KR20220014295A

KR20220014295A - 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20220014295A
Application number: KR1020210093418A
Authority: KR
Inventors: 유사쿠 하시모토; 고우이치로우 다나카; 마사히로 후쿠다; 아츠시 오오코우치
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2020-07-28
Filing date: 2021-07-16
Publication date: 2022-02-04
Also published as: US11774854B2; US20230026275A1; CN114002920A; TW202209432A; JP2022024733A; US11480881B2; US20220035248A1

Abstract

본 발명은, 기판면 내에서의 현상 처리의 균일화를 도모한다. 기판 처리 방법은, 하나의 단부면과 단부면에 개구되는 토출구를 갖는 노즐을, 단부면이 기판의 표면에 대향하도록 배치하고, 기판을 회전시키면서 제1 유량으로 토출구로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 기판의 표면 상의 현상액에 단부면을 접촉시키면서 노즐을 이동시키는 제1 현상 처리를 행하는 것과, 제1 현상 처리 후에, 기판을 회전시키면서, 기판의 표면의 중심에 대향하는 위치에서 단부면을 기판의 표면 상의 현상액에 접촉시킨 상태에서, 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 토출구로부터 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 행하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 개시는, 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.

특허문헌 1에는, 기판의 중심부에, 순수로 희석한 희석 현상액의 액 고임을 형성하는 액 고임 형성 공정과, 그 후, 기판을 제1 회전 속도로 회전시켜서 희석 현상액의 액 고임을 기판의 전체면으로 확산시켜, 희석 현상액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 그 후, 기판을 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 회전시킨 상태에서, 접액면을 갖는 노즐로부터 현상액을 공급해서 기판과 접액면의 사이에 현상액의 액 고임을 형성하면서, 기판 중심을 통과하는 직경 방향으로 노즐을 이동시켜, 기판 상에 현상액을 공급하는 현상액 공급 공정을 갖는 기판 처리 방법이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2016-111345호 공보

본 개시는, 기판면 내에서의 현상 처리의 균일화에 유효한 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 및 기판 처리 장치를 제공한다.

본 개시의 일 측면에 따른 기판 처리 방법은, 하나의 단부면과 단부면에 개구되는 토출구를 갖는 노즐을, 단부면이 기판의 표면에 대향하도록 배치하고, 기판을 회전시키면서 제1 유량으로 토출구로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 기판의 표면 상의 현상액에 단부면을 접촉시키면서 노즐을 이동시키는 제1 현상 처리를 행하는 것과, 제1 현상 처리 후에, 기판을 회전시키면서, 기판의 표면의 중심에 대향하는 위치에서 단부면을 기판의 표면 상의 현상액에 접촉시킨 상태에서, 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 토출구로부터 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 행하는 것을 포함한다.

본 개시에 의하면, 기판면 내에서의 현상 처리의 균일화에 유효한 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 및 기판 처리 장치가 제공된다.

도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 모식적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 도포 현상 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 측면도이다.
도 3은 현상 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 4는 현상액을 토출하는 노즐의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 5는 제어 장치의 기능 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 6은 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 7은 패턴 형성 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 8은 프리웨트 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 프리웨트 처리의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 10은 제1 현상 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11의 (a) 내지 도 11의 (d)는 제1 현상 처리의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 제2 현상 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 13은 제2 현상 처리의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 14는 제1 린스 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 15의 (a) 내지 도 15의 (c)는 제1 린스 처리의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 16은 제3 현상 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 17은 제3 현상 처리의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 18은 제2 현상 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.

이하, 도면을 참조하여 일 실시 형태에 대해서 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.

[기판 처리 시스템]

도 1에 도시되는 기판 처리 시스템(1)은, 워크(W)에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 워크(W)는, 예를 들어 기판, 혹은 소정의 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로 등이 형성된 상태의 기판이다. 워크(W)에 포함되는 기판은, 일례로서, 실리콘을 포함하는 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는, 원형으로 형성되어 있어도 된다. 처리 대상의 워크(W)는, 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 되고, 이들 기판 등에 소정의 처리가 실시되어 얻어지는 중간체이어도 된다. 감광성 피막은, 예를 들어 레지스트막이다.

기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와, 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 워크(W)(기판)에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 장치이다. 구체적으로는, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면에 레지스트(약액)를 도포해서 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.

이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)(제어부)를 구비한다.

캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내에의 워크(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 워크(W)의 도출을 행한다. 예를 들어 캐리어 블록(4)은, 워크(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하고, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들어 원형의 복수매의 워크(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 워크(W)를 취출해서 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취해서 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 갖는다.

처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 워크(W)의 표면 상에 하층 막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 하층 막 형성용 처리액을 워크(W) 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 하층 막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.

처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 하층 막 상에 레지스트막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용 처리액을 하층 막 상에 도포한다. 레지스트막 형성용 처리액은, 중점도 이상의 레지스트액이어도 된다. 레지스트막 형성용 처리액의 점도는, 50cP 내지 1000cP이어도 되고, 100cP 내지 800cP이어도 되고, 200cP 내지 600cP이어도 된다. 열처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 레지스트막의 두께는, 5㎛ 내지 30㎛이어도 되고, 6㎛ 내지 25㎛이어도 되고, 7㎛ 내지 20㎛이어도 된다.

처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층 막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 상층 막 형성용 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 상층 막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.

처리 모듈(14)은, 현상 유닛(U3)과, 열처리 유닛(U4)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 현상 유닛(U3) 및 열처리 유닛(U4)에 의해, 노광 처리가 실시된 레지스트막의 현상 및 현상에 수반하는 열처리를 행한다. 현상 유닛(U3)은, 노광 완료된 워크(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어 냄으로써, 레지스트 패턴을 형성한다(레지스트막의 현상을 행함). 열처리 유닛(U4)은, 현상에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 현상 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.

처리 블록(5) 내에서의 캐리어 블록(4) 측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시킨다.

처리 블록(5) 내에서의 인터페이스 블록(6) 측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.

인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 예를 들어 인터페이스 블록(6)은, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 워크(W)를 노광 장치(3)에 전달한다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취해서 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.

제어 장치(100)는, 예를 들어 이하의 수순으로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U10)에 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(11)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.

다음으로 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 표면 상에 하층 막을 형성하도록, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 하층 막이 형성된 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(12)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.

다음으로 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 표면에 대하여 레지스트막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(13)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.

다음으로 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 레지스트막 상에 상층 막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.

다음으로 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 노광 장치(3)에 송출하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여, 선반 유닛(U11)에서의 처리 모듈(14)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.

다음으로 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)의 레지스트막의 현상을 행하도록 현상 유닛(U3) 및 열처리 유닛(U4)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.

또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 현상 유닛(U3)과, 이것을 제어 가능한 제어 장치(100)를 구비하고 있으면 어떤 것이어도 된다.

(현상 유닛)

계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하여 현상 유닛(U3)의 일례를 상세하게 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 현상 유닛(U3)은, 예를 들어 회전 보유 지지부(30)와, 현상액 공급부(40)(액 공급부)와, 린스액 공급부(60)를 갖는다.

회전 보유 지지부(30)는, 워크(W)를 보유 지지해서 회전시킨다. 회전 보유 지지부(30)는, 예를 들어 보유 지지부(32)와 회전 구동부(34)를 갖는다. 보유 지지부(32)는, 워크(W)의 표면(Wa)을 상방을 향한 상태에서 워크(W)의 이면을 지지하고, 당해 워크(W)를 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 보유 지지한다. 회전 구동부(34)는, 예를 들어 전동 모터 등의 동력원에 의해, 연직인 회전축(Ax) 주위로 보유 지지부(32)를 회전시킨다. 이에 의해, 회전축(Ax) 주위로 워크(W)가 회전한다. 보유 지지부(32)는, 워크(W)의 중심이 회전축(Ax)에 대략 일치하도록 워크(W)를 보유 지지해도 된다.

현상액 공급부(40)는, 보유 지지부(32)에 보유 지지되어 있는 워크(W)의 표면(Wa)에 현상액을 공급한다. 현상액은, 노광 후의 레지스트막의 제거 대상 부분을 제거하기 위한 처리액이다. 레지스트막의 제거 대상 부분은, 노광 처리 후에 있어서 현상액에 대하여 가용인 부분이다. 현상액이 포지티브형일 경우에는, 노광 처리에 있어서 노광된 부분이 현상액에 대하여 가용이다. 현상액이 네가티브형일 경우에는, 노광 처리에 있어서 노광되지 않은 부분이 현상액에 대하여 가용이다. 포지티브형 현상액의 구체예로서는, 알칼리 용액을 들 수 있다. 네가티브형 현상액의 구체예로서는, 유기 용제를 들 수 있다. 현상액 공급부(40)는, 예를 들어 노즐(42)과, 탱크(44)와, 펌프(46)와, 밸브(48)와, 노즐 구동부(52)(구동부)를 갖는다.

노즐(42)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해서 현상액을 토출한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(42)은, 하나의 단부면(42a)과 토출구(42b)를 포함한다. 단부면(42a)은, 보유 지지부(32)에 보유 지지되어 있는 워크(W)의 표면(Wa)에 대향한다. 토출구(42b)는, 단부면(42a)에 마련되어 있다(단부면(42a)에 있어서 개구되어 있음). 노즐(42)은, 원형의 단부면(42a)을 가져도 되고, 토출구(42b)는, 단부면(42a)의 중앙부에 있어서 개구되어 있어도 된다. 일례로서, 단부면(42a)의 중심이, 토출구(42b)의 중심에 대략 일치한다.

단부면(42a)의 면적은, 워크(W)의 표면(Wa)의 면적에 비해서 작다. 단부면(42a)의 면적은, 워크(W)의 표면(Wa)의 면적에 비해서 예를 들어 1 내지 15％이어도 되고, 1 내지 11％이어도 되고, 1 내지 3％이어도 된다. 노즐(42)은, 예를 들어 PTFE 등의 수지 재료에 의해 구성 가능하다. 또한, 노즐(42)은, 단부면(42a)에 점재하는 복수의 토출구(42b)를 포함하고 있어도 된다. 토출구(42b)의 형상(윤곽)은, 원형 또는 타원형이어도 되고, 다각형이어도 되고, 슬릿 형상이어도 된다. 토출구(42b)의 면적(개구 면적)은, 단부면(42a)의 면적에 비하여, 0.3％ 내지 5％ 정도이어도 된다.

도 3으로 돌아가서, 노즐(42)은, 관로(54)를 통해서 탱크(44)에 접속되어 있다. 탱크(44)는 현상액을 수용한다. 펌프(46) 및 밸브(48)는 관로(54)에 마련되어 있다. 펌프(46)는 예를 들어 벨로우즈 펌프이며, 탱크(44)로부터 노즐(42)에 현상액을 압송한다. 밸브(48)는 예를 들어 에어 오퍼레이션 밸브이며, 관로(54) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(48)를 제어함으로써, 노즐(42)로부터 현상액을 토출하는 상태와, 노즐(42)로부터 현상액을 토출하지 않는 상태의 전환이 가능하다. 또한, 펌프(46) 및 밸브(48)의 적어도 한쪽을 제어함으로써, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출 유량(단위 시간당 토출 유량)을 조절하는 것이 가능하다.

노즐 구동부(52)는 노즐(42)의 위치를 조절한다. 보다 구체적으로, 노즐 구동부(52)는, 단부면(42a)을 하방을 향하게 한 상태에서, 워크(W)의 상방을 가로 지르도록 노즐(42)을 이동시켜, 노즐(42)을 승강시킨다. 예를 들어 노즐 구동부(52)는, 전동 모터 등의 동력원에 의해 워크(W)의 표면(Wa)을 따라 노즐(42)을 이동시키는 기구와, 전동 모터 등의 동력원에 의해 노즐(42)을 승강시키는 기구를 갖는다. 노즐 구동부(52)는, 워크(W)의 표면(Wa)을 따라 노즐(42)을 이동시킬 때, 워크(W)의 회전축(Ax)을 통과하는 경로를 따라 노즐(42)을 이동시킨다. 노즐 구동부(52)는, 직선 형상의 경로를 따라 노즐(42)을 이동시켜도 되고, 굽어진 경로를 따라 노즐(42)을 이동시켜도 된다.

린스액 공급부(60)는, 보유 지지부(32)에 보유 지지되어 있는 워크(W)의 표면(Wa)에, 현상액과는 다른 린스액을 공급한다. 린스액은, 현상액을 씻어 내기 위해서 사용된다. 또한, 린스액은, 현상액의 공급 전에 표면(Wa)에 공급되는 프리웨트 액으로서도 사용된다. 린스액은, 예를 들어 순수 또는 DIW(Deionized Water)이다. 린스액 공급부(60)는 예를 들어 노즐(62)과, 탱크(64)와, 펌프(66)와, 밸브(68)와, 노즐 구동부(72)를 갖는다.

노즐(62)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해서 린스액을 토출한다. 노즐(62)은, 관로(74)를 통해서 탱크(64)에 접속되어 있다. 탱크(64)는 린스액을 수용한다. 펌프(66) 및 밸브(68)는 관로(74)에 마련되어 있다. 펌프(66)는 예를 들어 벨로우즈 펌프이며, 탱크(64)로부터 노즐(62)에 린스액을 압송한다. 밸브(68)는 예를 들어 에어 오퍼레이션 밸브이며, 관로(74) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(68)를 제어함으로써, 노즐(62)로부터 린스액을 토출하는 상태와, 노즐(62)로부터 린스액을 토출하지 않는 상태의 전환이 가능하다. 또한, 펌프(66) 및 밸브(68)의 적어도 한쪽을 제어함으로써, 노즐(62)로부터의 린스액의 토출 유량을 조절하는 것도 가능하다.

노즐 구동부(72)는, 예를 들어 전동 모터 등의 동력원에 의해 노즐(62)을 이동시킨다. 구체적으로는, 노즐 구동부(72)는, 노즐(62)의 토출구를 하방을 향하게 한 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa)을 따라 노즐(62)을 이동시킨다.

(제어 장치)

계속해서, 도 5 및 도 6을 참조하여 제어 장치(100)의 일례에 대해서 설명한다. 제어 장치(100)는, 현상 유닛(U3)을 포함하는 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 함)으로서, 예를 들어 프리웨트 제어부(102)와, 제1 현상 제어부(104)와, 제2 현상 제어부(106)와, 제1 린스 제어부(112)와, 제3 현상 제어부(114)와, 제2 린스 제어부(116)와, 노즐 전환 제어부(117)를 갖는다. 각 기능 모듈이 실행하는 처리는, 제어 장치(100)가 실행하는 처리에 상당한다.

프리웨트 제어부(102)는, 프리웨트 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 프리웨트 처리는, 워크(W)를 보유 지지하고 있는 보유 지지부(32)를 회전 구동부(34)에 의해 회전시키는 것과, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서, 린스액 공급부(60)에 의해 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급하는 것을 포함한다.

제1 현상 제어부(104)는, 제1 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제1 현상 처리는, 단부면(42a)이 워크(W)의 표면(Wa)에 대향하도록 노즐(42)을 배치하고, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서 소정의 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시키는 처리이다. 제1 유량은, 미리 정해져 있으며, 일례로서, 100ml/min 내지 700ml/min이어도 되고, 200ml/min 내지 600ml/min이어도 되고, 300ml/min 내지 500ml/min이어도 된다. 제1 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도는, 예를 들어 300rpm 내지 1000rpm이다.

제1 현상 처리에 있어서, 단부면(42a)은, 제1 현상 처리의 실행 중에 노즐(42)로부터 이미 토출되어, 표면(Wa) 상에 공급된 현상액과, 프리웨트 처리에서 공급된 린스액에 접촉한다. 이하, 노즐(42)의 단부면(42a)이, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액을 포함하는 처리액에 접촉하고 있는 상태를 「접액 상태」라고 한다. 제1 현상 처리에서는, 워크(W)를 회전시키면서 워크(W)의 표면(Wa)에 대향하는 노즐(42)의 토출구(42b)로부터 제1 유량으로 현상액을 토출시키는 것과, 접액 상태를 유지하면서 노즐(42)을 표면(Wa)을 따라 이동시키는 것이 병행해서 행하여진다.

제1 현상 제어부(104)는, 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 접액 상태를 유지하면서, 워크(W)의 반경 방향을 따라 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 왕복 이동시켜도 된다. 예를 들어, 제1 현상 제어부(104)는, 워크(W)의 표면(Wa)의 중심(회전축(Ax))과 대향하는 위치와, 워크(W)의 외주(Wb)와 대향하는 위치의 사이에서, 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 왕복 이동시킨다. 노즐(42)이 워크(W)의 중심과 대향하고 있는 상태에서는, 연직 상방에서 보아, 단부면(42a) 및 토출구(42b)의 어느 것의 위치가 워크(W)의 중심에 겹쳐 있다. 노즐(42)이 워크(W)의 외주(Wb)와 대향하고 있는 상태에서는, 연직 상방에서 보아, 단부면(42a) 및 토출구(42b)의 어느 것의 위치가 워크(W)의 외주(Wb)와 겹쳐 있다. 일례에서는, 제1 현상 제어부(104)는, 연직 상방에서 보아, 토출구(42b)가 워크(W)의 중심과 겹치는 위치와, 당해 토출구(42b)가 워크(W)의 외주(Wb)와 겹치는 위치의 사이에서, 노즐 구동부(52)에 의해 워크(W)를 왕복 이동시킨다.

제1 현상 제어부(104)는, 제1 현상 처리에 있어서, 스캔 아웃 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키고, 스캔 아웃 처리 후에 스캔 인 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 스캔 아웃 처리는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 워크(W)의 중심으로부터 워크(W)의 외주(Wb)를 향해서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시키는 처리이다. 일례에서는, 제1 현상 제어부(104)는, 접액 상태를 유지하면서, 노즐(42)의 토출구(42b)가 워크(W)의 중심과 대향하는 위치로부터 토출구(42b)가 외주(Wb)와 대향하는 위치까지, 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시킨다.

스캔 인 처리는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 워크(W)의 외주(Wb)로부터 워크(W)의 중심을 향해서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시키는 처리이다. 일례에서는, 제1 현상 제어부(104)는, 접액 상태를 유지하면서, 토출구(42b)가 워크(W)의 외주(Wb)와 대향하는 위치로부터 노즐(42)의 토출구(42b)가 워크(W)의 중심과 대향하는 위치까지, 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시킨다. 제1 현상 제어부(104)는, 스캔 아웃 처리의 실행 기간과 스캔 인 처리의 실행 기간의 사이에서, 접액 상태에서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 노즐 구동부(52)에 의해, 워크(W)의 외주(Wb)와 대향하는 위치에 소정 시간만큼 노즐(42)을 정지시켜도 된다.

제2 현상 제어부(106)는, 제1 현상 처리 후에, 제2 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제2 현상 처리는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서, 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에서 단부면(42a)을 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉시킨 상태에서, 소정의 제2 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키는 처리이다. 제2 유량은, 상기 제1 유량보다도 큰 값으로 미리 설정되어 있다. 일례로서, 제2 유량은, 300ml/min 내지 900ml/min이어도 되고, 400ml/min 내지 800ml/min이어도 되고, 500ml/min 내지 700ml/min이어도 된다.

제2 현상 제어부(106)는, 제2 유량으로 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 소정 시간만큼 연속해서 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다(제2 유량으로 현상액을 토출시키는 상태를 현상액 공급부(40)에 의해 소정 시간만큼 계속시켜도 됨). 제2 현상 처리를 연속해서 실행시키는 소정 시간은, 예를 들어 5초간 내지 20초간이다. 제2 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도는, 예를 들어 100rpm 내지 1000rpm이다.

제2 현상 제어부(106)는, 제1 현상 처리에 의해 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에 노즐(42)이 배치된 상태에서, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출 유량을 제1 유량으로부터 제2 유량으로 증가시켜 제2 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 개시시켜도 된다. 제2 현상 제어부(106)는, 제1 현상 처리의 스캔 인 처리의 종료 시점에서 노즐(42)이 배치된 위치에 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 정지시킨 채, 토출 유량을 제2 유량으로 증가시켜서 제2 현상 처리를 개시해도 된다. 제2 현상 제어부(106)는, 노즐(42)이 워크(W)의 표면(Wa)의 중심과 대향하는 영역 내 중, 제1 현상 처리의 스캔 인 처리의 종료 시점에서의 노즐(42)의 배치 위치와는 다른 위치에 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시키면서, 토출 유량을 제2 유량으로 증가시켜서 제2 현상 처리를 개시해도 된다.

제1 린스 제어부(112)는, 제2 현상 처리 후에, 제1 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제1 린스 처리는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서 린스액 공급부(60)에 의해 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급하는 처리이다. 제1 린스 제어부(112)는, 제1 린스 처리의 실행 후에 있어서, 린스액의 공급을 린스액 공급부(60)에 의해 정지시킨 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 린스액을 원심 탈액하도록 워크(W)의 회전을 회전 보유 지지부(30)에 의해 계속시켜도 된다.

제1 린스 처리에서의 노즐(62)(다른 노즐)로부터의 표면(Wa)을 향한 린스액의 토출 유량(단위 시간당 토출 유량)은, 소정의 제3 유량으로 설정되어 있다. 제3 유량은, 예를 들어 제2 현상 처리에서의 현상액의 토출 유량인 제2 유량 이상의 값으로 설정되어 있다. 일례에서는, 제3 유량은, 500ml/min 내지 1500ml/min이다. 제1 린스 처리에서의 워크(W)의 회전 속도는, 제2 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도 이상의 값으로 설정되어도 된다. 일례에서는, 제1 린스 처리에서의 워크(W)의 회전 속도는, 100rpm 내지 1500rpm이다. 일례에서는, 제1 린스 처리의 실행 시간은, 3초간 내지 15초간이다.

제3 현상 제어부(114)는, 제2 현상 처리 후(예를 들어, 제1 린스 처리 후)에, 제3 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제3 현상 처리는, 현상액의 액 고임이 형성되도록 워크(W)의 표면(Wa)에 노즐(42)로부터 현상액을 공급하고, 당해 액 고임을 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하는 처리이다. 예를 들어, 제3 현상 처리에 있어서, 제3 현상 제어부(114)는, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액의 액 고임을 형성하기 위해서, 상기 제1 현상 처리의 스캔 아웃 처리와 마찬가지의 처리(이하, 「제3 현상 처리에서의 스캔 아웃 처리」라고 함)를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제3 현상 처리에서의 스캔 아웃 처리에 있어서, 제3 현상 제어부(114)는, 제1 현상 처리와 마찬가지로 제1 유량으로 노즐(42)로부터 현상액을 토출시켜도 된다. 제3 현상 제어부(114)는, 제3 현상 처리에서의 스캔 아웃 처리와 병행하여, 워크(W)의 회전 속도를 감소시키는 감속 처리를 회전 보유 지지부(30)에 실행시킨다.

감속 처리에 있어서, 제3 현상 제어부(114)는, 워크(W)의 회전을 제1 회전 속도(예를 들어, 200rpm 내지 400rpm)로부터 당해 제1 회전 속도와는 다른 제2 회전 속도(예를 들어, 5rpm 내지 20rpm)로 감속시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 감속 처리는, 노즐(42)의 단부면(42a)의 중심(토출구(42b))이 워크(W)의 외주(Wb)에 접근함에 따라, 워크(W)의 회전 속도를 서서히 저하시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 서서히 저하시키는 것에는, 복수 단계로 단계적으로 저하시키는 것도 포함된다. 제3 현상 제어부(114)는, 단부면(42a)의 중심이 워크(W)의 외주(Wb)에 접근함에 따라서 워크(W)의 회전의 감속도를 서서히 저하시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다. 제3 현상 처리에서의 스캔 아웃 처리와 병행하여 감속 제어가 실행됨으로써, 현상액의 액 고임의 형성 과정에서, 워크(W)의 중앙부에서의 현상의 과도한 진행이 억제됨과 함께, 워크(W)의 외주부에서의 액 고임의 붕괴가 억제된다.

제3 현상 제어부(114)는, 현상액의 액 고임이 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지되도록, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 비교적 낮은 회전 속도(예를 들어, 감속 처리의 완료 시점에서의 회전 속도 이하의 회전 속도)로 회전시켜도 되고, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)의 회전을 정지시켜도 된다. 제3 현상 제어부(114)는, 예를 들어 현상액의 액 고임의 형성 후에, 제1 현상 처리와 마찬가지로, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키면서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 워크(W)의 외주(Wb)로부터 워크(W)의 중심을 향해서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시키는 스캔 인 동작(제3 현상 공정에서의 스캔 인 처리)을 행한다. 그 후, 제3 현상 제어부(114)는, 워크(W)의 회전을 정지시킨 상태를 소정 시간 계속하도록 현상 유닛(U3)을 제어한다(현상 유닛(U3)에 정지 현상을 실행시킴). 이 정지 현상에 있어서, 제3 현상 제어부(114)는, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 정지시켜도 되고, 용해 생성물의 제거 및 현상액의 치환 등에 적합하도록 설정된 소정 유량으로 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 계속시켜도 된다.

제2 린스 제어부(116)는, 제3 현상 처리 후에, 제2 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제2 린스 제어부(116)는, 예를 들어 상술한 제1 린스 처리와 마찬가지로 제2 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제2 린스 처리에서의 린스액의 토출 유량 및 워크(W)의 회전 속도는, 제1 린스 처리에서의 토출 유량 및 회전 속도와 각각 동일해도 되고, 달라도 된다. 제2 린스 제어부(116)는, 제2 린스 처리의 실행 후에 있어서, 린스액 공급부(60)에 의해 린스액의 공급을 정지시킨 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 린스액을 원심 탈액하도록(건조시키도록) 워크(W)의 회전을 회전 보유 지지부(30)에 의해 계속시켜도 된다.

노즐 전환 제어부(117)는, 상술한 제1 현상 처리, 제2 현상 처리 및 제3 현상 처리 각각의 전후에 있어서, 노즐(42)의 배치 및 퇴피의 적어도 한쪽을 행하도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 예를 들어, 노즐 전환 제어부(117)는, 제2 현상 처리 후 또는 제3 현상 처리에서의 상기 정지 현상 후에, 노즐(42)의 단부면(42a)이 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉한 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa)의 상방으로 노즐(42)을 상승시키도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 그리고, 노즐 전환 제어부(117)는, 상승시킨 노즐(42)을 워크(W)의 밖으로 퇴피시키도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 노즐 전환 제어부(117)는, 상술한 프리웨트 처리, 제1 린스 처리, 및 제2 린스 처리 각각의 전후에 있어서, 노즐(62)의 배치 및 퇴피의 적어도 한쪽을 행하도록 노즐 구동부(72)를 제어한다.

노즐 전환 제어부(117)는, 워크(W)의 표면(Wa)의 상방으로 노즐(42)을 상승시킬 때, 노즐(42)을 퇴피시키기 위한 복수회의 퇴피 동작을 실행하도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다. 복수회의 퇴피 동작 각각(각 퇴피 동작)은, 노즐(42)을 소정량만큼 상승시키는 것과, 당해 상승 후에 노즐(42)을 정지시키는 것을 포함한다. 복수회의 퇴피 동작이 실행됨으로써, 단계적으로 노즐(42)을 상승시키는 동작(복수의 상승 스텝을 포함하는 노즐 동작)이 행하여진다. 노즐 전환 제어부(117)는, 단부면(42a)에 부착된 액이 남지 않도록, 복수의 상승 스텝간에서 노즐(42)의 상승 속도가 다르도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다.

워크(W)를 보유 지지하는 보유 지지부(32)를 둘러싸는 컵의 외측에 있어서, 노즐(42)을 사용하고 있지 않은 비처리 시에 당해 노즐(42)을 내부에 대기시키고 단부면(42a)을 세정액으로 세정하는 기능을 갖는 대기 배스(도시하지 않음)가 마련되어 있는 경우가 있다. 이 경우, 노즐 전환 제어부(117)는, 액 처리 개시 시에 노즐(42)을 컵 상방으로 이동시키기 위해서 노즐(42)을 대기 배스 내로부터 밖으로 이동시킬 때, 상기와 마찬가지로, 복수의 상승 스텝을 포함하는 노즐 동작을 행하도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다. 이에 의해, 대기 배스 내에서의 노즐(42)의 단부면(42a)에의 액 부착을 방지할 수 있다.

제어 장치(100)는, 1개 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들어 제어 장치(100)는, 도 6에 도시되는 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는, 1개 또는 복수의 프로세서(122)와, 메모리(124)와, 스토리지(126)와, 입출력 포트(128)와, 타이머(132)를 갖는다. 스토리지(126)는, 예를 들어 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 방법을 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체이어도 된다. 메모리(124)는, 스토리지(126)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(122)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다.

프로세서(122)는 메모리(124)와 협동해서 상기 프로그램을 실행한다. 입출력 포트(128)는, 프로세서(122)로부터의 명령에 따라, 회전 보유 지지부(30), 현상액 공급부(40) 및 린스액 공급부(60) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(132)는, 예를 들어 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 또한, 제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 전용의 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.

[기판 처리 방법]

계속해서, 도 7을 참조하여, 기판 처리 방법의 일례로서, 현상 유닛(U3)에서 실행되는 패턴의 형성 처리에 대해서 설명한다. 도 7은, 하나의 워크(W)에 대한 패턴의 형성 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.

제어 장치(100)는, 현상 유닛(U3)(회전 보유 지지부(30))에 처리 대상의 워크(W)가 배치된 상태에서, 먼저, 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는, 예를 들어 프리웨트 제어부(102)가, 상술한 프리웨트 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 프리웨트 제어부(102)는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키고 있을 때, 린스액 공급부(60)에 의해 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급한다. 프리웨트 처리의 구체예에 대해서는 후술한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 상술한 제1 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제1 현상 제어부(104)는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키고 있을 때, 노즐(42)(토출구(42b))로부터 워크(W)의 표면(Wa)을 향해서 상기 제1 유량으로 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 노즐(42)의 단부면(42a)을 워크(W)의 표면(Wa) 상의 처리액에 접촉시키면서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시킨다. 제1 현상 처리의 구체예에 대해서는 후술한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 상술한 제2 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제2 현상 제어부(106)는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키고 있을 때, 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에 배치된 노즐(42)의 단부면(42a)을 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉시킨 상태에서, 노즐(42)의 토출구(42b)로부터 제2 유량으로 현상액을 토출시킨다. 제2 현상 처리의 구체예에 대해서는 후술한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는, 예를 들어 제1 린스 제어부(112)가, 제1 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제1 린스 제어부(112)는, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키고 있을 때, 린스액 공급부(60)에 의해 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급해도 된다. 제1 린스 처리의 구체예에 대해서는 후술한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S05를 실행한다. 스텝 S05에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 제3 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제3 현상 제어부(114)는, 현상액의 액 고임이 형성되도록 워크(W)의 표면(Wa)에 노즐(42)로부터 현상액을 공급하고, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액의 액 고임을 유지하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 제3 현상 처리의 구체예에 대해서는 후술한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S06을 실행한다. 스텝 S06에서는, 예를 들어 제2 린스 제어부(116)가, 제2 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 제2 린스 제어부(116)는, 스텝 S04의 제1 린스 처리와 마찬가지로 제2 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 이상에 의해, 하나의 워크(W)에 대한 패턴의 형성 처리가 종료된다. 이하, 상술한 스텝 S01 내지 S05의 각 스텝에 대해서, 당해 스텝의 전후 처리도 포함해서 설명한다.

(프리웨트 처리)

도 8은, 스텝 S01의 프리웨트 처리와, 프리웨트 처리 전후의 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 먼저, 제어 장치(100)는, 회전 보유 지지부(30)가 처리 대상의 워크(W)를 보유 지지한 상태에서, 스텝 S11, S12를 실행한다. 스텝 S11에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)의 회전을 개시시킨다. 이후의 스텝에서는, 제어 장치(100)가 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)의 회전을 정지시킬 때까지, 워크(W)의 회전은 계속된다. 스텝 S12에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 린스액 공급부(60)의 노즐(62)을 워크(W)의 표면(Wa)의 중심(회전축(Ax))에 대향하는 위치에 배치하도록 노즐 구동부(72)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S13을 실행한다. 스텝 S13에서는, 예를 들어 프리웨트 제어부(102)가, 노즐(62)로부터 워크(W)의 표면(Wa)에의 린스액의 공급을 린스액 공급부(60)에 의해 개시시킨다. 프리웨트 제어부(102)는, 린스액 공급부(60)의 밸브(68)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환함으로써, 린스액의 공급을 린스액 공급부(60)에 개시시켜도 된다. 이에 의해, 회전 보유 지지부(30)에 의해 회전하고 있는 워크(W)의 표면(Wa) 상에, 노즐(62)로부터 린스액(프리웨트 액)이 토출되기 시작하여, 프리웨트 처리가 개시된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S14를 실행한다. 스텝 S14에서는, 예를 들어 프리웨트 제어부(102)가, 스텝 S13에서의 린스액의 공급 개시로부터, 프리웨트 시간이 경과할 때까지 대기한다. 프리웨트 시간은, 미리 설정되어 있으며, 원하는 양의 린스액이 표면(Wa) 상에 공급될 정도로 설정되어 있다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S15를 실행한다. 스텝 S15에서는, 예를 들어 프리웨트 제어부(102)가, 노즐(62)로부터 워크(W)의 표면(Wa)에의 린스액의 공급을 린스액 공급부(60)에 의해 정지시킨다. 프리웨트 제어부(102)는, 린스액 공급부(60)의 밸브(68)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환함으로써, 린스액의 공급을 린스액 공급부(60)에 정지시켜도 된다(노즐(62)로부터의 린스액의 토출을 정지시켜도 됨). 이상의 스텝 S13 내지 S15(프리웨트 처리)가 실행됨으로써, 도 9에 도시된 바와 같이, 워크(W)가 회전축(Ax) 주위로 회전하면서, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 린스액이 공급되어, 표면(Wa) 상에 린스액의 액막(RF)이 형성된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S16을 실행한다. 스텝 S16에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 노즐(62)을 워크(W)의 표면(Wa)의 중심으로부터 워크(W)의 밖으로 퇴피시키도록 노즐 구동부(72)를 제어한다. 이상에 의해, 프리웨트 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다.

(제1 현상 처리)

도 10은, 스텝 S02의 제1 현상 처리와, 제1 현상 처리 전후의 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 제어 장치(100)는, 상술한 스텝 S16이 실행된 후에, 스텝 S21, S22를 실행한다. 스텝 S21에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 워크(W)의 회전 속도가 제1 현상 처리에서의 설정값으로 조절되도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 스텝 S22에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 현상액 공급부(40)의 노즐(42)을 워크(W)의 표면(Wa)의 중심(회전축(Ax))에 대향하는 위치에 배치하도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 노즐 전환 제어부(117)는, 노즐(42)의 토출구(42b)가 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에 노즐(42)을 배치하도록 노즐 구동부(72)를 제어해도 된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S23을 실행한다. 스텝 S23에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출과 워크(W)의 외주(Wb)를 향한 노즐(42)의 이동을 현상 유닛(U3)에 개시시킨다. 이에 의해, 상술한 스캔 아웃 처리가 개시된다. 제1 현상 제어부(104)는, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 워크(W)의 중심에 대향하고 있는 노즐(42)의 토출구(42b)로부터 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 의해 개시시키고, 워크(W)의 중심으로부터 외주(Wb)를 향한 노즐(42)의 이동을 노즐 구동부(52)에 개시시킨다. 제1 현상 제어부(104)는, 현상액 공급부(40)의 밸브(48)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환함으로써, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출을 개시시켜도 된다. 제1 현상 제어부(104)는, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출 유량이 제1 유량으로 되도록, 펌프(46) 또는 밸브(48)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S24를 실행한다. 스텝 S24에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 토출구(42b)가 외주(Wb)에 대향하는 위치에 노즐(42)이 이동할 때까지 대기한다. 제1 현상 제어부(104)는, 예를 들어 노즐 구동부(52)에 포함되는 모터의 회전 각도에 의해, 외주(Wb)에 대향하는 위치까지 노즐(42)이 이동했는지 여부를 판단한다. 이에 의해, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 유량으로 현상액을 토출하고 있는 노즐(42)이, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉하면서 회전하고 있는 워크(W)의 중심으로부터 외주(Wb)를 향해서 이동한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S25를 실행한다. 스텝 S25에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)의 이동을 정지시킨다. 이에 의해, 스캔 아웃 처리가 종료된다. 이상의 스텝 S23 내지 S25(스캔 아웃 처리)에서는, 제1 현상 제어부(104)가, 노즐(42)로부터 제1 유량으로 현상액을 토출시키도록 현상액 공급부(40)를 제어하고 있는 상태에서, 노즐(42)의 접액 상태를 유지시키면서 워크(W)의 중심으로부터 워크(W)의 외주(Wb)를 향해서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시킨다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S26을 실행한다. 스텝 S26에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 스텝 S25에서 노즐(42)의 이동이 정지하고 나서, 소정의 조절 시간이 경과할 때까지 대기한다. 제1 현상 제어부(104)는, 조절 시간이 경과할 때까지, 워크(W)의 외주(Wb)에 토출구(42b)를 대향시킨 상태에서, 제1 유량으로 노즐(42)로부터 현상액을 토출시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다. 조절 시간은, 제1 현상 처리에 있어서 워크(W)의 외주부에서의 현상을 어느 정도 진행시키는지에 따라서 미리 설정되어 있다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S27을 실행한다. 스텝 S27에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 워크(W)의 중심을 향한 노즐(42)의 이동을 현상 유닛(U3)에 개시시킨다. 이에 의해, 상술한 스캔 인 처리가 개시된다. 제1 현상 제어부(104)는, 현상액의 액 고임(DF)에 접촉하고 있는 노즐(42)의 토출구(42b)로부터의 제1 유량으로의 현상액의 토출을 계속시킨 채, 워크(W)의 외주(Wb)로부터 중심을 향한 노즐(42)의 이동을 노즐 구동부(52)에 개시시킨다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S28을 실행한다. 스텝 S28에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 토출구(42b)가 워크(W)의 중심에 대향하는 위치(회전축(Ax))에 노즐(42)이 이동할 때까지 대기한다. 제1 현상 제어부(104)는, 예를 들어 노즐 구동부(52)에 포함되는 모터의 회전 각도에 의해, 워크(W)의 중심에 대향하는 위치까지 노즐(42)이 이동했는지 여부를 판단한다. 이에 의해, 도 11의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 유량으로 현상액을 토출하고 있는 노즐(42)이, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉하면서, 회전하고 있는 워크(W)의 외주(Wb)로부터 중심을 향해서 이동한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S29를 실행한다. 스텝 S29에서는, 예를 들어 제1 현상 제어부(104)가, 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)의 이동을 정지시킨다. 이에 의해, 스캔 인 처리가 종료된다. 이상의 스텝 S27 내지 S29(스캔 인 처리)에서는, 제1 현상 제어부(104)가, 노즐(42)로부터 제1 유량으로 현상액을 토출시키도록 현상액 공급부(40)를 제어하고 있는 상태에서, 노즐(42)의 접액 상태를 유지시키면서 워크(W)의 외주(Wb)로부터 중심을 향해서 노즐 구동부(52)에 의해 노즐(42)을 이동시킨다. 이상에 의해, 제1 현상 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다.

(제2 현상 처리)

도 12는, 스텝 S03의 제2 현상 처리와, 제2 현상 처리 전후의 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 제어 장치(100)는, 상술한 스텝 S29가 실행된 후에, 스텝 S31을 실행한다. 스텝 S31에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 워크(W)의 회전 속도가 제1 현상 처리에서의 설정값으로 조절되도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S32를 실행한다. 스텝 S32에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 도 13에 도시된 바와 같이, 스텝 S29의 스캔 인 처리의 종료에 의해 토출구(42b)가 워크(W)의 중심과 대향한 상태를 노즐 구동부(52)에 유지시킨 채, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출 유량을 제1 유량으로부터 제2 유량으로 증가시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다. 제2 현상 제어부(106)는, 제2 유량으로 증가시키기 위해서, 현상액 공급부(40)의 밸브(48)의 개방도를 증가시키도록 밸브(48)를 제어해도 되고, 펌프(46)에 의한 현상액의 압송을 위한 압력을 증가시키도록 펌프(46)를 제어해도 된다. 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출 유량이 제2 유량으로 증가함으로써, 제2 현상 처리가 개시된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S33을 실행한다. 스텝 S33에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 스텝 S32에서의 제2 현상 처리의 개시로부터, 중심 토출 시간이 경과할 때까지 대기한다. 중심 토출 시간은, 미리 설정되어 있으며, 이 제2 현상 처리와, 스텝 S02의 제1 현상 처리와, 상세는 후술하는 스텝 S05에서의 제3 현상 처리를 포함한 현상 처리에 있어서, 레지스트막의 현상이 충분히 진행될 정도로 설정되어 있다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S34를 실행한다. 스텝 S34에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 정지시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다. 제2 현상 제어부(106)는, 현상액 공급부(40)의 밸브(48)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환함으로써, 노즐(42)의 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출을 정지시킨다. 이상의 스텝 S32 내지 S34(제2 현상 처리)에서는, 제2 현상 제어부(106)가, 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에서 노즐(42)의 접액 상태를 유지시키면서, 노즐(42)로부터 제2 유량으로 현상액을 토출시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S35를 실행한다. 스텝 S35에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 노즐(42)을 워크(W)의 표면(Wa)의 중심으로부터 워크(W)의 밖으로 퇴피시키도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 이때, 워크(W)의 표면(Wa) 상에는 현상액의 액 고임(DF)이 형성되어 있다. 이상에 의해, 제2 현상 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다. 또한, 노즐 전환 제어부(117)는, 스텝 S35에서 노즐(42)을 퇴피시킬 때, 노즐(42)을 단계적으로 상승시키는 상술한 복수회의 퇴피 동작을 행하도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다.

(제1 린스 처리)

도 14는, 스텝 S04의 제1 린스 처리와, 제1 린스 처리 전후의 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 제어 장치(100)는, 상술한 스텝 S35가 실행된 후에, 스텝 S41, S42를 실행한다. 스텝 S41에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 워크(W)의 회전 속도가 제1 린스 처리에서의 설정값으로 조절되도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 스텝 S42에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 린스액 공급부(60)의 노즐(62)을 워크(W)의 표면(Wa)의 중심(회전축(Ax))에 대향하는 위치에 배치하도록 노즐 구동부(72)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S43, S44를 실행한다. 스텝 S43에서는, 예를 들어 제1 린스 제어부(112)가, 도 15의 (a)에 도시된 바와 같이, 회전축(Ax)에 배치된 노즐(62)로부터 워크(W)의 표면(Wa)에의 린스액의 공급을 개시시키도록 린스액 공급부(60)를 제어한다. 제1 린스 제어부(112)는, 린스액 공급부(60)의 밸브(68)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환함으로써, 노즐(62)로부터의 린스액의 토출을 개시시켜도 된다. 제1 린스 제어부(112)는, 노즐(62)로부터의 린스액의 토출 유량이 제3 유량으로 되도록 펌프(66) 또는 밸브(68)를 제어해도 된다. 스텝 S44에서는, 예를 들어 제1 린스 제어부(112)가, 스텝 S43에서의 린스액의 토출 개시로부터 린스 시간이 경과할 때까지 대기한다. 린스 시간은, 미리 설정되어 있으며, 예를 들어, 도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액의 액 고임(DF)이, 린스액의 액막(RF)으로 치환될 정도로 설정되어 있다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S45를 실행한다. 스텝 S45에서는, 예를 들어 제1 린스 제어부(112)가, 노즐(62)로부터 워크(W)의 표면(Wa)에의 린스액의 공급을 정지하도록 린스액 공급부(60)를 제어한다. 제1 린스 제어부(112)는, 린스액 공급부(60)의 밸브(68)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환함으로써, 노즐(62)로부터의 린스액의 토출을 정지시켜도 된다. 이상의 스텝 S42 내지 S44(제1 린스 처리)에서는, 제2 린스 제어부(116)가, 회전시키고 있는 워크(W)의 표면(Wa)을 향해서 제3 유량으로 노즐(62)로부터 린스액을 토출시킴으로써, 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액이 공급된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S46, S47을 실행한다. 스텝 S46에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 노즐(62)을 워크(W)의 중심으로부터 워크(W)의 밖으로 퇴피시키도록 노즐 구동부(72)를 제어한다. 스텝 S47에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 스텝 S45에서의 린스액의 공급 정지로부터 원심 탈액 시간이 경과할 때까지 대기한다. 원심 탈액 시간은, 미리 설정되어 있으며, 예를 들어, 도 15의 (c)에 도시된 바와 같이, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 린스액의 적어도 일부가 워크(W)의 밖으로 원심 탈액될 정도로 설정되어 있다. 또한, 제어 장치(100)는, 린스액의 공급을 정지시킨 후의 워크(W)의 회전 속도를, 제1 린스 처리에서의 회전 속도보다도 증가시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다. 이상에 의해, 제1 린스 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다.

(제3 현상 처리)

도 16은, 스텝 S05의 제3 현상 처리와, 제3 현상 처리 전후의 처리를 포함하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 제어 장치(100)는, 상술한 스텝 S47이 실행된 후에, 스텝 S51, S52를 실행한다. 스텝 S51에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 워크(W)의 회전 속도가 제3 현상 처리에서의 설정값으로 조절되도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 스텝 S52에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 현상액 공급부(40)의 노즐(42)의 토출구(42b)가 워크(W)의 표면(Wa)의 중심(회전축(Ax))에 대향하는 위치에 노즐(42)을 배치하도록, 노즐 구동부(52)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S53을 실행한다. 스텝 S53에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출, 외주(Wb)를 향한 노즐(42)의 이동, 및 워크(W)의 회전 속도의 감속 처리를 현상 유닛(U3)에 개시시킨다. 제3 현상 제어부(114)는, 노즐(42)의 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 의해 개시시키고, 워크(W)의 중심으로부터 외주(Wb)를 향한 노즐(42)의 이동을 노즐 구동부(52)에 개시시킨다. 제3 현상 제어부(114)는, 현상액 공급부(40)의 밸브(48)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환함으로써, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 개시시켜도 된다. 제3 현상 제어부(114)는, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출 유량이 제1 유량으로 되도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S54를 실행한다. 스텝 S54에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 토출구(42b)가 외주(Wb)에 대향하는 위치에 노즐(42)이 이동할 때까지 대기한다. 제3 현상 제어부(114)는, 예를 들어 노즐 구동부(52)에 포함되는 모터의 회전 각도에 의해, 외주(Wb)에 대향하는 위치까지 노즐(42)이 이동했는지 여부를 판단한다. 이에 의해, 당해 처리에서의 현상액의 토출에 의해 워크(W)의 표면(Wa) 상에 형성되는 현상액에 접촉하고 있는 상태의 노즐(42)이, 현상액의 토출을 계속하면서, 회전하고 있는 워크(W)의 중심으로부터 외주(Wb)를 향해서 이동한다(제3 현상 처리에서의 스캔 아웃 처리가 행하여짐). 이때, 제3 현상 제어부(114)는, 노즐(42)의 단부면(42a)의 중심(토출구(42b))이 워크(W)의 외주(Wb)에 접근함에 따라, 워크(W)의 회전 속도를 서서히 저하시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S55를 실행한다. 스텝 S55에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출 및 노즐(42)의 이동을 현상액 공급부(40)에 의해 정지시키고, 워크(W)의 회전의 감속을 회전 보유 지지부(30)에 완료시킨다. 제3 현상 제어부(114)는, 밸브(48)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환함으로써, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 정지시킨다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S56, S57을 실행한다. 스텝 S56에서는, 예를 들어 노즐 전환 제어부(117)가, 워크(W)의 외주(Wb)에 대향하는 위치에 정지하고 있는 노즐(42)을 워크(W)의 밖으로 퇴피시키도록 노즐 구동부(52)를 제어한다. 또한, 노즐 전환 제어부(117)는, 스텝 S56에서 노즐(42)을 퇴피시킬 때, 노즐(42)을 단계적으로 상승시키는 상술한 복수회의 퇴피 동작을 행하도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다. 스텝 S57에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 워크(W)의 회전을 정지시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S58을 실행한다. 스텝 S58에서는, 예를 들어 제3 현상 제어부(114)가, 스텝 S55에서의 현상액의 토출 정지로부터 현상 시간이 경과할 때까지 대기한다. 이 경우, 도 17에 도시된 바와 같이, 워크(W)의 회전의 정지에 의해, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액의 액 고임(DF)이 형성된 상태가 유지된다. 또한, 제3 현상 제어부(114)는, 워크(W)의 회전을 정지시키지 않고, 워크(W)를 저회전(예를 들어, 스텝 S56의 감속 제어의 종료 시점에서의 회전 속도)으로 회전 보유 지지부(30)에 의해 유지함으로써, 현상액의 액 고임(DF)이 형성된 상태를 현상 유닛(U3)에 유지시켜도 된다. 현상 시간은, 미리 설정되어 있으며, 레지스트막의 현상이 충분히 진행될 정도로 설정되어 있다. 스텝 S58에서, 현상 시간이 경과함으로써, 제3 현상 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다.

(변형예)

상술한 패턴의 형성 처리 및 그 처리에 포함되는 각 스텝의 수순은 일례이며, 적절히 변경 가능하다. 예를 들어, 상술한 스텝(처리)의 일부가 생략되어도 되고, 다른 순서로 각 스텝이 실행되어도 된다. 또한, 상술한 스텝 중 임의의 2 이상의 스텝이 조합되어도 되고, 스텝의 일부가 수정 또는 삭제되어도 된다. 혹은, 상기 각 스텝에 더하여 다른 스텝이 실행되어도 된다.

제2 현상 제어부(106)는, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출 유량이 상기 제2 유량보다도 작은 기간을 사이에 두고, 제2 현상 처리를 간헐적으로 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 토출 유량이 상기 제2 유량보다도 작은 기간에서는, 제어 장치(100)는, 제2 유량보다도 작은 유량으로 노즐(42)로부터 현상액이 토출되도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 혹은, 제어 장치(100)는, 노즐(42)로부터 현상액이 토출되지 않도록(토출이 정지하도록) 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 이와 같이, 토출 유량이 제2 유량보다도 작은 기간에는, 제2 유량보다도 작은 유량으로 현상액을 토출시키고 있는 기간, 및 현상액을 토출시키지 않고 있는 기간이 포함된다. 토출 유량이 제2 유량보다도 작은 기간에서는, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 회전을 제2 현상 처리와 동일한 회전 속도로 회전 보유 지지부(30)에 의해 유지시켜도 된다.

제2 현상 처리를 간헐적으로 실행하는 경우에 있어서, 제2 현상 제어부(106)는, 제2 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도가, 간헐적으로 실행되는 제2 현상 처리의 사이에서 토출 유량을 제2 유량보다도 작게 하고 있는 기간에서의 워크(W)의 회전 속도보다도 커지도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다. 제2 현상 처리에서의 회전 속도를, 토출 유량이 제2 유량보다도 작은 기간에서의 회전 속도보다도 크게 함으로써, 용해 생성물의 제거의 촉진 및 현상의 진행 정도의 조정이 행하여져도 된다.

제2 현상 처리에 있어서 제2 유량으로 현상액을 토출시킬 때의 노즐(42)의 높이 위치는, 제1 현상 처리 및 제3 현상 처리 등의 다른 현상 처리에서의 노즐(42)의 높이 위치보다도 높아도 된다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 제2 현상 처리의 개시 전에 있어서, 제1 현상 처리의 종료 후에 노즐(42)을 상방으로 이동시키도록 노즐 구동부(52)를 제어해도 된다. 이 경우, 제2 현상 처리에 있어서 단부면(42a) 중 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉하는 부분이, 제1 현상 처리에 있어서 현상액에 접촉하는 부분보다도 작은 상태가 된다. 이 상태에서는, 단부면(42a)의 대략 전체가 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉하는 상태보다도, 현상액의 토출 유량이 저하된 경우에도, 토출구(42b)의 연직 하방의 액 고임이 작아진다. 그 때문에, 현상액의 흐름이 변화하기 쉬워(원활하게 변화하여), 기포를 유발하는 현상액 내의 압력 저하 및 순간적인 액 끊김 등이 발생할 가능성이 저하된다고 생각된다.

제2 현상 제어부(106)는, 제2 현상 처리에 있어서, 워크(W)의 회전 방향을 변화시켜도 된다. 구체적으로는, 제2 현상 제어부(106)는, 워크(W)를 하나의 회전 방향(정회전: 예를 들어, 시계 방향)으로 회전시키는 것과, 당해 회전 방향과는 반대의 회전 방향(역회전: 예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시키는 것을 교대로 행하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다. 이와 같이, 제2 현상 처리에 있어서 정회전과 역회전 양쪽으로 워크(W)를 회전시킴으로써, 정회전 시와 역회전 시에 워크(W)의 표면(Wa)의 각 위치에서 현상액의 흐름이 바뀐다. 그 때문에, 현상에 의해 패턴 생성이 시작되고 있는 워크(W)의 표면(Wa)으로부터 용해 생성물을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 표면(Wa)에서의 현상액의 흐름이 바뀌기 때문에, 면 내의 국소적인 현상의 진행의 치우침을 억제할 수 있다. 제2 현상 제어부(106)는, 제2 현상 처리에 있어서, 정회전에서의 워크(W)의 회전과 역회전에서의 워크(W)의 회전을 복수회 반복하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다.

제어 장치(100)는, 스텝 S04에서의 제1 린스 처리 대신에, 또는 제1 린스 처리에 더하여(제1 린스 처리 전에), 현상액을 워크(W)의 밖으로 원심 탈액하는 원심 탈액 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 도 5에 도시는 바와 같이, 기능 모듈로서, 원심 탈액 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키는 원심 탈액 제어부(118)를 또한 가져도 된다. 원심 탈액 처리는, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 의해 정지시킨 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액이 워크(W)의 밖으로 원심 탈액되도록, 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)를 회전시키는 처리이다. 원심 탈액 처리에서의 회전 속도 및 회전 시간은, 현상액을 워크(W)의 밖으로 원심 탈액할(표면(Wa) 상의 현상액을 배출할) 수 있을 정도로 각각 설정되어 있으며, 일례에서는, 스텝 S03에서의 제2 현상 처리에서의 회전 속도 및 현상액의 토출 시간과 동일 정도로 각각 설정되어 있다.

도 18은, 제2 현상 처리를 간헐적으로 실행하여, 제2 현상 처리에 계속해서 원심 탈액 처리를 실행시키는 경우의 흐름도를 나타내고 있다. 제어 장치(100)는, 먼저 스텝 S71을 실행한다. 스텝 S71에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 제2 유량에서의 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 의해 개시시킨다. 이에 의해 제2 현상 처리가 개시된다. 이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S72를 실행한다. 스텝 S72에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 스텝 S71에서의 제2 현상 처리의 개시로부터, 미리 정해진 ON 시간이 경과할 때까지 대기한다. 이에 의해, ON 시간이 경과할 때까지, 제2 현상 처리(제2 유량으로 현상액을 토출하고 있는 상태)가 계속된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S73, S74를 실행한다. 스텝 S73에서는, 예를 들어 제2 현상 제어부(106)가, 노즐(42)로부터의 현상액의 토출을 현상액 공급부(40)에 의해 정지시킨다. 이에 의해, 제2 현상 처리가 일시적으로 중단된다. 스텝 S74에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 스텝 S73에서의 현상액의 토출 정지로부터, 미리 정해진 OFF 시간이 경과할 때까지 대기한다. 이에 의해, OFF 시간이 경과할 때까지, 제2 현상 처리가 행하여지지 않고 있는 상태(현상액의 토출이 정지하고 있는 상태)가 계속된다.

이어서, 제어 장치(100)는 스텝 S75를 실행한다. 스텝 S75에서는, 예를 들어 제어 장치(100)가, 제2 현상 처리의 실행 기간의 합계가, 미리 정해진 중앙 토출 시간을 초과했는지 여부를 판단한다. 스텝 S75에서, 제2 처리 시간의 실행 기간의 합계가 중앙 토출 시간을 초과하지 않았다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는 스텝 S71 내지 S75를 반복한다. 스텝 S75에서 사용되는 중앙 토출 시간은, 복수회의 제2 현상 처리가 간헐적으로 실행되도록 설정되어 있다. ON 시간과 OFF 시간은, 예를 들어 현상액의 진행과 현상액의 절약의 밸런스를 고려해서 설정되어 있다.

스텝 S75에서, 복수회의 제2 현상 처리의 실행 기간의 합계가 중앙 토출 시간을 초과했다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는 스텝 S76을 실행한다. 스텝 S76에서는, 예를 들어 원심 탈액 제어부(118)가, 스텝 S75에서 중앙 토출 시간을 초과했다고 판단되었을 때부터, 미리 정해진 원심 탈액 시간이 경과할 때까지 대기한다. 이에 의해, 원심 탈액 시간에 있어서, 노즐(42)로부터 현상액이 토출되지 않은 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액이 워크(W)의 밖으로 원심 탈액되도록 회전 보유 지지부(30)에 의해 워크(W)가 회전한다. 또한, 원심 탈액 제어부(118)는, 스텝 S76을 실행하기 전에, 원심 탈액 처리에서의 워크(W)의 회전 속도의 설정값으로 되도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다. 이상에 의해, 간헐적으로 실행되는 제2 현상 처리와 원심 탈액 처리를 포함하는 일련의 처리가 종료된다.

제어 장치(100)는, 제1 현상 처리에 있어서, 스캔 아웃 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키지 않고, 스캔 인 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 제어 장치(100)는, 스캔 인 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨 후에, 스캔 아웃 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 제어 장치(100)는, 복수회의 스캔 인 처리와 복수회의 스캔 아웃 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 스캔 인 처리의 실행 횟수와 스캔 아웃 처리의 실행 횟수가 서로 달라도 된다.

제어 장치(100)는, 제1 린스 처리(또는 원심 탈액 처리)를 생략해도 된다. 제어 장치(100)는, 예를 들어 레지스트막 형성용 처리액의 점도(레지스트막의 두께)에 따라, 제1 린스 처리를 생략해도 된다. 제어 장치(100)는, 레지스트막 형성용 처리액의 종류(점도), 또는 레지스트막의 두께를 나타내는 종별 정보에 따라, 제2 현상 처리와 제1 린스 처리의 실행 가부를 판정해도 된다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 종별 정보에 따라서 3단계로 나누어, 제2 현상 처리와 제1 린스 처리의 실행 가부를 판정해도 된다. 일례에서는, 제어 장치(100)는, 종별 정보가 나타내는 점도 또는 막 두께가 제1 역치보다도 작은 경우, 제2 현상 처리와 제1 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키지 않아도 된다. 제어 장치(100)는, 종별 정보가 나타내는 점도 또는 막 두께가, 제1 역치보다도 크고, 제2 역치보다도 작은 경우, 제2 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키고, 제1 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시키지 않아도 된다. 제2 역치는, 제1 역치보다도 큰 값으로 설정되어 있다. 제어 장치(100)는, 종별 정보가 나타내는 점도 또는 막 두께가, 제2 역치보다도 큰 경우, 제2 현상 처리와 제1 린스 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시켜도 된다. 또한, 종별 정보에 따라, 제어 장치(100) 대신에, 오퍼레이터에 의해 제2 현상 처리와 제1 린스 처리의 실행 가부가 미리 설정되어 있어도 된다.

[실시 형태의 효과]

이상 설명한 기판 처리 방법은, 단부면(42a)과 단부면(42a)에 개구되는 토출구(42b)를 갖는 노즐(42)을, 단부면(42a)이 워크(W)의 표면(Wa)에 대향하도록 배치하여, 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 노즐(42)을 이동시키는 제1 현상 처리를 행하는 것과, 제1 현상 처리 후에, 워크(W)를 회전시키면서, 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에서 단부면(42a)을 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 접촉시킨 상태에서, 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 행하는 것을 포함한다.

현상액을 사용한 현상 처리의 대상이 되는 피막의 막 두께 분포에서는, 워크(W)의 외주부의 막 두께에 비하여 중앙부의 막 두께가 큰 경향이 있다. 그 때문에, 워크(W)의 중앙부에서는, 워크(W)의 외주부에 비하여, 막 두께 방향에서의 현상의 정도가 부족해버리는 경우가 있다. 또한, 중앙부와 외주부에서 현상의 정도를 균일화했다고 해도, 막 두께가 큰 중앙부에서는 현상의 정도가 부족해버리는 경우도 있다. 이에 반해, 상기 기판 처리 방법 및 도포·현상 장치(2)에서는, 제1 현상 처리 후에 있어서, 현상액이 워크(W)의 표면(Wa)의 중심 부근에 토출된다. 이에 의해, 제2 현상 처리에서는, 외주부에 비하여 중앙부에서의 현상이 보다 진행되므로, 워크(W)의 중앙부와 외주부의 사이에서의 현상의 진행 정도의 차가 작아져, 중앙부에서의 현상의 부족이 해소된다. 따라서, 워크(W)면 내에서의 현상 처리의 균일화에 유효하다. 또한, 제1 현상 처리에서의 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 현상액을 토출함으로써, 현상을 빨리 진행시켜, 현상에 수반하여 발생하는 용해 생성물을 워크(W)의 밖으로 빠르게 배출할 수 있다.

제1 현상 처리는, 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 워크(W)의 외주(Wb)로부터 워크(W)의 중심을 향해서 노즐(42)을 이동시키는 것을 포함해도 된다. 상기 기판 처리 방법은, 제1 현상 처리에 의해 워크(W)의 표면(Wa)의 중심에 대향하는 위치에 노즐(42)이 배치된 상태에서, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출 유량을 제1 유량으로부터 제2 유량으로 증가시켜서 제2 현상 처리를 개시해도 된다. 이 경우, 제1 현상 처리에서 제2 현상 처리로 이행할 때까지의 기간을 짧게 할 수 있으므로, 현상 처리의 효율화에 유효하다.

제1 현상 처리는, 제1 유량으로 현상액을 토출시키고 있는 노즐(42)을 워크(W)의 외주(Wb)로부터 워크(W)의 중심을 향해서 이동시키기 전에, 워크(W)를 회전시키면서 제1 유량으로 토출구(42b)로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액에 단부면(42a)을 접촉시키면서 워크(W)의 중심으로부터 워크(W)의 외주(Wb)를 향해서 노즐(42)을 이동시키는 것을 더 포함해도 된다. 이 경우, 제1 현상 처리에 있어서, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 적어도 2회의 현상액의 도포가 행하여진다. 첫번째의 도포에 의해, 워크(W)의 표면(Wa)에 대한 현상액의 접촉각이 저하되므로, 두번째의 도포에 있어서 현상액을 용이하게 확산시킬 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출 유량이 제2 유량보다도 작은 기간을 사이에 두고, 제2 현상 처리를 간헐적으로 실행해도 된다. 이 경우, 현상액의 사용량을 저감시키면서, 제2 현상 처리의 사이에서 용해 생성물을 워크(W)의 밖으로 배출할 수 있다.

제2 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도는, 간헐적으로 실행되는 제2 현상 처리의 사이에서 현상액의 토출 유량을 제2 유량보다도 작게 하고 있는 기간에서의 워크(W)의 회전 속도보다도 커도 된다. 이 경우, 용해 생성물의 제거를 촉진하면서, 현상의 진행 정도를 조절할 수 있다.

제2 현상 처리에 있어서 워크(W)를 회전시키는 것이란, 워크(W)를 일 방향으로 회전시키는 것과, 당해 일 방향과는 반대의 방향으로 워크(W)를 회전시키는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 워크(W)의 표면(Wa)에서의 각 위치에서 현상액의 흐름이 바뀌기 때문에, 현상에 의해 패턴 생성이 시작되고 있는 워크(W)의 표면(Wa)으로부터 용해 생성물을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 표면(Wa)에서의 현상액의 흐름이 바뀌기 때문에, 면 내의 국소적인 현상의 진행의 치우침을 억제할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 제2 현상 처리 후에, 토출구(42b)로부터의 현상액의 토출을 정지시킨 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액이 워크(W)의 밖으로 원심 탈액되도록 워크(W)를 회전시키는 것을 더 포함해도 된다. 이 경우, 제2 현상 처리에 수반하여 워크(W)의 표면(Wa) 상에 발생하는 용해 생성물을 보다 확실하게 제거할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 제2 현상 처리 후에, 워크(W)를 회전시키면서 워크(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급하는 것과, 린스액의 공급 후에, 현상액의 액 고임이 형성되도록 워크(W)의 표면(Wa)에 노즐(42)로부터 현상액을 공급하여, 현상액의 액 고임을 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지하는 제3 현상 처리를 행하는 것을 더 포함해도 된다. 이 경우, 제3 현상 처리 전에, 린스액에 의해, 제2 현상 처리에 수반하여 워크(W)의 표면(Wa) 상에 발생하는 용해 생성물을 보다 확실하게 제거할 수 있다.

린스액을 공급하는 것은, 노즐(62)로부터 워크(W)의 표면(Wa)을 향해서 제2 유량 이상의 제3 유량으로 린스액을 토출시키는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 제2 현상 처리에 수반하여 워크(W)의 표면(Wa) 상에 발생하는 용해 생성물을 빠르게 제거할 수 있다.

린스액을 공급할 때의 워크(W)의 회전 속도는, 제2 현상 처리에서의 워크(W)의 회전 속도 이상이어도 된다. 이 경우, 제2 현상 처리에 수반하여 워크(W)의 표면(Wa) 상에 발생하는 용해 생성물을 빠르게 제거할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 제2 현상 처리 후에, 현상액의 토출을 정지시킨 상태에서, 노즐(42)을 퇴피시키기 위한 복수회의 퇴피 동작을 행하는 것을 더 포함해도 된다. 복수회의 퇴피 동작 각각은, 노즐(42)을 상승시키는 것과, 상승시킨 후에 노즐(42)을 정지시키는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 복수회의 퇴피 동작을 행함으로써, 노즐(42)의 단부면(42a)에 부착된 현상액을 제거할 수 있어, 노즐(42)을 워크(W)의 밖으로 퇴피시킬 때 단부면(42a)으로부터 현상액이 낙하할 가능성을 저하시킬 수 있다.

레지스트막 형성용 처리액이 중점도 이상의 레지스트액일 경우, 막 두께 분포에 있어서 중앙부가 외주부에 비해서 솟아오르는 경향이 커진다. 또한, 중점도 이상의 레지스트액을 사용하는 경우, 레지스트막의 두께가 커진다(예를 들어, 5㎛ 이상이 됨). 제2 현상 처리에서는, 워크(W)를 회전시키면서 현상액을 토출하고 있으므로, 워크(W)의 중앙부뿐만 아니라 외주부에서도 현상을 진행시킬 수 있다. 그 때문에, 제3 현상 처리만으로는 충분히 현상할 수 없을 정도의 막 두께이어도, 제2 현상 처리도 행함으로써 막 전체에서의 현상을 진행시킬 수 있다. 따라서, 상기 기판 처리 방법 및 도포·현상 장치(2)는, 중점도 이상의 레지스트액을 사용하는 경우에 더욱 유용하다.

Claims

하나의 단부면과 상기 단부면에 개구되는 토출구를 갖는 노즐을, 상기 단부면이 기판의 표면에 대향하도록 배치하고, 상기 기판을 회전시키면서 제1 유량으로 상기 토출구로부터 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 상기 단부면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시키는 제1 현상 처리를 행하는 것과,
상기 제1 현상 처리 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심에 대향하는 위치에서 상기 단부면을 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 접촉시킨 상태에서, 상기 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 상기 토출구로부터 상기 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 행하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 현상 처리는, 상기 기판을 회전시키면서 상기 제1 유량으로 상기 토출구로부터 상기 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 상기 단부면을 접촉시키면서 상기 기판의 외주로부터 상기 기판의 중심을 향해서 상기 노즐을 이동시키는 것을 포함하고,
상기 제1 현상 처리에 의해 상기 기판의 표면의 중심에 대향하는 위치에 상기 노즐이 배치된 상태에서, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 토출 유량을 상기 제1 유량으로부터 상기 제2 유량으로 증가시켜서 상기 제2 현상 처리를 개시하는, 기판 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 제1 현상 처리는, 상기 제1 유량으로 상기 현상액을 토출시키고 있는 상기 노즐을 상기 기판의 외주로부터 상기 기판의 중심을 향해서 이동시키기 전에, 상기 기판을 회전시키면서 상기 제1 유량으로 상기 토출구로부터 상기 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 상기 단부면을 접촉시키면서 상기 기판의 중심으로부터 상기 기판의 외주를 향해서 상기 노즐을 이동시키는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 토출 유량이 상기 제2 유량보다도 작은 기간을 사이에 두고, 상기 제2 현상 처리를 간헐적으로 실행하는, 기판 처리 방법.
제4항에 있어서, 상기 제2 현상 처리에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는, 간헐적으로 실행되는 상기 제2 현상 처리의 사이에서 상기 현상액의 토출 유량을 상기 제2 유량보다도 작게 하고 있는 기간에서의 상기 기판의 회전 속도보다도 큰, 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 현상 처리에 있어서 상기 기판을 회전시키는 것은, 상기 기판을 제1 방향으로 회전시키는 것과, 당해 제1 방향과는 반대의 제2 방향으로 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 현상 처리 후에, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 토출을 정지시킨 상태에서, 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액이 상기 기판의 밖으로 원심 탈액되도록 상기 기판을 회전시키는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 현상 처리 후에, 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 것과,
상기 린스액의 공급 후에, 상기 현상액의 액 고임이 형성되도록 상기 기판의 표면에 상기 노즐로부터 상기 현상액을 공급하고, 상기 현상액의 액 고임을 상기 기판의 표면 상에 유지하는 제3 현상 처리를 행하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
제8항에 있어서, 상기 린스액을 공급하는 것은, 다른 노즐로부터 상기 기판의 표면을 향해서 상기 제2 유량 이상의 제3 유량으로 상기 린스액을 토출시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
제8항에 있어서, 상기 린스액을 공급할 때의 상기 기판의 회전 속도는, 상기 제2 현상 처리에서의 상기 기판의 회전 속도 이상인, 기판 처리 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 현상 처리 후에, 상기 현상액의 토출을 정지시킨 상태에서, 상기 노즐을 퇴피시키기 위한 복수회의 퇴피 동작을 행하는 것을 더 포함하고,
상기 복수회의 퇴피 동작 각각은, 상기 노즐을 상승시키는 것과, 상승시킨 후에 상기 노즐을 정지시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
제1항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
기판을 보유 지지해서 회전시키는 회전 보유 지지부와,
상기 회전 보유 지지부에 보유 지지되어 있는 상기 기판의 표면에 대향하는 단부면 및 상기 단부면에 개구되어, 현상액을 토출하는 토출구를 포함하는 노즐과, 상기 기판의 표면을 따라 상기 노즐을 이동시키는 구동부를 포함하는 액 공급부와,
상기 회전 보유 지지부 및 상기 액 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 회전 보유 지지부에 의해 상기 기판을 회전시키면서 제1 유량으로 상기 토출구로부터 상기 현상액을 토출시키고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 상기 단부면을 접촉시키면서 상기 구동부에 의해 상기 노즐을 이동시키는 제1 현상 처리와,
상기 제1 현상 처리 후에, 상기 회전 보유 지지부에 의해 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심에 대향하는 위치에서 상기 단부면을 상기 기판의 표면 상의 상기 현상액에 접촉시킨 상태에서, 상기 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 상기 토출구로부터 상기 현상액을 토출시키는 제2 현상 처리를 차례로 실행하는, 기판 처리 장치.