JPS62137826A - 半導体ウエハへの処理液塗布装置 - Google Patents
半導体ウエハへの処理液塗布装置Info
- Publication number
- JPS62137826A JPS62137826A JP27878985A JP27878985A JPS62137826A JP S62137826 A JPS62137826 A JP S62137826A JP 27878985 A JP27878985 A JP 27878985A JP 27878985 A JP27878985 A JP 27878985A JP S62137826 A JPS62137826 A JP S62137826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- processing liquid
- developer
- section
- treating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の伎術分野〕
本発明は半導体ウェハへの処理液塗布装置、特にポジレ
ジストの現像等に用いられるレジスト現象液塗布装置に
関する。
ジストの現像等に用いられるレジスト現象液塗布装置に
関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕第２図は従来の
レジスト現像液塗布装置の構成の概要を説明する図であ
る。半導体ウェハ１はスビンチ１シック２に吸着保持さ
れ、スピンチＶツク２はスピンモータ３に連結されて一
定方向に回転させられる。スビンチ１１ツク２の上方に
はノズルホルダー４に覆われたノズル５が設けられ、処
理層６に収容された半導体ウェハ１に現像液を矢印７の
如くスプレーする。また、ノズル５には現像液供給部８
から現ａｉ液温調部９を介して現像液が供給される。
レジスト現像液塗布装置の構成の概要を説明する図であ
る。半導体ウェハ１はスビンチ１シック２に吸着保持さ
れ、スピンチＶツク２はスピンモータ３に連結されて一
定方向に回転させられる。スビンチ１１ツク２の上方に
はノズルホルダー４に覆われたノズル５が設けられ、処
理層６に収容された半導体ウェハ１に現像液を矢印７の
如くスプレーする。また、ノズル５には現像液供給部８
から現ａｉ液温調部９を介して現像液が供給される。
しかしながら上述の装置には、現像ムラが生ずるという
問題がある。これは半導体ウェハ１の各部の速度を比べ
ると、中心部より周辺部の方が速いため、現像液の塗布
密度は中心部より周辺部の方が少なくなり、更にこれに
起因して現像液温度し中心部より周辺部の方が低下する
ためである。
問題がある。これは半導体ウェハ１の各部の速度を比べ
ると、中心部より周辺部の方が速いため、現像液の塗布
密度は中心部より周辺部の方が少なくなり、更にこれに
起因して現像液温度し中心部より周辺部の方が低下する
ためである。
そこで特願昭５８−１０６７２８号明１書には、このよ
うな問題点を解決するため第３図に示すような装置が開
示されている。ここで第２図に承り装置と同一構成要素
については同一符号を付しである。
うな問題点を解決するため第３図に示すような装置が開
示されている。ここで第２図に承り装置と同一構成要素
については同一符号を付しである。
スピンヂャック２に吸着固定された半導体ウェハ１は一
定速度で回転する。半導体ウェハ１の上方に設けられた
現像液をスプレーするための現像液吐出部１０は、ノズ
ル駆動部によって矢印１１の方向に往復運動させられる
。ノズル駆動部は現ＦＧ！液吐出部１０を保持賃するた
めのアーム１２と、ノノーム１２に固定されカムフ、＋
〔１ア１３を−取り（＝１（Ｊたスライダ１４と、カム
ｎ Ｂ４どから成り立っている。ぞして、カム礪構は力
１１］ｔ Ｉ」ア１３３を受【ノ入れるための偏心溝１
５を５２１．Ｊたｈムコ６と、スライダ１４を柱殉移動
さける２本のガイドシト−ノト１７ａ、１７ｂから成り
立っている。尚、カム１６は図示しないモータにより矢
印１８の方向に回転させることができる。
定速度で回転する。半導体ウェハ１の上方に設けられた
現像液をスプレーするための現像液吐出部１０は、ノズ
ル駆動部によって矢印１１の方向に往復運動させられる
。ノズル駆動部は現ＦＧ！液吐出部１０を保持賃するた
めのアーム１２と、ノノーム１２に固定されカムフ、＋
〔１ア１３を−取り（＝１（Ｊたスライダ１４と、カム
ｎ Ｂ４どから成り立っている。ぞして、カム礪構は力
１１］ｔ Ｉ」ア１３３を受【ノ入れるための偏心溝１
５を５２１．Ｊたｈムコ６と、スライダ１４を柱殉移動
さける２本のガイドシト−ノト１７ａ、１７ｂから成り
立っている。尚、カム１６は図示しないモータにより矢
印１８の方向に回転させることができる。
加圧タンク１９に入れられた現像液２０ Ｇ；、Ｌ恒温
槽２１内の熱交換バイブ２２を通って−・定温度まで加
熱され、開閉バルブ２３およびアーム１２を介して現像
液吐出部１０に与えられる。ここで、温調器２４は図示
しない検知器により検出した現像液の温度（現像液吐出
部における温度も含む）にもとづいて、スプレーされる
現像液の温度が一様な温度になるよう恒温槽２１におけ
る現像液の温度を調節づる。
槽２１内の熱交換バイブ２２を通って−・定温度まで加
熱され、開閉バルブ２３およびアーム１２を介して現像
液吐出部１０に与えられる。ここで、温調器２４は図示
しない検知器により検出した現像液の温度（現像液吐出
部における温度も含む）にもとづいて、スプレーされる
現像液の温度が一様な温度になるよう恒温槽２１におけ
る現像液の温度を調節づる。
このように第３図に示す装置によれば、現像液吐出部１
０を変速移動さけることにより第２図に示す装置に比べ
て均一な現像液塗布を行うことができるが、中心部にお
いて現像ムラが生じるという問題が生じることになる。
０を変速移動さけることにより第２図に示す装置に比べ
て均一な現像液塗布を行うことができるが、中心部にお
いて現像ムラが生じるという問題が生じることになる。
これは、現像液吐出部１０が半導体ウェハ１０の中心部
では速く、周辺部では遅く移動するため、中心部での滞
在時間が周辺部での滞在時間に比べて非常に短くなるこ
とに起因する。即ち、中心部では、現像液塗布の１１わ
れでいない時間が長くなり、この時間に現像液中の溶剤
（主として水分）が蒸発し、現像液濃度が増加してくる
ため、現像速度にムラが生ずるのである。更に蒸発が激
しく乾燥状態になると、レジストが崩壊してしまうこと
もある。
では速く、周辺部では遅く移動するため、中心部での滞
在時間が周辺部での滞在時間に比べて非常に短くなるこ
とに起因する。即ち、中心部では、現像液塗布の１１わ
れでいない時間が長くなり、この時間に現像液中の溶剤
（主として水分）が蒸発し、現像液濃度が増加してくる
ため、現像速度にムラが生ずるのである。更に蒸発が激
しく乾燥状態になると、レジストが崩壊してしまうこと
もある。
このように中心部と周辺部における現像速度の差に基づ
く現像ムラは、ウェハの口径が大きくなる程顕著となり
、大口径化が進むと益々重大な問題となる。このような
問題を解決する手段として、現像液吐出部１０の移動速
度を全体的に速めたり、ノズルの角度、スプレー形状を
調製する等の方法もあるが、高速駆動による装置方向の
低下、信頼性の低下、ＲＨｉの複雑化といった新たな問
題をｌｆｉ来覆ることになり、根本的な解決策とはなっ
てい４ｊい。
く現像ムラは、ウェハの口径が大きくなる程顕著となり
、大口径化が進むと益々重大な問題となる。このような
問題を解決する手段として、現像液吐出部１０の移動速
度を全体的に速めたり、ノズルの角度、スプレー形状を
調製する等の方法もあるが、高速駆動による装置方向の
低下、信頼性の低下、ＲＨｉの複雑化といった新たな問
題をｌｆｉ来覆ることになり、根本的な解決策とはなっ
てい４ｊい。
そこで本発明は、大口径の半導体・ウェハであつＣも均
一・な処理速度を確保でき、しかも信頼性が高く長ノｊ
命の半導体ウェハへの処理液塗布装置を１１？供覆るこ
とを目的とする。
一・な処理速度を確保でき、しかも信頼性が高く長ノｊ
命の半導体ウェハへの処理液塗布装置を１１？供覆るこ
とを目的とする。
本発明の特徴は、半導体ウェハへの処理液塗布装置にお
いて、半導体ウェハを吸着固定する支持部と、前記支持
部を回転さける回転駆動部と、前記半導体ウェハの少な
くとも中心部には常に逸叩液を供給できるように配され
た第１の処理液吐出部と、前記半導体ウェハに均一な処
理液塗布を行うことができるように、前記第１の処理液
吐出部による処理液塗布分布ど相補的な塗布分布を与え
るように前記半導体ウェハを変速移動する第２の処理液
吐出部と、を設け、人口径の半導体ウェハであっても、
均一な処理速度を確保でき、しかも信頼性が高く長ズを
命で動作でさるようにした点にある。
いて、半導体ウェハを吸着固定する支持部と、前記支持
部を回転さける回転駆動部と、前記半導体ウェハの少な
くとも中心部には常に逸叩液を供給できるように配され
た第１の処理液吐出部と、前記半導体ウェハに均一な処
理液塗布を行うことができるように、前記第１の処理液
吐出部による処理液塗布分布ど相補的な塗布分布を与え
るように前記半導体ウェハを変速移動する第２の処理液
吐出部と、を設け、人口径の半導体ウェハであっても、
均一な処理速度を確保でき、しかも信頼性が高く長ズを
命で動作でさるようにした点にある。
（発明の実施例）
以下本発明を図示する実施例にｌづいて説明り−る。第
１図【、ｔこの一実施例の構成図で、第２図８３よび第
３図に示ゴ従来装置と同一構成要素については同一符号
を付し説明を省略する。本装置の特徴は、２つの現像液
吐出部１０ ａ Ｊ５よび１０ｂを有する点である。第
１の現像液吐出部１０ａは、半導体つエバ１の少なくと
も中心部には常に現像液を供給できるような位置に固定
されている。加圧タンク１９内の現像液２０は、恒温槽
２１内の熱交換パイプ２２を通って所定温瓜に制御され
、ｊｎ１閉バルブ２３ａを介してノズル５ａから噴霧さ
れる。
１図【、ｔこの一実施例の構成図で、第２図８３よび第
３図に示ゴ従来装置と同一構成要素については同一符号
を付し説明を省略する。本装置の特徴は、２つの現像液
吐出部１０ ａ Ｊ５よび１０ｂを有する点である。第
１の現像液吐出部１０ａは、半導体つエバ１の少なくと
も中心部には常に現像液を供給できるような位置に固定
されている。加圧タンク１９内の現像液２０は、恒温槽
２１内の熱交換パイプ２２を通って所定温瓜に制御され
、ｊｎ１閉バルブ２３ａを介してノズル５ａから噴霧さ
れる。
一方、第２の現像液吐出部１０ｂは、半導体ウェハ１上
を変速移動づる。即ち、この第２の現像液吐出部１０ａ
は、アーム１２およびスライダ１４によって支持され、
ホルダ２８に取付けられた軸受２７によって［Ｎ１され
た送りネジ２６によって図の矢印１１ｈ向に摺動する。
を変速移動づる。即ち、この第２の現像液吐出部１０ａ
は、アーム１２およびスライダ１４によって支持され、
ホルダ２８に取付けられた軸受２７によって［Ｎ１され
た送りネジ２６によって図の矢印１１ｈ向に摺動する。
この摺動運動は速１復制御部３２によ−）で支配さ４す
る。叩ら、速度制御部３２から与えられる制御部２）に
基づいてし一夕３１は回転運動し、この回転運動は、プ
ーリ２９および駆動ベル１へ３０を介しで送りネジ２６
に伝達し、スライダ１４の１習動運動に変換される。交
換パイプ２２を通って所定温瓜に制御された現像液２０
は、開閉バルブ２３ｂを介して摺動運動１するノズル５
ｂから噴霧される。
る。叩ら、速度制御部３２から与えられる制御部２）に
基づいてし一夕３１は回転運動し、この回転運動は、プ
ーリ２９および駆動ベル１へ３０を介しで送りネジ２６
に伝達し、スライダ１４の１習動運動に変換される。交
換パイプ２２を通って所定温瓜に制御された現像液２０
は、開閉バルブ２３ｂを介して摺動運動１するノズル５
ｂから噴霧される。
この第２の現像液吐出部１０ｂの移動は、第２の現像液
吐出部１０ａによる現ａ′Ｉ１１塗布分布ど相補的な塗
布分布を与えるようになされる。例えば、第１の現像液
吐出部１０ａのみによって現像液を・塗布した場合の、
半導体ウェハ１上の現像液塗布分布５が第４図（ａ）に
丞すようなものであるとすると、第２の現像液吐出部１
０ｂのみによる現像液塗布分布が第４図（ｂ）に示すよ
うな分布となるように第２の現像液吐出部１０１）を変
速移動さければよい、即ち、高密度が要求される領域で
は７Ｙ＜移りｊさせ、低密度が要求される領域では速く
移動さぼればよい。このようにして相補的な塗布分布を
与えるようにすれば、現像液吐出部１０ａ。
吐出部１０ａによる現ａ′Ｉ１１塗布分布ど相補的な塗
布分布を与えるようになされる。例えば、第１の現像液
吐出部１０ａのみによって現像液を・塗布した場合の、
半導体ウェハ１上の現像液塗布分布５が第４図（ａ）に
丞すようなものであるとすると、第２の現像液吐出部１
０ｂのみによる現像液塗布分布が第４図（ｂ）に示すよ
うな分布となるように第２の現像液吐出部１０１）を変
速移動さければよい、即ち、高密度が要求される領域で
は７Ｙ＜移りｊさせ、低密度が要求される領域では速く
移動さぼればよい。このようにして相補的な塗布分布を
与えるようにすれば、現像液吐出部１０ａ。
１０ｂの双方による現像液塗布分布は、第４図（Ｃ）に
示すように半導体ウェハ１の全領域にわたって均一とな
る。しかも、半導体ウェハ１の少なくとも中心部には、
常に第１の現像液吐出部１０ａから現像液の噴霧が行わ
れているため、第２の現像液吐出部１０ｂの移動速度を
速めるようなことをしなくても、中心部の現像液ｍ度が
溶媒の蒸発によって高まるようなことはない。従って装
置は高信頼性をもって長寿命動作できるようになる。
示すように半導体ウェハ１の全領域にわたって均一とな
る。しかも、半導体ウェハ１の少なくとも中心部には、
常に第１の現像液吐出部１０ａから現像液の噴霧が行わ
れているため、第２の現像液吐出部１０ｂの移動速度を
速めるようなことをしなくても、中心部の現像液ｍ度が
溶媒の蒸発によって高まるようなことはない。従って装
置は高信頼性をもって長寿命動作できるようになる。
以上のとおり本発明によれば、半導体ウェハの処理液塗
布装置において、２つの処理液吐出部を設電ノ、一方を
半導体ウェハの中心部に常に処ｙｐ液を供給できるよう
に配し、もう一方を相補的な塗布分布を与えるように変
速移動させるように配したため、大口径の半導体ウェハ
であっても均一な処理速度を確保でき、しかも信頼性が
高く長寿命の動作ができるようになる。
布装置において、２つの処理液吐出部を設電ノ、一方を
半導体ウェハの中心部に常に処ｙｐ液を供給できるよう
に配し、もう一方を相補的な塗布分布を与えるように変
速移動させるように配したため、大口径の半導体ウェハ
であっても均一な処理速度を確保でき、しかも信頼性が
高く長寿命の動作ができるようになる。
第１図は本発明に係る処理′ｔＩ塗布装置の一実施１り
Ｉの構成図、第２図および第３図は従来の処理液塗布装
置の構成図、第４図は本発明に係る処理液塗布装置の動
作を説明づるためのグラフである。 １・・・半導体つ■ハ、２・・・スピンチャック、３・
・・スピンセータ、４・・・ノズルボルダ−５、５ａ，
５ｂ・・・ノズル、６・・・処理槽、７・・・現像液、
８・・・現像液供給部、９・・・現像液温調部、１０、
１０ａ，１０ｂ・・・現像液吐出部、１１・・・移動方
向、１２・・・アーム、１３・・・カムフｔ１コア、１
４・・・スライダ、１５・・・溝、１６・・・カム、１
７ａ，１７ｂ・・・カムシャフト、１８・・・回転方向
、１９・・・加圧タンク、２０・・・現像液、２１・・
・恒温槽、２２・・・熱交換パイプ、２３．２３ａ，２
３ｂ・・・開閉バルブ、２４・・・温調器、２５・・・
ガイドシャフト、２６・・・送りネジ、２７・・・軸受
、２８・・・ホルダ、２９・・・プーリ、３０・・・駆
動ベルト、３１・・・モータ。 も ２ ｚ
Ｉの構成図、第２図および第３図は従来の処理液塗布装
置の構成図、第４図は本発明に係る処理液塗布装置の動
作を説明づるためのグラフである。 １・・・半導体つ■ハ、２・・・スピンチャック、３・
・・スピンセータ、４・・・ノズルボルダ−５、５ａ，
５ｂ・・・ノズル、６・・・処理槽、７・・・現像液、
８・・・現像液供給部、９・・・現像液温調部、１０、
１０ａ，１０ｂ・・・現像液吐出部、１１・・・移動方
向、１２・・・アーム、１３・・・カムフｔ１コア、１
４・・・スライダ、１５・・・溝、１６・・・カム、１
７ａ，１７ｂ・・・カムシャフト、１８・・・回転方向
、１９・・・加圧タンク、２０・・・現像液、２１・・
・恒温槽、２２・・・熱交換パイプ、２３．２３ａ，２
３ｂ・・・開閉バルブ、２４・・・温調器、２５・・・
ガイドシャフト、２６・・・送りネジ、２７・・・軸受
、２８・・・ホルダ、２９・・・プーリ、３０・・・駆
動ベルト、３１・・・モータ。 も ２ ｚ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハを吸着固定する支持部と、前記支持部
を回転させる回転駆動部と、前記半導体ウェハの少なく
とも中心部には常に処理液を供給できるように配された
第１の処理液吐出部と、前記半導体ウェハに均一な処理
液塗布を行うことができるように、前記第１の処理液吐
出部による処理液塗布分布と相補的な塗布分布を与える
ように前記半導体ウェハ上を変速移動する第２の処理液
吐出部と、を備えることを特徴とする半導体ウェハへの
処理液塗布装置。 ２、第２の処理液吐出部が、半導体ウェハの半径方向に
変速移動することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体ウェハへの処理液塗布装置。 ３、処理液がレジスト現像液であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体ウェハへ
の処理液塗布装置。 ４、各処理液吐出部が、レジスト現像液を所定温度に保
つ温度制御部を有することを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の半導体ウェハへの処理液塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27878985A JPS62137826A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体ウエハへの処理液塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27878985A JPS62137826A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体ウエハへの処理液塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137826A true JPS62137826A (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=17602201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27878985A Pending JPS62137826A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体ウエハへの処理液塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62137826A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325919A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Kyushu Ltd | 現像装置 |
| JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2012070003A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2012070002A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27878985A patent/JPS62137826A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325919A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Kyushu Ltd | 現像装置 |
| JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2012070003A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2012070002A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
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