JP2022024733A - 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】基板面内における現像処理の均一化を図る。【解決手段】基板処理方法は、一つの端面と端面に開口する吐出口とを有するノズルを、端面が基板の表面に対向するように配置し、基板を回転させながら第１流量で吐出口から現像液を吐出させている状態で、基板の表面上の現像液に端面を接触させながらノズルを移動させる第１現像処理を行うことと、第１現像処理の後に、基板を回転させながら、基板の表面の中心に対向する位置にて端面を基板の表面上の現像液に接触させた状態で、第１流量よりも大きい第２流量で吐出口から現像液を吐出させる第２現像処理を行うこととを含む。【選択図】図１３

Description

本開示は、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、基板の中心部に、純水で希釈した希釈現像液の液溜りを形成する液溜り形成工程と、その後、基板を第１の回転速度で回転させて希釈現像液の液溜りを基板の全面に拡散させ、希釈現像液の液膜を形成する液膜形成工程と、その後、基板を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で回転させた状態で、接液面を有するノズルから現像液を供給して基板と接液面との間に現像液の液溜りを形成しつつ、基板中心を通る径方向にノズルを移動させて、基板上に現像液を供給する現像液供給工程と、を有する基板処理方法が開示されている。
特開２０１６－１１１３４５号公報
本開示は、基板面内における現像処理の均一化に有効な基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置を提供する。
本開示の一側面に係る基板処理方法は、一つの端面と端面に開口する吐出口とを有するノズルを、端面が基板の表面に対向するように配置し、基板を回転させながら第１流量で吐出口から現像液を吐出させている状態で、基板の表面上の現像液に端面を接触させながらノズルを移動させる第１現像処理を行うことと、第１現像処理の後に、基板を回転させながら、基板の表面の中心に対向する位置にて端面を基板の表面上の現像液に接触させた状態で、第１流量よりも大きい第２流量で吐出口から現像液を吐出させる第２現像処理を行うこととを含む。
本開示によれば、基板面内における現像処理の均一化に有効な基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図３は、現像ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、現像液を吐出するノズルの一例を示す斜視図である。 図５は、制御装置の機能構成の一例を示すブロック図である。 図６は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図７は、パターン形成処理の一例を示すフローチャートである。 図８は、プリウェット処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、プリウェット処理の一例を説明するための模式図である。 図１０は、第１現像処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。 図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第１現像処理の一例を説明するための模式図である。 図１２は、第２現像処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。 図１３は、第２現像処理の一例を説明するための模式図である。 図１４は、第１リンス処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。 図１５（ａ）～図１５（ｃ）は、第１リンス処理の一例を説明するための模式図である。 図１６は、第３現像処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。 図１７は、第３現像処理の一例を説明するための模式図である。 図１８は、第２現像処理を含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。レジスト膜形成用の処理液は、中粘度以上のレジスト液であってもよい。レジスト膜形成用の処理液の粘度は、５０ｃＰ～１０００ｃＰであってもよく、１００ｃＰ～８００ｃＰであってもよく、２００ｃＰ～６００ｃＰであってもよい。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。レジスト膜の厚さは、５μｍ～３０μｍであってもよく、６μｍ～２５μｍであってもよく、７μｍ～２０μｍであってもよい。
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光処理が施されたレジスト膜の現像及び現像に伴う熱処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジストパターンを形成する（レジスト膜の現像を行う）。熱処理ユニットＵ４は、現像に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像を行うように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像ユニットＵ３と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
（現像ユニット）
続いて、図３及び図４を参照して現像ユニットＵ３の一例を詳細に説明する。図３に示されるように、現像ユニットＵ３は、例えば、回転保持部３０と、現像液供給部４０（液供給部）と、リンス液供給部６０とを有する。
回転保持部３０は、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部３０は、例えば、保持部３２と回転駆動部３４とを有する。保持部３２は、ワークＷの表面Ｗａを上方に向けた状態でワークＷの裏面を支持し、当該ワークＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部３４は、例えば電動モータ等の動力源によって、鉛直な回転軸Ａｘまわりに保持部３２を回転させる。これにより、回転軸ＡｘまわりにワークＷが回転する。保持部３２は、ワークＷの中心が回転軸Ａｘに略一致するようにワークＷを保持してもよい。
現像液供給部４０は、保持部３２に保持されているワークＷの表面Ｗａに現像液を供給する。現像液は、露光後のレジスト膜の除去対象部分を除去するための処理液である。レジスト膜の除去対象部分は、露光処理後において現像液に対し可溶な部分である。現像液がポジ型である場合には、露光処理において露光された部分が現像液に対して可溶である。現像液がネガ型である場合には、露光処理において露光されなかった部分が現像液に対して可溶である。ポジ型の現像液の具体例としては、アルカリ溶液が挙げられる。ネガ型の現像液の具体例としては、有機溶剤が挙げられる。現像液供給部４０は、例えば、ノズル４２と、タンク４４と、ポンプ４６と、バルブ４８と、ノズル駆動部５２（駆動部）とを有する。
ノズル４２は、ワークＷの表面Ｗａに向けて現像液を吐出する。図４に示されるように、ノズル４２は、一つの端面４２ａと吐出口４２ｂとを含む。端面４２ａは、保持部３２に保持されているワークＷの表面Ｗａに対向する。吐出口４２ｂは、端面４２ａに設けられている（端面４２ａにおいて開口している）。ノズル４２は、円形の端面４２ａを有してもよく、吐出口４２ｂは端面４２ａの中央部において開口していてもよい。一例として、端面４２ａの中心が、吐出口４２ｂの中心に略一致する。
端面４２ａの面積は、ワークＷの表面Ｗａの面積に比べ小さい。端面４２ａの面積は、ワークＷの表面Ｗａの面積に比べ例えば１～１５％であってもよく、１～１１％であってもよく、１～３％であってもよい。ノズル４２は、例えばＰＴＦＥ等の樹脂材料により構成可能である。なお、ノズル４２は、端面４２ａに点在する複数の吐出口４２ｂを含んでいてもよい。吐出口４２ｂの形状（輪郭）は、円形又は楕円形であってもよく、多角形であってもよく、スリット状であってもよい。吐出口４２ｂの面積（開口面積）は、端面４２ａの面積に比べて、０．３％～５％程度であってもよい。
図３に戻り、ノズル４２は、管路５４を介してタンク４４に接続されている。タンク４４は現像液を収容する。ポンプ４６及びバルブ４８は管路５４に設けられている。ポンプ４６は、例えばベローズポンプであり、タンク４４からノズル４２に現像液を圧送する。バルブ４８は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路５４内の開度を調節する。バルブ４８を制御することにより、ノズル４２から現像液を吐出する状態と、ノズル４２から現像液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ４６及びバルブ４８の少なくとも一方を制御することにより、ノズル４２からの現像液の吐出流量（単位時間あたりの吐出流量）を調節することが可能である。
ノズル駆動部５２は、ノズル４２の位置を調節する。より具体的に、ノズル駆動部５２は、端面４２ａを下方に向けた状態で、ワークＷの上方を横切るようにノズル４２を移動させ、ノズル４２を昇降させる。例えばノズル駆動部５２は、電動モータ等の動力源によってワークＷの表面Ｗａに沿ってノズル４２を移動させる機構と、電動モータ等の動力源によってノズル４２を昇降させる機構とを有する。ノズル駆動部５２は、ワークＷの表面Ｗａに沿ってノズル４２を移動させる際に、ワークＷの回転軸Ａｘを通る経路に沿ってノズル４２を移動させる。ノズル駆動部５２は、直状の経路に沿ってノズル４２を移動させてもよいし、曲がった経路に沿ってノズル４２を移動させてよい。
リンス液供給部６０は、保持部３２に保持されているワークＷの表面Ｗａに、現像液とは異なるリンス液を供給する。リンス液は、現像液を洗い流すために用いられる。また、リンス液は、現像液の供給前に表面Ｗａに供給されるプリウェット液としても用いられる。リンス液は、例えば純水又はＤＩＷ（Deionized Water）である。リンス液供給部６０は、例えばノズル６２と、タンク６４と、ポンプ６６と、バルブ６８と、ノズル駆動部７２とを有する。
ノズル６２は、ワークＷの表面Ｗａに向かってリンス液を吐出する。ノズル６２は、管路７４を介してタンク６４に接続されている。タンク６４はリンス液を収容する。ポンプ６６及びバルブ６８は管路７４に設けられている。ポンプ６６は、例えばベローズポンプであり、タンク６４からノズル６２にリンス液を圧送する。バルブ６８は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路７４内の開度を調節する。バルブ６８を制御することにより、ノズル６２からリンス液を吐出する状態と、ノズル６２からリンス液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ６６及びバルブ６８の少なくとも一方を制御することにより、ノズル６２からのリンス液の吐出流量を調節することも可能である。
ノズル駆動部７２は、例えば電動モータ等の動力源によってノズル６２を移動させる。具体的には、ノズル駆動部７２は、ノズル６２の吐出口を下方に向けた状態で、ワークＷの表面Ｗａに沿ってノズル６２を移動させる。
（制御装置）
続いて、図５及び図６を参照して制御装置１００の一例について説明する。制御装置１００は、現像ユニットＵ３を含む塗布・現像装置２を制御する。図５に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、例えば、プリウェット制御部１０２と、第１現像制御部１０４と、第２現像制御部１０６と、第１リンス制御部１１２と、第３現像制御部１１４と、第２リンス制御部１１６と、ノズル切替制御部１１７とを有する。各機能モジュールが実行する処理は、制御装置１００が実行する処理に相当する。
プリウェット制御部１０２は、プリウェット処理を現像ユニットＵ３に実行させる。プリウェット処理は、ワークＷを保持している保持部３２を回転駆動部３４により回転させることと、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら、リンス液供給部６０によりワークＷの表面Ｗａにリンス液を供給することとを含む。
第１現像制御部１０４は、第１現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第１現像処理は、端面４２ａがワークＷの表面Ｗａに対向するようにノズル４２を配置し、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら所定の第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる処理である。第１流量は、予め定められており、一例として、１００ｍｌ／ｍｉｎ～７００ｍｌ／ｍｉｎであってもよく、２００ｍｌ／ｍｉｎ～６００ｍｌ／ｍｉｎであってもよく、３００ｍｌ／ｍｉｎ～５００ｍｌ／ｍｉｎであってもよい。第１現像処理でのワークＷの回転速度は、例えば、３００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍである。
第１現像処理において、端面４２ａは、第１現像処理の実行中にノズル４２から既に吐出され、表面Ｗａ上に供給された現像液と、プリウェット処理において供給されたリンス液とに接触する。以下、ノズル４２の端面４２ａが、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液を含む処理液に接触している状態を「接液状態」という。第１現像処理では、ワークＷを回転させながらワークＷの表面Ｗａに対向するノズル４２の吐出口４２ｂから第１流量で現像液を吐出させることと、接液状態を維持しつつノズル４２を表面Ｗａに沿って移動させることとが並行して行われる。
第１現像制御部１０４は、ワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、接液状態を維持しつつ、ワークＷの半径方向に沿ってノズル駆動部５２によりノズル４２を往復移動させてもよい。例えば、第１現像制御部１０４は、ワークＷの表面Ｗａの中心（回転軸Ａｘ）と対向する位置と、ワークＷの外周Ｗｂと対向する位置との間で、ノズル駆動部５２によりノズル４２を往復移動させる。ノズル４２がワークＷの中心と対向している状態では、鉛直上方から見て、端面４２ａ及び吐出口４２ｂのいずれかの位置がワークＷの中心に重なっている。ノズル４２がワークＷの外周Ｗｂと対向している状態では、鉛直上方から見て、端面４２ａ及び吐出口４２ｂのいずれかの位置がワークＷの外周Ｗｂと重なっている。一例では、第１現像制御部１０４は、鉛直上方から見て、吐出口４２ｂがワークＷの中心と重なる位置と、当該吐出口４２ｂがワークＷの外周Ｗｂと重なる位置との間で、ノズル駆動部５２によりワークＷを往復移動させる。
第１現像制御部１０４は、第１現像処理において、スキャンアウト処理を現像ユニットＵ３に実行させ、スキャンアウト処理の後にスキャンイン処理を現像ユニットＵ３に実行させてもよい。スキャンアウト処理は、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらワークＷの中心からワークＷの外周Ｗｂに向かってノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる処理である。一例では、第１現像制御部１０４は、接液状態を維持しつつ、ノズル４２の吐出口４２ｂがワークＷの中心と対向する位置から吐出口４２ｂが外周Ｗｂと対向する位置まで、ノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる。
スキャンイン処理は、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらワークＷの外周ＷｂからワークＷの中心に向かってノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる処理である。一例では、第１現像制御部１０４は、接液状態を維持しつつ、吐出口４２ｂがワークＷの外周Ｗｂと対向する位置からノズル４２の吐出口４２ｂがワークＷの中心と対向する位置まで、ノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる。第１現像制御部１０４は、スキャンアウト処理の実行期間とスキャンイン処理の実行期間との間で、接液状態にて第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ノズル駆動部５２により、ワークＷの外周Ｗｂと対向する位置に所定時間だけノズル４２を停止させてもよい。
第２現像制御部１０６は、第１現像処理の後に、第２現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第２現像処理は、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら、ワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にて端面４２ａをワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触させた状態で、所定の第２流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させる処理である。第２流量は、上記第１流量よりも大きい値に予め設定されている。一例として、第２流量は、３００ｍｌ／ｍｉｎ～９００ｍｌ／ｍｉｎであってもよく、４００ｍｌ／ｍｉｎ～８００ｍｌ／ｍｉｎであってもよく、５００ｍｌ／ｍｉｎ～７００ｍｌ／ｍｉｎであってもよい。
第２現像制御部１０６は、第２流量で現像液を吐出させる第２現像処理を所定時間だけ連続して現像ユニットＵ３に実行させてもよい（第２流量で現像液を吐出させる状態を現像液供給部４０により所定時間だけ継続させてもよい）。第２現像処理を連続して実行させる所定時間は、例えば、５秒間～２０秒間である。第２現像処理でのワークＷの回転速度は、例えば、１００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍである。
第２現像制御部１０６は、第１現像処理によりワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にノズル４２が配置された状態で、ノズル４２からの現像液の吐出流量を第１流量から第２流量に増加させて第２現像処理を現像ユニットＵ３に開始させてもよい。第２現像制御部１０６は、第１現像処理のスキャンイン処理の終了時点においてノズル４２が配置された位置にノズル駆動部５２によりノズル４２を停止させたまま、吐出流量を第２流量に増加させて第２現像処理を開始してもよい。第２現像制御部１０６は、ノズル４２がワークＷの表面Ｗａの中心と対向する領域内のうち、第１現像処理のスキャンイン処理の終了時点でのノズル４２の配置位置とは異なる位置にノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させつつ、吐出流量を第２流量に増加させて第２現像処理を開始してもよい。
第１リンス制御部１１２は、第２現像処理の後に、第１リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第１リンス処理は、回転保持部３０によりワークＷを回転させながらリンス液供給部６０によりワークＷの表面Ｗａにリンス液を供給する処理である。第１リンス制御部１１２は、第１リンス処理の実行後において、リンス液の供給をリンス液供給部６０により停止させた状態で、ワークＷの表面Ｗａ上のリンス液を振り切るようにワークＷの回転を回転保持部３０により継続させてもよい。
第１リンス処理でのノズル６２（別のノズル）からの表面Ｗａに向けたリンス液の吐出流量（単位時間あたりの吐出流量）は、所定の第３流量に設定されている。第３流量は、例えば、第２現像処理での現像液の吐出流量である第２流量以上の値に設定されている。一例では、第３流量は、５００ｍｌ／ｍｉｎ～１５００ｍｌ／ｍｉｎである。第１リンス処理でのワークＷの回転速度は、第２現像処理におけるワークＷの回転速度以上の値に設定されてもよい。一例では、第１リンス処理でのワークＷの回転速度は、１００ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。一例では、第１リンス処理の実行時間は、３秒間～１５秒間である。
第３現像制御部１１４は、第２現像処理の後（例えば、第１リンス処理の後）に、第３現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第３現像処理は、現像液の液溜りが形成されるようにワークＷの表面Ｗａにノズル４２から現像液を供給し、当該液溜りをワークＷの表面Ｗａ上に保持するように回転保持部３０を制御する処理である。例えば、第３現像処理において、第３現像制御部１１４は、ワークＷの表面Ｗａ上に現像液の液溜りを形成するために、上記第１現像処理のスキャンアウト処理と同様の処理（以下、「第３現像処理でのスキャンアウト処理」という。）を現像ユニットＵ３に実行させる。第３現像処理でのスキャンアウト処理において、第３現像制御部１１４は、第１現像処理と同様に第１流量でノズル４２から現像液を吐出させてもよい。第３現像制御部１１４は、第３現像処理でのスキャンアウト処理と並行して、ワークＷの回転速度を減少させる減速処理を回転保持部３０に実行させる。
減速処理において、第３現像制御部１１４は、ワークＷの回転を一の回転速度（例えば、２００ｒｐｍ～４００ｒｐｍ）から当該一の回転速度とは異なる回転速度（例えば、５ｒｐｍ～２０ｒｐｍ）に減速させるように回転保持部３０を制御する。減速処理は、ノズル４２の端面４２ａの中心（吐出口４２ｂ）がワークＷの外周Ｗｂに近づくのに応じて、ワークＷの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御することを含んでもよい。この場合、徐々に低下させることには、複数段階で段階的に低下させることも含まれる。第３現像制御部１１４は、端面４２ａの中心がワークＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてワークＷの回転の減速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。第３現像処理でのスキャンアウト処理と並行して、減速制御が実行されることで、現像液の液溜りの形成過程において、ワークＷの中央部での現像の過度な進行が抑制されると共に、ワークＷの外周部での液溜りの崩れが抑制される。
第３現像制御部１１４は、現像液の液溜りがワークＷの表面Ｗａ上に保持されるように、回転保持部３０によりワークＷを低い回転速度（例えば、減速処理の完了時点での回転速度以下の回転速度）で回転させてもよく、回転保持部３０によりワークＷの回転を停止させてもよい。第３現像制御部１１４は、例えば、現像液の液溜りの形成後に、第１現像処理と同様に、回転保持部３０によりワークＷを回転させながら、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらワークＷの外周ＷｂからワークＷの中心に向かってノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させるスキャンイン動作（第３現像工程でのスキャンイン処理）を行う。その後、第３現像制御部１１４は、ワークＷの回転を停止させた状態を所定時間継続するように現像ユニットＵ３を制御する（現像ユニットＵ３に静止現像を実行させる）。この静止現像において、第３現像制御部１１４は、ノズル４２からの現像液の吐出を現像液供給部４０に停止させてもよいし、溶解生成物の除去及び現像液の置換等に適するように設定された所定流量で現像液の吐出を現像液供給部４０に継続させてもよい。
第２リンス制御部１１６は、第３現像処理の後に、第２リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第２リンス制御部１１６は、例えば、上述の第１リンス処理と同様に第２リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第２リンス処理でのリンス液の吐出流量及びワークＷの回転速度は、第１リンス処理での吐出流量及び回転速度とそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。第２リンス制御部１１６は、第２リンス処理の実行後において、リンス液供給部６０によりリンス液の供給を停止させた状態で、ワークＷの表面Ｗａ上のリンス液を振り切るように（乾燥させるように）ワークＷの回転を回転保持部３０により継続させてもよい。
ノズル切替制御部１１７は、上述の第１現像処理、第２現像処理、及び第３現像処理それぞれの前後において、ノズル４２の配置及び退避の少なくとも一方を行うようにノズル駆動部５２を制御する。例えば、ノズル切替制御部１１７は、第２現像処理の後又は第３現像処理での上記静止現像の後に、ノズル４２の端面４２ａがワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触した状態から、ワークＷの表面Ｗａの上方にノズル４２を上昇させるようにノズル駆動部５２を制御する。そして、ノズル切替制御部１１７は、上昇させたノズル４２をワークＷの外に退避させるようにノズル駆動部５２を制御する。ノズル切替制御部１１７は、上述のプリウェット処理、第１リンス処理、及び第２リンス処理それぞれの前後において、ノズル６２の配置及び退避の少なくとも一方を行うようにノズル駆動部７２を制御する。
ノズル切替制御部１１７は、ワークＷの表面Ｗａの上方にノズル４２を上昇させる際に、ノズル４２を退避させるための複数回の退避動作を実行するようにノズル駆動部５２を制御してもよい。複数回の退避動作それぞれ（各退避動作）は、ノズル４２を所定量だけ上昇させることと、当該上昇後にノズル４２を停止させることとを含む。複数回の退避動作が実行されることで、段階的にノズル４２を上昇させる動作（複数の上昇ステップを含むノズル動作）が行われる。ノズル切替制御部１１７は、端面４２ａに付着した液が残らないように、複数の上昇ステップ間でノズル４２の上昇速度が異なるようにノズル駆動部５２を制御してもよい。
ワークＷを保持する保持部３２を囲むカップの外側において、ノズル４２を使用していない非処理時に当該ノズル４２を内部に待機させて端面４２ａを洗浄液で洗浄する機能を有する待機バス（図示せず）が設けられている場合がある。この場合、ノズル切替制御部１１７は、液処理開始時にノズル４２をカップ上方へ移動させるためにノズル４２を待機バス内から外へ移動させる際に、上記と同様に、複数の上昇ステップを含むノズル動作を行うようにノズル駆動部５２を制御してもよい。これにより、待機バス内でのノズル４２の端面４２ａへの液付着を防止することができる。
制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図６に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８と、タイマ１３２とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。
プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、回転保持部３０、現像液供給部４０、及びリンス液供給部６０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１３２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。
［基板処理方法］
続いて、図７を参照して、基板処理方法の一例として、現像ユニットＵ３において実行されるパターンの形成処理について説明する。図７は、一のワークＷに対するパターンの形成処理の一例を示すフローチャートである。
制御装置１００は、現像ユニットＵ３（回転保持部３０）に処理対象のワークＷが配置された状態で、まず、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、例えば、プリウェット制御部１０２が、上述のプリウェット処理を現像ユニットＵ３に実行させる。プリウェット制御部１０２は、回転保持部３０によりワークＷを回転させているときに、リンス液供給部６０によりワークＷの表面Ｗａにリンス液を供給する。プリウェット処理の具体例については後述する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、例えば、第１現像制御部１０４が、上述の第１現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第１現像制御部１０４は、回転保持部３０によりワークＷを回転させているときに、ノズル４２（吐出口４２ｂ）からワークＷの表面Ｗａに向けて上記第１流量で現像液を吐出させている状態で、ノズル４２の端面４２ａをワークＷの表面Ｗａ上の処理液に接触させながらノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる。第１現像処理の具体例については後述する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、例えば、第２現像制御部１０６が、上述の第２現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第２現像制御部１０６は、回転保持部３０によりワークＷを回転させているときに、ワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置に配置されたノズル４２の端面４２ａをワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触させた状態で、ノズル４２の吐出口４２ｂから第２流量で現像液を吐出させる。第２現像処理の具体例については後述する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、例えば、第１リンス制御部１１２が、第１リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第１リンス制御部１１２は、回転保持部３０によりワークＷを回転させているときに、リンス液供給部６０によりワークＷの表面Ｗａにリンス液を供給してもよい。第１リンス処理の具体例については後述する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、例えば、第３現像制御部１１４が、第３現像処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第３現像制御部１１４は、現像液の液溜りが形成されるようにワークＷの表面Ｗａにノズル４２から現像液を供給し、ワークＷの表面Ｗａ上に現像液の液溜りを保持するように回転保持部３０を制御する。第３現像処理の具体例については後述する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、例えば、第２リンス制御部１１６が、第２リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。第２リンス制御部１１６は、ステップＳ０４の第１リンス処理と同様に第２リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させる。以上により、一のワークＷに対するパターンの形成処理が終了する。以下、上述のステップＳ０１～Ｓ０５の各ステップについて、当該ステップの前後の処理も含めて説明する。
（プリウェット処理）
図８は、ステップＳ０１のプリウェット処理と、プリウェット処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置１００は、回転保持部３０が処理対象のワークＷを保持した状態で、ステップＳ１１，Ｓ１２を実行する。ステップＳ１１では、例えば、制御装置１００が、回転保持部３０によりワークＷの回転を開始させる。以降のステップでは、制御装置１００が回転保持部３０によりワークＷの回転を停止させるまで、ワークＷの回転は継続される。ステップＳ１２では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、リンス液供給部６０のノズル６２をワークＷの表面Ｗａの中心（回転軸Ａｘ）に対向する位置に配置するようにノズル駆動部７２を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、例えば、プリウェット制御部１０２が、ノズル６２からワークＷの表面Ｗａへのリンス液の供給をリンス液供給部６０により開始させる。プリウェット制御部１０２は、リンス液供給部６０のバルブ６８を閉状態から開状態に切り替えることにより、リンス液の供給をリンス液供給部６０に開始させてもよい。これにより、回転保持部３０により回転しているワークＷの表面Ｗａ上に、ノズル６２からリンス液（プリウェット液）が吐出され始め、プリウェット処理が開始される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、例えば、プリウェット制御部１０２が、ステップＳ１３でのリンス液の供給開始から、プリウェット時間が経過するまで待機する。プリウェット時間は、予め設定されており、所望の量のリンス液が表面Ｗａ上に供給される程度に設定されている。
次に、制御装置１００は、ステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、例えば、プリウェット制御部１０２が、ノズル６２からワークＷの表面Ｗａへのリンス液の供給をリンス液供給部６０により停止させる。プリウェット制御部１０２は、リンス液供給部６０のバルブ６８を開状態から閉状態に切り替えることにより、リンス液の供給をリンス液供給部６０に停止させてもよい（ノズル６２からのリンス液の吐出を停止させてもよい）。以上のステップＳ１３～Ｓ１５（プリウェット処理）が実行されることで、図９に示されるように、ワークＷが回転軸Ａｘ周りに回転しつつ、ワークＷの表面Ｗａ上にリンス液が供給され、表面Ｗａ上にリンス液の液膜ＲＦが形成される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、ノズル６２をワークＷの表面Ｗａの中心からワークＷの外に退避させるようにノズル駆動部７２を制御する。以上により、プリウェット処理を含む一連の処理が終了する。
（第１現像処理）
図１０は、ステップＳ０２の第１現像処理と、第１現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、上述のステップＳ１６が実行された後に、ステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、例えば、制御装置１００が、ワークＷの回転速度が第１現像処理での設定値に調節されるように回転保持部３０を制御する。ステップＳ２２では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、現像液供給部４０のノズル４２をワークＷの表面Ｗａの中心（回転軸Ａｘ）に対向する位置に配置するようにノズル駆動部５２を制御する。ノズル切替制御部１１７は、ノズル４２の吐出口４２ｂがワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にノズル４２を配置するようにノズル駆動部７２を制御してもよい。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、例えば、第１現像制御部１０４が、ノズル４２からの現像液の吐出とワークＷの外周Ｗｂに向けたノズル４２の移動を現像ユニットＵ３に開始させる。これにより、上述のスキャンアウト処理が開始される。第１現像制御部１０４は、図１１（ａ）に示されるように、ワークＷの中心に対向しているノズル４２の吐出口４２ｂから現像液の吐出を現像液供給部４０により開始させ、ワークＷの中心から外周Ｗｂに向けたノズル４２の移動をノズル駆動部５２に開始させる。第１現像制御部１０４は、現像液供給部４０のバルブ４８を閉状態から開状態に切り替えることで、吐出口４２ｂからの現像液の吐出を開始させてもよい。第１現像制御部１０４は、吐出口４２ｂからの吐出流量が第１流量となるように、ポンプ４６又はバルブ４８を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、例えば、第１現像制御部１０４が、吐出口４２ｂが外周Ｗｂに対向する位置にノズル４２が移動するまで待機する。第１現像制御部１０４は、例えば、ノズル駆動部５２に含まれるモータの回転角度に応じて、外周Ｗｂに対向する位置までノズル４２が移動したかどうかを判断する。これにより、図１１（ｂ）に示されるように、第１流量で現像液を吐出しているノズル４２が、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触しながら回転しているワークＷの中心から外周Ｗｂに向かって移動する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、例えば、第１現像制御部１０４が、ノズル駆動部５２によりノズル４２の移動を停止させる。これにより、スキャンアウト処理が終了する。以上のステップＳ２３～Ｓ２５（スキャンアウト処理）では、第１現像制御部１０４が、ノズル４２から第１流量で現像液を吐出させるように現像液供給部４０を制御している状態で、ノズル４２の接液状態を維持させながらワークＷの中心からワークＷの外周Ｗｂに向かってノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、例えば、第１現像制御部１０４が、ステップＳ２５においてノズル４２の移動が停止してから、所定の調節時間が経過するまで待機する。第１現像制御部１０４は、調節時間が経過するまで、ワークＷの外周Ｗｂに吐出口４２ｂを対向させた状態で、第１流量でノズル４２から現像液を吐出させるように現像液供給部４０を制御する。調節時間は、第１現像処理においてワークＷの外周部での現像をどの程度進行させるかに応じて予め設定されている。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、例えば、第１現像制御部１０４が、ワークＷの中心に向けたノズル４２の移動を現像ユニットＵ３に開始させる。これにより、上述のスキャンイン処理が開始される。第１現像制御部１０４は、現像液の液溜りＤＦに接触しているノズル４２の吐出口４２ｂからの第１流量での現像液の吐出を継続させたまま、ワークＷの外周Ｗｂから中心に向けてのノズル４２の移動をノズル駆動部５２に開始させる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、例えば、第１現像制御部１０４が、吐出口４２ｂがワークＷの中心に対向する位置（回転軸Ａｘ）にノズル４２が移動するまで待機する。第１現像制御部１０４は、例えば、ノズル駆動部５２に含まれるモータの回転角度に応じて、ワークＷの中心に対向する位置までノズル４２が移動したかどうかを判断する。これにより、図１１（ｄ）に示されるように、第１流量で現像液を吐出しているノズル４２が、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触しながら、回転しているワークＷの外周Ｗｂから中心に向かって移動する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、例えば、第１現像制御部１０４が、ノズル駆動部５２によりノズル４２の移動を停止させる。これにより、スキャンイン処理が終了する。以上のステップＳ２７～Ｓ２９（スキャンイン処理）では、第１現像制御部１０４が、ノズル４２から第１流量で現像液を吐出させるように現像液供給部４０を制御している状態で、ノズル４２の接液状態を維持させながらワークＷの外周Ｗｂから中心に向かってノズル駆動部５２によりノズル４２を移動させる。以上により、第１現像処理を含む一連の処理が終了する。
（第２現像処理）
図１２は、ステップＳ０３の第２現像処理と、第２現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、上述のステップＳ２９が実行された後に、ステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、例えば、制御装置１００が、ワークＷの回転速度が第１現像処理での設定値に調節されるように回転保持部３０を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、例えば、第２現像制御部１０６が、図１３に示されるように、ステップＳ２９のスキャンイン処理の終了により吐出口４２ｂがワークＷの中心と対向した状態をノズル駆動部５２に維持させたまま、吐出口４２ｂからの吐出流量を第１流量から第２流量に増加させるように現像液供給部４０を制御する。第２現像制御部１０６は、第２流量に増加させるために、現像液供給部４０のバルブ４８の開度を増加させるようにバルブ４８を制御してもよく、ポンプ４６による現像液の圧送のための圧力を増加させるようにポンプ４６を制御してもよい。吐出口４２ｂからの現像液の吐出流量が第２流量に増加することにより、第２現像処理が開始される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、例えば、第２現像制御部１０６が、ステップＳ３２での第２現像処理の開始から、中心吐出時間が経過するまで待機する。中心吐出時間は、予め設定されており、この第２現像処理と、ステップＳ０２の第１現像処理と、詳細は後述するステップＳ０５での第３現像処理とを含めた現像処理において、レジスト膜の現像が十分に進行する程度に設定されている。
次に、制御装置１００は、ステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、例えば、第２現像制御部１０６が、ノズル４２からの現像液の吐出を停止させるように現像液供給部４０を制御する。第２現像制御部１０６は、現像液供給部４０のバルブ４８を開状態から閉状態に切り替えることにより、ノズル４２の吐出口４２ｂからの現像液の吐出を停止させる。以上のステップＳ３２～Ｓ３４（第２現像処理）では、第２現像制御部１０６が、ワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にてノズル４２の接液状態を維持させながら、ノズル４２から第２流量で現像液を吐出させるように現像液供給部４０を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、ノズル４２をワークＷの表面Ｗａの中心からワークＷの外に退避させるようにノズル駆動部５２を制御する。この際、ワークＷの表面Ｗａ上には現像液の液溜りＤＦが形成されている。以上により、第２現像処理を含む一連の処理が終了する。なお、ノズル切替制御部１１７は、ステップＳ３５においてノズル４２を退避させる際に、ノズル４２を段階的に上昇させる上述の複数回の退避動作を行うようにノズル駆動部５２を制御してもよい。
（第１リンス処理）
図１４は、ステップＳ０４の第１リンス処理と、第１リンス処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、上述のステップＳ３５が実行された後に、ステップＳ４１，Ｓ４２を実行する。ステップＳ４１では、例えば、制御装置１００が、ワークＷの回転速度が第１リンス処理での設定値に調節されるように回転保持部３０を制御する。ステップＳ４２では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、リンス液供給部６０のノズル６２をワークＷの表面Ｗａの中心（回転軸Ａｘ）に対向する位置に配置するようにノズル駆動部７２を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ４３，Ｓ４４を実行する。ステップＳ４３では、例えば、第１リンス制御部１１２が、図１５（ａ）に示されるように、回転軸Ａｘに配置されたノズル６２からワークＷの表面Ｗａへのリンス液の供給を開始させるようにリンス液供給部６０を制御する。第１リンス制御部１１２は、リンス液供給部６０のバルブ６８を閉状態から開状態に切り替えることにより、ノズル６２からのリンス液の吐出を開始させてもよい。第１リンス制御部１１２は、ノズル６２からのリンス液の吐出流量が第３流量となるようにポンプ６６又はバルブ６８を制御してもよい。ステップＳ４４では、例えば、第１リンス制御部１１２が、ステップＳ４３でのリンス液の吐出開始からリンス時間が経過するまで待機する。リンス時間は、予め設定されており、例えば、図１５（ｂ）に示されるように、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液の液溜りＤＦが、リンス液の液膜ＲＦに置換する程度に設定されている。
次に、制御装置１００は、ステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、例えば、第１リンス制御部１１２が、ノズル６２からワークＷの表面Ｗａへのリンス液の供給を停止するようにリンス液供給部６０を制御する。第１リンス制御部１１２は、リンス液供給部６０のバルブ６８を開状態から閉状態に切り替えることにより、ノズル６２からのリンス液の吐出を停止させてもよい。以上のステップＳ４２～Ｓ４４（第１リンス処理）では、第２リンス制御部１１６が、回転させているワークＷの表面Ｗａに向けて第３流量でノズル６２からリンス液を吐出させることで、ワークＷの表面Ｗａにリンス液が供給される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ４６，Ｓ４７を実行する。ステップＳ４６では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、ノズル６２をワークＷの中心からワークＷの外に退避させるようにノズル駆動部７２を制御する。ステップＳ４７では、例えば、制御装置１００が、ステップＳ４５でのリンス液の供給停止から振切時間が経過するまで待機する。振切時間は、予め設定されており、例えば、図１５（ｃ）に示されるように、ワークＷの表面Ｗａ上のリンス液の少なくとも一部がワークＷの外に振り切られる程度に設定されている。なお、制御装置１００は、リンス液の供給を停止させた後でのワークＷの回転速度を、第１リンス処理での回転速度よりも増加させるように回転保持部３０を制御してもよい。以上により、第１リンス処理を含む一連の処理が終了する。
（第３現像処理）
図１６は、ステップＳ０５の第３現像処理と、第３現像処理の前後の処理とを含む一連の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、上述のステップＳ４７が実行された後に、ステップＳ５１，Ｓ５２を実行する。ステップＳ５１では、例えば、制御装置１００が、ワークＷの回転速度が第３現像処理での設定値に調節されるように回転保持部３０を制御する。ステップＳ５２では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、現像液供給部４０のノズル４２の吐出口４２ｂがワークＷの表面Ｗａの中心（回転軸Ａｘ）に対向する位置にノズル４２を配置するように、ノズル駆動部５２を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ５３を実行する。ステップＳ５３では、例えば、第３現像制御部１１４が、ノズル４２からの現像液の吐出、外周Ｗｂに向けたノズル４２の移動、及びワークＷの回転速度の減速処理を現像ユニットＵ３に開始させる。第３現像制御部１１４は、ノズル４２の吐出口４２ｂからの現像液の吐出を現像液供給部４０により開始させ、ワークＷの中心から外周Ｗｂに向けたノズル４２の移動をノズル駆動部５２に開始させる。第３現像制御部１１４は、現像液供給部４０のバルブ４８を閉状態から開状態に切り替えることにより、ノズル４２からの現像液の吐出を開始させてもよい。第３現像制御部１１４は、ノズル４２からの現像液の吐出流量が第１流量となるように現像液供給部４０を制御してもよい。
次に、制御装置１００は、ステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、例えば、第３現像制御部１１４が、吐出口４２ｂが外周Ｗｂに対向する位置にノズル４２が移動するまで待機する。第３現像制御部１１４は、例えば、ノズル駆動部５２に含まれるモータの回転角度に応じて、外周Ｗｂに対向する位置までノズル４２が移動したかどうかを判断する。これにより、当該処理での現像液の吐出によりワークＷの表面Ｗａ上に形成される現像液に接触している状態のノズル４２が、現像液の吐出を継続しつつ、回転しているワークＷの中心から外周Ｗｂに向かって移動する（第３現像処理でのスキャンアウト処理が行われる）。この際、第３現像制御部１１４は、ノズル４２の端面４２ａの中心（吐出口４２ｂ）がワークＷの外周Ｗｂに近づくのに応じて、ワークＷの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。
次に、制御装置１００は、ステップＳ５５を実行する。ステップＳ５５では、例えば、第３現像制御部１１４が、ノズル４２からの現像液の吐出及びノズル４２の移動を現像液供給部４０により停止させ、ワークＷの回転の減速を回転保持部３０に完了させる。第３現像制御部１１４は、バルブ４８を開状態から閉状態に切り替えることにより、ノズル４２からの現像液の吐出を停止させる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ５６，Ｓ５７を実行する。ステップＳ５６では、例えば、ノズル切替制御部１１７が、ワークＷの外周Ｗｂに対向する位置に停止しているノズル４２をワークＷの外に退避させるようにノズル駆動部５２を制御する。なお、ノズル切替制御部１１７は、ステップＳ５６においてノズル４２を退避させる際に、ノズル４２を段階的に上昇させる上述の複数回の退避動作を行うようにノズル駆動部５２を制御してもよい。ステップＳ５７では、例えば、第３現像制御部１１４が、ワークＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ５８を実行する。ステップＳ５８では、例えば、第３現像制御部１１４が、ステップＳ５５での現像液の吐出停止から現像時間が経過するまで待機する。この場合、図１７に示されるように、ワークＷの回転の停止によって、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液の液溜りＤＦが形成された状態が維持される。なお、第３現像制御部１１４は、ワークＷの回転を停止させることなく、ワークＷを低回転（例えば、ステップＳ５６の減速制御の終了時点での回転速度）に回転保持部３０により維持することによって、現像液の液溜りＤＦが形成された状態を現像ユニットＵ３に維持させてもよい。現像時間は、予め設定されており、レジスト膜の現像が十分に進行する程度に設定されている。ステップＳ５８において、現像時間が経過することによって、第３現像処理を含む一連の処理が終了する。
（変形例）
上述したパターンの形成処理及びその処理に含まれる各ステップの手順は一例であり、適宜変更可能である。例えば、上述したステップ（処理）の一部が省略されてもよいし、別の順序で各ステップが実行されてもよい。また、上述したステップのうちの任意の２以上のステップが組み合わされてもよいし、ステップの一部が修正または削除されてもよい。あるいは、上記の各ステップに加えて他のステップが実行されてもよい。
第２現像制御部１０６は、ノズル４２からの現像液の吐出流量が上記第２流量よりも小さい期間を間に挟んで、第２現像処理を間欠的に現像ユニットＵ３に実行させてもよい。吐出流量が上記第２流量よりも小さい期間では、制御装置１００は、第２流量よりも小さい流量でノズル４２から現像液が吐出されるように現像液供給部４０を制御してもよい。あるいは、制御装置１００は、ノズル４２から現像液が吐出されないように（吐出が停止するように）現像液供給部４０を制御してもよい。このように、吐出流量が第２流量よりも小さい期間には、第２流量よりも小さい流量で現像液を吐出させている期間、及び現像液を吐出させていない期間が含まれる。吐出流量が第２流量よりも小さい期間では、制御装置１００は、ワークＷの回転を第２現像処理と同じ回転速度に回転保持部３０により維持させてもよい。
第２現像処理を間欠的に実行する場合において、第２現像制御部１０６は、第２現像処理におけるワークＷの回転速度が、間欠的に実行される第２現像処理の間において吐出流量を第２流量よりも小さくしている期間でのワークＷの回転速度よりも大きくなるように回転保持部３０を制御してもよい。第２現像処理での回転速度を、吐出流量が第２流量よりも小さい期間での回転速度よりも大きくすることで、溶解生成物の除去の促進及び現像の進行程度の調整が行われてもよい。
第２現像処理において第２流量で現像液を吐出させるときのノズル４２の高さ位置は、第１現像処理及び第３現像処理等の他の現像処理でのノズル４２の高さ位置よりも高くてもよい。例えば、制御装置１００は、第２現像処理の開始前において、第1現像処理の終了後にノズル４２を上方に移動させるようにノズル駆動部５２を制御してもよい。この場合、第２現像処理において端面４２ａのうちのワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触する部分が、第１現像処理において現像液に接触する部分よりも小さい状態となる。この状態では、端面４２ａの略全体がワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触する状態よりも、現像液の吐出流量が低下した場合でも、吐出口４２ｂの鉛直下方の液溜りが小さくなる。そのため、現像液の流れが変化し易く（スムーズに変化し）、泡を誘発するような現像液中の圧力低下及び瞬間的な液切れ等が発生する可能性が低下すると考えられる。
第２現像制御部１０６は、第２現像処理において、ワークＷの回転方向を変化させてもよい。具体的には、第２現像制御部１０６は、ワークＷを一の回転方向（正回転：例えば、時計回り）に回転させることと、当該回転方向とは反対の回転方向（逆回転：例えば、反時計回り）に回転させることとを交互に行うように回転保持部３０を制御してもよい。このように、第２現像処理において正回転と逆回転との双方にワークＷを回転させることで、正回転時と逆回転時とでワークＷの表面Ｗａの各位置において現像液の流れが変わる。そのため、現像によりパターン生成が始まっているワークＷの表面Ｗａから溶解生成物を効率的に除去することができる。また、表面Ｗａでの現像液の流れが変わるため、面内の局所的な現像の進行の偏りを抑制できる。第２現像制御部１０６は、第２現像処理において、正回転でのワークＷの回転と逆回転でのワークＷの回転とを複数回繰り返すように回転保持部３０を制御してもよい。
制御装置１００は、ステップＳ０４での第１リンス処理に代えて、又は第１リンス処理に加えて（第１リンス処理の前に）、現像液をワークＷの外に振り切る振切処理を現像ユニットＵ３に実行させてもよい。この場合、制御装置１００は、図５に示されるように、機能モジュールとして、振切処理を現像ユニットＵ３に実行させる振切制御部１１８を更に有してもよい。振切処理は、ノズル４２からの現像液の吐出を現像液供給部４０により停止させた状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液がワークＷの外に振り切られるように、回転保持部３０によりワークＷを回転させる処理である。振切処理での回転速度及び回転時間は、現像液をワークＷの外に振り切る（表面Ｗａ上の現像液を排出する）ことができる程度にそれぞれ設定されており、一例では、ステップＳ０３における第２現像処理での回転速度及び現像液の吐出時間と同程度にそれぞれ設定されている。
図１８は、第２現像処理を間欠的に実行し、第２現像処理に続けて振切処理が実行させる場合のフローチャートを示している。制御装置１００は、まず、ステップＳ７１を実行する。ステップＳ７１では、例えば、第２現像制御部１０６が、第２流量でのノズル４２からの現像液の吐出を現像液供給部４０により開始させる。これにより、第２現像処理が開始される。次に、制御装置１００は、ステップＳ７２を実行する。ステップＳ７２では、例えば、第２現像制御部１０６が、ステップＳ７１での第２現像処理の開始から、予め定められたＯＮ時間が経過するまで待機する。これにより、ＯＮ時間が経過するまで、第２現像処理（第２流量で現像液を吐出している状態）が継続する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ７３，Ｓ７４を実行する。ステップＳ７３では、例えば、第２現像制御部１０６が、ノズル４２からの現像液の吐出を現像液供給部４０により停止させる。これにより、第２現像処理が一時的に中断する。ステップＳ７４では、例えば、制御装置１００が、ステップＳ７３での現像液の吐出停止から、予め定められたＯＦＦ時間が経過するまで待機する。これにより、ＯＦＦ時間が経過するまで、第２現像処理が行われていない状態（現像液の吐出が停止している状態）が継続する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ７５を実行する。ステップＳ７５では、例えば、制御装置１００が、第２現像処理の実行期間の合計が、予め定められた中央吐出時間を越えたかどうかを判断する。ステップＳ７５において、第２処理時間の実行期間の合計が中央吐出時間を越えていないと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ７１～Ｓ７５を繰り返す。ステップＳ７５で用いられる中央吐出時間は、複数回の第２現像処理が間欠的に実行されるように設定されている。ＯＮ時間とＯＦＦ時間とは、例えば、現像液の進行と現像液の節約とのバランスを考慮して設定されている。
ステップＳ７５において、複数回の第２現像処理の実行期間の合計が中央吐出時間を越えていると判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ７６を実行する。ステップＳ７６では、例えば、振切制御部１１８が、ステップＳ７５において中央吐出時間を越えていると判断されたときから、予め定められた振切時間が経過するまで待機する。これにより、振切時間において、ノズル４２から現像液が吐出されていない状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液がワークＷの外に振り切られるように回転保持部３０によりワークＷが回転する。なお、振切制御部１１８は、ステップＳ７６を実行する前に、振切処理でのワークＷの回転速度の設定値となるように回転保持部３０を制御してもよい。以上により、間欠的に実行される第２現像処理と振切処理とを含む一連の処理が終了する。
制御装置１００は、第１現像処理において、スキャンアウト処理を現像ユニットＵ３に実行させずに、スキャンイン処理を現像ユニットＵ３に実行させてもよい。制御装置１００は、スキャンイン処理を現像ユニットＵ３に実行させた後に、スキャンアウト処理を現像ユニットＵ３に実行させてもよい。制御装置１００は、複数回のスキャンイン処理と複数回のスキャンアウト処理とを現像ユニットＵ３に実行させてもよい。スキャンイン処理の実行回数とスキャンアウト処理の実行回数とが互いに異なっていてもよい。
制御装置１００は、第１リンス処理（又は振切処理）を省略してもよい。制御装置１００は、例えばレジスト膜形成用の処理液の粘度（レジスト膜の厚さ）に応じて、第１リンス処理を省略してもよい。制御装置１００は、レジスト膜形成用の処理液の種類（粘度）、又はレジスト膜の厚さを示す種別情報に応じて、第２現像処理と第１リンス処理との実行可否を判定してもよい。例えば、制御装置１００は、種別情報に応じて３段階に分けて、第２現像処理と第１リンス処理との実行可否を判定してもよい。一例では、制御装置１００は、種別情報が示す粘度又は膜厚が第１閾値よりも小さい場合、第２現像処理と第１リンス処理とを現像ユニットＵ３に実行させなくてもよい。制御装置１００は、種別情報が示す粘度又は膜厚が、第１閾値よりも大きく、第２閾値よりも小さい場合、第２現像処理を現像ユニットＵ３に実行させ、第１リンス処理を現像ユニットＵ３に実行させなくてもよい。第２閾値は、第１閾値よりも大きい値に設定されている。制御装置１００は、種別情報が示す粘度又は膜厚が、第２閾値よりも大きい場合、第２現像処理と第１リンス処理とを現像ユニットＵ３に実行させてもよい。なお、種別情報に応じて、制御装置１００に代えて、オペレータにより第２現像処理と第１リンス処理との実行可否が予め設定されていてもよい。
［実施形態の効果］
以上説明した基板処理方法は、端面４２ａと端面４２ａに開口する吐出口４２ｂとを有するノズル４２を、端面４２ａがワークＷの表面Ｗａに対向するように配置し、ワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらノズル４２を移動させる第１現像処理を行うことと、第１現像処理の後に、ワークＷを回転させながら、ワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にて端面４２ａをワークＷの表面Ｗａ上の現像液に接触させた状態で、第１流量よりも大きい第２流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させる第２現像処理を行うこととを含む。
現像液を用いた現像処理の対象となる被膜の膜厚分布では、ワークＷの外周部の膜厚に比べて中央部の膜厚が大きい傾向がある。そのため、ワークＷの中央部では、ワークＷの外周部に比べて、膜厚方向での現像の程度が不足してしまう場合がある。また、中央部と外周部とで現像の程度を均一化したとしても、膜厚が大きい中央部では現像の程度が不足してしまう場合もある。これに対して、上記基板処理方法及び塗布・現像装置２では、第１現像処理の後において、現像液がワークＷの表面Ｗａの中心付近に吐出される。これにより、第２現像処理では、外周部に比べて中央部での現像がより進むので、ワークＷの中央部と外周部との間での現像の進み具合の差が小さくなり、中央部での現像の不足が解消される。従って、ワークＷ面内における現像処理の均一化に有効である。また、第１現像処理での第１流量よりも大きい第２流量で現像液を吐出することで、現像を早く進行させ、現像に伴い発生する溶解生成物をワークＷの外に素早く排出することができる。
第１現像処理は、ワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらワークＷの外周ＷｂからワークＷの中心に向かってノズル４２を移動させることを含んでもよい。上記基板処理方法は、第１現像処理によりワークＷの表面Ｗａの中心に対向する位置にノズル４２が配置された状態で、吐出口４２ｂからの現像液の吐出流量を第１流量から第２流量に増加させて第２現像処理を開始してもよい。この場合、第１現像処理から第２現像処理に移行するまでの期間を短くすることができるので、現像処理の効率化に有効である。
第１現像処理は、第１流量で現像液を吐出させているノズル４２をワークＷの外周ＷｂからワークＷの中心に向かって移動させる前に、ワークＷを回転させながら第１流量で吐出口４２ｂから現像液を吐出させている状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液に端面４２ａを接触させながらワークＷの中心からワークＷの外周Ｗｂに向かってノズル４２を移動させることを更に含んでもよい。この場合、第１現像処理において、ワークＷの表面Ｗａに対して少なくとも２回の現像液の塗布が行われる。一度目の塗布により、ワークＷの表面Ｗａに対する現像液の接触角が低下するので、二度目の塗布において現像液を容易に塗り広げることができる。
上記基板処理方法は、吐出口４２ｂからの現像液の吐出流量が第２流量よりも小さい期間を間に挟んで、第２現像処理を間欠的に実行してもよい。この場合、現像液の使用量を減らしつつ、第２現像処理の間で溶解生成物をワークＷの外に排出することができる。
第２現像処理におけるワークＷの回転速度は、間欠的に実行される第２現像処理の間において現像液の吐出流量を第２流量よりも小さくしている期間でのワークＷの回転速度よりも大きくてもよい。この場合、溶解生成物の除去を促進しつつ、現像の進行程度を調節することができる。
第２現像処理においてワークＷを回転させることとは、ワークＷを一方向に回転させることと、当該一方向とは反対の方向にワークＷを回転させることとを含んでもよい。この場合、ワークＷの表面Ｗａでの各位置において現像液の流れが変わるため、現像によりパターン生成が始まっているワークＷの表面Ｗａから溶解生成物を効率的に除去することができる。また、表面Ｗａでの現像液の流れが変わるため、面内の局所的な現像の進行の偏りを抑制できる。
上記基板処理方法は、第２現像処理の後に、吐出口４２ｂからの現像液の吐出を停止させた状態で、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液がワークＷの外に振り切られるようにワークＷを回転させることを更に含んでもよい。この場合、第２現像処理に伴ってワークＷの表面Ｗａ上に発生する溶解生成物をより確実に除去することができる。
上記基板処理方法は、第２現像処理の後に、ワークＷを回転させながらワークＷの表面Ｗａにリンス液を供給することと、リンス液の供給後に、現像液の液溜りが形成されるようにワークＷの表面Ｗａにノズル４２から現像液を供給し、現像液の液溜りをワークＷの表面Ｗａ上に保持する第３現像処理を行うこととを更に含んでもよい。この場合、第３現像処理の前に、リンス液によって、第２現像処理に伴ってワークＷの表面Ｗａ上に発生する溶解生成物をより確実に除去することができる。
リンス液を供給することは、ノズル６２からワークＷの表面Ｗａに向けて第２流量以上の第３流量でリンス液を吐出させることを含んでもよい。この場合、第２現像処理に伴ってワークＷの表面Ｗａ上に発生する溶解生成物を素早く除去することができる。
リンス液を供給する際のワークＷの回転速度は、第２現像処理におけるワークＷの回転速度以上であってもよい。この場合、第２現像処理に伴ってワークＷの表面Ｗａ上に発生する溶解生成物を素早く除去することができる。
上記基板処理方法は、第２現像処理の後に、現像液の吐出を停止させた状態で、ノズル４２を退避させるための複数回の退避動作を行うことを更に含んでもよい。複数回の退避動作のそれぞれは、ノズル４２を上昇させることと、上昇させた後にノズル４２を停止させることとを含んでもよい。この場合、複数回の退避動作を行うことで、ノズル４２の端面４２ａに付着した現像液を除去することができ、ノズル４２をワークＷの外に退避させる際に端面４２ａから現像液が落下する可能性を低下させることができる。
レジスト膜形成用の処理液が中粘度以上のレジスト液である場合、膜厚分布において中央部が外周部に比べて盛り上がる傾向が大きくなる。また、中粘度以上のレジスト液を用いる場合、レジスト膜の厚さが大きくなる（例えば、５μｍ以上となる）。第２現像処理では、ワークＷを回転させながら、現像液を吐出しているので、ワークＷの中央部だけでなく外周部においても現像を進めることができる。そのため、第３現像処理だけでは十分に現像できない程度の膜厚であっても、第２現像処理も行うことで膜全体での現像を進めることができる。従って、上記基板処理方法及び塗布・現像装置２は、中粘度以上のレジスト液を用いる場合に更に有用である。
２…塗布・現像装置、３０…回転保持部、４０…現像液供給部、４２…ノズル、４２ａ…端面、４２ｂ…吐出口、５２…ノズル駆動部、Ｕ３…現像ユニット、Ｗ…ワーク、Ｗａ…表面、Ｗｂ…外周。

Claims (13)

  1. 一つの端面と前記端面に開口する吐出口とを有するノズルを、前記端面が基板の表面に対向するように配置し、前記基板を回転させながら第１流量で前記吐出口から現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記ノズルを移動させる第１現像処理を行うことと、
    前記第１現像処理の後に、前記基板を回転させながら、前記基板の表面の中心に対向する位置にて前記端面を前記基板の表面上の前記現像液に接触させた状態で、前記第１流量よりも大きい第２流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させる第２現像処理を行うことと、を含む基板処理方法。
  2. 前記第１現像処理は、前記基板を回転させながら前記第１流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の外周から前記基板の中心に向かって前記ノズルを移動させることを含み、
    前記第１現像処理により前記基板の表面の中心に対向する位置に前記ノズルが配置された状態で、前記吐出口からの前記現像液の吐出流量を前記第１流量から前記第２流量に増加させて前記第２現像処理を開始する、請求項１記載の基板処理方法。
  3. 前記第１現像処理は、前記第１流量で前記現像液を吐出させている前記ノズルを前記基板の外周から前記基板の中心に向かって移動させる前に、前記基板を回転させながら前記第１流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記基板の中心から前記基板の外周に向かって前記ノズルを移動させることを更に含む、請求項２記載の基板処理方法。
  4. 前記吐出口からの前記現像液の吐出流量が前記第２流量よりも小さい期間を間に挟んで、前記第２現像処理を間欠的に実行する、請求項１～３のいずれか一項記載の基板処理方法。
  5. 前記第２現像処理における前記基板の回転速度は、間欠的に実行される前記第２現像処理の間において前記現像液の吐出流量を前記第２流量よりも小さくしている期間での前記基板の回転速度よりも大きい、請求項４記載の基板処理方法。
  6. 前記第２現像処理において前記基板を回転させることは、前記基板を一方向に回転させることと、当該一方向とは反対の方向に前記基板を回転させることとを含む、請求項１～５のいずれか一項記載の基板処理方法。
  7. 前記第２現像処理の後に、前記吐出口からの前記現像液の吐出を停止させた状態で、前記基板の表面上の前記現像液が前記基板の外に振り切られるように前記基板を回転させることを更に含む、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理方法。
  8. 前記第２現像処理の後に、前記基板を回転させながら前記基板の表面にリンス液を供給することと、
    前記リンス液の供給後に、前記現像液の液溜りが形成されるように前記基板の表面に前記ノズルから前記現像液を供給し、前記現像液の液溜りを前記基板の表面上に保持する第３現像処理を行うこととを更に含む、請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理方法。
  9. 前記リンス液を供給することは、別のノズルから前記基板の表面に向けて前記第２流量以上の第３流量で前記リンス液を吐出させることを含む、請求項８記載の基板処理方法。
  10. 前記リンス液を供給する際の前記基板の回転速度は、前記第２現像処理における前記基板の回転速度以上である、請求項８又は９記載の基板処理方法。
  11. 前記第２現像処理の後に、前記現像液の吐出を停止させた状態で、前記ノズルを退避させるための複数回の退避動作を行うことを更に含み、
    前記複数回の退避動作のそれぞれは、前記ノズルを上昇させることと、上昇させた後に前記ノズルを停止させることとを含む、請求項１～１０のいずれか一項記載の基板処理方法。
  12. 請求項１～１１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
  13. 基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部に保持されている前記基板の表面に対向する端面及び前記端面に開口し、現像液を吐出する吐出口を含むノズルと、前記基板の表面に沿って前記ノズルを移動させる駆動部とを有する液供給部と、
    前記回転保持部及び前記液供給部を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、
    前記回転保持部により前記基板を回転させながら第１流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させている状態で、前記基板の表面上の前記現像液に前記端面を接触させながら前記駆動部により前記ノズルを移動させる第１現像処理と、
    前記第１現像処理の後に、前記回転保持部により前記基板を回転させながら、前記基板の表面の中心に対向する位置にて前記端面を前記基板の表面上の前記現像液に接触させた状態で、前記第１流量よりも大きい第２流量で前記吐出口から前記現像液を吐出させる第２現像処理とを順に実行する、基板処理装置。
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