JP2012104602A - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高撥水性のレジスト膜Rを形成したウェハWの表面上に純水Pを供給する現像処理方法において、レジスト膜Rが形成されたウェハWの周辺部の一箇所に純水Pを純水ノズル40から供給して当該純水Pの液溜りPaを形成し、その後、純水Pの供給を継続しながら純水ノズル40をウェハWの周辺部からウェハWの中心部に移動させることで、ウェハの周辺部に形成された液溜りPaをウェハWの中心部に移動させる。
【選択図】図6
Description
10 処理容器
20 スピンチャック
21 チャック駆動機構
22 カップ
23 排出管
24 排気管
30 レール
31、32 アーム
33 現像液ノズル
34 ノズル駆動部
35 待機部
36 現像液供給源
37 供給管
38 供給機器群
40 純水ノズル
41 ノズル駆動部
42 待機部
43 純水供給源
44 供給管
45 供給機器群
50 制御部
60 露光部位
61 溶解物
62 未露光部位
P 純水
Pa 液溜り
D 現像液
R レジスト膜
W ウェハ
X 距離
Claims (10)
- 高撥水性の膜を形成した基板の表面上に表面処理液を供給する基板処理方法において、
前記基板の周辺部の一箇所に表面処理液をノズルから供給して当該表面処理液の液溜りを形成する液溜り形成工程と、
その後、前記表面処理液の供給を継続しながら前記ノズルを基板の周辺部から基板の中心部に移動させることで、基板の周辺部に形成された液溜りを基板の中心部に移動させる液溜り移動工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記液溜り形成工程において表面処理液が供給される位置は、前記液溜り形成工程において形成される表面処理液の液溜りが、前記液溜り移動工程において中心部に移動される表面処理液の液溜りと平面視において干渉しない位置であることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記液溜り形成工程おいて表面処理液が供給される位置は、前記ノズルの移動速度が250mm/sec〜1000mm/secである場合には、基板の中心部からの距離が60mm〜100mmの位置であり、前記ノズルの移動速度が200mm/sec〜250mm/sec未満である場合には、基板の中心部からの距離が60mm〜80mmの位置であることを特徴とする、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記表面処理液は純水であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項5に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 高撥水性の膜を形成した基板の表面上に表面処理液を供給する基板処理装置において、
表面処理液を基板上に供給するノズルと、
前記ノズルを移動させるノズル移動機構と、
前記ノズル及び前記ノズル移動機構の動作を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記ノズルにより基板の周辺部の一箇所に表面処理液を供給して当該表面処理液の液溜りを形成し、その後、前記表面処理液の供給を継続しながら前記ノズルを基板の周辺部から基板の中心部に移動さることで、基板の周辺部に形成された液溜りを基板の中心部に移動させるように前記ノズルと前記ノズル移動機構を制御することを特徴とする、基板処理装置。 - 前記制御部は、前記ノズルにより基板の周辺部に表面処理液を供給する際、当該ノズルによる基板の周辺部への表面処理液の供給によって形成される表面処理液の液溜りが、前記ノズルの位置を基板の中心部に移動させた際に基板の中心部に移動される表面処理液の液溜りと平面視において干渉しない位置となるように前記ノズルと前記ノズル移動機構を制御することを特徴とする、請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板の周辺部において前記表面処理液が供給される位置は、前記ノズルの移動速度が250mm/sec〜1000mm/secである場合には、基板の中心部からの距離が60mm〜100mmの位置であり、前記ノズルの移動速度が200mm/sec〜250mm/sec未満である場合には、基板の中心部からの距離が60mm〜80mmの位置であることを特徴とする、請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記表面処理液は純水であることを特徴とする、請求項7〜9のいずれかに記載の基板処理装置。
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