JP7025872B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板の中心部に、純水で希釈した希釈現像液の液溜りを形成する液溜り形成工程と、その後、基板を第１の回転速度で回転させて希釈現像液の液溜りを基板の全面に拡散させ、希釈現像液の液膜を形成する液膜形成工程と、その後、基板を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で回転させた状態で、接液面を有するノズルから現像液を供給して基板と接液面との間に現像液の液溜りを形成しつつ、基板中心を通る径方向にノズルを移動させて、基板上に現像液を供給する現像液供給工程と、を有する基板処理方法が開示されている。

特開２０１６－１１３４５号

本開示は、処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。

本開示に係る基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の表面に希釈液を供給する第一供給部と、基板の表面に処理液を供給する第二供給部と、制御部と、を備え、第二供給部は、基板の表面に対向する接液面、及び接液面に開口して処理液を吐出する吐出口を含むノズルと、ノズルの位置を調節する位置調節部とを有し、制御部は、基板の表面に希釈液を供給し、希釈液の液溜りを形成するように第一供給部を制御することと、ノズルを位置調節部により移動させて接液面を希釈液の液溜りに接触させ、吐出口から処理液を吐出し、希釈液と処理液との混合液の液溜りを形成するように第二供給部を制御することと、接液面の外周より内側に位置する混合液が接液面と基板の表面との間に留まり、接液面の外周より外側に位置する混合液が基板の外周側に広がる第一回転速度で基板を回転させるように回転保持部を制御することと、基板が第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度で基板を回転させるように回転保持部を制御することと、基板が第二回転速度で回転している状態にて、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを位置調節部により基板の外周側に移動させるように第二供給部を制御することと、を実行するように構成されている。

基板の表面において、処理液が最初に到達する部分では、他の部分に比較して、処理液による処理の進行が大きくなる傾向がある。これに対し、本基板処理装置によれば、処理液の供給に先立って、混合液の液溜りを形成することと、接液面４３が混合液の液溜りに接触した状態にて、第一回転速度でウェハＷを回転させることとが実行される。これにより、接液面の外周よりも内側（以下、「内側領域」という。）に位置する混合液が接液面と基板の表面との間に留まった状態で、接液面の外周よりも外側（以下、「外側領域」という。）に位置する混合液が基板の外周側に広がる。この結果、内側領域における厚さが、外側領域における厚さに比較して大きい混合液層が形成される。混合液層は継時的に劣化する。劣化した混合液層は、後に供給される現像液による処理の進行を妨げる。上述のように、内側領域においては、外側領域に比較して厚い混合液層が存在する。このため、混合液層の形成後に最初に現像液が供給される部分（以下、「初期到達部分」という。）における処理の進行は緩和される。これにより、初期到達部分における処理の進行の程度と、他の部分における処理の進行の程度との差が縮小される。従って、処理の進行の程度（以下、「処理進行度」という。）がウェハＷ上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効である。

ノズルを位置調節部により移動させて接液面を希釈液の液溜りに接触させるように第二供給部を制御することは、吐出口を処理液で満たした状態で、ノズルを位置調節部により基板の表面に近付けるように第二供給部を制御することを含んでもよい。この場合、混合液の液溜りへの気泡の混入を抑制し、当該気泡に起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

吐出口を処理液で満たした状態でノズルを基板の表面に近付けるように第二供給部を制御することは、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを位置調節部により基板の表面に近付けるように第二供給部を制御することを含んでもよい。この場合、接液面が希釈液に接触した後、処理液が直ちに希釈液に混合する。これにより、混合液の液溜りの形成を早め、処理時間を短縮することができる。

吐出口から処理液を吐出しながらノズルを基板の表面に近付けるように第二供給部を制御することは、接液面と基板の表面との距離が５～７ｍｍの状態で吐出口からの処理液の吐出を開始した後に、接液面と基板の表面との距離が０．５～２ｍｍとなるまでノズルを基板の表面に近付けるように第二供給部を制御することを含んでもよい。この場合、吐出口からの処理液の吐出が開始された後、接液面が希釈液の液溜りに接触までの間に、処理液が落下することを防止できる。これにより、落下した処理液による処理の進行を抑制し、当該落下に起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

第一回転速度は３００～１５００ｒｐｍであってもよい。

第二回転速度は１０～１００ｒｐｍであってもよい。吐出口から処理液を吐出しながらノズルを移動させる過程では、処理液と混合液とが基板の回転中心側から外周側に交互に並んで渦巻き状に分布する場合がある。この場合、処理液が接している個所と混合液が接している個所とで処理進行度の差異が大きくなる。これに対し、第二回転速度を１０ｒｐｍ以上にすることで混合液の広がりを早くし、渦巻き状の分布の形成を抑制できる。また、第二回転速度を１００ｒｐｍ以下にすることで、ウェハＷの回転中心ＲＣ側における処理進行度が過大となることを抑制できる。

制御部は、第二供給部がノズルを位置調節部により移動させて接液面を希釈液の液溜りに接触させ、吐出口から処理液を吐出する際に、第一回転速度よりも小さい第三回転速度で基板を回転させるように回転保持部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。

ノズルを位置調節部により移動させて接液面を希釈液の液溜りに接触させるように第二供給部を制御することは、接液面の中心が基板の回転中心からずれた位置にて接液面を希釈液の液溜りに接触させるように第二供給部を制御することを含み、吐出口から処理液を吐出し、希釈液と処理液との混合液の液溜りを形成するように第二供給部を制御することは、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを位置調節部により移動させて接液面の中心を基板の回転中心に近付けるように第二供給部を制御することを含んでもよい。この場合、吐出口からの吐出が開始された直後に、処理液が基板の回転方向に広がる。ノズルが基板の回転中心側に移動することにより、処理液が径方向（回転中心を通る方向）にも広がる。これにより、処理液の濃度の均一性が高い液溜りを迅速に形成し、処理液の濃度のばらつきに起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

第三回転速度は１００ｒｐｍ以下であってもよい。

基板が第二回転速度で回転している状態にて、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを位置調節部により基板の外周側に移動させるように第二供給部を制御することは、第二回転速度とノズルの移動速度とが次式を満たすように第二供給部を制御することを含んでもよい。
３≦ＲＦ／Ｖ≦５
Ｖ：ノズルの移動速度[ｍｍ／ｓ]
ＲＦ：第二回転速度[ｒｐｍ]
上記ＲＦ／Ｖを３以上にすることで、上記渦巻き状の分布の形成を抑制できる。上記ＲＦ／Ｖを５以下にすることで、基板の回転中心側における処理進行度が過大となることを抑制できる。従って、処理進行度のばらつきを更に抑制できる。

基板が第二回転速度で回転している状態にて、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを位置調節部により基板の外周側に移動させるように第二供給部を制御することは、ノズルが基板の外周側に移動している途中で吐出口からの処理液の吐出量を増やすように第二供給部を制御することを含んでもよい。この場合、基板の回転中心側における処理進行度を相対的に小さくすることで、処理進行度のばらつきを更に抑制できる。

本開示に係る基板処理方法は、基板の表面に希釈液を供給し、希釈液の液溜りを形成することと、基板の表面に対向する接液面、及び接液面に開口して処理液を吐出する吐出口を含むノズルを移動させ、接液面を希釈液の液溜りに接触させ、吐出口から処理液を吐出し、希釈液と処理液との混合液の液溜りを形成することと、接液面の外周より内側に位置する混合液が接液面と基板の表面との間に留まり、接液面の外周より外側に位置する混合液が基板の外周側に広がる第一回転速度で基板を回転させることと、基板が第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度で基板を回転させることと、基板が第二回転速度で回転している状態にて、吐出口から処理液を吐出しながら、ノズルを基板の外周側に移動させることと、を含んでもよい。

本開示に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示によれば、処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することができる。

基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 現像ユニットの概略構成を示す模式図である。 ノズルの一例を示す斜視図である。 ノズルの変形例を示す断面図である。 ノズルの他の変形例を示す平面図である。 図７中のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 制御部のハードウェア構成を例示する模式図である。 現像処理手順のフローチャートである。 リンス液の液溜りを形成する手順のフローチャートである。 リンス液の液溜りの形成中における基板の状態を示す模式図である。 プリウェット手順のフローチャートである。 プリウェットの実行中における基板の状態を示す模式図である。 塗布手順のフローチャートである。 現像液の塗布中における基板の状態を示す模式図である。 現像・洗浄・乾燥手順のフローチャートである。 洗浄・乾燥中における基板の状態を示す模式図である。 プリウェット手順の変形例を示すフローチャートである。 塗布手順の変形例を示すフローチャートである。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１～図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００（制御部）とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像処理用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔現像ユニット〕
続いて、処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１として現像ユニット２０を有する。図４に示すように、現像ユニット２０は、回転保持部３０と、現像液供給部４０（第二供給部）と、リンス液供給部５０（第一供給部）とを有する。

回転保持部３０は、基板を保持して回転させる。例えば回転保持部３０は、保持機構３１と回転機構３２とを有する。保持機構３１は、水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転機構３２は、例えば電動モータ等を動力源として内蔵し、鉛直な回転中心ＲＣまわりに保持機構３１を回転させる。これにより、回転中心ＲＣまわりにウェハＷが回転する。

現像液供給部４０は、ウェハＷの表面Ｗａに現像液（処理液）を供給する。現像液は、露光後のレジスト膜の除去対象部分を除去するための処理液である。レジスト膜の除去対象部分は、露光処理後において現像液に対し可溶な部分である。現像液がポジ型である場合には、露光処理において露光された部分が現像液に対して可溶である。現像液がネガ型である場合には、露光処理において露光されなかった部分が現像液に対して可溶である。ポジ型の現像液の具体例としては、アルカリ溶液が挙げられる。ネガ型の現像液の具体例としては、有機溶剤が挙げられる。

現像液供給部４０は、例えばノズル４１と、タンク４４と、ポンプ４６と、バルブ４７と、ノズル搬送機構４８（位置調節部）とを有する。

ノズル４１は、ウェハＷの表面Ｗａに向かって現像液を吐出する。図５に示すように、ノズル４１は、ウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４３と、接液面４３に開口して現像液を吐出する吐出口４２とを含む。例えばノズル４１は、円形の接液面４３を有し、吐出口４２は接液面４３の中央部に開口している。接液面４３の面積は、ウェハＷの表面Ｗａの面積に比べ小さい。接液面４３の面積は、ウェハＷの表面Ｗａの面積に比べ例えば１～１１％であり、１～３％であってもよい。ノズル４１は、例えばＰＴＦＥ等の樹脂材料により構成可能である。なお、ノズル４１は、接液面４３に点在する複数の吐出口４２を含んでいてもよい。

ノズル４１は、現像液の吐出量を９０ｍｌ／ｍｉｎとする条件下にて、接液面４３を通過する現像液の平均流速が１．２～５．５ｍ／ｍｉｎとなるように構成されていてもよく、当該平均流速が１．２～３．５ｍ／ｍｉｎとなるように構成されていてもよい。

例えば、ノズル４１は、吐出口４２の接液面４３における開口面積（ノズル４１が複数の吐出口４２を含む場合は複数の吐出口４２の開口面積の総和）が１６．４～７５ｍｍ^２となるように構成されていてもよく、当該開口面積が２５～７５ｍｍ^２となるように構成されていてもよい。

図６に示すように、吐出口４２の開口面積は、接液面４３に近付くにつれて徐々に大きくなっていてもよい。

図７及び図８に示すように、ノズル４１は、接液面４３の中心まわりの周方向に沿って並び、それぞれ当該周方向における同一方向に傾斜した複数の吐出口４２を有してもよい。より具体的に、図７及び図８のノズル４１は、上記周方向に沿って並ぶ第一グループの吐出口４２と、第一グループの吐出口４２よりもノズル４１の外周側において上記周方向に沿って並ぶ第二グループの吐出口４２と、第二グループの吐出口４２よりもノズル４１の外周側において上記周方向に沿って並ぶ第三グループの吐出口４２と、第三グループの吐出口４２よりもノズル４１の外周側において上記周方向に沿って並ぶ第四グループの吐出口４２とを有している。上記周方向における吐出口４２の位置は、上記グループ間で揃っている。いずれの吐出口４２も、上記周方向における同一方向に傾斜している。このようなノズル４１によれば、接液面４３とウェハＷとの間に現像液の旋回流を形成し、接液面４３とウェハＷとの間における現像液の均一性を向上させることができる。

図４に戻り、ノズル４１は、管路４５を介してタンク４４に接続されている。タンク４４は現像液を収容する。ポンプ４６及びバルブ４７は管路４５に設けられている。ポンプ４６は、例えばベローズポンプであり、タンク４４からノズル４１に現像液を圧送する。バルブ４７は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路４５内の開度を調節する。バルブ４７を制御することにより、ノズル４１から現像液を吐出する状態と、ノズル４１から現像液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ４６及びバルブ４７の少なくとも一方を制御することにより、ノズル４１からの現像液の吐出量（単位時間あたりの吐出量）を調節することも可能である。

ノズル搬送機構４８は、ノズル４１の位置を調節する。より具体的に、ノズル搬送機構４８は、接液面４３を下方に向けた状態で、ウェハＷの上方を横切るようにノズル４１を搬送し、ノズル４１を昇降させる。例えばノズル搬送機構４８は、電動モータ等を動力源としてウェハＷの上方を横切るようにノズル４１を搬送する機構と、電動モータ等を動力源としてノズル４１を昇降させるための機構とを有する。

ノズル搬送機構４８は、ウェハＷの回転中心ＲＣを通る経路に沿ってノズル４１を搬送してもよいし、回転中心ＲＣに対してずれた経路に沿ってノズル４１を搬送してもよい。ノズル搬送機構４８は、直状の経路に沿ってノズル４１を搬送してもよいし、曲がった経路に沿ってノズル４１を搬送してもよい。

リンス液供給部５０は、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液（希釈液）を供給する。リンス液は、例えば純水である。

リンス液供給部５０は、例えばノズル５１と、タンク５２と、ポンプ５４と、バルブ５５と、ノズル搬送機構５６（位置調節部）とを有する。

ノズル５１は、ウェハＷの表面Ｗａに向かってリンス液を吐出する。ノズル５１は、管路５３を介してタンク５２に接続されている。タンク５２はリンス液を収容する。ポンプ５４及びバルブ５５は管路５３に設けられている。ポンプ５４は、例えばベローズポンプであり、タンク５２からノズル５１にリンス液を圧送する。バルブ５５は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路５３内の開度を調節する。バルブ５５を制御することにより、ノズル５１からリンス液を吐出する状態と、ノズル５１からリンス液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ５４及びバルブ５５の少なくとも一方を制御することにより、ノズル５１からのリンス液の吐出量を調節することも可能である。

ノズル搬送機構５６は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル５１を搬送する。具体的に、ノズル搬送機構５６は、ノズル５１の吐出口を下方に向けた状態で、ウェハＷの上方を横切るようにノズル５１を搬送する。

このように構成された現像ユニット２０は、上述のコントローラ１００により制御される。コントローラ１００は、表面Ｗａにリンス液を供給し、リンス液の液溜りを形成するようにリンス液供給部５０を制御することと、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出し、希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することと、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液が接液面４３と表面Ｗａとの間に留まり、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液がウェハＷの外周側に広がる第一回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周側に移動させるように現像液供給部４０を制御することと、を実行するように構成されている。

例えばコントローラ１００は、機能上の構成（以下、「機能ブロック」という。）として、液溜り形成制御部１１１と、プリウェット制御部１１２と、塗布制御部１１３と、洗浄・乾燥制御部１１４とを有する。

液溜り形成制御部１１１は、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液の液溜りを形成するための制御を実行する。当該制御は、表面Ｗａにリンス液を供給し、リンス液の液溜りを形成するようにリンス液供給部５０を制御することを含む。

プリウェット制御部１１２は、リンス液と現像液との混合液（以下、「希釈現像液」という。）をウェハＷの表面Ｗａに塗布するための制御を実行する。当該制御は、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出し、希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することと、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液が接液面４３と表面Ｗａとの間に留まり、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液がウェハＷの外周側に広がる第一回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することとを含む。

塗布制御部１１３は、ウェハＷの表面Ｗａに現像液を塗布するための制御を実行する。当該制御は、ウェハＷが第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、吐出口４２をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御することとを含む。

洗浄・乾燥制御部１１４は、現像処理後にウェハＷの表面Ｗａを洗浄し、乾燥させるための制御を実行する。当該制御は、第二回転速度よりも大きい第四回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第四回転速度で回転している状態にて、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を供給するようにリンス液供給部５０を制御することと、リンス液の供給が完了した後に、第四回転速度よりも大きい第五回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することとを含む。

コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図９に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。入出力ポート１２４は、回転保持部３０、現像液供給部４０及びリンス液供給部５０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を処理ブロック５に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔現像処理手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて現像ユニット２０が実行する現像処理手順を説明する。図１０に示すように、コントローラ１００は、ステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３，Ｓ０４を順に実行する。ステップＳ０１では、液溜り形成制御部１１１が、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液の液溜りを形成するための制御を実行する。ステップＳ０２では、プリウェット制御部１１２が、希釈現像液をウェハＷの表面Ｗａに塗布するための制御を実行する。ステップＳ０３では、塗布制御部１１３が、ウェハＷの表面Ｗａに現像液を塗布するための制御を実行する。ステップＳ０４では、洗浄・乾燥制御部１１４が、現像処理後にウェハＷの表面Ｗａを洗浄し、乾燥させるための制御を実行する。以下、各ステップの内容を詳細に説明する。

（液溜りの形成手順）
上述のステップＳ０１では、液溜り形成制御部１１１が、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を供給し、ウェハＷの回転中心ＲＣを含む領域上にリンス液の液溜りを形成するようにリンス液供給部５０を制御することを実行する。

図１１に例示するように、液溜り形成制御部１１１は、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５を順に実行する。

ステップＳ１１では、液溜り形成制御部１１１が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させて第一位置に配置するようにリンス液供給部５０を制御する。第一位置は、例えばウェハＷの回転中心ＲＣの上方である。

ステップＳ１２では、液溜り形成制御部１１１が、リンス液ＣＦの供給を開始するようにリンス液供給部５０を制御する（図１２の（ａ）参照）。例えば液溜り形成制御部１１１は、バルブ５５を開放してタンク５２からノズル５１へのリンス液ＣＦの供給を開始し、ノズル５１から表面Ｗａへのリンス液ＣＦの吐出を開始するようにリンス液供給部５０を制御する。

ステップＳ１３では、液溜り形成制御部１１１が、第一処理時間の経過を待機する。第一処理時間は、表面Ｗａ上に所望の大きさの液溜りを形成するように、事前の条件出し等によって予め設定されている。

ステップＳ１４では、液溜り形成制御部１１１が、リンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。例えば液溜り形成制御部１１１は、バルブ５５を閉じてタンク５２からノズル５１へのリンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。

ステップＳ１５では、液溜り形成制御部１１１が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させてウェハＷの上方から退避させるようにリンス液供給部５０を制御する。以上で、回転中心ＲＣを含む領域上にリンス液ＣＦの液溜りＰＤ１が形成される（図１２の（ｂ）参照）。

なお、液溜り形成制御部１１１は、リンス液ＣＦが広がらない程度の低速でウェハＷを回転させながら、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液ＣＦを供給するようにリンス液供給部５０を制御してもよい。

（プリウェット手順）
ステップＳ０２では、プリウェット制御部１１２が、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出し、希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することと、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液が接液面４３と表面Ｗａとの間に留まり、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液がウェハＷの外周側に広がる第一回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することとを実行する。

ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２を現像液で満たした状態で、ノズル４１をノズル搬送機構４８により表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。

吐出口４２を現像液で満たした状態でノズル４１を表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８により表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。

プリウェット制御部１１２は、現像液供給部４０がノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出する際に、第一回転速度よりも小さい第三回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することを更に実行してもよい。

ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することは、接液面４３の中心が回転中心ＲＣからずれた位置にて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することを含み、吐出口４２から現像液を吐出し、希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３の中心を回転中心ＲＣに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。

図１３に例示するように、プリウェット制御部１１２は、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４，Ｓ２５，Ｓ２６，Ｓ２７，Ｓ２８を順に実行する。

ステップＳ２１では、プリウェット制御部１１２が、回転速度ω１（第三回転速度）にてウェハＷの回転を開始するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω１は、例えば１００ｒｐｍ以下であり、５０ｒｐｍ以下であってもよい。

ステップＳ２２では、プリウェット制御部１１２が、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させて第二位置に配置するように現像液供給部４０を制御する。第二位置は、リンス液の液溜りＰＤ１が形成された領域内において、ウェハＷの回転中心ＲＣからずれた位置の上方である（図１４の（ａ）参照）。第二位置は、接液面４３の中心と回転中心ＲＣとの距離Ｄ１が１０～５０ｍｍとなるように設定されていてもよく、接液面４３と表面Ｗａとの距離Ｄ２が５～１２ｍｍとなるように設定されていてもよい。

ステップＳ２３では、プリウェット制御部１１２が、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を開始するように現像液供給部４０を制御する（図１４の（ｂ）参照）。例えばプリウェット制御部１１２は、バルブ４７を開いてタンク４４からノズル４１への現像液ＤＦの供給を開始するように現像液供給部４０を制御する。これにより、吐出口４２内が現像液ＤＦにより満たされた状態となる。

ステップＳ２４では、プリウェット制御部１１２が、ノズル４１をノズル搬送機構４８により表面Ｗａに近付けて接液面４３をリンス液ＣＦの液溜りＰＤ１に接触させるように現像液供給部４０を制御する。例えばプリウェット制御部１１２は、ノズル搬送機構４８により第三位置までノズル４１を下降させるように現像液供給部４０を制御する。第三位置は、接液面４３が液溜りＰＤ１に接するように設定されている。第三位置は、接液面４３と表面Ｗａとの距離Ｄ３が０．３～２．５ｍｍとなるように設定されていてもよい。ノズル４１が表面Ｗａに近付くことにより、吐出口４２から吐出された現像液ＤＦが液溜りＰＤ１に混入する。

ステップＳ２５では、プリウェット制御部１１２が、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３の中心を回転中心ＲＣに近付けるように現像液供給部４０を制御する（図１４の（ｃ）参照）。ウェハＷの回転及びノズル４１の移動により、吐出口４２と液溜りＰＤ１との相対的な位置が変化するので、吐出口４２から吐出された現像液ＤＦが液溜りＰＤ１内の広範囲に分散して混入する。これにより、希釈現像液の濃度の均一性が高められる。接液面４３の中心が回転中心ＲＣに到達すると、プリウェット制御部１１２は、ノズル搬送機構４８によるノズル４１の移動を停止するように現像液供給部４０を制御する。

ステップＳ２６では、プリウェット制御部１１２が、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を停止するように現像液供給部４０を制御する。例えばプリウェット制御部１１２は、バルブ４７を閉じてタンク４４からノズル４１への現像液の供給を停止するように現像液供給部４０を制御する。ここまでの手順により、ウェハＷの表面Ｗａ上に希釈現像液ＭＦの液溜りＰＤ２が形成される（図１４の（ｃ）参照）。

ステップＳ２７では、プリウェット制御部１１２が、ウェハＷの回転速度を回転速度ω１から回転速度ω２（第一回転速度）に変更するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω２は、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液ＭＦが接液面４３と表面Ｗａとの間に留まり、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液ＭＦが外周Ｗｂ側に広がるように設定されている（図１４の（ｄ）参照）。回転速度ω２は、例えば３００～１５００ｒｐｍであり、８００～１２００ｒｐｍであってもよい。

ステップＳ２８では、プリウェット制御部１１２が、第二処理時間の経過を待機する。第二処理時間は、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液ＭＦを接液面４３と表面Ｗａとの間に留めつつ、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液ＭＦを十分に塗り広げられるように、事前の条件出し等によって予め設定されている。

以上で、希釈現像液ＭＦがウェハＷの表面Ｗａに塗布される。なお、第二位置は、回転中心ＲＣの上方であってもよい。この場合、ステップＳ２５を省略可能である。プリウェット制御部１１２は、ステップＳ２３の実行後、吐出口４２内が現像液ＤＦにより満たされた時点で一旦タンク４４からノズル４１への現像液ＤＦの供給を停止し、接液面４３が液溜りＰＤ１に接した後にタンク４４からノズル４１への現像液ＤＦの供給を再開するように現像液供給部４０を制御してもよい。また、プリウェット制御部１１２は、接液面４３が液溜りＰＤ１に接触した後にステップＳ２３を実行してもよい。回転速度ω１はゼロであってもよい。

（現像液塗布手順）
ステップＳ０３では、ウェハＷが第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御することとを塗布制御部１１３が実行する。

ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御することは、ノズル４１が外周Ｗｂ側に移動している途中で吐出口４２からの現像液の吐出量を増やすように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。

図１５に例示するように、塗布制御部１１３は、ステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３，Ｓ３４，Ｓ３５，Ｓ３６，Ｓ３７，Ｓ３８，Ｓ３９を順に実行する。

ステップＳ３１では、塗布制御部１１３が、ウェハＷの回転速度を回転速度ω２から回転速度ω３（第二回転速度）に変更するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω３は、回転速度ω２よりも小さい。回転速度ω３は、回転速度ω１と同等以上であってもよい。回転速度ω３は、例えば３０～１００ｒｐｍである。

ステップＳ３２では、塗布制御部１１３が、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を開始するように現像液供給部４０を制御する（図１６の（ａ）参照）。例えば塗布制御部１１３は、バルブ４７を開いてタンク４４からノズル４１への現像液ＤＦの供給を開始するように現像液供給部４０を制御する。吐出口４２から吐出された現像液ＤＦは、接液面４３と表面Ｗａとの間に留まっている希釈現像液ＭＦに混入する。現像液ＤＦと表面Ｗａとの間に希釈現像液ＭＦが介在することにより、回転中心ＲＣの近傍における現像処理の進行が抑制される。

この際に、塗布制御部１１３は、吐出口４２における現像液ＤＦの平均流速が１．２～５．５ｍ／ｍｉｎとなるように現像液供給部４０を制御してもよく、当該平均流速が１．２～３．５ｍ／ｍｉｎとなるように現像液供給部４０を制御してもよい。

ステップＳ３３では、塗布制御部１１３が、ノズル４１をノズル搬送機構４８により外周Ｗｂ側に移動させることを開始するように現像液供給部４０を制御する（図１６の（ｂ）参照）。以後、塗布制御部１１３は、回転速度ω３［ｒｐｍ］とノズル４１の移動速度Ｖ［ｍｍ／ｓ］とが次式を満たすように現像液供給部４０を制御してもよい。
３≦ω３／Ｖ≦５
塗布制御部１１３は、回転速度ω３［ｒｐｍ］とノズル４１の移動速度Ｖ［ｍｍ／ｓ］とが次式を満たすように現像液供給部４０を制御してもよい。
３．５≦ω３／Ｖ≦４．５

ステップＳ３４では、ノズル４１が流量切替位置に到達するのを塗布制御部１１３が待機する。流量切替位置は、ウェハＷの中心側における現像処理の進行をより適切に抑制するように、事前の条件出し等によって予め設定されている。流量切替位置は、例えば、接液面４３の中心と回転中心ＲＣとの距離が１０～５０ｍｍとなる位置であり、接液面４３の中心と回転中心ＲＣとの距離が２０～４０ｍｍとなる位置であってもよい。

ステップＳ３５では、塗布制御部１１３が、吐出口４２からの現像液の吐出量を増やすように現像液供給部４０を制御する。例えば塗布制御部１１３は、バルブ４７の開度を大きくするように現像液供給部４０を制御する。ステップＳ３５の実行後における現像液の吐出量は、例えば、ステップＳ３５の実行前における現像液の吐出量に対して２～７倍に設定されており、２．５～４倍に設定されていてもよい。

ステップＳ３６では、ノズル４１が吐出完了位置に到達するのを塗布制御部１１３が待機する。吐出完了位置は、現像液ＤＦが回転中心ＲＣから外周Ｗｂまで十分に供給されるように、事前の条件出し等によって予め設定されている（図１６の（ｃ）参照）。

ステップＳ３７では、塗布制御部１１３が、吐出口４２からの現像液の吐出を停止するように現像液供給部４０を制御する。例えば塗布制御部１１３は、バルブ４７を閉じてタンク４４からノズル４１への現像液の供給を停止するように現像液供給部４０を制御する。

ステップＳ３８では、塗布制御部１１３が、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させてウェハＷの上方から退避させるように現像液供給部４０を制御する。

ステップＳ３９では、塗布制御部１１３が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御する。

以上で、表面Ｗａ上に現像液ＤＦの液膜ＰＤ３が形成される（図１６の（ｄ）参照）。塗布制御部１１３は、吐出口４２からの現像液の吐出量の変更を行わなくてもよい。すなわち、ステップＳ３４，Ｓ３５を省略してもよい。

（現像・洗浄・乾燥手順）
ステップＳ０４では、現像液ＤＦの液膜ＰＤ３による現像処理の進行を待機した後、洗浄・乾燥制御部１１４が、当該制御は、第二回転速度よりも大きい第四回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第四回転速度で回転している状態にて、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を供給するようにリンス液供給部５０を制御することと、リンス液の供給が完了した後に、第四回転速度よりも大きい第五回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することとを実行する。

図１７に例示するように、洗浄・乾燥制御部１１４は、ステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ４３，Ｓ４４，Ｓ４５，Ｓ４６，Ｓ４７，Ｓ４８，Ｓ４９，Ｓ５０を順に実行する。

ステップＳ４１では、洗浄・乾燥制御部１１４が、第三処理時間の経過を待機する。第三処理時間は、現像処理の進行の程度を適正化するように、事前の条件出し等によって予め設定されている。

ステップＳ４２では、洗浄・乾燥制御部１１４が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させて第四位置に配置するようにリンス液供給部５０を制御する。第四位置は、例えばウェハＷの回転中心ＲＣの上方である。

ステップＳ４３では、洗浄・乾燥制御部１１４が、回転数ω４（第四回転速度）にてウェハＷの回転を開始するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω４は、例えば５００～１５００ｒｐｍである。

ステップＳ４４では、洗浄・乾燥制御部１１４が、リンス液ＣＦの供給を開始するようにリンス液供給部５０を制御する（図１８の（ａ）及び（ｂ）参照）。例えば洗浄・乾燥制御部１１４は、バルブ５５を開放してタンク５２からノズル５１へのリンス液ＣＦの供給を開始し、ノズル５１から表面Ｗａへのリンス液ＣＦの吐出を開始するようにリンス液供給部５０を制御する。

ステップＳ４５では、洗浄・乾燥制御部１１４が、第四処理時間の経過を待機する。第四処理時間は、現像液ＤＦ及び現像処理による溶解物を十分に洗い流せるように、事前の条件出し等によって予め設定されている。

ステップＳ４６では、洗浄・乾燥制御部１１４が、リンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。例えば洗浄・乾燥制御部１１４は、バルブ５５を閉じてタンク５２からノズル５１へのリンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する（図１８の（ｃ）参照）。

ステップＳ４７では、洗浄・乾燥制御部１１４が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させてウェハＷの上方から退避させるようにリンス液供給部５０を制御する。

ステップＳ４８では、洗浄・乾燥制御部１１４が、ウェハＷの回転速度を回転速度ω４から回転速度ω５（第五回転速度）に変更するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω５は、例えば１５００～２５００ｒｐｍである。

ステップＳ４９では、洗浄・乾燥制御部１１４が、第五処理時間の経過を待機する。第五処理時間は、表面Ｗａ上の残液を十分に除去できるように、事前の条件出し等によって予め設定されている。

ステップＳ５０では、洗浄・乾燥制御部１１４が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御する。以上で現像、洗浄及び乾燥処理が完了する。

〔本実施形態の効果〕
塗布・現像装置２は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を供給するリンス液供給部５０と、表面Ｗａに現像液を供給する現像液供給部４０と、コントローラ１００とを備える。現像液供給部４０は、表面Ｗａに対向する接液面４３、及び接液面４３に開口して現像液を吐出する吐出口４２を含むノズル４１と、ノズル４１の位置を調節するノズル搬送機構４８とを有する。コントローラ１００は、表面Ｗａにリンス液を供給し、リンス液の液溜りを形成するようにリンス液供給部５０を制御することと、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出し、希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することと、接液面４３の外周より内側に位置する希釈現像液が接液面４３と表面Ｗａとの間に留まり、接液面４３の外周より外側に位置する希釈現像液がウェハＷの外周側に広がる第一回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第一回転速度で回転した後に、第一回転速度よりも小さい第二回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周側に移動させるように現像液供給部４０を制御することと、を実行するように構成されている。

表面Ｗａにおいて、現像液が最初に到達する部分では、他の部分に比較して、現像液による処理の進行が大きくなる傾向がある。これに対し、塗布・現像装置２によれば、現像液の供給に先立って、希釈現像液の液溜りを形成することと、接液面４３が希釈現像液の液溜りに接触した状態にて、第一回転速度でウェハＷを回転させることとが実行される。これにより、接液面４３の外周よりも内側（以下、「内側領域」という。）に位置する希釈現像液が接液面４３と表面Ｗａとの間に留まった状態で、接液面４３の外周よりも外側（以下、「外側領域」という。）に位置する希釈現像液がウェハＷの外周側に広がる。この結果、内側領域における厚さが、外側領域における厚さに比較して大きい希釈現像液層が形成される。希釈現像液層は継時的に劣化する。例えば、現像液の成分により表面Ｗａ上の被膜が溶解することで、希釈現像液層は溶解生成物（溶解した物質）を含んだ状態となる。劣化した希釈現像液層は、後に供給される現像液による処理の進行を妨げる。上述のように、内側領域においては、外側領域に比較して厚い希釈現像液層が存在する。このため、希釈現像液層の形成後に最初に現像液が供給される部分（以下、「初期到達部分」という。）における処理の進行は緩和される。これにより、初期到達部分における処理の進行の程度と、他の部分における処理の進行の程度との差が縮小される。従って、処理の進行の程度（以下、「処理進行度」という。）がウェハＷ上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効である。

ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２を現像液で満たした状態で、ノズル４１をノズル搬送機構４８により表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。この場合、希釈現像液の液溜りへの気泡の混入を抑制し、当該気泡に起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

吐出口４２を処理液で満たした状態でノズル４１を表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２から処理液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８により表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。この場合、接液面４３がリンス液に接触した後、現像液が直ちにリンス液に混合する。これにより、希釈現像液の液溜りの形成を早め、処理時間を短縮することができる。

吐出口４２から現像液を吐出しながらノズル４１をウェハＷの表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することは、接液面４３とウェハＷの表面Ｗａとの距離が５～７ｍｍの状態で吐出口４２からの現像液の吐出を開始した後に、接液面４３とウェハＷの表面Ｗａとの距離が０．５～２ｍｍとなるまでノズル４１を表面Ｗａに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。この場合、吐出口４２からの現像液の吐出が開始された後、接液面４３がリンス液の液溜りに接触までの間に、現像液が落下することを防止できる。これにより、落下した現像液による処理の進行を抑制し、当該落下に起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

第二回転速度は１０～１００ｒｐｍであってもよい。吐出口４２から現像液を吐出しながらノズル４１を移動させる過程では、現像液と希釈現像液とがウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周側に交互に並んで渦巻き状に分布する場合がある。この場合、現像液が接している個所と希釈現像液が接している個所とで処理進行度の差異が大きくなる。これに対し、第二回転速度を１０ｒｐｍ以上にすることで希釈現像液の広がりを早くし、渦巻き状の分布の形成を抑制できる。また、第二回転速度を１００ｒｐｍ以下にすることで、ウェハＷの回転中心ＲＣ側における処理進行度が過大となることを抑制できる。

コントローラ１００は、現像液供給部４０がノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させ、吐出口４２から現像液を吐出する際に、第一回転速度よりも小さい第三回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。

ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することは、接液面４３の中心がウェハＷの回転中心からずれた位置にて接液面４３をリンス液の液溜りに接触させるように現像液供給部４０を制御することを含み、吐出口４２から現像液を吐出し、リンス液と現像液との希釈現像液の液溜りを形成するように現像液供給部４０を制御することは、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３の中心をウェハＷの回転中心に近付けるように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。この場合、吐出口４２からの吐出が開始された直後に、現像液がウェハＷの回転方向に広がる。ノズル４１がウェハＷの回転中心ＲＣ側に移動することにより、現像液が径方向（回転中心ＲＣを通る方向）にも広がる。これにより、現像液の濃度の均一性が高い液溜りを迅速に形成し、現像液の濃度のばらつきに起因する処理進行度のばらつきを抑制できる。

ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周側に移動させるように現像液供給部４０を制御することは、第二回転速度とノズル４１の移動速度とが次式を満たすように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。
３≦ω３／Ｖ≦５
Ｖ：ノズル４１の移動速度[ｍｍ／ｓ]
ω３：第二回転速度[ｒｐｍ]
上記ω３／Ｖを３以上にすることで、上記渦巻き状の分布の形成を抑制できる。上記ω３／Ｖを５以下にすることで、ウェハＷの回転中心ＲＣ側における処理進行度が過大となることを抑制できる。従って、処理進行度のばらつきを更に抑制できる。

ウェハＷが第二回転速度で回転している状態にて、吐出口４２から現像液を吐出しながら、ノズル４１をノズル搬送機構４８によりウェハＷの外周側に移動させるように現像液供給部４０を制御することは、ノズル４１がウェハＷの外周側に移動している途中で吐出口４２からの現像液の吐出量を増やすように現像液供給部４０を制御することを含んでもよい。この場合、ウェハＷの回転中心ＲＣ側における処理進行度を相対的に小さくすることで、処理進行度のばらつきを更に抑制できる。

〔現像処理手順の変形例〕
続いて、現像処理手順の変形例を示す。本変形例は、上述した現像処理手順のプリウェット手順及び現像液塗布手順を改変したものである。以下、本変形例におけるプリウェット手順及び現像液塗布手順を説明する。

（プリウェット手順）
本変形例のプリウェット手順は、吐出口４２から現像液を吐出した後に、吐出口４２からの現像液の吐出を停止した状態にて、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３の中心を回転中心ＲＣに近付けるように現像液供給部４０を制御する点で、上述したプリウェット手順と異なっている。

例えば図１９に示すように、プリウェット制御部１１２は、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４と同様のステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３，Ｓ６４を実行する。ステップＳ６１は、回転速度ω１（第三回転速度）にてウェハＷの回転を開始するように回転保持部３０を制御することを含む。回転速度ω１は、例えば３０～６０ｒｐｍである。ステップＳ６２は、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させて第二位置に配置するように現像液供給部４０を制御することを含む。第二位置は、接液面４３の中心と回転中心ＲＣとの距離Ｄ１が例えば１０～４０ｍｍとなるように設定されている。ステップＳ６３は、吐出口４２からの現像液の吐出を開始するように現像液供給部４０を制御することを含む。吐出開始後の現像液の吐出量は、例えば３０～１２０ｍｌ／ｍｉｎである。ステップＳ６４は、上記第三位置までノズル４１を下降させるように現像液供給部４０を制御することを含む。

次に、プリウェット制御部１１２はステップＳ６５，Ｓ６６，Ｓ６７を順に実行する。ステップＳ６５は、所定の混入時間の経過を待機することを含む。混入時間は、例えば、ウェハＷが一回転する時間以上に設定されている。ステップＳ６６は、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を停止するように現像液供給部４０を制御することを含む。例えばプリウェット制御部１１２は、バルブ４７を閉じてタンク４４からノズル４１への現像液の供給を停止するように現像液供給部４０を制御する。ステップＳ６６は、ノズル４１をノズル搬送機構４８により移動させて接液面４３の中心を回転中心ＲＣに近付けるように現像液供給部４０を制御することを含む。接液面４３の中心が回転中心ＲＣに到達すると、プリウェット制御部１１２は、ノズル搬送機構４８によるノズル４１の移動を停止するように現像液供給部４０を制御する。

なお、ステップＳ６５，Ｓ６６，Ｓ６７では、現像液ＤＦの吐出を停止した後にノズル４１の移動を開始する手順を例示したが、プリウェット制御部１１２は、少なくとも接液面４３の中心が回転中心ＲＣに到達する前に現像液ＤＦの吐出を停止するように現像液供給部４０を制御すればよい。例えばプリウェット制御部１１２は、現像液ＤＦの吐出を停止する前にノズル４１の移動を開始するように現像液供給部４０を制御し、接液面４３の中心が回転中心ＲＣに移動する途中で現像液ＤＦの吐出を停止するように現像液供給部４０を制御してもよい。

次に、プリウェット制御部１１２は、ステップＳ２７，Ｓ２８と同様のステップＳ６８，Ｓ６９を実行する。ステップＳ６８は、ウェハＷの回転速度を回転速度ω１から回転速度ω２（第一回転速度）に変更するように回転保持部３０を制御することを含む。ステップＳ６９は、第二処理時間の経過を待機することを含む。以上で、希釈現像液ＭＦがウェハＷの表面Ｗａに塗布される。

（現像液塗布手順）
本変形例の現像液塗布手順は、接液面４３の中心が回転中心ＲＣから離れてウェハＷの外周Ｗｂ側に移動している途中で吐出口４２からの現像液の吐出を開始するように現像液供給部４０を制御する点で、上述した現像液塗布手順と異なっている。

例えば図２０に示すように、塗布制御部１１３は、まずステップＳ３１と同様のステップＳ８１を実行する。ステップＳ８１は、ウェハＷの回転速度を回転速度ω２から回転速度ω３（第二回転速度）に変更するように回転保持部３０を制御することを含む。回転速度ω３は、例えば３０～６０ｒｐｍである。

次に、塗布制御部１１３はステップＳ８２，Ｓ８３，Ｓ８４を順に実行する。ステップＳ８２は、ステップＳ３３と同様に、ノズル４１をノズル搬送機構４８により外周Ｗｂ側に移動させることを開始するように現像液供給部４０を制御することを含む。ステップＳ８３は、ノズル４１が所定の吐出開始位置に到達するのを待機することを含む。吐出開始位置は、接液面４３の中心と回転中心ＲＣとの距離が例えば１０～４０ｍｍとなるように設定されている。ステップＳ８４は、ステップＳ３２と同様に、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を開始するように現像液供給部４０を制御することを含む。吐出開始後の現像液ＤＦの吐出量は、例えば７０～１５０ｍｌ／ｍｉｎである。

次に、塗布制御部１１３は、ステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６，Ｓ３７，Ｓ３８，Ｓ３９と同様のステップＳ８５，Ｓ８６，Ｓ８７，Ｓ８８，Ｓ８９，Ｓ９０を順に実行する。ステップＳ８５は、ノズル４１が流量切替位置に到達するのを待機することを含む。ステップＳ８６は、吐出口４２からの現像液の吐出量を増やすように現像液供給部４０を制御することを含む。ステップＳ８７は、ノズル４１が吐出完了位置に到達するのを待機することを含む。ステップＳ８８は、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を停止するように現像液供給部４０を制御することを含む。ステップＳ８９は、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させてウェハＷの上方から退避させるように現像液供給部４０を制御することを含む。ステップＳ９０は、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御することを含む。以上で、表面Ｗａ上に現像液ＤＦの液膜ＰＤ３が形成される。塗布制御部１１３は、吐出口４２からの現像液の吐出量の変更を行わなくてもよい。すなわち、ステップＳ８５，Ｓ８６を省略してもよい。

レジストパターンのトレンチ間隔が比較的大きい場合等、現像処理による溶解生成物が少なくなる条件下においては、上述した混合液層の劣化が遅くなる。これにより、処理の進行を緩和させる混合液層の作用が小さくなるので、特にウェハＷの回転中心ＲＣの近傍において処理の進行が過大となる場合がある。これに対し、本変形例によれば、回転中心ＲＣ上においては現像液の吐出がなされないので、回転中心ＲＣの近傍における処理の進行を抑制することができる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

続いて、現像処理手順の実施例及び比較例を示すが、本発明はここに示す例に限定されるものではない。

〔実施例１〕
直径３００ｍｍのウェハＷを準備し、その表面Ｗａ上にポジ型のレジスト幕を形成し、そのレジスト膜にステップアンドリピート方式で露光処理を施した。各ショットにおける露光条件は、幅約１５０ｎｍの線状パターンを等間隔で形成するように設定した。その後、各パラメータを以下のように設定し、ポジ型の現像液を用い、上述の実施形態において例示した現像処理を行った。リンス液には純水を用いた。
第一処理時間：１０ｓ
純水吐出量：４０ｍｌ
回転速度ω１：４０ｒｐｍ
第二位置：回転中心ＲＣから１５ｍｍ、接液面４３と表面Ｗａとの距離１０ｍｍ
第三位置：回転中心ＲＣから１５ｍｍ、接液面４３と表面Ｗａとの距離１ｍｍ
回転速度ω２：１０００ｒｐｍ
第二処理時間：１ｓ
第二回転速度：４０ｒｐｍ
ステップＳ３２の後、ステップＳ３５の前における現像液の吐出量：３０ｍｌ／ｓ
ステップＳ３３の後におけるノズル４１の移動速度：１０ｍｍ／ｓ
流量切替位置：回転中心ＲＣから３０ｍｍ
ステップＳ３５の後における現像液の吐出量：９０ｍｌ／ｓ
第三処理時間：３ｓ
回転速度ω４：１０００ｒｐｍ
第四処理時間：１５ｓ
回転速度ω５：２０００ｒｐｍ
第五処理時間：１５ｓ

〔比較例〕
直径３００ｍｍのウェハＷを準備し、その表面Ｗａ上にポジ型のレジスト幕を形成し、線幅１５０ｎｍを狙いとして露光処理を実行した。その後、実施例に対して以下の点を変更した条件にて現像処理を行った。接液面４３を希釈現像液の液溜りから離した状態にて、希釈現像液を塗り広げる処理（ステップＳ２７，Ｓ２８）を実行し、その後接液面４３と表面Ｗａとの間隔を１ｍｍに戻して以降の手順を実行した。
〔実施例２〕
以下の点を除き、実施例１と同じ条件にて現像処理を行った。
ｉ）ノズル４１は、接液面４３の中心まわりの周方向に沿って並び、それぞれ当該周方向における同一方向に傾斜した複数の吐出口４２を有する。
ｉｉ）現像液ＤＦの吐出量を９０ｍｌ／ｍｉｎとする条件下にて、接液面４３を通過する現像液ＤＦの平均流速が２１．７ｍ／ｍｉｎとなる。
ｉｉｉ）ステップＳ３２の後、ステップＳ３５の前における現像液の吐出量は９０ｍｌ／ｓである。
〔実施例３〕
以下の点を除き、実施例２と同じ条件にて現像処理を行った。
ｉｉ）現像液ＤＦの吐出量を９０ｍｌ／ｍｉｎとする条件下にて、接液面４３を通過する現像液ＤＦの平均流速が３．５ｍ／ｍｉｎとなる。
〔実施例４〕
以下の点を除き、実施例２と同じ条件にて現像処理を行った。
ｉ）ノズル４１は、接液面４３の中心を通る一つの吐出口４２を有する。
ｉｉ）現像液ＤＦの吐出量を４５ｍｌ／ｍｉｎとする条件下にて、接液面４３を通過する現像液ＤＦの平均流速が２．３ｍ／ｍｉｎとなる。

〔ショット間での線幅のばらつきの評価〕
実施例及び比較例により作製されたレジストパターンについて、ショットごとに９カ所の測定点を設定し、各測定点において線幅を測定した。９カ所の測定点ごとに、全ショットの線幅測定値（線幅の測定結果）の平均値を算出した。以下、９カ所の測定点ごとに得られた平均値を「基準値」という。ショットごとに、９カ所の線幅測定値と９カ所の基準値との差分をそれぞれ算出した。以下、線幅測定値と基準値との差分を「乖離値」という。ショットごとに９カ所の乖離値の平均値を算出して得られるデータ群を母集団として、標準偏差を算出し、その三倍の値を第一のばらつきの評価値とした。

〔ショット内での線幅のばらつきの評価〕
実施例及び比較例により作製されたレジストパターンについて、ショットごとに９カ所の測定点を設定し、各測定点において線幅を測定した。９カ所の測定点ごとに上記基準値を算出し、ショットごとに９カ所の上記乖離値を算出した。ショットごとに、９カ所の乖離値の標準偏差を算出し、その三倍の値を第二のばらつき評価値とした。

〔ばらつき評価値の比較結果〕
実施例１のウェハＷは、比較例のウェハＷに比べ、第一のばらつき評価値が約２８％小さく、第二のばらつき評価値が約２２％小さかった。この結果から、現像液の供給に先立って希釈現像液を塗り広げる工程を、接液面４３が希釈現像液の液溜りに接触した状態で実行することにより、処理進行度のばらつきが低減されることが確認された。

実施例３のウェハＷは、実施例２のウェハＷに比べ、第一のばらつき評価値が約３０％小さく、第二のばらつき評価値に大きな差異はなかった。この結果から、接液面４３を通過する現像液ＤＦの平均流速が２１．７ｍ／ｍｉｎから３．５ｍ／ｍｉｎとなるようにノズル４１を変更することで、処理進行度のばらつきが低減されることが確認された。

実施例４のウェハＷは、実施例３のウェハＷに比べ、第一のばらつき評価値が約１０％小さかった。この結果から、接液面４３を通過する現像液ＤＦの平均流速を更に小さくし、３．５ｍ／ｍｉｎから２．３ｍ／ｍｉｎとすることで、ショット間での線幅のばらつきは更に低減されることが確認された。

一方、実施例４のウェハＷは、実施例３のウェハＷに比べ、第二のばらつき評価値が約１０％大きかった。この結果から、実施例２及び３におけるノズル４１の形態（接液面４３の中心まわりの周方向に沿って並び、それぞれ当該周方向における同一方向に傾斜した複数の吐出口４２を有する形態）は、ショット内での線幅のばらつきを低減するのに有利であることが確認された。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、３０…回転保持部、４０…現像液供給部（第二供給部）、５０…リンス液供給部（第一供給部）、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…外周、４１…ノズル、４８…ノズル搬送機構（位置調節部）、４３…接液面、４２…吐出口、１００…コントローラ（制御部）。

Claims (19)

1. 基板を保持して回転させる回転保持部と、
   前記基板の表面に処理液を希釈するための希釈液を供給する第一供給部と、
   前記基板の表面に前記処理液を供給する第二供給部と、
   制御部と、を備え、
   前記第二供給部は、
   前記基板の表面に対向する接液面、及び前記接液面に開口して前記処理液を吐出する吐出口を含むノズルと、
   前記ノズルの位置を調節する位置調節部とを有し、
   前記制御部は、
   前記基板の表面に前記希釈液を供給し、前記希釈液の液溜りを形成するように前記第一供給部を制御することと、
   前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させ、前記吐出口から前記処理液を吐出した後、前記吐出口からの前記処理液の吐出を停止させて、前記希釈液と前記処理液との混合液の液溜りを形成するように前記第二供給部を制御することと、
   前記吐出口からの前記処理液の吐出が停止した状態にて、前記接液面の外周より内側に位置する前記混合液が前記接液面と基板の表面との間に留まり、前記接液面の外周より外側に位置する前記混合液が前記基板の外周側に広がる第一回転速度で前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御することと、
   前記基板が前記第一回転速度で回転した後に、前記第一回転速度よりも小さい第二回転速度で前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御することと、
   前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の外周側に移動させるように前記第二供給部を制御することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
2. 前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させるように前記第二供給部を制御することは、前記吐出口を前記処理液で満たした状態で、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の表面に近付けるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記吐出口を前記処理液で満たした状態で前記ノズルを前記基板の表面に近付けるように前記第二供給部を制御することは、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の表面に近付けるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記吐出口から前記処理液を吐出しながら前記ノズルを前記基板の表面に近付けるように前記第二供給部を制御することは、前記接液面と前記基板の表面との距離が５～７ｍｍの状態で前記吐出口からの前記処理液の吐出を開始した後に、前記接液面と前記基板の表面との距離が０．５～２ｍｍとなるまで前記ノズルを前記基板の表面に近付けるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第一回転速度は３００～１５００ｒｐｍである、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記第二回転速度は１０～１００ｒｐｍである、請求項１～５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記第二供給部が前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させ、前記吐出口から前記処理液を吐出する際に、前記第一回転速度よりも小さい第三回転速度で前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させるように前記第二供給部を制御することは、前記接液面の中心が前記基板の回転中心からずれた位置にて前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させるように前記第二供給部を制御することを含み、
   前記吐出口から前記処理液を吐出し、前記希釈液と前記処理液との混合液の液溜りを形成するように前記第二供給部を制御することは、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面の中心を前記基板の回転中心に近付けるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記第三回転速度は１００ｒｐｍ以下である、請求項７又は８記載の基板処理装置。
10. 前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の外周側に移動させるように前記第二供給部を制御することは、前記第二回転速度と前記ノズルの移動速度とが次式を満たすように前記第二供給部を制御することを含む、請求項１～９のいずれか一項記載の基板処理装置。
    ３≦ＲＦ／Ｖ≦５
    Ｖ：ノズルの移動速度[ｍｍ／ｓ]
    ＲＦ：第二回転速度[ｒｐｍ]
11. 前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の外周側に移動させるように前記第二供給部を制御することは、前記ノズルが前記基板の外周側に移動している途中で前記吐出口からの処理液の吐出量を増やすように前記第二供給部を制御することを含む、請求項１～１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
12. 前記ノズルは、前記処理液の吐出量を９０ｍｌ／ｍｉｎとする条件下にて、前記接液面を通過する前記処理液の平均流速が１．２～５．５ｍ／ｍｉｎとなるように構成されている、請求項１～１１のいずれか一項記載の基板処理装置。
13. 前記ノズルは、前記接液面の中心まわりの周方向に沿って並び、それぞれ前記周方向における同一方向に傾斜した複数の吐出口を有する、請求項１２記載の基板処理装置。
14. 前記吐出口の開口面積は、前記接液面に近付くにつれて徐々に大きくなっている、請求項１２又は１３記載の基板処理装置。
15. 前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の外周側に移動させるように前記第二供給部を制御することは、前記吐出口からの前記処理液の吐出を開始する際に、前記接液面を通過する前記処理液の平均流速が１．２～５．５ｍ／ｍｉｎとなるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項１２～１４のいずれか一項記載の基板処理装置。
16. 前記吐出口から前記処理液を吐出し、前記希釈液と前記処理液との混合液の液溜りを形成するように前記第二供給部を制御することは、前記吐出口から前記処理液を吐出した後に、前記吐出口からの前記処理液の吐出を停止した状態にて、前記ノズルを前記位置調節部により移動させて前記接液面の中心を前記基板の回転中心に近付けるように前記第二供給部を制御することを含む、請求項７記載の基板処理装置。
17. 前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記位置調節部により前記基板の外周側に移動させるように前記第二供給部を制御することは、前記接液面の中心が前記基板の回転中心から離れて外周側に移動している途中で前記吐出口からの処理液の吐出を開始するように前記第二供給部を制御することを含む、請求項１６記載の基板処理装置。
18. 基板の表面に処理液を希釈するための希釈液を供給し、前記希釈液の液溜りを形成することと、
    前記基板の表面に対向する接液面、及び前記接液面に開口して前記処理液を吐出する吐出口を含むノズルを移動させ、前記接液面を前記希釈液の液溜りに接触させ、前記吐出口から前記処理液を吐出した後、前記吐出口からの前記処理液の吐出を停止させて、前記希釈液と前記処理液との混合液の液溜りを形成することと、
    前記吐出口からの前記処理液の吐出が停止した状態にて、前記接液面の外周より内側に位置する前記混合液が前記接液面と基板の表面との間に留まり、前記接液面の外周より外側に位置する前記混合液が前記基板の外周側に広がる第一回転速度で前記基板を回転させることと、
    前記基板が前記第一回転速度で回転した後に、前記第一回転速度よりも小さい第二回転速度で前記基板を回転させることと、
    前記基板が前記第二回転速度で回転している状態にて、前記吐出口から前記処理液を吐出しながら、前記ノズルを前記基板の外周側に移動させることと、を含む基板処理方法。
19. 請求項１８記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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