JP2003077820A

JP2003077820A - 現像装置及び現像方法

Info

Publication number: JP2003077820A
Application number: JP2001269320A
Authority: JP
Inventors: Taro Yamamoto; 太郎山本; Kosuke Yoshihara; 孝介吉原; Hiroshi Takeguchi; 博史竹口; Hideji Kyoda; 秀治京田; Akihiro Fujimoto; 昭浩藤本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-09-05
Filing date: 2001-09-05
Publication date: 2003-03-14
Anticipated expiration: 2021-09-05
Also published as: JP3990885B2

Abstract

(57)【要約】【課題】露光処理が施された基板に対して一端側から
他端側へ供給ノズルを移動させながら現像液を液盛する
手法において、現像液に対して溶解速度の速いレジスト
を用いてもパターンの線幅を均一にできること。【解決手段】例えば半導体ウェハの直径に相当する長
さの供給ノズルに、当該供給ノズルの移動方向に前後し
て並列に、つまり供給ノズルの長さ方向に沿って２列に
第１、第２の吐出口を形成し、これらの現像液の吐出方
向が互いに寄り合うように構成する。この場合、第１、
第２の吐出口から吐出された現像液の流れが互いに強く
干渉しあって現像液が撹拌され、レジストの溶解成分が
薄められ、不溶解部位の溶解が抑えられ、線幅が均一で
良好なレジストパターンを得ることができる。また前記
供給ノズルには、現像液の液面に気体を供給するための
気体を吐出する気体供給口を設けても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストが塗布さ
れ、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して
現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程の一つであるフォ
トレジスト工程においては、半導体ウェハ（以下ウェハ
Ｗという）表面に形成された薄膜状にレジストを塗布
し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してマス
クパターンを形成している。このような処理は、一般に
レジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装
置を接続したシステムを用いて行われる。

【０００３】露光後のウェハに対して、現像処理を行う
手法の一つとして、図１５に示すようにウェハＷの直径
に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズルＮを用
い、このノズルＮを、例えばスピンチャックに水平に保
持されたウェハＷの表面に対して、例えば１ｍｍ程度浮
かせた状態でウェハＷの一端側から他端側に移動させな
がら、ノズルＮの吐出口からウェハＷ表面に現像液を供
給し、ウェハＷ表面全体に現像液を液盛する方法が検討
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た手法では、以下の様な課題がある。即ち、現像液に対
する溶解速度が速い種類のレジストが塗布されたウェハ
Ｗ表面に現像液を液盛する場合、ウェハＷ全体の液盛を
終える前に、既に液盛された部位においてレジストの溶
解成分の影響により、レジストの不溶解性部位の溶解が
進行し、先に液盛された部位においては、後に液盛され
た部位よりも本来パターンとなるべき不溶解性部位の溶
解が進んでしまうおそれがある。また複雑なマスクパタ
ーンを形成するウェハ表面においては、単位面積あたり
で見ると密なパターンを形成する部位と、疎なパターン
を形成する部位とがあるが、パターンが密な部位は溶解
成分が濃縮化し易く、またパターンが疎な部位は溶解成
分が拡散するので薄まった状態にある。このためパター
ン密度に応じてパターンとなるべき不溶解性部位の溶解
の程度に差が生じてしまうおそれがあり、このようなパ
ターン密度の差と、液盛のタイミングの差とが相俟っ
て、ウェハＷ表面全体におけるパターンの線幅の均一性
が低下する懸念がある。

【０００５】ここで現像液中の溶解成分の濃度分布が生
じるのを抑えるための方法の一つとしては、液盛した後
にスピンチャックを瞬間的に回転して、ウェハＷを周方
向に回転させることにより、回転を止めた後の現像液に
慣性力の作用で周方向に向かう流れが形成され、この流
れの撹拌作用により、現像液濃度を均一にする方法があ
るが、液盛を終える前に溶解が進行する溶解速度の速い
レジストを用いている場合は、液盛の最中に既に現像液
の濃度分布が生じてしまっているので、液盛後に行うこ
の方法では対応できない。

【０００６】本発明はそのような事情に基づいてなされ
たものであり、レジストが表面に塗布され、露光処理が
施された基板に対して均一性の高い現像を行うことがで
きる技術を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の現像装置は、基
板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板
を現像する現像装置において、前記基板を水平に保持す
る基板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ
以上の長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノ
ズルと、この供給ノズルを前記基板の一端側から他端側
に亘って移動させる移動機構と、を備え、前記吐出口
は、供給ノズルの長さ方向に形成された第１の吐出口
と、この第１の吐出口に対してノズルの進行方向に対し
て後方側に並列に形成され、第１の吐出口の吐出方向と
その吐出方向とが前後に寄り合うように設定された第２
の吐出口と、を備えたことを特徴とする。この供給ノズ
ルは、第１の吐出口と第２の吐出口との間に現像液を撹
拌するための気体を供給する給気孔を備えた構成として
も良い。

【０００８】また、基板表面にレジストが塗布されて、
露光処理がされた基板を現像する現像装置において、前
記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有効領域
の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成
された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを前記基
板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機構と、
を備え、前記吐出口は、ノズルの長さ方向に形成された
第１の吐出口と、この第１の吐出口に対してノズルの進
行方向に対して後方側に並列に形成され、第１の吐出口
先端面の高さとその吐出口先端面の高さとが異なるよう
に設定された第２の吐出口と、を備えたことを特徴とす
る。前記吐出口先端面の高さは、例えば第１の吐出口の
先端面の高さよりも第２の吐出口の先端面の方が低く設
定しても良い。

【０００９】更にまた基板表面にレジストが塗布され
て、露光処理がされた基板を現像する現像装置におい
て、前記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有
効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口
が形成された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを
前記基板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機
構と、を備え、前記吐出口は、ノズルの長さ方向に形成
された第１の吐出口と、この第１の吐出口に対してノズ
ルの進行方向に対して後方側に並列に形成された第２の
吐出口と、第１、第２の吐出口から吐出される現像液流
量を夫々調節する流量調節手段と、を備えたことを特徴
とする。前記流量を調節する手段は、例えば各々吐出口
に接続され、開度調節が可能なバルブを備えた構成でも
良く、あるいは口径（先端面の開口面積の異なる第１、
第２の吐出口を備えた構成でも良い。

【００１０】本発明によれば、第１の吐出口及び第２の
吐出口から例えば現像液の吐出方向が互いに寄り合いな
がらノズルが移動するので、双方の吐出口から吐出され
た現像液が互いに強く干渉されて攪拌されながら液盛り
が行われる。従って現像液によりすぐに溶解されるレジ
ストを用いても、現像液中に溶けだした溶解成分が薄め
られるので、基板表面全体から見ると均一な現像がおこ
なわれ、その結果、基板全体でみて線幅精度の良いマス
クパターンが得られる。

【００１１】本発明の現像方法は、基板表面にレジスト
が塗布されて、露光処理がされた基板を現像する方法に
おいて、前記基板を水平に保持するための基板保持部に
搬入する工程と、次いで基板の有効領域の幅とほぼ同じ
かそれ以上の長さに亘って吐出口が形成された現像液の
供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に亘って移動
させる工程と、この供給ノズルに設けた第１、第２の吐
出口から互いの吐出方向が寄り合うように現像液を吐出
して基板の表面に現像液を供給する工程と、を含むこと
を特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係る現像
装置の実施の形態を示す概略図である。この装置は、基
板であるウェハＷの裏面中心部を吸引吸着し、略水平に
保持する基板保持部をなすスピンチャック２を備え、こ
のスピンチャック２は駆動部２０により回転及び昇降で
きるように構成されている。

【００１３】ウェハＷがスピンチャック２に吸着保持さ
れた状態において、ウェハＷの側方を囲むようにしてカ
ップ３が設けられており、カップ３は各々上下可能な外
カップ３１と内カップ３２とからなる。内カップ３２は
円筒の上部側が上方内側に傾斜し、上部側開口部が下部
側開口部より狭くなるように形成されており、昇降部３
０により外カップ３１が上昇すると、外カップ３１の移
動範囲の一部において連動して昇降するように構成され
ている。

【００１４】カップ３の下部側はスピンチャック２の周
囲を囲む円板３３と、円板３３の周り全周に亘って凹部
を形成し、底面に排液口３４が形成されている液受け部
３５とにより構成されている。この液受け部３５の側面
より僅かに内側に外カップ３１（及び内カップ３２）が
収まっており、前記凹部とカップ３とによりウェハＷの
上方レベル及び下方レベルに跨ってウェハＷの側方を囲
っている。また、円板３３の周縁部には上端がウェハＷ
の裏面に近接する断面山形のリング体３６が設けられて
いる。

【００１５】続いてスピンチャック２に吸着保持された
ウェハＷに処理液である現像液Ｄを供給するための供給
ノズル４について説明する。この供給ノズル４は例えば
図３に示すように、現像液Ｄが供給される通流室４４を
内部に設けた細長い四角形状のノズル本体４１と、その
下面長手方向に、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ
以上の長さの、例えばウェハＷの直径よりも長いスリッ
ト形状に設けられた吐出口４２である第１の吐出口４２
ａおよび第２の吐出口４２ｂを供給ノズル４の移動方向
において前後して並列に設けている。更に図４に示すよ
うに、吐出口４２ａと吐出口４２ｂは側方から見た軸線
が互いに寄り合うように、つまり互いの吐出方向が寄り
合うように供給ノズル４下面に対して各軸線が角度θ傾
斜させて設けられており、夫々の吐出口４２の上部に設
けられた流路４３である第１の流路４３ａおよび第２の
流路４３ｂを介して通流室４４に接続される。第１の吐
出口４２ａの先端面と第２の吐出口４２ｂの先端面との
離間距離Ｌは、例えば１０ｍｍ〜２０ｍｍとされ、θは
例えば１０度〜３０度とされる。流路４３は供給ノズル
４の長さ方向に伸びるスリット形状であっても良いし、
供給ノズル４の長さ方向に間隔をおいて配列された多数
の孔でも良い。また、吐出口４２ａ、４２ｂの上方には
内壁と接しないように僅かな隙間をもってガイドバー４
５（４５ａ、４５ｂ）が夫々設けられている。

【００１６】このような供給ノズル４は、第１の移動機
構６によりカップ３の外側に設けられたガイドレール５
に沿って、図２に示すカップ３の外側の待機位置（ガイ
ドレール５の一端側の位置）からウエハＷの上方側を通
って前記待機位置とウエハＷを挟んで対向する位置まで
移動可能に設けられている。

【００１７】つまりガイドレール５は、図２にも示すよ
うに例えば外カップ３１の一辺と平行になるようにＸ方
向に延びるように設けられており、ガイドレール５の一
端側に第１の移動機構６が位置している。第１の移動機
構６はアーム部６１とベース部６２とにより構成されて
おり、供給ノズル４をアーム部６１により吊下げ支持
し、移動部であるベース部６２を介してガイドレール５
に沿って移動できるようになっている。

【００１８】前記ベース部６２は例えば図５に示すよう
に、例えばボールネジ機構６３などにより構成される昇
降機構６４を有しており、例えばモータなどの図示しな
い動力源からの駆動力によりアーム部６１をＺ方向へ移
動（上下）させることができる。

【００１９】また図２中５０はウエハＷにリンス液、例
えば純水をウェハＷの中心部に供給してウエハＷの表面
の現像液を洗い流すための洗浄ノズルであり、この洗浄
ノズル５０は例えば第２の移動機構５１により、図２に
示すカップ３の外側の待機位置（ガイドレール５の他端
側の位置）からウエハＷの上方側を通って前記待機位置
とウエハＷを挟んで対向する位置まで水平に移動可能に
設けられている。

【００２０】ここで図２において第１の移動機構６及び
第２の移動機構５１が夫々示されている位置は既述の非
作業時における供給ノズル４及び洗浄ノズル５０の待機
位置であって、ここには例えば上下可動の板状体により
構成された第１の移動機構６及び第２の移動機構５１の
待機部５２，５３が設けられている。

【００２１】これまで述べてきた駆動部２０、昇降部３
０、第１の移動機構６及び第２の移動機構５１は夫々制
御部７と接続されており、例えば駆動部２０によるスピ
ンチャック２の昇降に応じて第１の移動機構６による処
理液の供給を行うように、各部を連動させたコントロー
ルを可能としている。またカップ３、第１の移動機構６
及び第２の移動機構５１は箱状の筐体７１により囲まれ
た一ユニットとして形成されており、図示しない搬送ア
ームによりウエハＷの受け渡しがなされる。

【００２２】次に上述の現像装置を用いた現像処理工程
について説明する。先ずスピンチャック２がカップ３の
上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露
光処理が施されたウエハＷが図示しない搬送アームから
スピンチャック２に受け渡される。そしてウエハＷが図
１中実線で示す所定の位置に来るようにスピンチャック
２が下降する。なおこのとき外カップ３１及び内カップ
３２は共に下降した状態である。

【００２３】続いて第１の移動機構６がガイドレール５
に沿って外カップ３１とウエハＷの周縁との間に対応す
る位置まで案内され、続いてその位置からウエハＷの周
縁外側の待機位置まで下降する。このとき供給ノズル４
はウエハＷに対して現像液の供給を行う高さにセットさ
れる、例えば吐出口４２の先端面がウエハＷ表面から１
ｍｍ程度高い位置である。

【００２４】続いて図６（ａ）、（ｂ）に示すように、
現像液Ｄの吐出を開始しながら供給ノズル４をウエハＷ
の一端側から供給ノズル４の吐出口４２の中心がウエハ
Ｗの中心上方を通過して他端側へ、例えば約５０ｍｍ／
ｓｅｃの速度で水平方向に移動（図６(a),(b)では左か
ら右への移動）させることにより、ウエハＷの表面に例
えば１．２ｍｍの厚さの液膜を形成する。この際吐出口
４２の先端は、ウエハＷ表面上に供給された現像液Ｄと
接触する位置にあり、吐出口４２の先端をウエハ上の現
像液Ｄと接触させた状態で供給ノズル４を水平方向に移
動させることにより、この供給ノズル４の先端部により
ウエハＷ上の現像液Ｄが押し広げられ、ウエハＷの表面
全体に万遍なく現像液Ｄが液盛されることとなる。そし
て供給ノズル４の吐出口４２ａと吐出口４２ｂから現像
液Ｄを向かい合う様に吐出することにより、図７に模式
的に示すように、双方の流れが互いに強く干渉し合い、
現像液Ｄが撹拌されながら液膜が形成されていく。

【００２５】現像液Ｄの塗布終了後、図６(c)に示すよ
うに現像液ＤをウエハＷの表面に液盛したままの状態に
して静止現像が行われる。そして第１の移動機構６は待
機部５２へと戻り、この第１の移動機構６と入れ替わっ
て待機部５３から第２の移動機構５１がウエハＷ側へと
移動する。

【００２６】続いて図６(d)に示すように、ウエハＷの
中央上方に吐出部が位置するように洗浄ノズル５０を移
動すると共にスピンチャック２を回転させ、洗浄ノズル
５０から洗浄液Ｒ、例えば純水をウエハＷ中心部に供給
して、ウエハＷの遠心力によりウエハＷの中心部から周
縁部へ向かって純水で置換することにより現像液Ｄが洗
い流される。このとき現像液Ｄと洗浄液Ｒは内リング３
２を伝って下方側へと流れて液受け部３５へと貯溜さ
れ、これらの液は排液口３４から図示しない配管を通っ
て排出される。その後このウエハＷは図６(e)に示すよ
うに、スピン乾燥などの工程を経て現像処理が終了す
る。

【００２７】上述の実施の形態によれば、現像液Ｄに対
する溶解速度が速い種類のレジストが塗布されたウェハ
Ｗ表面に現像液Ｄを液盛りする場合においても線幅の均
一性の高いパターンが得られる。即ちこの種のレジスト
を用いると現像液Ｄとレジストが接触して直ちにレジス
トの溶解が始まるが、現像液Ｄが撹拌されながら液盛さ
れていくため、レジストから溶け出した溶解成分は、こ
の撹拌作用により現像液Ｄ中に拡散され、レジストに接
する現像液Ｄ中の溶解成分の濃縮化が抑えられるので溶
解成分の存在によりレジストの不溶解部位の溶解が加速
される現象が抑制される。このため先に液盛された部位
と後に液盛りされた部位との間でパターンの線幅が揃
う。そしてウェハＷ上でパターン密度が部位によって異
なっていても、現像液Ｄの撹拌により溶解成分は現像液
Ｄ中に拡散するので、局所的な濃縮化が避けられ、均一
な線幅が得られる。

【００２８】また、前記の供給ノズル４において、現像
液Ｄが流路４３から吐出口４２を通過する際、ガイドバ
ー４５に当たるため、圧力損失が生じる。このため流路
４３であるスリットの長手方向において中央部付近と端
部付近とでの吐出量の偏りが生じ難く、流路４３の全体
から均等に現像液Ｄが吐出されることにより、現像液を
ウェハＷの表面に万遍なく供給できる。また、前記圧力
損失が生じることにより、流路４３から吐出される現像
液Ｄの流速が遅くなる。このため、供給ノズル４から滴
下した現像液ＤがウェハＷの表面に衝突する際の衝撃を
和らげることができる。

【００２９】さらに供給ノズル４の吐出口４２ａと吐出
口４２ｂの吐出方向を互いに寄り合う構成とするために
は、上述の例に限らず例えば図８に示すように例えば供
給ノズルの側面からみて外側になる壁面が下方向に、内
側になる壁面が供給ノズル４下面に対して傾斜させた構
成にしても良いし、あるいは図９に示すように例えば供
給ノズルの側面からみて内側の壁面の先端部が、外側の
壁面の先端部よりも高い位置になるようにしても良い。
更にまた図８、図９に同時に示すように吐出口４２ａ、
吐出口４２ｂの間に供給ノズル４の長さ方向に配列され
た多数の給気口４６あるいは供給ノズル４の長さ方向に
伸びるスリット形状の給気口４６を形成し、吐出口４２
からウェハＷの表面に液盛しながら、給気口４６を介し
て気体例えば窒素ガスを、液盛した現像液Ｄの液表面に
吹き掛けるようにしても良い。なお給気口４６はウェハ
Ｗの表面から例えば２ｍｍの高さに位置しており、給気
口４６から吹き出した気体は、給気口４６と現像液Ｄと
の間の隙間を介して、供給ノズル４の両面側から外側へ
逃げることができる構成となっている。このように液盛
中に気体を現像液Ｄの液面に吹き付けることにより、液
面に生じる波紋の作用が加わって、より一層現像液Ｄが
撹拌される。

【００３０】また他の実施の形態として図１０に示すよ
うに、吐出口４２を下方向に向かうようにし、吐出口４
２ａの先端面の高さと吐出口４２ｂの先端面の高さとを
異ならせても良く、例えば供給ノズル４の進行方向に対
して後方側の吐出口４２ｂの先端面を低くするようにし
ても良い。このような構成によれば吐出口４２ａから吐
出されてウェハＷ表面に向かう流れと、吐出口４２ａよ
りも低い位置に設けられた吐出口４２ｂから吐出され、
ウェハＷ表面に跳ね返って下から上に向かう流れとが干
渉し合い、現像液Ｄが撹拌されながら液盛することがで
きる。このため上述の場合と同様の作用効果が得られ
る。

【００３１】更に供給ノズル４は第１の吐出口４２ａお
よび第２の吐出口４２ｂの開口面積を異ならせるように
構成して、互いの流量を変えるようにしても良いし、第
１の吐出口４２ａおよび第２の吐出口４２ｂに夫々対応
して流量調節用バルブを設け、これにより互いの流量を
変えるようにしても良い。このような構成によれば、第
１の吐出口４２ａ、第２の吐出口４２ｂの一方、例えば
第１の吐出口４２ａに対して主に現像液Ｄの液盛の役割
を持たせ、他方例えば第２の吐出口４２ｂに対して主に
レジスト溶解成分が溶け出した現像液Ｄを撹拌させる役
割を持たせて、液盛用のノズルおよび撹拌用のノズルと
して構成し、役割を分担させることができる。この場
合、撹拌用のノズルによる撹拌作用は、当該ノズルから
吐出した現像液Ｄの流れの一部が液盛用のノズルから吐
出した現像液Ｄの流れと干渉して撹拌作用の一部が得ら
れるものであっても良い。そして第１の吐出口４２ａ、
第２の吐出口４２ｂの適切な開口面積あるいは流量の比
率および適切な第１の吐出口４２ａ、第２の吐出口４２
ｂの相互離間距離についてはレジストの種類に応じて予
め試験を行って決めることが好ましい。図１１および図
１２はこのような実施の形態を具体的にした例であり、
図１１の例では第２の吐出口４２ｂに連通する流路４３
ａよりも広くし、かつガイドバー４５ｂをガイドバー４
５ａよりも大きくしている。

【００３２】また図１２に示す例では、吐出口４３に開
度調節可能なバルブ７２を介して配管８を夫々接続する
構成としている。この場合、バルブ７２の開度により、
各吐出口４２から吐出する現像液Ｄ流量を調節するよう
にしている。また更に本発明においては、液吐出口４２
はスリット形状に限られず、多数の液吐出口が間隔をお
いて配列されているものであっても良い。

【００３３】以上において、上述の各図に記載した構成
を互いに組み合わせても良く、例えば第１の吐出口４２
ａの吐出方向と第２の吐出口４２ｂの吐出方向とが寄り
合うように構成し、かつ両者の先端面の高さを変えるよ
うに、例えば第１の吐出口４２ａの先端面を高くするよ
うに構成しても良いし、更にはこの構成に加えて両者の
流量を変えるようにしても良い。

【００３４】次に上述の現像装置を例えば現像ユニット
に組み込んだ塗布・現像装置の一例について図１３及び
図１４を参照しながら説明する。図１３及び図１４中、
９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣ
を搬入出するためのカセットステーションであり、この
カセットステーション９１には前記カセットＣを載置す
る載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出す
ための受け渡し手段９２とが設けられている。カセット
ステーション９１の奥側には、例えばカセットステーシ
ョン９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユ
ニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系の
ユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，
Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニッ
トＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷ
の受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられてい
る。但し図１３では便宜上受け渡し手段９２、ユニット
Ｕ２及び搬送アームＭＡは描いていない。

【００３５】塗布・現像系のユニットＵ１においては、
例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニ
ット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニ
ット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４
においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエ
ハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に
割り当てされている。

【００３６】この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニッ
トＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶこ
とにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニ
ット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。
インタ−フェイスユニット９５はウエハＷの受け渡し手
段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との
間でウエハＷの受け渡しを行うものである。

【００３７】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２により
カセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・
冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して
搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の
一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユ
ニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形
成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニ
ットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェース
ユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユ
ニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット
９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送ら
れ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行
われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け
取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブ
ロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。

【００３８】この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度
に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却さ
れ、続いて図１、図２で示した装置を備えた現像ユニッ
ト９３に送られて現像処理され、レジストマスクが形成
される。しかる後ウエハＷは載置部９１ａ上のカセット
Ｃ内に戻される。また本発明は、被処理基板に半導体ウ
エハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レ
クチル基板の加熱処理にも適用できる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、露光処理
が施された基板に対して、基板の一端側から他端側へ向
けて供給ノズルを移動させながら現像液の液盛を行う
際、２つの吐出口から吐出する現像液の流れが互いに干
渉することにより基板表面上の現像液が撹拌されるの
で、現像液に対して溶解速度の速いレジストを用いても
線幅の均一性が高いマスクパターンを得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る現像液装置の実施の形態を表す断
面図である。

【図２】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す平面
図である。

【図３】本発明に係る現像装置の現像液供給ノズルを示
す斜視図である。

【図４】本発明に係る現像装置の現像液供給ノズルを示
す斜視図である。

【図５】本発明に係る現像装置の現像液供給部を示す側
面図である。

【図６】本発明に係る現像装置の現像処理を示す工程図
である。

【図７】本発明に係る現像装置の処理液供給ノズルの作
用を示す側面図である。

【図８】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供給
ノズルを示す側面図である。

【図９】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供給
ノズルを示す側面図である。

【図１０】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供
給ノズルを示す側面図である。

【図１１】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供
給ノズルを示す側面図である。

【図１２】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供
給ノズルを示す側面図である。

【図１３】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す斜視図である。

【図１４】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す平面図である。

【図１５】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明
図である。

【符号の説明】

ＷウエハＤ現像液２スピンチャック３カップ３１外カップ３２内カップ４供給ノズル４２吐出口４３吐出孔４５ガイドバー５ガイドレール６第１の移動機構７２バルブ８配管

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年１１月２日（２００１．１１．
２）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す断面
図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者竹口博史東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者京田秀治東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者藤本昭浩東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA29 GA30 GA31 4D075 AC06 AC09 AC64 AC88 AC94 CA48 DA08 DC22 EA07 EA45 4F041 AA06 AB02 BA12 BA13 BA34 BA38 BA42 4F042 AA02 AA07 BA11 CB07 CB11 CB27 DF28 DF32 5F046 LA03 LA04 LA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面にレジストが塗布されて、露光
処理がされた基板を現像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に亘って
移動させる移動機構と、を備え、前記吐出口は、供給ノズルの長さ方向に形成された第１
の吐出口と、この第１の吐出口に対してノズルの進行方
向に対して後方側に並列に形成され、第１の吐出口の吐
出方向とその吐出方向とが前後に寄り合うように設定さ
れた第２の吐出口と、を備えたことを特徴とする現像装
置。
【請求項２】基板表面にレジストが塗布されて、露光
処理がされた基板を現像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に亘って
移動させる移動機構と、を備え、前記吐出口は、ノズルの長さ方向に形成された第１の吐
出口と、この第１の吐出口に対してノズルの進行方向に
対して後方側に並列に形成され、第１の吐出口先端面の
高さとその吐出口先端面の高さとが異なるように設定さ
れた第２の吐出口と、を備えたことを特徴とする現像装
置。
【請求項３】第１の吐出口の先端面の高さよりも第２
の吐出口の先端面の方が低く設定されたことを特徴とす
る請求項２記載の現像装置。
【請求項４】基板表面にレジストが塗布されて、露光
処理がされた基板を現像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に亘って
移動させる移動機構と、を備え、前記吐出口は、ノズルの長さ方向に形成された第１の吐
出口と、この第１の吐出口に対してノズルの進行方向に
対して後方側に並列に形成された第２の吐出口と、第
１、第２の吐出口から吐出される現像液流量を夫々独立
して調節する流量調節手段と、を備えたことを特徴とす
る現像装置。
【請求項５】基板表面にレジストが塗布されて、露光
処理がされた基板を現像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、この供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に亘って
移動させる移動機構と、を備え、前記吐出口は、ノズルの長さ方向に形成された第１の吐
出口と、この第１の吐出口に対してノズルの進行方向に
対して後方側に並列に形成され、第１の吐出口の先端面
の開口面積とその先端面の開口面積とが異なるように設
定された第２の吐出口と、を備えたことを特徴とする現
像装置。
【請求項６】前記供給ノズルは、第１の吐出口と第２の
吐出口との間に現像液の液面に気体を供給するための気
体を供給する給気孔を備えたことを特徴とする請求項１
ないし５のいずれかに記載の現像装置。
【請求項７】基板表面にレジストが塗布されて、露光
処理がされた基板を現像する方法において、前記基板を水平に保持するための基板保持部に搬入する
工程と、次いで基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さ
に亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルを前記
基板の一端側から他端側に亘って移動させる工程と、この供給ノズルに設けた第１、第２の吐出口から互いの
吐出方向が寄り合うように現像液を吐出して基板の表面
に現像液を供給する工程と、を含むことを特徴とする現
像方法。