JP7479235B2 - 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7479235B2 JP7479235B2 JP2020127488A JP2020127488A JP7479235B2 JP 7479235 B2 JP7479235 B2 JP 7479235B2 JP 2020127488 A JP2020127488 A JP 2020127488A JP 2020127488 A JP2020127488 A JP 2020127488A JP 7479235 B2 JP7479235 B2 JP 7479235B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- workpiece
- flow rate
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 127
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 57
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 339
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 336
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 263
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 125
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 27
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 256
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 45
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
図1に示される基板処理システム1は、ワークWに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークWは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークWに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークW(基板)は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークWは、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
続いて、図3及び図4を参照して現像ユニットU3の一例を詳細に説明する。図3に示されるように、現像ユニットU3は、例えば、回転保持部30と、現像液供給部40(液供給部)と、リンス液供給部60とを有する。
続いて、図5及び図6を参照して制御装置100の一例について説明する。制御装置100は、現像ユニットU3を含む塗布・現像装置2を制御する。図5に示されるように、制御装置100は、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、例えば、プリウェット制御部102と、第1現像制御部104と、第2現像制御部106と、第1リンス制御部112と、第3現像制御部114と、第2リンス制御部116と、ノズル切替制御部117とを有する。各機能モジュールが実行する処理は、制御装置100が実行する処理に相当する。
続いて、図7を参照して、基板処理方法の一例として、現像ユニットU3において実行されるパターンの形成処理について説明する。図7は、一のワークWに対するパターンの形成処理の一例を示すフローチャートである。
図8は、ステップS01のプリウェット処理と、プリウェット処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置100は、回転保持部30が処理対象のワークWを保持した状態で、ステップS11,S12を実行する。ステップS11では、例えば、制御装置100が、回転保持部30によりワークWの回転を開始させる。以降のステップでは、制御装置100が回転保持部30によりワークWの回転を停止させるまで、ワークWの回転は継続される。ステップS12では、例えば、ノズル切替制御部117が、リンス液供給部60のノズル62をワークWの表面Waの中心(回転軸Ax)に対向する位置に配置するようにノズル駆動部72を制御する。
図10は、ステップS02の第1現像処理と、第1現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、上述のステップS16が実行された後に、ステップS21,S22を実行する。ステップS21では、例えば、制御装置100が、ワークWの回転速度が第1現像処理での設定値に調節されるように回転保持部30を制御する。ステップS22では、例えば、ノズル切替制御部117が、現像液供給部40のノズル42をワークWの表面Waの中心(回転軸Ax)に対向する位置に配置するようにノズル駆動部52を制御する。ノズル切替制御部117は、ノズル42の吐出口42bがワークWの表面Waの中心に対向する位置にノズル42を配置するようにノズル駆動部72を制御してもよい。
図12は、ステップS03の第2現像処理と、第2現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、上述のステップS29が実行された後に、ステップS31を実行する。ステップS31では、例えば、制御装置100が、ワークWの回転速度が第1現像処理での設定値に調節されるように回転保持部30を制御する。
図14は、ステップS04の第1リンス処理と、第1リンス処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、上述のステップS35が実行された後に、ステップS41,S42を実行する。ステップS41では、例えば、制御装置100が、ワークWの回転速度が第1リンス処理での設定値に調節されるように回転保持部30を制御する。ステップS42では、例えば、ノズル切替制御部117が、リンス液供給部60のノズル62をワークWの表面Waの中心(回転軸Ax)に対向する位置に配置するようにノズル駆動部72を制御する。
図16は、ステップS05の第3現像処理と、第3現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、上述のステップS47が実行された後に、ステップS51,S52を実行する。ステップS51では、例えば、制御装置100が、ワークWの回転速度が第3現像処理での設定値に調節されるように回転保持部30を制御する。ステップS52では、例えば、ノズル切替制御部117が、現像液供給部40のノズル42の吐出口42bがワークWの表面Waの中心(回転軸Ax)に対向する位置にノズル42を配置するように、ノズル駆動部52を制御する。
上述したパターンの形成処理及びその処理に含まれる各ステップの手順は一例であり、適宜変更可能である。例えば、上述したステップ(処理)の一部が省略されてもよいし、別の順序で各ステップが実行されてもよい。また、上述したステップのうちの任意の2以上のステップが組み合わされてもよいし、ステップの一部が修正または削除されてもよい。あるいは、上記の各ステップに加えて他のステップが実行されてもよい。
以上説明した基板処理方法は、端面42aと端面42aに開口する吐出口42bとを有するノズル42を、端面42aがワークWの表面Waに対向するように配置し、ワークWを回転させながら第1流量で吐出口42bから現像液を吐出させている状態で、ワークWの表面Wa上の現像液に端面42aを接触させながらノズル42を移動させる第1現像処理を行うことと、第1現像処理の後に、ワークWを回転させながら、ワークWの表面Waの中心に対向する位置にて端面42aをワークWの表面Wa上の現像液に接触させた状態で、第1流量よりも大きい第2流量で吐出口42bから現像液を吐出させる第2現像処理を行うこととを含む。
Claims (15)
- 一つの端面と前記端面に開口する吐出口とを有するノズルを、前記端面が基板の表面に対向するように配置し、前記基板を回転させながら第1流量で前記吐出口から現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記ノズルを移動させる第1現像処理を行うことと、
前記第1現像処理の後に、前記基板を回転させながら、前記基板の表面の中心に対向する位置にて前記端面を前記基板の表面上の前記現像液に接触させた状態で、前記第1流量よりも大きい第2流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させる第2現像処理を行うことと、を含み、
前記第2現像処理では、前記端面が前記基板の表面の中心に対向する状態が維持されつつ、前記第2流量で前記吐出口から前記現像液が吐出される、基板処理方法。 - 前記第1現像処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の外周から前記基板の中心に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記第1現像処理により前記基板の表面の中心に対向する位置に前記ノズルが配置され、当該対向する位置に前記ノズルを停止させたまま、前記吐出口からの前記現像液の吐出流量を前記第1流量から前記第2流量に増加させて前記第2現像処理を開始する、請求項1記載の基板処理方法。 - 前記第1現像処理は、スキャンアウト処理と、前記スキャンアウト処理の後に実行されるスキャンイン処理と、を含み、
前記スキャンアウト処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の中心に対向する位置から前記基板の外周に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記スキャンイン処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の外周から前記基板の中心に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記スキャンアウト処理での前記現像液の吐出の開始によって、前記基板処理方法における前記基板への前記ノズルによる前記現像液の最初の供給が開始され、
前記スキャンアウト処理及び前記スキャンイン処理においては、前記端面が前記基板の表面上の前記現像液に接触した状態が維持される、請求項1又は2記載の基板処理方法。 - 前記吐出口からの前記現像液の吐出流量が前記第2流量よりも小さい期間を間に挟んで、前記第2現像処理を間欠的に実行する、請求項1~3のいずれか一項記載の基板処理方法。
- 前記第2現像処理における前記基板の回転速度は、前記期間での前記基板の回転速度よりも大きい、請求項4記載の基板処理方法。
- 前記第2現像処理において前記基板を回転させることは、前記基板を一方向に回転させることと、当該一方向とは反対の方向に前記基板を回転させることとを含む、請求項1~5のいずれか一項記載の基板処理方法。
- 前記第2現像処理の後に、前記吐出口からの前記現像液の吐出を停止させた状態で、前記基板の表面上の前記現像液が前記基板の外に振り切られるように前記基板を回転させることを更に含む、請求項1~6のいずれか一項記載の基板処理方法。
- 前記第2現像処理の後に、前記基板を回転させながら前記基板の表面にリンス液を供給することと、
前記リンス液の供給後に、前記現像液の液溜りが形成されるように前記基板の表面に前記ノズルから前記現像液を供給し、前記現像液の液溜りを前記基板の表面上に保持する第3現像処理を行うこととを更に含む、請求項1~7のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 前記リンス液を供給することは、別のノズルから前記基板の表面に向けて前記第2流量以上の第3流量で前記リンス液を吐出させることを含む、請求項8記載の基板処理方法。
- 前記リンス液を供給する際の前記基板の回転速度は、前記第2現像処理における前記基板の回転速度以上である、請求項8又は9記載の基板処理方法。
- 前記第2現像処理の後に、前記現像液の吐出を停止させた状態で、前記ノズルを退避させるための複数回の退避動作を行うことを更に含み、
前記複数回の退避動作のそれぞれは、前記ノズルを上昇させることと、上昇させた後に前記ノズルを停止させることとを含む、請求項1~10のいずれか一項記載の基板処理方法。 - 請求項1~11のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
- 基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持されている前記基板の表面に対向する端面及び前記端面に開口し、現像液を吐出する吐出口を含むノズルと、前記基板の表面に沿って前記ノズルを移動させる駆動部とを有する液供給部と、
前記回転保持部及び前記液供給部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記回転保持部により前記基板を回転させながら第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記駆動部により前記ノズルを移動させる第1現像処理と、
前記第1現像処理の後に、前記回転保持部により前記基板を回転させながら、前記基板の表面の中心に対向する位置にて前記端面を前記基板の表面上の前記現像液に接触させた状態で、前記第1流量よりも大きい第2流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させる第2現像処理とを順に実行し、
前記第2現像処理では、前記端面が前記基板の表面の中心に対向する状態が維持されつつ、前記第2流量で前記吐出口から前記現像液が吐出される、基板処理装置。 - 前記第1現像処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の外周から前記基板の中心に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記制御部は、前記第1現像処理により前記基板の表面の中心に対向する位置に前記ノズルが配置され、当該対向する位置に前記ノズルを停止させたまま、前記吐出口からの前記現像液の吐出流量を前記第1流量から前記第2流量に増加させて前記第2現像処理を開始する、請求項13記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1現像処理において、スキャンアウト処理と、スキャンイン処理と、を順に実行し、
前記スキャンアウト処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の中心に対向する位置から前記基板の外周に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記スキャンイン処理は、前記基板を回転させながら前記第1流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の外周から前記基板の中心に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
前記スキャンアウト処理での前記現像液の吐出の開始によって、前記第1現像処理及び前記第2現像処理を含む基板処理における前記基板への前記ノズルによる前記現像液の最初の供給が開始され、
前記スキャンアウト処理及び前記スキャンイン処理においては、前記現像液の吐出を開始させる位置から、前記端面が前記基板の表面上の前記現像液に接触した状態が維持される、請求項13又は14記載の基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020127488A JP7479235B2 (ja) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
TW110125779A TW202209432A (zh) | 2020-07-28 | 2021-07-14 | 基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置 |
KR1020210093418A KR20220014295A (ko) | 2020-07-28 | 2021-07-16 | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
CN202110812427.1A CN114002920A (zh) | 2020-07-28 | 2021-07-19 | 基板处理方法、计算机可读存储介质以及基板处理装置 |
US17/385,387 US11480881B2 (en) | 2020-07-28 | 2021-07-26 | Substrate processing method, storage medium, and substrate processing apparatus |
US17/959,517 US11774854B2 (en) | 2020-07-28 | 2022-10-04 | Substrate processing method, storage medium, and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020127488A JP7479235B2 (ja) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022024733A JP2022024733A (ja) | 2022-02-09 |
JP7479235B2 true JP7479235B2 (ja) | 2024-05-08 |
Family
ID=79921439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020127488A Active JP7479235B2 (ja) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11480881B2 (ja) |
JP (1) | JP7479235B2 (ja) |
KR (1) | KR20220014295A (ja) |
CN (1) | CN114002920A (ja) |
TW (1) | TW202209432A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001005191A (ja) | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2012104602A (ja) | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
JP2017073522A (ja) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5305331B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP6013302B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 気泡除去方法、気泡除去装置、脱気装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6449752B2 (ja) | 2014-12-01 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
KR101842118B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2018-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
US9653367B2 (en) * | 2015-06-29 | 2017-05-16 | Globalfoundries Inc. | Methods including a processing of wafers and spin coating tool |
KR102414893B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-06-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
KR102099433B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2020-04-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2020
- 2020-07-28 JP JP2020127488A patent/JP7479235B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-14 TW TW110125779A patent/TW202209432A/zh unknown
- 2021-07-16 KR KR1020210093418A patent/KR20220014295A/ko active Search and Examination
- 2021-07-19 CN CN202110812427.1A patent/CN114002920A/zh active Pending
- 2021-07-26 US US17/385,387 patent/US11480881B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-04 US US17/959,517 patent/US11774854B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001005191A (ja) | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2012104602A (ja) | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
JP2017073522A (ja) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11774854B2 (en) | 2023-10-03 |
KR20220014295A (ko) | 2022-02-04 |
US20230026275A1 (en) | 2023-01-26 |
TW202209432A (zh) | 2022-03-01 |
JP2022024733A (ja) | 2022-02-09 |
CN114002920A (zh) | 2022-02-01 |
US11480881B2 (en) | 2022-10-25 |
US20220035248A1 (en) | 2022-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI647740B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7073658B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
KR102628747B1 (ko) | 현상 처리 장치, 현상 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP7479235B2 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 | |
TWI750267B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 | |
JP7329418B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP7202968B2 (ja) | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 | |
JP7025872B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP7202960B2 (ja) | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 | |
JP7344720B2 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 | |
JP7494378B2 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 | |
JP6902404B2 (ja) | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 | |
JP6538239B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
JP2022160141A (ja) | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 | |
WO2022185921A1 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 | |
JP6626734B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2003289034A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20070037789A (ko) | 감광막 현상 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7479235 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |