JP6765009B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、基板の上方に位置して下方に塗布液を吐出する塗布液ノズルと、塗布液ノズルを水平方向に移動させる水平移送部と、塗布制御部と、を備える基板処理装置が開示されている。塗布制御部は、回転保持部が基板を回転させ、塗布液ノズルが塗布液を吐出している状態にて、水平移送部を制御して塗布液ノズルを基板の周縁の外から基板の周縁部上に移動させるスキャンイン制御と、水平移送部を制御して塗布液ノズルを基板の周縁部上から基板の周縁の外に移動させるスキャンアウト制御とを行う。塗布制御部は、スキャンアウト制御を行うときに、塗布液が基板の周縁側に移動する速度に比べ低い速度で塗布液ノズルを移動させる。

特開２０１４−１１０３８６号公報

本開示は、成膜処理における膜厚の更なる均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、第一平面に沿うように配置された基板を保持して回転させる回転保持部と、第一平面に向かって開口した処理液供給用のノズルと、ノズルを搬送するノズル搬送部と、制御部とを備え、制御部は、基板を第一回転速度で回転させるように回転保持部を制御する第一回転制御と、基板が第一回転速度で回転し、ノズルが処理液を吐出している状態にて、第一平面への処理液の到達位置を基板の周縁の外から内に移動させるようにノズル搬送部を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の後、到達位置を基板の周縁の内から外に移動させるようにノズル搬送部を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の後、基板を第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させるように回転保持部を制御する第二回転制御と、第二回転制御の後、基板を第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させるように回転保持部を制御する第三回転制御と、を実行するように構成されている。

この基板処理装置によれば、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御により、少なくとも基板の周縁部に処理液の液膜が形成される。その後、第一回転速度よりも低い第二回転速度で基板を回転させる第二回転制御を実行することにより、上記液膜の流動性の均一性が向上する。その後、第一回転速度よりも高い第三回転速度で基板を回転させる第三回転制御を実行することにより、上記液膜の膜厚が整えられる。このように、液膜の形成後、液膜の膜厚調整前に、液膜の流動性の均一性を向上させる工程が実行されることにより、膜厚調整における膜厚の均一性低下が抑制される。従って、成膜処理における膜厚の更なる均一性向上に有効である。

第三回転速度は、基板に供給された処理液の少なくとも一部を基板の周縁の外に振り切り得る値に設定されており、第二回転速度は、基板に供給された処理液が基板上に留まるように設定されていてもよい。この場合、第二回転制御において、液膜の流動性の均一性をより確実に向上させ、第三回転制御において、液膜の膜厚をより確実に調整することができる。

第二回転制御において、制御部は、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間、第二回転制御を実行してもよい。この場合、第二回転制御において、液膜の流動性の均一性をより確実に向上させることができる。

スキャンイン制御において、制御部は、基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、処理液の液柱が通過する間における基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて到達位置を移動させるようにノズル搬送部を制御してもよい。この場合、到達位置が上記一ラインを通過する回数が２〜７回となる。このため、液膜の形成領域内において、処理液の供給状態の均一性を向上させることができる。

スキャンアウト制御において、制御部は、第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて到達位置を移動させるようにノズル搬送部を制御してもよい。この場合、スキャンアウト制御の実行中における膜厚の乱れを低減することができる。

制御部は、第三回転制御の実行中に第三回転速度を高くするように回転保持部を制御してもよい。この場合、第三回転制御の開始時点における回転速度の急上昇を抑制し、第三回転制御における膜厚の乱れを低減することができる。

制御部は、第二回転制御の実行期間に対して同等以上の期間、第三回転制御を実行してもよい。この場合、第三回転制御において、液膜の膜厚をより確実に調整することができる。

基板処理装置は、粘度が１００〜１０００ｃＰである処理液をノズルに供給する処理液供給部を更に備えてもよい。１００〜１０００ｃＰの処理液を用いる場合、流動性の不均一性に起因する膜厚の不均一化が生じ易い傾向がある。このため、上述の効果がより顕著となる。

第三回転速度は、処理液のうち基板上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されていてもよい。膜厚の大きい被膜を形成する場合、膜厚の均一性が低下し易い傾向がある。このため、上述の効果がより顕著となる。

第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、第二回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであり、第三回転速度は１００〜１０００ｒｐｍであってもよい。第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、第一移動速度は０．５〜１．５ｍｍ／ｓであってもよい。第二移動速度は、第一移動速度の５〜１５倍であってもよい。

本開示の他の側面に係る基板処理方法は、第一平面に沿うように配置された基板を第一回転速度で回転させることと、基板が第一回転速度で回転し、第一平面に向かって開口したノズルが処理液を吐出している状態にて、第一平面への処理液の到達位置を基板の周縁の外から内に移動させることと、到達位置を基板の周縁の外から内に移動させた後、到達位置を基板の周縁の内から外に移動させることと、到達位置を基板の周縁の内から外に移動させた後、基板を第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させることと、基板を第二回転速度で回転させた後、基板を第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させることと、を含む。

到達位置を基板の周縁の外から内に移動させ、到達位置を基板の周縁の内から外に移動させる期間に対して５〜２０倍の期間、基板を第二回転速度で回転させてもよい。

到達位置を基板の周縁の外から内に移動させる際に、基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、処理液の液柱が通過する間における基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて到達位置を移動させてもよい。

到達位置を基板の周縁の内から外に移動させる際に、第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて到達位置を移動させてもよい。

基板を第三回転速度で回転させている際に、第三回転速度を高くしてもよい。

基板を第二回転速度で回転させる期間に対して同等以上の期間、基板を第三回転速度で回転させてもよい。

粘度が１００〜１０００ｃＰである処理液を用いてもよい。

本開示の更に他の側面に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示によれば、成膜処理における膜厚の更なる均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することができる。

基板液処理システムの概略構成を示す斜視図である。 基板処理装置の概略構成を示す断面図である。 液処理ユニットの概略構成を示す模式図である。 制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。 基板処理手順を示すフローチャートである。 処理中の基板の状態を示す模式図である。 処理中の基板の状態を示す模式図である。 膜厚の測定結果を示すグラフである。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、周縁塗布ユニットＵ５と、熱処理ユニットＵ６と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

また、処理モジュール１４は、周縁塗布ユニットＵ５及び熱処理ユニットＵ６により、現像処理後のウェハＷの周縁部分に被膜を形成する（以下、この被膜を「周縁被膜」という。）。周縁塗布ユニットＵ５は、成膜用の処理液をウェハＷの周縁部分に塗布する。熱処理ユニットＵ６は、周縁被膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。

次に制御部１００は、ウェハＷを周縁塗布ユニットＵ５及び熱処理ユニットＵ６に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷに周縁被膜を形成するように周縁塗布ユニットＵ５及び熱処理ユニットＵ６を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、周縁被膜の形成用の周縁塗布ユニットＵ５と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔周縁塗布ユニット〕
続いて、上記周縁塗布ユニットＵ５の構成を詳細に説明する。図３に示すように、周縁塗布ユニットＵ５は、回転保持部２０と、ノズル３１と、処理液供給部３０と、ノズル搬送部４０とを備える。

回転保持部２０は、水平な第一平面ＨＰに沿うように配置されたウェハＷを保持し、鉛直な回転中心ＣＬ１まわりに回転させる。回転保持部２０は、例えば保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上にして第一平面ＨＰに沿うように配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、回転中心ＣＬ１まわりに保持部２１を回転させる。これにより、ウェハＷも回転する。

ノズル３１は、成膜用の処理液を供給するためのノズルである。ノズル３１は、第一平面ＨＰよりも上に配置され、第一平面ＨＰに向かって下方に開口している。ノズル３１の開口の内径は、例えば１ｍｍ以下であり、０．３〜０．９ｍｍであってもよい。ノズル３１は、保持部２１に保持されたウェハＷ上に配置された場合に、ウェハＷとの間隔（ギャップ）が０．５〜１．５ｍｍとなる高さに配置されている。

処理液供給部３０は、成膜用の処理液をノズル３１に供給する。例えば処理液供給部３０は、粘度が１００〜１０００ｃＰである処理液をノズル３１に供給する。当該処理液の粘度は、１５０〜３５０ｃＰであってもよく、２００〜３００ｃＰであってもよい。

処理液供給部３０は、例えば液源３２及びバルブ３３を有する。液源３２は、タンクに収容された処理液をノズル３１に圧送する。バルブ３３は、液源３２からノズル３１への処理液の流路を開閉する。

ノズル搬送部４０は、ノズル３１を搬送する。例えばノズル搬送部４０は、電動モータ等を動力源とし、回転中心ＣＬ１を通る水平な経路に沿ってノズル３１を移動させる。

以上のように構成された周縁塗布ユニットＵ５は、制御部１００により制御される。制御部１００は、ウェハＷを第一回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第一回転制御と、ウェハＷが第一回転速度で回転し、ノズル３１が処理液を吐出している状態にて、第一平面ＨＰへの処理液の到達位置をウェハＷの周縁の外から内に移動させるようにノズル搬送部４０を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の後、上記到達位置をウェハＷの周縁の内から外に移動させるようにノズル搬送部４０を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の後、ウェハＷを第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第二回転制御と、第二回転制御の後、ウェハＷを第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第三回転制御と、を実行するように構成されている。

例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、第一回転制御部１１１と、液供給制御部１１２と、スキャンイン制御部１１３と、スキャンアウト制御部１１４と、第二回転制御部１１５と、第三回転制御部１１６とを有する。

第一回転制御部１１１は上記第一回転制御を実行する。すなわち第一回転制御部１１１は、保持部２１によりウェハＷを保持し、当該ウェハＷを回転駆動部２２により第一回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する。第一回転速度は、例えば１００〜４５０ｒｐｍである。

液供給制御部１１２は、液源３２からノズル３１に処理液を供給する状態と、液源３２からノズル３１に処理液を供給しない状態とを、バルブ３３の開閉により切り替えるように処理液供給部３０を制御する。

スキャンイン制御部１１３は、上記スキャンイン制御を実行する。すなわちスキャンイン制御部１１３は、第一平面ＨＰへの処理液の到達位置をウェハＷの周縁Ｗｃの外から内に移動させるようにノズル搬送部４０を制御する。スキャンイン制御部１１３は、ウェハＷの回転中心ＣＬ１と同心の一ラインを、処理液の液柱が通過する間におけるウェハＷの回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて上記到達位置を移動させるようにノズル搬送部４０を制御してもよい。第一移動速度は、ノズル３１の開口の内径と同じ距離をノズル３１が移動する間におけるウェハＷの回転回数が２〜７回となるように設定されていてもよい。第一移動速度は、例えば０．５〜１．５ｍｍ／ｓである。

スキャンアウト制御部１１４は、上記スキャンアウト制御を実行する。すなわちスキャンアウト制御部１１４は、スキャンイン制御の後、上記到達位置をウェハＷの周縁Ｗｃの内から外に移動させるようにノズル搬送部４０を制御する。スキャンアウト制御部１１４は、第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて上記到達位置を移動させるようにノズル搬送部４０を制御してもよい。第二移動速度は、例えば第一移動速度の５〜１５倍である。

第二回転制御部１１５は、上記第二回転制御を実行する。すなわち第二回転制御部１１５は、スキャンアウト制御の後、回転駆動部２２によるウェハＷの回転速度を第一回転速度よりも低い第二回転速度とするように回転保持部２０を制御する。第二回転速度は、ウェハＷに供給された処理液がウェハＷ上に留まるように設定されており、例えば１０〜１００ｒｐｍである。第二回転制御部１１５は、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間、第二回転制御を実行してもよい。

第三回転制御部１１６は、上記第三回転制御を実行する。すなわち第三回転制御部１１６は、第二回転制御の後、回転駆動部２２によるウェハＷの回転速度を第一回転速度よりも高い第三回転速度とするように回転保持部２０を制御する。第三回転制御部１１６は、第三回転制御の実行中に第三回転速度を高くするように回転保持部２０を制御してもよい。第三回転制御部１１６は、第二回転制御の実行期間に対して同等以上の期間、第三回転制御を実行してもよい。第三回転速度は、ウェハＷに供給された処理液の少なくとも一部をウェハＷの周縁Ｗｃの外に振り切り得る値に設定されている。また、第三回転速度は、処理液のうちウェハＷ上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されていてもよく、当該膜厚が１０μｍ以上となるように設定されていてもよい。第三回転速度は、例えば１００〜１５００ｒｐｍである。

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図４に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。

ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を処理ブロック５に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、回転保持部２０、処理液供給部３０及びノズル搬送部４０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔基板処理手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、周縁塗布ユニットＵ５において実行される周縁被膜の形成手順を説明する。

図５に示すように、制御部１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、第一回転制御部１１１が、上記第一回転制御を開始する。第一回転制御部１１１は、保持部２１によりウェハＷを保持した状態にて、回転駆動部２２によるウェハＷの回転を開始し、その回転速度を第一回転速度とするように回転保持部２０を制御する。

次に、制御部１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、ノズル３１がウェハＷ上の領域よりも外に位置した状態で、バルブ３３を開いてノズル３１への処理液の供給を開始するように液供給制御部１１２が処理液供給部３０を制御する。これにより、ノズル３１が処理液Ｌ１を下方に吐出する（図６の（ａ）参照）。

次に、制御部１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、スキャンイン制御部１１３が、上記スキャンイン制御を実行するようにノズル搬送部４０を制御する。スキャンイン制御部１１３は、ウェハＷが第一回転速度ω１で回転し、ノズル３１が処理液を吐出している状態にて、第一平面ＨＰへの処理液の到達位置Ｐ１をウェハＷの周縁Ｗｃの外から内に第一移動速度ｖ１で移動させるようにノズル搬送部４０を制御する（図６の（ｂ）参照）。

次に、制御部１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、スキャンアウト制御部１１４が、上記スキャンアウト制御を実行するようにノズル搬送部４０を制御する。スキャンアウト制御部１１４は、ウェハＷが第一回転速度ω１で回転し、ノズル３１が処理液を吐出している状態にて、上記到達位置Ｐ１をウェハＷの周縁Ｗｃの内から外に第二移動速度ｖ２で移動させるようにノズル搬送部４０を制御する（図６の（ｃ）参照）。

次に、制御部１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、ノズル３１がウェハＷ上の領域よりも外に位置した状態で、バルブ３３を閉じてノズル３１への処理液の供給を停止するように液供給制御部１１２が処理液供給部３０を制御する。

次に、制御部１００はステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、第二回転制御部１１５が、上記第二回転制御を開始する。第二回転制御部１１５は、回転駆動部２２によるウェハＷの回転速度を第一回転速度ω１よりも低い第二回転速度ω２とするように回転保持部２０を制御する（図７の（ａ）参照）。

次に、制御部１００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、第二回転制御部１１５が、第二回転制御を継続しながら所定時間の経過を待機する。所定時間は、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間に設定されている。

次に、制御部１００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、第三回転制御部１１６が、上記第三回転制御を開始する。ステップＳ０８では、第三回転制御部１１６が、回転駆動部２２によるウェハＷの回転速度を第一回転速度ω１よりも高い第三回転速度ω３とするように回転保持部２０を制御する（図７の（ｂ）参照）。

次に、制御部１００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、第三回転制御部１１６が所定時間の経過を待機する。所定時間は、余剰な処理液を十分に振り切るように、事前の条件出しにより予め設定されている。当該所定時間は、ステップＳ０７における所定時間以上であってもよい。

次に、制御部１００はステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、第三回転制御部１１６が、回転駆動部２２によるウェハＷの回転を停止させるように回転保持部２０を制御する。以上で周縁被膜Ｆ１の形成が完了する（図７の（ｃ）参照）。

なお、制御部１００は、第三回転制御の実行中（ステップＳ０９における所定時間の経過の待機中）に、第三回転速度ω３を高くするように回転保持部２０を制御してもよい。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、第一平面ＨＰに沿うように配置されたウェハＷを保持して回転させる回転保持部２０と、第一平面ＨＰに向かって開口した処理液供給用のノズル３１と、ノズル３１を搬送するノズル搬送部４０と、制御部１００とを備え、制御部１００は、ウェハＷを第一回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第一回転制御と、ウェハＷが第一回転速度で回転し、ノズル３１が処理液を吐出している状態にて、第一平面ＨＰへの処理液の到達位置をウェハＷの周縁Ｗｃの外から内に移動させるようにノズル搬送部４０を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の後、到達位置をウェハＷの周縁Ｗｃの内から外に移動させるようにノズル搬送部４０を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の後、ウェハＷを第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第二回転制御と、第二回転制御の後、ウェハＷを第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させるように回転保持部２０を制御する第三回転制御と、を実行するように構成されている。

塗布・現像装置２によれば、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御により、少なくともウェハＷの周縁部に処理液の液膜が形成される。その後、第一回転速度よりも低い第二回転速度でウェハＷを回転させる第二回転制御を実行することにより、上記液膜の流動性の均一性が向上する。その後、第一回転速度よりも高い第三回転速度でウェハＷを回転させる第三回転制御を実行することにより、上記液膜の膜厚が整えられる。このように、液膜の形成後、液膜の膜厚調整前に、液膜の流動性の均一性を向上させる工程が実行されることにより、膜厚調整段階における膜厚の均一性低下が抑制される。従って、成膜処理における膜厚の更なる均一性向上に有効である。

第三回転速度は、ウェハＷに供給された処理液の少なくとも一部をウェハＷの周縁Ｗｃの外に振り切り得る値に設定されており、第二回転速度は、ウェハＷに供給された処理液がウェハＷ上に留まるように設定されていてもよい。この場合、第二回転制御において、液膜の流動性の均一性をより確実に向上させ、第三回転制御において、液膜の膜厚をより確実に調整することができる。

第二回転制御において、制御部１００は、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間、第二回転制御を実行してもよい。この場合、第二回転制御において、液膜の流動性の均一性をより確実に向上させることができる。

スキャンイン制御において、制御部１００は、ウェハＷの回転中心ＣＬ１と同心の円形の一ラインを、処理液の液柱が通過する間における基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて到達位置を移動させるようにノズル搬送部４０を制御してもよい。この場合、到達位置が上記一ラインを通過する回数が２〜７回となる。このため、液膜の形成領域内において、処理液の供給状態の均一性を向上させることができる。

スキャンアウト制御において、制御部１００は、第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて到達位置を移動させるようにノズル搬送部４０を制御してもよい。この場合、スキャンアウト制御の実行中における膜厚の乱れを低減することができる。

制御部１００は、第三回転制御の実行中に第三回転速度を高くするように回転保持部２０を制御してもよい。この場合、第三回転制御の開始時点における回転速度の急上昇を抑制し、第三回転制御における膜厚の乱れを低減することができる。

制御部１００は、第二回転制御の実行期間に対して同等以上の期間、第三回転制御を実行してもよい。この場合、第三回転制御において、液膜の膜厚をより確実に調整することができる。

塗布・現像装置２は、粘度が１００〜１０００ｃＰである処理液をノズル３１に供給する処理液供給部３０を更に備えてもよい。１００〜１０００ｃＰの処理液を用いる場合、流動性の不均一性に起因する膜厚の不均一化が生じ易い傾向がある。このため、上述の効果がより顕著となる。

第三回転速度は、処理液のうちウェハＷ上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されていてもよい。膜厚の大きい被膜を形成する場合、膜厚の均一性が低下し易い傾向がある。このため、上述の効果がより顕著となる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

以下、実施例について説明するが、この実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。

〔実施例１〕
直径３００ｍｍのシリコンウェハを準備し、その周縁部に上記ステップＳ０１〜Ｓ１０の成膜手順にて厚さ約１８μｍ、幅約３ｍｍの周縁被膜を形成した。当該成膜手順の実行に際し、各種条件を以下のように設定した。
処理液の粘度：２５０ｃＰ
第一回転速度：１５０ｒｐｍ
第一移動速度：１ｍｍ／ｓ
第二移動速度：１０ｍｍ／ｓ
第二回転速度：５０ｒｐｍ
第二回転制御時間：６０秒
第三回転速度：５００ｒｐｍ
第三回転制御時間：６０秒

〔実施例２〕
直径３００ｍｍのシリコンウェハを準備し、その周縁部に、上記ステップＳ０１〜Ｓ１０の成膜手順にて厚さ約１８μｍ、幅約３ｍｍの周縁被膜を形成した。当該成膜手順の実行に際し、各種条件を以下のように設定した。
処理液の粘度：２５０ｃＰ
第一回転速度：２５０ｒｐｍ
第一移動速度：１ｍｍ／ｓ
第二移動速度：１０ｍｍ／ｓ
第二回転速度：５０ｒｐｍ
第二回転制御時間：６０秒
第三回転速度：５００ｒｐｍ
第三回転制御時間：６０秒

〔実施例３〕
直径３００ｍｍのシリコンウェハを準備し、その周縁部に、上記ステップＳ０１〜Ｓ１０の成膜手順にて厚さ約１４μｍ、幅約３ｍｍの周縁被膜を形成した。当該成膜手順の実行に際し、各種条件を以下のように設定した。
処理液の粘度：２５０ｃＰ
第一回転速度：１５０ｒｐｍ
第一移動速度：１ｍｍ／ｓ
第二移動速度：１０ｍｍ／ｓ
第二回転速度：５０ｒｐｍ
第二回転制御時間：３０秒
第三回転速度：５００ｒｐｍ（開始後２０秒）、１２５０ｒｐｍ（残り４０秒）
第三回転制御時間：６０秒

〔比較例〕
直径３００ｍｍのシリコンウェハを準備し、その周縁部に、上記ステップＳ０１〜Ｓ１０のステップＳ０６，Ｓ０７（第二回転制御）を省略した成膜手順にて厚さ約１８μｍ、幅約３ｍｍの周縁被膜を形成した。当該成膜手順の実行に際し、各種条件を以下のように設定した。
処理液の粘度：２５０ｃＰ
第一回転速度：１５０ｒｐｍ
第一移動速度：１ｍｍ／ｓ
第二移動速度：１０ｍｍ／ｓ
第三回転速度：５００ｒｐｍ
第三回転制御時間：６０秒

〔膜厚の評価〕
実施例１、実施例２、実施例３及び比較例のウェハＷのそれぞれについて、周縁被膜の膜厚を三箇所で測定した。図８は、膜厚の測定結果を示すグラフである。図８において、横軸は径方向における位置（ウェハＷの回転中心ＣＬ１からの距離）を示している。縦軸は、膜厚を示している。図８の（ａ）は、比較例のウェハＷにおける測定結果を示し、図８の（ｂ）は、実施例１のウェハＷにおける測定結果を示し、図８の（ｃ）は、実施例２のウェハＷにおける測定結果を示し、図８の（ｄ）は実施例３のウェハＷにおける測定結果を示している。

図８の（ａ）に示すように、比較例のウェハＷにおいては、全ての測定箇所において、膜厚の小さい部分（以下、「窪み部」という。）が確認された。この窪み部は、周縁被膜のうち回転中心ＣＬ１寄りの位置に形成されていた。これに対し、図８の（ｂ）に示すように、実施例１においては、比較例における窪み部が解消されていることが確認された。この結果から、第二回転制御の実行により上記窪み部を解消し得ることが確認された。

実施例１では、一箇所の外周側において、膜厚の小さい部分（以下、「欠落部」という。）が確認された。これに対し、図８の（ｃ）に示すように、実施例２においては、実施例１における欠落部が解消されていることが確認された。

実施例２は、実施例１に対して次の点が異なる。すなわち、実施例２では、実施例１に比較して第一回転速度が高い。この違いにより、実施例２のスキャンイン制御では、実施例１のスキャンイン制御に比較して、ウェハＷの周縁部の各部に処理液がよりしっかりと供給され、上記欠落部が解消されたものと考えられる。

ノズル３１の開口内径が０．６ｍｍである場合、ウェハＷに到達する処理液の液柱の外径も約０．６ｍｍとなる。実施例１のスキャンイン制御においては、回転中心ＣＬ１と同心の円形の一ラインを上記液柱ＬＣ１（図６参照）が通過する間におけるウェハＷの回転回数は１．５回である。これに対し、実施例２のスキャンイン制御においては、回転中心ＣＬ１と同心の円形の一ラインを上記液柱が通過する間におけるウェハＷの回転回数は２．５回である。すなわち、実施例１においては、上記一ラインを上記液柱ＬＣ１が通過する回数が１．５回であるのに対し、実施例２においては、上記一ラインを上記液柱ＬＣ１が２．５回通過する。この差異が、上記欠落の解消に大きく寄与したものと考えられる。

実施例３においては、実施例２に比較して、膜厚の小さい周縁被膜が形成された。これには、第二回転制御の時間を６０秒から３０秒に短縮させた点、及び第三回転速度を途中で５００ｒｐｍから１２５０ｒｐｍに高めて処理液の振り切り量を増やした点が寄与しているものと考えられる。第三回転速度を高くして処理液の振り切り量を増やしても、上述した窪み部又は欠落部は形成されなかった。これには、第三回転制御の開始後、第三回転速度を５００ｒｐｍから１２５０ｒｐｍに段階的に高くしている点が寄与しているものと考えられる。

以上の実施形態に関して、次のとおり付記する。
（付記１）
第一平面に沿うように配置された基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記第一平面に向かって開口した処理液供給用のノズルと、
前記ノズルを搬送するノズル搬送部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板を第一回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第一回転制御と、
前記基板が第一回転速度で回転し、前記ノズルが前記処理液を吐出している状態にて、前記第一平面への前記処理液の到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させるように前記ノズル搬送部を制御するスキャンイン制御と、
前記スキャンイン制御の後、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させるように前記ノズル搬送部を制御するスキャンアウト制御と、
前記スキャンアウト制御の後、前記基板を前記第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第二回転制御と、
前記第二回転制御の後、前記基板を前記第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第三回転制御と、を実行するように構成されている、基板処理装置。
（付記２）
前記第三回転速度は、前記基板に供給された前記処理液の少なくとも一部を前記基板の周縁の外に振り切り得る値に設定されており、
前記第二回転速度は、前記基板に供給された前記処理液が前記基板上に留まるように設定されている、付記１記載の基板処理装置。
（付記３）
前記制御部は、前記スキャンイン制御及び前記スキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間、前記第二回転制御を実行する、付記１又は２記載の基板処理装置。
（付記４）
前記スキャンイン制御において、前記制御部は、前記基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、前記処理液の液柱が通過する間における前記基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて前記到達位置を移動させるように前記ノズル搬送部を制御する、付記１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記５）
前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて前記到達位置を移動させるように前記ノズル搬送部を制御する、付記４記載の基板処理装置。
（付記６）
前記制御部は、前記第三回転制御の実行中に前記第三回転速度を高くするように前記回転保持部を制御する、付記１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記７）
前記制御部は、前記第二回転制御の実行期間に対して同等以上の期間、前記第三回転制御を実行する、付記６記載の基板処理装置。
（付記８）
粘度が１００〜１０００ｃＰである前記処理液を前記ノズルに供給する処理液供給部を更に備える、付記１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記９）
前記第三回転速度は、前記処理液のうち前記基板上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されている、付記１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、前記第二回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであり、前記第三回転速度は１００〜１５００ｒｐｍである、付記１〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記１１）
前記第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、前記第一移動速度は０．５〜１．５ｍｍ／ｓである、付記４又は５記載の基板処理装置。
（付記１２）
前記第二移動速度は、前記第一移動速度の５〜１５倍である、付記５記載の基板処理装置。
（付記１３）
第一平面に沿うように配置された基板を第一回転速度で回転させることと、
前記基板が第一回転速度で回転し、第一平面に向かって開口したノズルが処理液を吐出している状態にて、前記第一平面への前記処理液の到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させることと、
前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させた後、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させることと、
前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させた後、前記基板を前記第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させることと、
前記基板を前記第二回転速度で回転させた後、前記基板を前記第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させることと、を含む基板処理方法。
（付記１４）
前記第三回転速度は、前記基板に供給された前記処理液の少なくとも一部を前記基板の周縁の外に振り切り得る値に設定されており、
前記第二回転速度は、前記基板に供給された前記処理液が前記基板上に留まるように設定されている、付記１３記載の基板処理方法。
（付記１５）
前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させ、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させる期間に対して５〜２０倍の期間、前記基板を前記第二回転速度で回転させる、付記１３又は１４記載の基板処理方法。
（付記１６）
前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させる際に、前記基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、前記処理液の液柱が通過する間における前記基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて前記到達位置を移動させる、付記１３〜１５のいずれか一項記載の基板処理方法。
（付記１７）
前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させる際に、前記第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて前記到達位置を移動させる、付記１６記載の基板処理方法。
（付記１８）
前記基板を前記第三回転速度で回転させている際に、前記第三回転速度を高くする、付記１３〜１７のいずれか一項記載の基板処理方法。
（付記１９）
前記基板を前記第二回転速度で回転させる期間に対して同等以上の期間、前記基板を第三回転速度で回転させる、付記１８記載の基板処理方法。
（付記２０）
粘度が１００〜１０００ｃＰである前記処理液を用いる、付記１３〜１９のいずれか一項記載の基板処理方法。
（付記２１）
前記第三回転速度は、前記処理液のうち前記基板上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されている、付記１３〜２０のいずれか一項記載の基板処理方法。
（付記２２）
付記１３〜２１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

Ｗ…ウェハ（基板）、２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１００…制御部、２０…回転保持部、３１…ノズル、３０…処理液供給部、４０…ノズル搬送部、ＨＰ…第一平面、Ｗｃ…周縁、Ｌ１…処理液、ω１…第一回転速度、Ｐ１…到達位置、ｖ１…第一移動速度、ｖ２…第二移動速度、ω２…第二回転速度、ω３…第三回転速度、Ｆ１…周縁被膜、ＬＣ１…液柱。

Claims (19)

1. 第一平面に沿うように配置された基板を保持して回転させる回転保持部と、
   前記第一平面に向かって開口した処理液供給用のノズルと、
   前記ノズルを搬送するノズル搬送部と、
   制御部とを備え、
   前記制御部は、
   前記基板を第一回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第一回転制御と、
   前記基板が第一回転速度で回転し、前記ノズルが前記処理液を吐出している状態にて、前記第一平面への前記処理液の到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させるように前記ノズル搬送部を制御するスキャンイン制御と、
   前記スキャンイン制御の後、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させるように前記ノズル搬送部を制御するスキャンアウト制御と、
   前記スキャンアウト制御の後、前記基板を前記第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第二回転制御と、
   前記第二回転制御の後、前記基板を前記第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させるように前記回転保持部を制御する第三回転制御と、を実行するように構成されており、
   前記スキャンイン制御において、前記制御部は、前記基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、前記処理液の液柱が通過する間における前記基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて前記到達位置を移動させるように前記ノズル搬送部を制御し、
   前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて前記到達位置を移動させるように前記ノズル搬送部を制御する、基板処理装置。
2. 前記第三回転速度は、前記基板に供給された前記処理液の少なくとも一部を前記基板の周縁の外に振り切り得る値に設定されており、
   前記第二回転速度は、前記基板に供給された前記処理液が前記基板上に留まるように設定されている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記スキャンイン制御及び前記スキャンアウト制御の実行期間に対して５〜２０倍の期間、前記第二回転制御を実行する、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記第三回転制御の実行中に前記第三回転速度を高くするように前記回転保持部を制御する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記第二回転制御の実行期間に対して同等以上の期間、前記第三回転制御を実行する、請求項４記載の基板処理装置。
6. 粘度が１００〜１０００ｃＰである前記処理液を前記ノズルに供給する処理液供給部を更に備える、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記第三回転速度は、前記処理液のうち前記基板上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、前記第二回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであり、前記第三回転速度は１００〜１５００ｒｐｍである、請求項１〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
9. 前記第一回転速度は１００〜４５０ｒｐｍであり、前記第一移動速度は０．５〜１．５ｍｍ／ｓである、請求項１〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。
10. 前記第二移動速度は、前記第一移動速度の５〜１５倍である、請求項１〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
11. 第一平面に沿うように配置された基板を第一回転速度で回転させることと、
    前記基板が第一回転速度で回転し、前記第一平面に向かって開口したノズルが処理液を吐出している状態にて、前記第一平面への前記処理液の到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させることと、
    前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させた後、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させることと、
    前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させた後、前記基板を前記第一回転速度よりも低い第二回転速度で回転させることと、
    前記基板を前記第二回転速度で回転させた後、前記基板を前記第一回転速度よりも高い第三回転速度で回転させることと、を含み、
    前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させる際に、前記基板の回転中心と同心の円形の一ラインを、前記処理液の液柱が通過する間における前記基板の回転回数が２〜７回となる第一移動速度にて前記到達位置を移動させ、
    前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させる際に、前記第一移動速度に比較して高い第二移動速度にて前記到達位置を移動させる、基板処理方法。
12. 前記第三回転速度は、前記基板に供給された前記処理液の少なくとも一部を前記基板の周縁の外に振り切り得る値に設定されており、
    前記第二回転速度は、前記基板に供給された前記処理液が前記基板上に留まるように設定されている、請求項１１記載の基板処理方法。
13. 前記到達位置を前記基板の周縁の外から内に移動させ、前記到達位置を前記基板の周縁の内から外に移動させる期間に対して５〜２０倍の期間、前記基板を前記第二回転速度で回転させる、請求項１１又は１２記載の基板処理方法。
14. 前記基板を前記第三回転速度で回転させている際に、前記第三回転速度を高くする、請求項１１〜１３のいずれか一項記載の基板処理方法。
15. 前記基板を前記第二回転速度で回転させる期間に対して同等以上の期間、前記基板を第三回転速度で回転させる、請求項１４記載の基板処理方法。
16. 粘度が１００〜１０００ｃＰである前記処理液を用いる、請求項１１〜１５のいずれか一項記載の基板処理方法。
17. 前記第三回転速度は、前記処理液のうち前記基板上に残留する成分の膜厚が、５μｍ以上となるように設定されている、請求項１１〜１６のいずれか一項記載の基板処理方法。
18. 前記第二移動速度は、前記第一移動速度の５〜１５倍である、請求項１１〜１７のいずれか一項記載の基板処理方法。
19. 請求項１１〜１８のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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