジストの性能及
び現像方法に対してより高度な技術が要求されている。
レジストの性能は一般に露光部と未露光部との溶解速度
の差が大きい程良いとされる。これは、この溶解速度差
は溶解コントラストと呼ばれ、この溶解コントラストが
大きい程レジストの断面形状は矩形に近くなる。レジス
ト断面形状が矩形に近い程次工程であるエッチングの変
換差及びバラツキが小さくなり、高精度の加工が可能と
なる。また、溶解コントラストが大きい程レジストの解
像度は高く、より微細なパターン形成が可能となる。こ
の溶解コントラストを大きくするために、レジストには
様々な技術改良が加えられている。その一つに表面難溶
化効果を持たせることがあげられる。これは未露光領域
に現像液が接触すると溶解速度が極端に減少するという
効果である。この効果をレジストに持たせることでその
形状及び解像度は飛躍的に向上した。一方、レジストの
現像方法にも、より微細なパターンを精度良く形成する
ために改良が加えられている。一般に、レジストの解像
度及び断面形状は現像液の攪拌が小さい程良く、また均
一性については、できるだけ物理的アタックを与えない
方が良いとされている。これに対応するために、よりソ
フトに現像液を盛る方法及びそのノズルが開発され、微
細なパターンがより高精度に形成されるようになり、高
集積度の超ＬＳＩの製造が可能となった。
ンルールは小さくなり、これに伴ってレジストの性能及
び現像方法に対してより高度な技術が要求されている。
レジストの性能は一般に露光部と未露光部との溶解速度
の差が大きい程良いとされる。これは、この溶解速度差
は溶解コントラストと呼ばれ、この溶解コントラストが
大きい程レジストの断面形状は矩形に近くなる。レジス
ト断面形状が矩形に近い程次工程であるエッチングの変
換差及びバラツキが小さくなり、高精度の加工が可能と
なる。また、溶解コントラストが大きい程レジストの解
像度は高く、より微細なパターン形成が可能となる。こ
の溶解コントラストを大きくするために、レジストには
様々な技術改良が加えられている。その一つに表面難溶
化効果を持たせることがあげられる。これは未露光領域
に現像液が接触すると溶解速度が極端に減少するという
効果である。この効果をレジストに持たせることでその
形状及び解像度は飛躍的に向上した。一方、レジストの
現像方法にも、より微細なパターンを精度良く形成する
ために改良が加えられている。一般に、レジストの解像
度及び断面形状は現像液の攪拌が小さい程良く、また均
一性については、できるだけ物理的アタックを与えない
方が良いとされている。これに対応するために、よりソ
フトに現像液を盛る方法及びそのノズルが開発され、微
細なパターンがより高精度に形成されるようになり、高
集積度の超ＬＳＩの製造が可能となった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、溶解コントラ
ストの高いレジストを用い、物理的アタックを小さくす
る現像方法を採用したことにより、現像欠陥が発生する
という問題が生じた。ここでいう現像欠陥とはウエハ上
に数個から数十個というコンタクトホールが開かなくな
る現象である。この原因は、現像液にかかる圧力がウエ
ハ上に供給されるときに大気圧に戻るために、現像液中
に溶存していた気体が溶出し、泡となったいわゆるマイ
クロバブルにあると考えられている。すなわち、図１２
に示すように、このマルクロバブルＢが溶解すべき領域
Ｅに被さると、現像機Ｓの供給が不十分となり、現像が
進まなくなる。この現像欠陥が、溶解コントラストの高
いレジストと物理的アタックの弱い現像方法を採用した
結果、顕著に現れるようになった。一般に、溶解コント
ラストの高いレジストは表面の疎水性が高いものが多
い。このため、レジストＲの表面とマイクロバブルＢの
隙間に現像液Ｓが入り込めず、マイクロバブルＢは長期
間付着した状態になり、現像欠陥が生じるのである。こ
れに対して、物理的アタックの強い現像方法であれば、
その物理的アタックによって、レジストＲに付着したマ
イクロバブルＢを除去することができるが、物理的アタ
ックの弱い現像方法では、レジストＲに付着したマイク
ロバブルＢを現像液Ｓの物理的アタックによって除去す
ることができない。このようなマイクロバブルによる現
像欠陥は確実に歩留まりを低下させる大きな問題となっ
ていた。
ストの高いレジストを用い、物理的アタックを小さくす
る現像方法を採用したことにより、現像欠陥が発生する
という問題が生じた。ここでいう現像欠陥とはウエハ上
に数個から数十個というコンタクトホールが開かなくな
る現象である。この原因は、現像液にかかる圧力がウエ
ハ上に供給されるときに大気圧に戻るために、現像液中
に溶存していた気体が溶出し、泡となったいわゆるマイ
クロバブルにあると考えられている。すなわち、図１２
に示すように、このマルクロバブルＢが溶解すべき領域
Ｅに被さると、現像機Ｓの供給が不十分となり、現像が
進まなくなる。この現像欠陥が、溶解コントラストの高
いレジストと物理的アタックの弱い現像方法を採用した
結果、顕著に現れるようになった。一般に、溶解コント
ラストの高いレジストは表面の疎水性が高いものが多
い。このため、レジストＲの表面とマイクロバブルＢの
隙間に現像液Ｓが入り込めず、マイクロバブルＢは長期
間付着した状態になり、現像欠陥が生じるのである。こ
れに対して、物理的アタックの強い現像方法であれば、
その物理的アタックによって、レジストＲに付着したマ
イクロバブルＢを除去することができるが、物理的アタ
ックの弱い現像方法では、レジストＲに付着したマイク
ロバブルＢを現像液Ｓの物理的アタックによって除去す
ることができない。このようなマイクロバブルによる現
像欠陥は確実に歩留まりを低下させる大きな問題となっ
ていた。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、パターン形成精度を落とすことなく、
現像欠陥を低減してウエハの歩留まりを向上させること
ができる現像液供給ノズルを提供することを目的として
いる。
なされたもので、パターン形成精度を落とすことなく、
現像欠陥を低減してウエハの歩留まりを向上させること
ができる現像液供給ノズルを提供することを目的として
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、ノズル本体に収納された現像液をノズ
ル先端部から吐出して、その現像液をウエハ上のレジス
ト表面に塗布する現像液供給ノズルにおいて、ノズル先
端分に、ノズル先端部から櫛歯状に吐出する複数の凸部
を設けた構成とした。かかる構成により、ノズル本体又
はウエハの一方を一定速度で回転させながら、ノズル先
端部から現像液を吐出していくと、レジスト表面に塗布
された現像液が一定流速で櫛歯状の凸部の間隙を流れ、
間隙後方にカルマン渦が発生する。この結果、レジスト
表面上の現像液がカルマン渦によって攪拌され、レジス
ト表面に付着したマイクロバブルがこのカルマン渦によ
って剥離される。
に、この発明は、ノズル本体に収納された現像液をノズ
ル先端部から吐出して、その現像液をウエハ上のレジス
ト表面に塗布する現像液供給ノズルにおいて、ノズル先
端分に、ノズル先端部から櫛歯状に吐出する複数の凸部
を設けた構成とした。かかる構成により、ノズル本体又
はウエハの一方を一定速度で回転させながら、ノズル先
端部から現像液を吐出していくと、レジスト表面に塗布
された現像液が一定流速で櫛歯状の凸部の間隙を流れ、
間隙後方にカルマン渦が発生する。この結果、レジスト
表面上の現像液がカルマン渦によって攪拌され、レジス
ト表面に付着したマイクロバブルがこのカルマン渦によ
って剥離される。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る現像液供給ノズルを示す斜視図であり、図２はそ
の縦断面図であり、図３は横断面図である。図１に示す
ように、この現像液供給ノズル１は、ノズル本体２の下
側の先鋭なノズル先端部３に凸部４を列設した構成とな
っている。
て図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る現像液供給ノズルを示す斜視図であり、図２はそ
の縦断面図であり、図３は横断面図である。図１に示す
ように、この現像液供給ノズル１は、ノズル本体２の下
側の先鋭なノズル先端部３に凸部４を列設した構成とな
っている。
【０００７】ノズル本体２は、現像液タンク１０からチ
ューブ１２を介して供給される現像液Ｓを収納する部分
である。
ューブ１２を介して供給される現像液Ｓを収納する部分
である。
【０００８】ノズル先端部３は、ポンプ１１の作用によ
ってノズル本体２内の現像液Ｓを一定圧力で吐出する部
分であり、その下面には、図２及び図３に示すように、
幅１ｍｍで長さが５ｍｍのスリット状の複数の現像液吐
出口３０が５ｍｍ間隔で列設されている。
ってノズル本体２内の現像液Ｓを一定圧力で吐出する部
分であり、その下面には、図２及び図３に示すように、
幅１ｍｍで長さが５ｍｍのスリット状の複数の現像液吐
出口３０が５ｍｍ間隔で列設されている。
【０００９】凸部４は、ノズル先端部３の下面に櫛歯状
に複数穿設されている。具体的には、各凸部４は吐出口
３０の間に突設されており、その断面形状は５ｍｍ方形
である。すなわち、複数の凸部４がノズル先端部３の下
面に５ｍｍ間隔で突設され、凸部４の間に吐出口３０が
開設された構造となっている。
に複数穿設されている。具体的には、各凸部４は吐出口
３０の間に突設されており、その断面形状は５ｍｍ方形
である。すなわち、複数の凸部４がノズル先端部３の下
面に５ｍｍ間隔で突設され、凸部４の間に吐出口３０が
開設された構造となっている。
【００１０】次に、この実施形態の現像液供給ノズル１
が示す動作について説明する。図４は、この現像液供給
ノズル１による塗布作業を示す順工程図である。図４の
（ａ）に示すように、レジストＲが塗布されたウエハＷ
を現像カップ１３内に設けられたチャック１４によって
吸着した状態で回転させる。この状態で、図４の（ｂ）
に示すように、現像液供給ノズル１をウエハＷの真上に
位置させた後、図４の（ｃ）に示すように、ノズル先端
部３下面の凸部４をレジストＲ上に接触（又は近接）さ
せるように、現像液供給ノズル１を下降させる。そし
て、この状態で図１に示したポンプ１１によって、ノズ
ル本体２内の現像液Ｓをノズル先端部３の吐出口３０か
ら吐出していくと、現像液ＳがレジストＲの表面に均一
に塗布される。
が示す動作について説明する。図４は、この現像液供給
ノズル１による塗布作業を示す順工程図である。図４の
（ａ）に示すように、レジストＲが塗布されたウエハＷ
を現像カップ１３内に設けられたチャック１４によって
吸着した状態で回転させる。この状態で、図４の（ｂ）
に示すように、現像液供給ノズル１をウエハＷの真上に
位置させた後、図４の（ｃ）に示すように、ノズル先端
部３下面の凸部４をレジストＲ上に接触（又は近接）さ
せるように、現像液供給ノズル１を下降させる。そし
て、この状態で図１に示したポンプ１１によって、ノズ
ル本体２内の現像液Ｓをノズル先端部３の吐出口３０か
ら吐出していくと、現像液ＳがレジストＲの表面に均一
に塗布される。
【００１１】このとき、レジストＲに塗布された現像液
Ｓ内にマイクロバブルが発生し、現像欠陥が発生するお
それがある。しかし、この現像液供給ノズル１では、凸
部４が櫛歯状に設けられているので、上記現像欠陥を防
止することができる。
Ｓ内にマイクロバブルが発生し、現像欠陥が発生するお
それがある。しかし、この現像液供給ノズル１では、凸
部４が櫛歯状に設けられているので、上記現像欠陥を防
止することができる。
【００１２】以下、この現像欠陥防止動作を具体的に述
べる。図５は、カルマン渦発生状態を示す平面図であ
り、図６は、カルマン渦によるマイクロバブルの剥離状
態を示す断面図である。ウエハＷが回転していることか
ら、凸部４は現像液Ｓ内を相対的にウエハＷの回転速度
と等しい速度で移動することとなる。このため、図５に
示すように、凸部４の両側から交互に反対向きのカルマ
ン渦Ｋが発生し、カルマン渦Ｋが凸部４の移動方向（矢
印方向）の逆側に列状に並んでいく。これにより、図６
に示すように、カルマン渦Ｋがその渦力によって現像液
Ｓを攪拌し、レジストＲに付着したマイクロバブルＢを
剥離することとなる。このようにして、櫛歯状の凸部４
の後方に発生した多数のカルマン渦Ｋによってレジスト
Ｒ上の現像液Ｓ全体が攪拌されるので、レジストＲに付
着したマイクロバブルＢの大部分がこれらのカルマン渦
Ｋによって除去される。
べる。図５は、カルマン渦発生状態を示す平面図であ
り、図６は、カルマン渦によるマイクロバブルの剥離状
態を示す断面図である。ウエハＷが回転していることか
ら、凸部４は現像液Ｓ内を相対的にウエハＷの回転速度
と等しい速度で移動することとなる。このため、図５に
示すように、凸部４の両側から交互に反対向きのカルマ
ン渦Ｋが発生し、カルマン渦Ｋが凸部４の移動方向（矢
印方向）の逆側に列状に並んでいく。これにより、図６
に示すように、カルマン渦Ｋがその渦力によって現像液
Ｓを攪拌し、レジストＲに付着したマイクロバブルＢを
剥離することとなる。このようにして、櫛歯状の凸部４
の後方に発生した多数のカルマン渦Ｋによってレジスト
Ｒ上の現像液Ｓ全体が攪拌されるので、レジストＲに付
着したマイクロバブルＢの大部分がこれらのカルマン渦
Ｋによって除去される。
【００１３】このようにして、現像液Ｓの塗布が終了し
た後、図４の（ｄ）に示すように、現像液供給ノズル１
を上昇させ、現像時間経過後にウエハＷ表面を純水で洗
浄して、ウエハＷを現像カップ１３から取り出す。この
ように、この実施形態の現像液供給ノズル１によれば、
カルマン渦ＫによってレジストＲに付着したマイクロバ
ブルＢを除去するので、ウエハＷの現像欠陥を防止する
ことができる。この点を実証すべく発明者は、レジスト
Ｒとして型番ｉｐ３３００のレジストを、現像液Ｓとし
て型番ＴＭＡＨの２．３％現像液を用い（共に東京応用
化学社製）、ニコン社製の型番ｉ１１Ｄの露出装置でパ
ターンサイズ０．３５μｍを用いて、複数のウエハＷに
対して実験したところ、現像液欠陥は、ウエハＷ一枚当
たり０．３個となり、非常に少なかった。そして、エッ
チング時において、０．０２μｍという良好な線幅均一
性を得ることができた。
た後、図４の（ｄ）に示すように、現像液供給ノズル１
を上昇させ、現像時間経過後にウエハＷ表面を純水で洗
浄して、ウエハＷを現像カップ１３から取り出す。この
ように、この実施形態の現像液供給ノズル１によれば、
カルマン渦ＫによってレジストＲに付着したマイクロバ
ブルＢを除去するので、ウエハＷの現像欠陥を防止する
ことができる。この点を実証すべく発明者は、レジスト
Ｒとして型番ｉｐ３３００のレジストを、現像液Ｓとし
て型番ＴＭＡＨの２．３％現像液を用い（共に東京応用
化学社製）、ニコン社製の型番ｉ１１Ｄの露出装置でパ
ターンサイズ０．３５μｍを用いて、複数のウエハＷに
対して実験したところ、現像液欠陥は、ウエハＷ一枚当
たり０．３個となり、非常に少なかった。そして、エッ
チング時において、０．０２μｍという良好な線幅均一
性を得ることができた。
【００１４】（第２の実施形態）図７は、この発明の第
２の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す斜視図であ
り、図８は、その横断面図である。この実施形態の現像
液供給ノズル１−１は、図７に示すように、複数の凸部
４を有した櫛体５をノズル先端部３に隣接した点が上記
第１の実施形態の現像液供給ノズル１と異なる。
２の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す斜視図であ
り、図８は、その横断面図である。この実施形態の現像
液供給ノズル１−１は、図７に示すように、複数の凸部
４を有した櫛体５をノズル先端部３に隣接した点が上記
第１の実施形態の現像液供給ノズル１と異なる。
【００１５】具体的には、ノズル先端部３の長さと同長
の長尺体を切り欠いて複数の凸部４を下面に有する櫛体
５を形成した。一方、ノズル先端部３は、図８に示すよ
うに、その下面に複数の吐出口３０が等間隔で穿設され
ている。
の長尺体を切り欠いて複数の凸部４を下面に有する櫛体
５を形成した。一方、ノズル先端部３は、図８に示すよ
うに、その下面に複数の吐出口３０が等間隔で穿設され
ている。
【００１６】かかる構成により、現像液供給ノズル１を
相対的に図７の矢印方向に移動させることで、櫛体５が
カルマン渦Ｋを現像液供給ノズル１の背後に発生する。
その他の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様で
あるので、その記載は省略する。
相対的に図７の矢印方向に移動させることで、櫛体５が
カルマン渦Ｋを現像液供給ノズル１の背後に発生する。
その他の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様で
あるので、その記載は省略する。
【００１７】（第３の実施形態）図９は、この発明の第
３の実施形態に係る現像液供給ノズルの斜視図であり、
図１０はその横断面図である。この実施形態の現像液供
給ノズル１−２は凸部４を振動させる小型の超音波振動
子６を有している点が、上記第１及び第２の実施形態と
異なる。
３の実施形態に係る現像液供給ノズルの斜視図であり、
図１０はその横断面図である。この実施形態の現像液供
給ノズル１−２は凸部４を振動させる小型の超音波振動
子６を有している点が、上記第１及び第２の実施形態と
異なる。
【００１８】具体的には、超音波振動子６をノズル先端
部３の両側面に取り付け、これらのノズル先端部３に超
音波発振器６０によって所定周波数の信号を送信するこ
とで、超音波振動子６から超音波が発振され、この超音
波によって凸部４が直接振動する構成となっている。
部３の両側面に取り付け、これらのノズル先端部３に超
音波発振器６０によって所定周波数の信号を送信するこ
とで、超音波振動子６から超音波が発振され、この超音
波によって凸部４が直接振動する構成となっている。
【００１９】かかる構成によって、凸部４の間から吐出
される現像液Ｓが凸部４の振動によって攪拌され、振動
状態でレジストＲ上に塗布される。したがって、現像液
Ｓは凸部４によるカルマン渦Ｋによって攪拌されるだけ
ではなく、超音波振動子６によっても攪拌されることか
ら、その相乗効果によって、現像液Ｓが強く攪拌される
こととなる。このため、凸部４によるカルマン渦Ｋの攪
拌では、マイクロバブルＢの除去が不十分の場合には、
超音波振動子６の超音波周波数を調整することで、所望
の攪拌力を得ることができ、ウエハＷの現像欠陥防止を
さらに向上させることができる。この現像液供給ノズル
１−２においても、上記第１の実施形態と同様の実験を
行ったところ、現像欠陥は検出されなかった。その他の
構成，作用効果は上記第１ないし第２の実施形態と同様
であるので、その記載は省略する。
される現像液Ｓが凸部４の振動によって攪拌され、振動
状態でレジストＲ上に塗布される。したがって、現像液
Ｓは凸部４によるカルマン渦Ｋによって攪拌されるだけ
ではなく、超音波振動子６によっても攪拌されることか
ら、その相乗効果によって、現像液Ｓが強く攪拌される
こととなる。このため、凸部４によるカルマン渦Ｋの攪
拌では、マイクロバブルＢの除去が不十分の場合には、
超音波振動子６の超音波周波数を調整することで、所望
の攪拌力を得ることができ、ウエハＷの現像欠陥防止を
さらに向上させることができる。この現像液供給ノズル
１−２においても、上記第１の実施形態と同様の実験を
行ったところ、現像欠陥は検出されなかった。その他の
構成，作用効果は上記第１ないし第２の実施形態と同様
であるので、その記載は省略する。
【００２０】（第４の実施形態）図１１は、この発明の
第４の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す斜視図で
ある。この実施形態の現像液供給ノズル１−３は、ノズ
ル本体２を振動させる大型の超音波振動子６−１をノズ
ル本体２の両側に有している点が上記第１ないし第３の
実施形態と異なる。
第４の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す斜視図で
ある。この実施形態の現像液供給ノズル１−３は、ノズ
ル本体２を振動させる大型の超音波振動子６−１をノズ
ル本体２の両側に有している点が上記第１ないし第３の
実施形態と異なる。
【００２１】具体的には、ノズル本体２を保持する一対
のアーム１８におのおの超音波振動子６−１を取り付
け、これらの超音波振動子６−１でアーム１８を振動さ
せることで、ノズル本体２内の現像液Ｓを振動させるよ
うにした。かかる構成により、予め攪拌された現像液Ｓ
がノズル先端部３から吐出されることとなる。その他の
構成，作用効果は上記第１ないし第３の実施形態と同様
であるので、その記載は省略する。
のアーム１８におのおの超音波振動子６−１を取り付
け、これらの超音波振動子６−１でアーム１８を振動さ
せることで、ノズル本体２内の現像液Ｓを振動させるよ
うにした。かかる構成により、予め攪拌された現像液Ｓ
がノズル先端部３から吐出されることとなる。その他の
構成，作用効果は上記第１ないし第３の実施形態と同様
であるので、その記載は省略する。
【００２２】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。たとえば、上記第４の実施形
態ではアーム１８に超音波振動子６−１を取り付けた
が、超音波振動子６−１をノズル本体２に直接取り付け
ても良い。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。たとえば、上記第４の実施形
態ではアーム１８に超音波振動子６−１を取り付けた
が、超音波振動子６−１をノズル本体２に直接取り付け
ても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明の
現像液供給ノズルによれば、櫛歯状の凸部により、カル
マン渦を発生させてレジストに付着したマイクロバブル
をレジストから剥離することができるので、現像欠陥の
発生を防止することができ、この結果、ウエハの歩留ま
りの向上を図ることができるという効果がある。特に、
ノズル先端部やノズル本体に超音波振動子を取り付ける
ことで、この超音波振動子による振動と凸部によるカル
マン渦との相乗効果によって、所望の攪拌作用を得るこ
とができ、この結果、現像欠陥防止のさらなる向上を図
ることができる。
現像液供給ノズルによれば、櫛歯状の凸部により、カル
マン渦を発生させてレジストに付着したマイクロバブル
をレジストから剥離することができるので、現像欠陥の
発生を防止することができ、この結果、ウエハの歩留ま
りの向上を図ることができるという効果がある。特に、
ノズル先端部やノズル本体に超音波振動子を取り付ける
ことで、この超音波振動子による振動と凸部によるカル
マン渦との相乗効果によって、所望の攪拌作用を得るこ
とができ、この結果、現像欠陥防止のさらなる向上を図
ることができる。
【図１】この発明の第１の実施形態に係る現像液供給ノ
ズルを示す斜視図である。
ズルを示す斜視図である。
【図２】図１の現像液供給ノズルの縦断面図である。
【図３】図１の現像液供給ノズルの横断面図である。
【図４】現像液供給ノズルによる塗布作業を示す順工程
図である。
図である。
【図５】カルマン渦発生状態を示す平面図である。
【図６】カルマン渦によるマイクロバブルの剥離状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】この発明の第２の実施形態に係る現像液供給ノ
ズルを示す斜視図である。
ズルを示す斜視図である。
【図８】図７の現像液供給ノズルの横断面図である。
【図９】この発明の第３の実施形態に係る現像液供給ノ
ズルを示す斜視図である。
ズルを示す斜視図である。
【図１０】図９の現像液供給ノズルの縦断面図である。
【図１１】この発明の第４の実施形態に係る現像液供給
ノズルを示す斜視図である。
ノズルを示す斜視図である。
【図１２】マイクロバブルの付着状態を示す断面図であ
る。
る。
１…現像液供給ノズル、 ２…ノズル本体、 ３…ノズ
ル先端部、 ４…凸部、 ３０…吐出口、 Ｂ…マイク
ロバブル、 Ｋ…カルマン渦、 Ｒ…レジスト、Ｓ…現
像液。
ル先端部、 ４…凸部、 ３０…吐出口、 Ｂ…マイク
ロバブル、 Ｋ…カルマン渦、 Ｒ…レジスト、Ｓ…現
像液。
Claims (5)
- 【請求項１】 ノズル本体に収納された現像液をノズル
先端部から吐出して、その現像液をウエハ上のレジスト
表面に塗布する現像液供給ノズルにおいて、 上記ノズル先端分に、ノズル先端部から櫛歯状に突出す
る複数の凸部を設けたことを特徴とする現像液供給ノズ
ル。 - 【請求項２】 請求項１に記載の現像液供給ノズルにお
いて、 上記現像液の吐出口を、上記複数の凸部の間に開設し
た、 ことを特徴とする現像液供給ノズル。 - 【請求項３】 請求項１に記載の現像液供給ノズルにお
いて、 上記櫛歯状に突出する複数の凸部を、上記現像液の吐出
口に隣接させた、 ことを特徴とする現像液供給ノズル。 - 【請求項４】 請求項１に記載の現像液供給ノズルにお
いて、 上記ノズル先端部に、上記凸部を振動させる超音波振動
子を取り付けたことを特徴とする現像液供給ノズル。 - 【請求項５】 請求項１に記載の現像液供給ノズルにお
いて、 上記ノズル本体に、ノズル本体を振動させる超音波振動
子を取り付けたことを特徴とする現像液供給ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146790A JPH10335230A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 現像液供給ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146790A JPH10335230A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 現像液供給ノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335230A true JPH10335230A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15415605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146790A Pending JPH10335230A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 現像液供給ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335230A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100292064B1 (ko) * | 1999-05-13 | 2001-06-01 | 황인길 | 반도체 웨이퍼의 현상 공정을 위한 노즐장치 |
| AT408930B (de) * | 1999-01-13 | 2002-04-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern |
| JP2017157860A (ja) * | 2017-05-23 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146790A patent/JPH10335230A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT408930B (de) * | 1999-01-13 | 2002-04-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern |
| US6416579B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-07-09 | Erich Thallner | Apparatus for treating silicon wafers |
| KR100292064B1 (ko) * | 1999-05-13 | 2001-06-01 | 황인길 | 반도체 웨이퍼의 현상 공정을 위한 노즐장치 |
| JP2017157860A (ja) * | 2017-05-23 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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