JP2012070002A - 現像方法、現像装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を保持する基板保持部を介して前記基板を鉛直軸の周りに回転させながら、第1の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給し、現像液の供給位置を移動させることにより、基板の表面に現像液の液膜を形成する工程と、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第2の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第1の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる工程と、を実施して、処理に応じて現像液ノズルを使い分ける。
【選択図】図1
Description
前記基板保持部を介して前記基板を鉛直軸の周りに回転させながら、第1の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給する工程と、
続いて前記現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、前記現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動させることにより、基板の表面に現像液の液膜を形成する工程と、
しかる後、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第2の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第1の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる工程と、を含むことを特徴とする。
基板を保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構と、
基板の表面に現像液を中央部側から周縁部側に向かう帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように供給して現像液の液膜を形成するための第1の現像液ノズルと、
前記帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動させるように第1の現像液ノズルを移動させる駆動機構と、
基板の中心部に円形状または第1の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給して、現像液の液膜の乾燥を防止する第2の現像液ノズルと、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし6のいずれか一に記載の現像方法を実施するためのものである。
(ステップ1:ウエハWの搬入)
先ず不図示の基板搬送手段により、その表面にレジストRが塗布され、そのレジストRが露光処理を受けたウエハWが搬送口24を介して筐体21内に搬入されると、この基板搬送手段と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハWはスピンチャック22に受け渡され、次いで、外カップ32及び内カップ33が上昇位置に設定される。続いてスピンチャック22が1100〜1500rpm例えば1500rpmで回転し、移動基体26を介して複合ノズル部4が待機部28からウエハW上に移動し、複合ノズル部4の純水ノズル61がウエハWの中心上に位置する(図5(a))。
純水ノズル61がウエハWの中心部上に移動すると、純水ノズル61からウエハWの中心部に純水Fが吐出され、吐出された純水Fは遠心力により展伸するいわゆるスピンコーティングによってウエハWの中心部から周縁部に広げられ、純水Fの液膜が形成されるプリウエット処理が行われる(図5(b))。
純水Fの吐出から所定の時間が経過すると、純水ノズル61から純水Fの吐出が停止し、その後複合ノズル部4がウエハWの外側へ移動して、第1の現像液ノズル41が、例えばウエハWの外縁から僅かに外側で且つウエハWよりも例えば15mm程度高い位置に移動する。(図5(c))。
然る後、ウエハWの回転速度が例えば1000rpm〜1500rpmとなり、第1の現像液ノズル41の吐出口43から現像液Dを所定の流量例えば100mL/分〜1000mL/分例えば600mL/分で帯状に吐出しながら図5(d)に示すように第1の現像液ノズル41がウエハWの外縁から中心部側に向かって径方向に沿って移動し、現像液DはウエハWに螺旋状に供給され、現像液Dは回転しているウエハWの遠心力の作用により純水F表面を外側に濡れて広がる(図6(a))。
第1の現像液ノズル41がウエハWの中心部側へ移動を続け、その吐出口43のウエハWへの投影領域内に図6(b)に示すように図中鎖線で示す中心線Mが位置し、ウエハW中心部に現像液Dが供給されてウエハW表面全体に現像液Dの液膜が形成されると共に、第2の現像液ノズル51の吐出口53のウエハWへの投影領域が図中鎖線で示すウエハWの中心線M上に位置すると、図7のタイムチャートで示すように、吐出口43からの現像液Dの供給が停止すると同時に、第2の現像液ノズル51の吐出口53から、流量100ml/分〜1000ml/分で現像液Dが供給される(図5(e))。この第2の現像液ノズル51からの現像液の供給中、ウエハWは例えば500rpm〜1500rpmで回転し、第2の現像液ノズル51から供給された現像液Dは遠心力により、既に形成された現像液Dの液膜表面をウエハWの周縁側へと広がる(図6(c))。
第2の現像液ノズル51からの現像液Dの吐出が開始されてから所定の時間例えば10秒〜20秒が経過すると、第2の現像液ノズル51からの現像液Dの吐出が停止し、続いてウエハW状の現像液Dが乾燥する前に速やかに純水ノズル61がウエハWの中心部上に移動して、純水Fを吐出する。吐出された純水Fは回転するウエハWの遠心力の作用により表面に沿って外側に広がり、ウエハW表面のレジスト溶解成分を含む現像液を洗い流し、これによりウエハWの表面が洗浄される(図5(f))。
純水Fが吐出されてから所定の時間が経過すると、純水Fの吐出が停止し、複合ノズル部4が待機部28へ移動し、続いてウエハWが例えば2000rpmで回転して、ウエハW表面の液を振り切るスピン乾燥がなされる(図5(g))。しかる後、ウエハWの回転が停止し、外カップ22及び内カップ23が下降して、図示しない基板搬送手段によりウエハWが搬出され、現像処理が終了する。
D 現像液
2 現像装置
22 スピンチャック
24 駆動機構
26 移動基体
4 複合ノズル部
41 現像液ノズル
51 純水ノズル
61 現像液
100 制御部
Claims (1)
- レジストが塗布され、露光された後の基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部を介して前記基板を鉛直軸の周りに回転させながら、第1の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給する工程と、
続いて前記現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、前記現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動させることにより、基板の表面に現像液の液膜を形成する工程と、
しかる後、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第2の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第1の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる工程と、を含むことを特徴とする現像方法。
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---|---|
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013243284A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
JP2013243283A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
KR20140113511A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2014179566A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20150076848A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20150077719A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 시스템 및 방법 |
US9927760B2 (en) | 2012-05-22 | 2018-03-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Development processing device |
CN113745098A (zh) * | 2015-10-09 | 2021-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
US11340533B2 (en) | 2020-07-20 | 2022-05-24 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62137826A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-20 | Toshiba Corp | 半導体ウエハへの処理液塗布装置 |
JPH10106918A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
JPH1133439A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズル、基板処理装置および処理液供給方法 |
JPH11111603A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像方法及びその装置 |
JP2000138148A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2001319861A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置及び現像処理方法 |
JP2002085854A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-26 | Sentai:Kk | インターネット上での男女ペア仮想子育てゲーム |
JP2002329650A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kobe Steel Ltd | ウェハ等の処理設備および処理方法 |
JP2003077820A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2003092283A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2003203837A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2004014646A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びノズル |
JP2004031692A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 塗布液の塗布装置及び塗布液の塗布方法 |
JP2005210059A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像処理方法 |
JP2007318087A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2011279879A patent/JP5212538B2/ja active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62137826A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-20 | Toshiba Corp | 半導体ウエハへの処理液塗布装置 |
JPH10106918A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
JPH1133439A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズル、基板処理装置および処理液供給方法 |
JPH11111603A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像方法及びその装置 |
JP2000138148A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2001319861A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置及び現像処理方法 |
JP2002085854A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-26 | Sentai:Kk | インターネット上での男女ペア仮想子育てゲーム |
JP2002329650A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kobe Steel Ltd | ウェハ等の処理設備および処理方法 |
JP2003077820A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2003092283A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2003203837A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2004014646A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びノズル |
JP2004031692A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 塗布液の塗布装置及び塗布液の塗布方法 |
JP2005210059A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像処理方法 |
JP2007318087A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10960426B2 (en) | 2012-05-22 | 2021-03-30 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Development processing device |
JP2013243283A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
JP2013243284A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Sokudo Co Ltd | 現像処理装置 |
US9927760B2 (en) | 2012-05-22 | 2018-03-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Development processing device |
KR20140113511A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2014179566A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102238880B1 (ko) | 2013-03-15 | 2021-04-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US9768040B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-09-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
US10049900B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-08-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
KR20150076848A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102201884B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2021-01-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20150077719A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 시스템 및 방법 |
KR102256692B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2021-05-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 시스템 및 방법 |
CN113745098A (zh) * | 2015-10-09 | 2021-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
CN113745098B (zh) * | 2015-10-09 | 2024-01-12 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
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