JP2001338859A - フォトレジスト層の現像方法 - Google Patents
フォトレジスト層の現像方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
面全体にわたって均一な現像処理が行えず、現像処理後
の線幅の大きさにバラツキが発生していたが、これを改
善し、基板面全面にわたり、より均一性を向上させたフ
ォトレジスト層の現像方法を提供する。 【解決手段】 基板28面上に塗布されたフォトレジス
ト層38上に、現像液39を吐出させて所定時間経過後
に、この現像液39を吐出スタート時点から終了時点方
向に攪拌させて流動化させるように、現像液39供給用
のノズル34を同一方向に移動させ、フォトレジスト層
38の溶解された樹脂濃度が均一化されるようにする。 【効果】 現像液39を吐出方向と同じ方向に攪拌させ
ることで、基板28上の樹脂濃度が均一化され、基板2
8全面にわたり、より均一化された現像済フォトレジス
ト層38を得ることができる。
Description
及び半導体基板等の基板面上に形成されたフォトレジス
ト層の現像方法の改良に関する。
フォトレジストを塗布して、これをフォトマスクを用い
て露光することにより、所定のパターンを基板面上に形
成することが行われており、例えばポジタイプのフォト
レジストを使用する場合には、専用の自動現像処理機械
により現像処理が行われている。
51が用意され、この基板51の表面上には、予めフォ
トレジスト層52が塗布されており、フォトマスク(図
示せず)を用いて所定のパターンが露光されている。こ
の基板51は、真空吸引されている真空チャック53上
に載置して固定する。
向するように、基板51の一端部分には、現像液供給手
段54を構成する基板51の一端長と同じ長さを有す
る、例えば長方形状の箱型を呈するノズル55が配置さ
れる。このノズル55の先端には、スリット56が形成
されており、このスリット56から現像液57を吐出す
るように構成されており、図中左右に移動が可能なよう
に構成されている。
させた後に、現像液57の温度調節を行う熱交換器等を
通して、所定の温度に液温を保たれた現像液57が、ノ
ズル56からフォトレジスト層52上に吐出され、引続
きその吐出状態を保ちながら、図中矢印の左方向にノズ
ル55を平行移動させ、図中破線にて示す基板51の他
の端縁まで走査される。そして基板51の端縁部分に到
達した段階で、現像液57の吐出を停止させて、基板5
1のフォトレジスト層52上にパドル58を形成させ、
しかる後に、ノズル55を上方に移動させ初期設定位置
に復帰する。このパドル58を形成した状態で、現像に
要する所定の時間を経過させた後に、フォトレジスト層
52を洗浄し、基板51上に所定のパターンを形成する
ものである。
あるが、現像液57は、フォトレジスト層52のスター
ト時点から終了時点まで、現像液57を吐出させながら
走査してパドル58を形成しているので、現像液57の
吐出開始のスタート段階と終了段階とでは、フォトレジ
スト層52の現像液57と接触している時間に、時間差
が発生することになり、吐出開始スタート部分に位置す
るフォトレジスト層52部分では、吐出終了迄の時間、
即ちパドル58の形成までの時間だけ現像液57と長時
間接触していることになり、また吐出終了部分に位置す
るフォトレジスト層52の部分では、吐出開始スタート
部分に位置するフォトレジスト層52部分と比較して、
このノズル55が走査している時間分だけ短い時間し
か、現像液57と接触していないことになり、フォトレ
ジスト層52全体では、現像液57と接触している時間
が均一にならない。
の吐出開始スタート部分のフォトレジスト層52部分で
は、現像後のパターンの線幅が細くなり、反対に現像液
57の吐出終了部分のフォトレジスト層52部分では、
現像後のパターンの線幅が太くなる現象が発生し、現像
処理後の基板51面内でのパターンの線幅が大きくバラ
ついてしまうことになり、均一な線幅のパターンが得ら
れない欠点があった。
板51上に、周辺10mmを除く面内に、等間隔で5×
5ポイントに形成された3μmのラインアンドスペース
のテストパターンで線幅を測定したところ、寸法面内の
バラツキが、3σ=0.90μmと大きくバラついてい
ることが、測定の結果判明した。
型化に伴い、より一層の基板内及び基板間での現像の均
一性が叫ばれているおり、この要求に逆行する結果とも
なっていた。
たものであり、現像液を吐出するノズルを、現像処理を
行うために複数回移動させることによって、フォトレジ
スト層上に吐出された現像液を攪拌させて、現像処理反
応を促進させることにより、基板面上に形成されるパタ
ーンの線幅が、基板面全面にわたって略等しくなるよう
に、均一性のとれた基板を得ることができるフォトレジ
スト層の現像方法を提供するものである。
ト層が面上に設けられた基板と前記フォトレジスト層面
上に現像液を吐出する現像液供給手段とを相対的に移動
して現像を行うフォトレジスト層の現像方法において、
前記現像液供給手段を、前記基板に対して現像処理のた
めに複数回相対的に移動させることを特徴とするフォト
レジスト層の現像方法である。
て説明する。図1は、本発明のフォトレジスト層の現像
方法の工程を示すフローチャートであり、この図1を参
照して、以下説明を行う。まず図1(a)で、洗浄され
た薄板状の、例えば400mm×500mmの大きさの
基板を用意する。この基板の表面上に、図1(b)に示
すようにフォトレジスト剤を塗布して、フォトレジスト
層を形成する。次いでフォトマスクを用いて、図1
(c)に示すように、フォトレジスト層を露光させる。
ここでは、基板の周辺10mmを除く部分に、等間隔に
5×5ポイントに形成された3μmのラインアンドスペ
ースのテストパターンを形成させるように、フォトマス
クを構成している。
目の現像液をフォトレジスト層の上に吐出して、パドル
を形成する。このパドル形成後に、図1(e)に示すよ
うに、一定時間、例えば3乃至7秒間放置させた後に、
図1(f)に示すように、第2回目の現像液を、第1回
目の吐出で形成されたパドルの上に、再度同じ方向に吐
出させて、パドルを形成する。その状態で図1(g)に
示すように現像を行い、図1(h)に示すように、基板
を純水等にて洗浄を行い、次いで図1(i)に示す乾燥
を行い、基板上に所定のレジストパターンを作成した。
おいて、2回吐出させることで、テストパターンの線径
の寸法内バラツキが、3σ=0.25μmにまで向上さ
せることができた。因みに、同一条件で1回だけの現像
液の吐出の場合では、3σ=0.90μmのバラツキを
計測しており、はるかに改善が計られていることが解
る。
方法に用いられる現像装置について、図2を参照して説
明する。円筒状の金属製スピンカップ21は、円形の底
板22と、この底板22の周辺を一方向に、その開口部
23を底板22の径よりも狭くなるように、円錐状に上
方に延在させて、隔壁24を形成する。この底板22の
中心部には、モータ25の回転軸26が貫通しており、
その回転軸26の一端には、モータ25が取着されてお
り、また他端はスピンカップ21内に位置し、その端部
にチャック27が取着されている。
26と同軸に配置され、図示しない吸引装置と接続され
て、チャック27上に載置される基板28を、吸引固定
するものである。更に、このスピンカップ21の底板2
2部分には、複数の排水孔29が穿設されており、この
排水孔29は、パイプ30によって排水装置31と連結
されている。
2の上部開口部23からは、現像液供給装置33を構成
するノズル34が配置され、このノズル34は、現像液
供給管35を介して、現像液供給装置33と連結されて
いる。このノズル34は、長方形の箱型を呈しており、
その一端には、基板28の一端と同じ長さに形成され
た、図3(a)に示すようなスリット36を有してい
る。この現像液供給装置33は、駆動装置37と連結さ
れていて、現像液供給装置33を左右及び上下方向に、
移動可能に構成している。
動及び微細な調整が不可能な場合には、現像液供給管3
5を可撓性の材質のもので構成、あるいは蛇腹構成と
し、この可撓性の現像液供給管35自体を、駆動装置3
7によって可動させるように構成することも可能であ
り、あるいはまた、直接駆動装置37をノズル34に連
結させて、ノズル34自体を可動させることも可能であ
る。
2内に、フォトマスクによって露光されたフォトレジス
ト層38を有する基板28を、チャック27上に載置固
定する。しかる後に、ノズル34を基板28の一端に位
置させて、現像液供給装置33から、図3(a)に示す
現像液39をフォトレジスト層39の上に吐出させて、
図中矢印のように、左方向に現像液39を吐出させなが
ら平行移動させる。
の一端に位置したノズル34から現像液39を吐出させ
て、図中矢印の左方向に走査させて、図3(b)に示す
ように、第1回目のパドル40をフォトレジスト層38
上に形成する。この第1回目のパドル40の形成が終了
した後に、ノズル34はパドル40の厚さ分だけ上昇し
て、再びスタート地点まで復帰し、最初の現像液39の
吐出から所定時間経過後に、図3(c)に示すように、
このパドル40の厚さ分だけ上昇した位置から、第2回
目のパドル40形成の作業を開始する。
ように、左方向に現像液39を吐出させながらノズル3
4を移動させて、図3(d)に示すように、第2回目の
パドル40を構成する。この後に所定の時間を掛けて現
像を行い、スピンカップ装置32に配置された洗浄装置
(図示せず)から純水等を放出することによってフォト
レジスト層38を洗浄し、モータ25でチャック27を
回転させて、基板28の水切りを行うと共に乾燥させ
る。洗浄用の純水等は、排水孔29よりパイプ30を介
して排水装置31に排水されて、基板28上に所定のレ
ジストパターンを作成するものである。
させるための、第1回目と第2回目との時間間隔につい
て考察した結果を、図4に示す。図4に示すグラフは、
横軸に第1回目と第2回目の吐出開始までの時間間隔、
即ちパドル40形成間隔時間をとり、縦軸には、時間間
隔毎の3σあたりの寸法面内のバラツキをとって、バラ
ツキ状態を示したもので有る。テストには、400mm
×500mmの角形基板28を使用し、この角形基板2
8の周辺10mmを除く面上に、等間隔で5×5ポイン
トに形成された3μmのラインアンドスペースのテスト
パターンの、現像後の線径を測定したものである。
に、パドル40形成間隔時間が3乃至7秒以内であれ
ば、寸法面内バラツキが、0.2乃至0.4以内に抑え
ることが判明した。このパドル40形成間隔時間を外れ
ると、寸法面内バラツキが従来の現像方法と同様に大き
くなることが判明した。従って、パドル40形成間隔時
間は、この時間内に制御することが必要となる。また第
1回目と第2回目のパドル40形成方向を異なる方向か
ら形成することも試みたが、同方向から形成したものの
方が好ましい結果であった。
法は、500mmの基板28の場合には、第1回目のパ
ドル40形成時間を5秒、即ち現像液39吐出開始から
第1回目の吐出終了までの、ノズル34の走査時間を5
秒になるように設定し、吐出終了後の再スタート時点ま
で復帰するノズル34の戻り時間を、同じ5秒のスピー
ドで戻るように設定することで、この5秒間の時間間隔
が得られ、しかも第2回目の吐出位置に復帰した後に、
直ちに待ち時間なしで第2回目のパドル40形成作業に
入れることになる。
回にわたって、パドル40を同一方向から形成すること
で、寸法面内のバラツキが小さくなる理由は、第1回目
だけでは、現像液39とレジスト層38との接触時間の
みが、線幅を決定する要因と考えられるが、複数回の場
合には、樹脂溶解が最も進んだスタート時点の第1回目
のパドル40を形成している現像液39部分を、第2回
目に吐出される現像液39が、順次攪拌させて流動化さ
せていくので、結果的に基板28上の現像液39、即ち
パドル40内の樹脂濃度が均一化されることにより、現
像速度も均一化されるものと思考され、このために、基
板28面内の線幅のバラツキが、抑制されるものと推察
される。
ことなく、種々の応用・変形が可能であり、例えば、複
数回のパドル40形成は、2回に限らず3回以上にわた
ってパドル40を形成するようにしても差し支えなく、
また2回目以降のパドル40の攪拌は、その都度現像液
39を供給しないで、ノズル34自体を第1回目のパド
ル40中に挿入させて、パドル40に摺動させながら攪
拌させるように構成することも可能で、さらにノズル3
4のスリット36近傍に、刷毛状の物体を取着させてお
いて、この物体を利用して第1回目に形成したパドル4
0を攪拌させるように、ノズル34を移動させるように
構成することも可能である。このように基板28の寸法
内で、溶解した樹脂濃度が均一化されるような構成をと
ることにより、第2回目以降の現像液39の供給を不要
とすることが可能なので、省資源化に適している。
動するように説明しているが、可能ならスピンカップ2
1内のチャック27の方を移動させて、基板28自体を
ノズル34に対して移動可能なように構成することも可
能であり、基板28とノズル34との関係は、何れかが
相対的に移動すれば良いので、この構成だけに限定され
るものではないことは、明らかである。
ジスト層38を形成した場合について説明しているが、
基板28上に薄膜状の導電体層を設け、その上にフォト
レジスト層38を設けた場合にも、適用することができ
ることは、言うまでもなく、また使用される現像液39
は、新液でも再生疲労液の何れをも採用することが可能
である。
ば、基板内での現像処理の均一化が図られ、このために
現像処理された製品の性能向上、及び均一性が保持され
ると共に、基板間及びロット間での品質向上を図ること
ができる。
説明するためのフローチャート図。
使用される現像装置の構成の概要を示す構成図。
方法の現像液吐出状態を説明するための工程説明図。
おける、パドル形成間隔時間と寸法面内バラツキとの関
係を示す測定図。
ための工程説明図。
Claims (7)
- 【請求項1】 フォトレジスト層が面上に設けられた基
板と前記フォトレジスト層面上に現像液を吐出する現像
液供給手段とを相対的に移動して現像を行うフォトレジ
スト層の現像方法において、 前記現像液供給手段を、前記基板に対して現像処理のた
めに複数回相対的に移動させることを特徴とするフォト
レジスト層の現像方法。 - 【請求項2】 前記現像処理のための基板に対する複数
回の相対的移動方向を、同一方向とすることを特徴とす
る請求項1記載のフォトレジスト層の現像方法。 - 【請求項3】 前記現像処理のための複数回の相対的移
動は、一定の時間間隔をおいてスタートすることを特徴
とする請求項1記載のフォトレジスト層の現像方法。 - 【請求項4】 前記現像処理のための移動の都度、前記
現像液供給手段から現像液を吐出させることを特徴とす
る請求項1記載のフォトレジスト層の現像方法。 - 【請求項5】 2回目以降の現像液吐出移動時に、前記
現像液供給手段を基板面に対して順次直交する方向に離
れた高さからスタートさせることを特徴とする請求項1
記載のフォトレジスト層の現像方法。 - 【請求項6】 前記現像液供給手段の2回目以降の移動
は、1回目の移動で吐出された現像液を攪拌させるよう
に、非吐出状態で移動することを特徴とする請求項1記
載のフォトレジスト層の現像方法。 - 【請求項7】 前記現像液供給手段は、各回のスタート
時点の時間間隔を、3秒〜7秒に設定したことを特徴と
する請求項3記載のフォトレジスト層の現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000157063A JP4490555B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | フォトレジスト層の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JP2001338859A true JP2001338859A (ja) | 2001-12-07 |
JP4490555B2 JP4490555B2 (ja) | 2010-06-30 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006179721A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011054697A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置及び現像処理方法 |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000157063A patent/JP4490555B2/ja not_active Expired - Fee Related
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