JP7329418B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7329418B2
JP7329418B2 JP2019199625A JP2019199625A JP7329418B2 JP 7329418 B2 JP7329418 B2 JP 7329418B2 JP 2019199625 A JP2019199625 A JP 2019199625A JP 2019199625 A JP2019199625 A JP 2019199625A JP 7329418 B2 JP7329418 B2 JP 7329418B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning liquid
water
solution
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019199625A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021072406A (ja
Inventor
亜希子 甲斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019199625A priority Critical patent/JP7329418B2/ja
Priority to TW109136066A priority patent/TW202123318A/zh
Priority to CN202011136919.5A priority patent/CN112786484A/zh
Priority to KR1020200141028A priority patent/KR20210053222A/ko
Priority to US17/083,096 priority patent/US11488846B2/en
Publication of JP2021072406A publication Critical patent/JP2021072406A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7329418B2 publication Critical patent/JP7329418B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、基板を水平に保持する回転自在な基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表面に洗浄液を供給するための洗浄液ノズルと、洗浄液ノズルを移動させるための駆動部とを備えた基板洗浄装置が開示されている。この基板洗浄装置では、上記駆動部は、基板が回転しているときに洗浄液ノズルからの洗浄液の供給位置が基板の中央部から周縁に向かって移動するように洗浄液ノズルを移動させる。
特開２０１１－１４９３５号公報
本開示にかかる技術は、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法及び基板処理装置において、処理前の基板表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後に基板の表面に残らないようにする。
本開示の一態様は、基板処理方法であって、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を有する基板の表面に、水溶性ポリマーの溶液を供給する工程と、供給した前記水溶性ポリマーの溶液により、前記レジスト膜の表面を親水化させる工程と、前記親水化させる工程後、前記基板を回転させながら、当該基板の表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、前記洗浄液が供給された前記基板を乾燥させる工程と、を有し、処理対象の前記基板は、液浸露光処理後の基板であり、且つ、前記液浸露光処理と現像処理との間に行われる露光後熱処理前の基板であり、前記レジスト膜は光酸発生剤を含み、前記水溶性ポリマーの溶液のｐＨ値は、５～９である。
本開示によれば、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法及び基板処理装置において、処理前の基板表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後に基板の表面に残らないようにすることができる。
本実施形態にかかる基板処理装置としての洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる基板処理装置としての洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 図１の洗浄装置における洗浄処理の一例を示すフローチャートである。 洗浄処理に係る各工程におけるウェハや各ノズルの様子を模式的に示す斜視図である。 洗浄処理に係る工程が実行される前または実行された後のウェハ表面の状態を模式的に示す断面図である。 水溶液のｐＨ値が大きい場合における、レジスト膜の状態変化を示す図である。 水溶液のｐＨ値が小さい場合における、レジスト膜の状態変化を示す図である。 洗浄液供給ノズルの構成を説明するための側面図である。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。
上述の露光の種類としては、液浸露光がある。液浸露光は、露光ヘッドの先端に設けられたレンズとウェハ表面との間に形成された水の膜を介して露光する手法であり、上記水の膜が形成された状態で露光ヘッドをスキャンさせながら、露光を繰り返すことで、ウェハ上に所望のパターンを順次転写していく。この液浸露光では、上記水の膜を露光ヘッドに追従させること等を目的として、ウェハ表面、具体的にはレジスト膜の表面は撥水性が高くされている。
ところで、液浸露光に用いられた水（以下、液浸水という。）が、当該露光後のウェハ表面に水滴として残留することがある。上記水滴は、露光後且つ現像処理前に行われる露光後加熱（ＰＥＢ）処理により乾燥して、欠陥である水浸みとなる。
そのため、露光後のウェハの表面を洗浄して液浸水の水滴を除去することが行われている。例えば、特許文献１では、前述のように、基板が回転しているときに洗浄液ノズルからの洗浄液の供給位置が基板の中央部から周縁に向かって移動するように洗浄液ノズルを移動させ、基板上に残存する水滴を低減させるようにしている。
しかし、ウェハを等速で回転させているときに洗浄液の供給位置がウェハの中央部から周縁に向かって移動するように洗浄液ノズルを移動させる従来の露光後洗浄処理のみでは、洗浄前のウェハ表面の撥水性の度合いによっては、液浸水の水滴の除去ができないことがある。以下、この点について説明する。
上記従来の露光後洗浄処理では、ウェハの回転速度が適切であると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液がウェハ上で塊となり、その塊が周方向の幅を広げながら螺旋を描くようにウェハ周縁に向かい、塊のままウェハ外に排出される。その過程で、ウェハ上の液浸水の水滴は洗浄液の上記塊に捕集され、当該塊と共にウェハ外に排出される。
一方、上記従来の露光後洗浄処理では、ウェハの回転速度が高いと、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液がウェハに衝突して飛び散り、洗浄液の塊が形成されず、液浸水の液滴を捕集できないだけでなく、洗浄液の小さな液滴が新たに形成されてしまう。また、洗浄液の塊が形成されたとしても、周縁部において当該塊が崩れ、これによっても洗浄液の小さな液滴が新たに形成されてしまう。このように形成された洗浄液の小さな液滴は、当該液滴の質量が小さいため、高回転であっても作用する遠心力が小さいので排出されにくい。
しかし、液浸露光に用いられるウェハの表面は、前述のように撥水性が高いため、すなわち、水に対する接触角が高いため、洗浄液を衝突させたときに当該洗浄液の飛び散りが生じない、ウェハの回転速度の上限値は低い。また、上記従来の露光後洗浄処理では、ウェハの回転速度を低くしすぎると、洗浄液等に作用する遠心力が小さくなり、ウェハ上に水滴が残ってしまう。したがって、液浸露光後のウェハ表面の接触角の度合いによっては、適切なウェハの回転速度の許容範囲が狭く、当該回転速度の処理条件の決定に時間がかかり、液浸水や洗浄液の水滴をウェハから取りきるのは実質的には不可能なことがある。また、当然、洗浄液の飛び散りが生じないウェハの回転速度の上限値が、水滴をウェハ上に残さないウェハの回転速度の下限値を下回れば、回転速度を調節しても、液浸水や洗浄液の水滴をウェハから取りきることは実際にできない。
そこで、本開示にかかる技術は、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法及び基板処理装置において、処理前の基板表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後に基板の表面に残らないようにする。
以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１及び図２は、本実施形態にかかる基板処理装置としての洗浄装置１の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
洗浄装置１は、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を表面に有する、基板としてのウェハＷを、処理対象すなわち洗浄対象とするものである。洗浄装置１の洗浄対象のウェハＷは、具体的には、液浸露光後且つＰＥＢ処理前のウェハである。なお、洗浄対象のウェハＷに形成されているレジスト膜の材料は、化学増幅型レジストであり、また、ポジ型であってもネガ型であってもよい。以下では上記レジスト膜はポジ型であるものとする。
洗浄装置１は、図１に示すように内部を密閉可能な処理容器１０を有している。処理容器１０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
処理容器１０内には、ウェハＷを保持して鉛直軸周りに回転させる、基板保持部としてのスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２０上に吸着保持できる。
また、スピンチャック２０の下方には、回転機構としてのチャック駆動部２１が設けられている。チャック駆動部２１は、例えばモータ等を備え、スピンチャック２０を種々の回転速度で回転させることができる。また、チャック駆動部２１には、不図示のシリンダ等を有する昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック２０は昇降駆動機構により昇降自在に構成されている。
スピンチャック２０の周囲には、当該スピンチャック２０に保持されたウェハＷの周囲を取り囲むようにカップ２２が設けられている。カップ２２は、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するものである。カップ２２の下面には、回収した液体を排出する排出管２３と、カップ２２内を排気する排気管２４が接続されている。
図２に示すように、カップ２２のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０Ａ、３０Ｂが形成されている。レール３０Ａ、３０Ｂは、例えばカップ２２のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０Ａ、３０Ｂにはそれぞれ対応する、アーム３１、３２が取り付けられている。
第１のアーム３１には、水溶性ポリマーの溶液を供給する溶液供給ノズル３３が支持されている。第１のアーム３１は、移動機構としてのノズル駆動部３４によってレール３０Ａ上を移動自在となっている。これにより、溶液供給ノズル３３は、カップ２２のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部３５から、カップ２２内のウェハＷの中央部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部３４によって、第１のアーム３１は昇降自在であり、溶液供給ノズル３３の高さを調節できる。
溶液供給ノズル３３が供給する水溶性ポリマーの溶液は、液浸露光後のレジスト膜表面に残存する液浸水の水滴を捕集し排出し且つ液浸露光後のレジストパターンの水に対する接触角を減少させるためものである。
水溶性ポリマーの溶液に含まれる水溶性ポリマーは、例えば、親水性基を含み主鎖をアルキル基とするものである。水溶性ポリマーの具体例としては、ポリピニルアルコール、ポリアクリル酸誘導体、ポリピニルビロリドン、セルロース誘導体、ビニルスルホン酸、フルオロアクリル酸、フルオロスホン酸、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、及び、これらの塩が挙げられる。これら水溶性ポリマーは、単独で用いられてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
水溶性ポリマーの分子量は例えば２０００以下である。
また、上記溶液中の水溶性ポリマーの濃度は１０％未満であることが好ましく、３％未満であることがより好ましい。水溶性ポリマーの水溶液でウェハＷの表面全体を被覆する必要があるところ、上記水溶性ポリマーの濃度が高いと、被覆性で劣るためである。
水溶性ポリマーの溶液としては、中性のものが用いられる。その理由については後述する。
水溶性ポリマーの溶液の溶媒は、水であり、具体的には、純水である。以下では、水溶性ポリマーの溶液を、ポリマー水溶液という。
ポリマー水溶液には、ウェハＷに対する塗布性の向上及びｐＨ（液性）の操作を主目的として、界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤の具体例としては、ソルビタンモノオレエート、グリセロールα‐モノオレエート、ポリエチレングリコールソルピタン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール直鎖アルキルエーテル、ポリエチレングリコールフエニルエーテル直鎖アルキル付加型、分岐鎖アルキル付加型、アセチレングリコール、陰イオン系のラウリン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム又はドデシルペンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。これら界面活性剤は、単独で用いられてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いられてもよい。ポリマー水溶液中の界面活性剤の濃度は３％未満であることが好ましい。ただし、水溶性ポリマーのｐＨが後述の範囲内に収まるのであれば、ポリマー水溶液中の界面活性剤の濃度は３％以上を超えてもよい。
また、ｐＨの操作のため、ポリマー水溶液に他の添加剤を加えてもよい。
なお、ポリマー水溶液には、上記塗布性の向上を目的とした有機溶媒の添加は行われない。
第２のアーム３２には、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル３６が支持されている。
第２のアーム３２は、移動機構としてのノズル駆動部３７によってレール３０Ｂ上を移動自在となっている。これにより、洗浄液供給ノズル３６は、カップ２２のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部３８から、カップ２２内のウェハＷの中央部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部３７によって、第２のアーム３２は昇降自在であり、洗浄液供給ノズル３６の高さを調節できる。
洗浄液供給ノズル３６が供給する洗浄液は、水系洗浄液であり、具体的には、ＤＩＷ（Deionized Water）である。
溶液供給ノズル３３及び洗浄液供給ノズル３６には、各ノズルに対して、対応する液を供給する液供給機構１００が接続されている。液供給機構１００は、ノズル毎に、各液を圧送するポンプ（図示せず）や、各液の供給及び供給停止を切り替える供給弁（図示せず）等を有する。
以上の洗浄装置１には、図１に示すように、制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、洗浄装置１における各種処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述のチャック駆動部２１、ノズル駆動部３４、３７、液供給機構１００等を制御して、後述の現像処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
ここで、洗浄装置１における洗浄処理の一例について図３～図５を用いて説明する。図３は、洗浄処理の一例を示すフローチャートである。図４は、洗浄処理に係る各工程におけるウェハＷや各ノズルの様子を模式的に示す斜視図である。図５は、洗浄処理に係る工程が実行される前または実行された後のウェハ表面の状態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、レジスト膜の表面には保護膜を形成されていないものとするが、形成されていてもよい。その場合、「レジスト膜の表面」とは保護膜の表面を意味する。
（水溶液供給工程）
洗浄装置１での洗浄処理の際、まず、図３に示すように、ウェハＷにポリマー水溶液を供給する（ステップＳ１）。具体的には、まず、液浸露光後のパターンが未形成の平坦な表面を有するウェハＷを、処理容器１０内に搬入させ、スピンチャック２０上に載置させ吸着させる。次いで、図４（Ａ）に示すように、溶液供給ノズル３３をウェハＷの中央上方へ移動させる。そして、図４（Ｂ）に示すように、ウェハＷを回転させ、当該ウェハＷに対して、溶液供給ノズル３３からポリマー水溶液を供給させ、これにより、ウェハＷ全面にポリマー水溶液の液膜Ｆを形成させる。この工程でのウェハＷの回転速度は例えば１００～１５００ｒｐｍである。なお、ポリマー水溶液は、その表面張力が水系洗浄液に比べて低いため、ウェハＷの表面に衝突したときに飛び散りにくく、また、被覆性が高い。
ポリマー水溶液の供給中、溶液供給ノズル３３は、ウェハＷの中央上方で固定である。その後、溶液供給ノズル３３をカップ２２外に退避させる。
本工程前のウェハＷの表面に図５（Ａ）に示すように液浸水の水滴Ｄが残っていた場合、図５（Ｂ）に示すように本工程でウェハＷの表面に形成されたポリマー水溶液の液膜Ｆにより、上記水滴Ｄが捕集される。捕集された結果、上記水滴Ｄは、ポリマー水溶液と共にウェハＷの外側に排出され、または、ウェハＷの表面に形成されたポリマー水溶液の液膜Ｆ内に残る。
（親水化工程）
続いて、図３に示すように、ウェハＷの表面に供給したポリマー水溶液により、レジスト膜の表面を親水化させる（ステップＳ２）。具体的には、例えば、図４（Ｃ）に示すように、ポリマー水溶液や洗浄液等が供給されていない状態で、ウェハＷを、予め定められた時間の間、回転させながら放置する。この時のウェハＷの回転速度は例えば１５００～２５００ｒｐｍである。回転させることにより、ウェハＷの表面に形成されたポリマー水溶液の液膜Ｆの流動性が低くなっていく。それと共に、放置することにより、図５（Ｃ）に示すように、レジスト膜Ｒの表面と、液膜Ｆ内の親水基を有する水溶性ポリマーＰとが架橋反応し、当該レジスト膜Ｒの表面が、親水基を有する水溶性ポリマーＰでコーティングされていく。その結果、レジスト膜Ｒの表面の水に対する接触角が減少していく。
この親水化工程の実行時間の長さを調整することで、レジスト膜Ｒの表面の水に対する接触角を調整することができる。例えば、親水化工程の実行時間を長くすれば、上記接触角をより減少させることができる。親水化工程の実行時間の長さは例えば３～６０秒である。
なお、親水化工程では、ポリマー水溶液の液膜の流動性が消滅し、ポリマー水溶液のウェハＷの裏面への回り込みの可能性が無くなった後は、ウェハＷの回転を止めてもよい。
ここで、ポリマー水溶液のｐＨ値について、図６及び図７を用いて説明する。図６及び図７はそれぞれ、水溶液のｐＨ値が大きい場合と小さい場合における、レジスト膜Ｒの状態変化を示す図である。
洗浄装置１による洗浄処理を行われるタイミングは、ＰＥＢ処理前である。そのため、ポリマー水溶液のｐＨ値が大きいと、図６に示すように、液浸露光によりレジスト膜Ｒ内で光酸発生剤（ＰＡＧ：Photo Acid Generator）から生じた酸（Ｈ＋）が、ポリマー水溶液の液膜Ｆ中のアルカリ成分と反応し消失してしまう。その結果、現像したときに所望の形状のレジストパターンが得られなくなる。例えば、意図しない断面視Ｔ字状のパターンが得られてしまう。
また、水溶性ポリマーの水溶液のｐＨが小さいと、図７に示すように、ポリマー水溶液の液膜Ｆからレジスト膜Ｒ中に、特に、レジスト膜Ｒの表面に、酸成分（Ｈ＋）が供給されてしまう。その結果、現像したときに、所望の形状のレジストパターンが得られなくなる。例えば、所望の膜厚のレジストパターンが得られなくなる。また、意図しない、頂部が丸みを帯びた形状のレジストパターンが得られてしまうこともある。
そこで、水溶性ポリマーの水溶液としては、レジスト膜の酸の濃度変化を許容範囲内に収めるｐＨ値であって、レジスト膜の酸とベース樹脂との反応を阻害しないｐＨ値を有するものが用いられる。言い換えると、水溶性ポリマーの水溶液として、中性のものが用いられる。具体的には、水溶性ポリマーの水溶液のｐＨ値は例えば５～９とされ、６～８であることがより好ましい。
図３～図５を用いた洗浄処理の説明に戻る。
（洗浄液供給工程）
親水化工程後、図３に示すように、ウェハＷを回転させながら、ウェハＷの表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していないポリマー水溶液を除去する（ステップＳ３）。親水化に寄与していないポリマー水溶液とは、具体的には、ポリマー水溶液の液膜Ｆのうちのレジスト膜Ｒの表面と未結合の水溶性ポリマーと溶剤である。上述のように除去することによって、ポリマー水溶液に捕集され液膜Ｆに残っていた液浸水の水滴ＤもウェハＷ外に排出される。
この洗浄液供給工程では、例えば、ウェハＷにおける洗浄液の塗布領域の乾燥を同時並行的に行ってもよい。具体的には、例えば、図４（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、ウェハＷを回転させ、且つ、洗浄液供給ノズル３６からの吐出先がウェハＷの中央から周縁に向けて移動するよう当該ノズル３６を移動させながら、当該ノズル３６からウェハ外側に向けて吐出された洗浄液を供給させる。これにより、不要なポリマー水溶液の液膜Ｆを洗浄液で除去しながら、ウェハＷにおける洗浄液の塗布領域を内側から乾燥させていくことができる。このように、洗浄液供給ノズルを移動させる場合、Ｎ２ガス等の不活性ガスを用いて、乾燥を補助するようにしてもよい。
また、上述のように洗浄液供給ノズル３６を移動させる場合、ウェハＷの回転速度は、例えば、徐々に低くされる。具体的には、洗浄液供給ノズル３６からの洗浄液の吐出先がウェハＷの中央のとき、ウェハＷの回転速度は例えば１５００～２０００ｒｐｍとされ、ウェハＷの周縁のときは、例えば２００～１０００ｒｐｍとされる。
ただし、洗浄液供給ノズル３６を上述のように移動させる場合のウェハＷの回転速度は、固定であってもよい。この場合、ウェハＷの回転速度は２００～１０００ｒｐｍとされる。
また、上述のように洗浄液供給ノズル３６を移動させる場合、当該ノズル３６の移動速度は、２０～６０ｍｍ／ｓとされる。ウェハＷの回転速度を許容上限まで高くせずに、洗浄液供給ノズル３６の移動速度を高くすることで、ポリマー水溶液の供給工程を追加しても、洗浄処理全体を行うのに要する時間を従来の露光後洗浄処理と同等にすることができる。
洗浄液供給ノズル３６からの洗浄液の吐出先をウェハＷの周縁まで移動させた後、当該ノズル３６をカップ２２外に退避させる。
（乾燥工程）
洗浄液供給工程後、図３に示すように、洗浄液が供給されたウェハＷを乾燥させる（ステップＳ４）。具体的には、図４に示すように、洗浄液等の供給が行われない状態で、ウェハＷを回転させ、これにより、ウェハＷを乾燥させる。乾燥させたウェハＷ上のレジスト膜Ｒの表面には、図５（Ｄ）に示すように、親水基を有する水溶性ポリマーＰと結合した層が残されるが、これは現像のときに問題とはならない。レジスト膜Ｒの表面を含む上部は現像の過程で除去されるからである。
なお、ステップＳ３において、前述のように、洗浄液供給ノズル３６を移動させ、洗浄液によるポリマー水溶液の液膜の除去と同時並行的に乾燥も行う場合は、ステップＳ４の乾燥工程は省略してもよい。
乾燥工程終了後、ウェハＷを、処理容器１０内から搬出させる。
これにより、洗浄処理が完了する。
なお、洗浄液供給工程における、ウェハＷの回転速度以外の処理条件（洗浄液供給ノズルの形状も含む。）を、従来の露光後洗浄処理と同様としてもよい。
以上のように、本実施形態にかかるウェハＷの洗浄方法は、液浸露光後の、パターンが未形成のレジスト膜を有するウェハＷの表面に、水溶性ポリマーの水溶液を供給する工程と、供給した水溶性ポリマーの水溶液により、レジスト膜の表面を親水化させる工程と、を有する。また、当該洗浄方法は、上記親水化させる工程後、ウェハＷを回転させながら、当該ウェハＷの表面に対して洗浄液を供給し、ウェハＷの表面上の、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、洗浄液が供給されたウェハＷを乾燥させる工程を有する。
本実施形態によれば、レジスト膜の表面に液浸水の液滴が残っていたとしても、この液滴は、水溶性ポリマーの水溶液を供給する工程で除去したり、当該工程で上記水溶液の液膜内に捕集させその後の洗浄液を供給する工程で上記液膜と共に除去したりできる。また、本実施形態によれば、洗浄液供給工程の時点では、レジスト膜の表面は親水化されているため、洗浄液供給工程において、ウェハＷの回転速度を高くしても、洗浄液の飛び散り等が生じにくく、洗浄液の細かな液滴がウェハＷ上に残ることがない。この点は、洗浄液供給工程の際に、上述したような手法で洗浄液を供給した場合でも、従来の露光後洗浄処理と同様に洗浄液を供給した場合でも、共通である。そのため、本実施形態によれば、従来の露光後洗浄処理に比べて、洗浄前のウェハ表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後にレジスト膜の表面に残らないようにすることができる。なお、レジスト膜の表面を親水化させることにより、洗浄液供給工程におけるウェハＷの回転速度の許容範囲の下限値が上昇することも考えられる。しかし、ウェハＷの回転により洗浄液の広がりや乾燥等を制御する形態では、ウェハＷの回転速度の許容範囲の下限値が上がることよりも、同許容範囲の上限値が上がることの方が有意である。
また、本実施形態では、水溶性ポリマーの溶液は、レジスト膜の酸の濃度を許容範囲内に収めるｐＨ値を有する。したがって、水溶性ポリマーの溶液により、所望の形状のレジストパターンが得られなくなることがない。
本発明者らが、鋭意調査したところによれば、レジスト膜の表面の水に対する接触角が約８０°であった場合に、当該表面に水溶性ポリマーの水溶液を供給し親水化させた後、洗浄液を供給することで、上記接触角が約５～１５°低下し、約７５°～６５°となった。また、洗浄液が最も飛び散りやすいウェハＷの周縁部に洗浄液を供給する場合、上記接触角が８０°～９０°のときは、ウェハＷの回転数は６００ｒｐｍ未満としなければ、洗浄液の飛び散りが生じていた。それに対し、上記接触角が、７０°～７５°のときは、ウェハＷの回転数は８００ｒｐｍでも洗浄液の飛び散りは生じていなかった。
この点からも、本実施形態によれば、従来の露光後洗浄処理に比べて、洗浄前のウェハ表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後にレジスト膜の表面に残らないようにすることができる、と言える。
なお、本実施形態において、水溶性ポリマーの水溶液の液膜を除去するために、洗浄液の流速を高める必要があったとしても、洗浄液を供給する工程の時点では、レジスト膜の表面は親水化されているため、洗浄液の流速を高めても、洗浄液が飛び散ったりすることはない。
また、本実施形態では、水溶性ポリマーの溶液の溶媒は水であり有機溶媒を含まない。水溶性ポリマーの溶液が有機溶媒を含む場合、当該水溶性ポリマーの溶液をウェハＷに供給したときに、レジスト膜の膜ベリ等のパターン形状の悪化が生じるおそれがあるためである。また、ポリマー水溶液が有機溶媒を含む場合、純水が用いられる洗浄液とポリマー水溶液の廃液ラインを共通化すると、廃液する際に有機溶媒を分離する必要があるためである。
前述したように、洗浄液供給工程では、洗浄液供給ノズル３６からの吐出先がウェハＷの中央から周縁に向けて移動するよう当該ノズル３６を移動させている。この洗浄液供給工程では、洗浄液供給ノズル３６からの洗浄液の吐出先が、ウェハＷの周縁のベベルに至るまで、当該ノズル３６を移動させてもよい。これにより、洗浄液でウェハＷのベベルを洗浄することができる。具体的には、液浸露光処理またはそれ以前の処理でウェハＷのベベルに付着した異物を、洗浄液で洗浄することができる。
また、このベベルの洗浄のため、洗浄液の吐出先がベベルとなる位置で、洗浄液供給ノズル３６の移動を停止させてもよい。
図８は洗浄液供給ノズル３６の構成を説明するための側面図である。
洗浄液供給ノズル３６のノズル径は、従来の露光後洗浄処理に用いられるノズルと同様であり、例えば１・０～２．５ｍｍである。
また、洗浄液供給ノズル３６は、洗浄液によって効率的にポリマー水溶液の液膜を除去できるよう、図示するように、ウェハＷの表面に対して傾けられている。ウェハＷの表面に対する洗浄液の吐出角度θ１は具体的には例えば１５°～５０°である。
洗浄液供給ノズル３６からの洗浄液の流量は比較的大きい１５０～４００ｍｌ／ｍｉｎである。上述のように洗浄液供給ノズル３６のノズル径が従来と同様であるところ、流量を大きくすることで、当該ノズル３６からの洗浄液の流速が高くなる。洗浄液の流速を高めることで、不要な水溶性ポリマーの水溶液の液膜を容易に除去することができる。なお、前述のように、洗浄液を供給する工程の時点では、レジスト膜の表面は親水化されているため、洗浄液の流速を高めても、洗浄液が飛び散ったりすることはない。
さらに、洗浄液供給ノズル３６の洗浄液の吐出角度は、ウェハＷの周縁のベベルに対して、ウェハＷの表面とは反対側に傾いている。これにより、洗浄液でベベルを確実に洗浄することができる。なお、洗浄液供給ノズル３６のウェハＷの周縁のベベルに対する洗浄液の角度θ２は例えば５～１５°である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）液浸露光処理後の、パターンが未形成のレジスト膜を有する基板の表面に、水溶性ポリマーの溶液を供給する工程と、
供給した前記水溶性ポリマーの溶液により、前記レジスト膜の表面を親水化させる工程と、
前記親水化させる工程後、前記基板を回転させながら、当該基板の表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、
前記洗浄液が供給された前記基板を乾燥させる工程と、を有し、
前記水溶性ポリマーの溶液は、前記レジスト膜の酸の濃度を許容範囲内に収めるｐＨ値を有する、基板処理方法。
前記（１）によれば、処理前の基板表面の接触角の度合いによらず、液浸露光に用いた水や洗浄液が処理後に基板の表面に残らないようにすることができる。
（２）処理対象の前記基板は、液浸露光処理後の基板であり、且つ、前記液浸露光処理と現像処理との間に行われる露光後熱処理前の基板である、前記（１）に記載の基板処理方法。
（３）前記水溶性ポリマーの溶液のｐＨ値は、５～９である、前記（１）または（２）に記載の基板処理方法。
（４）前記水溶性ポリマーの溶液の溶媒は水であり有機溶媒を含まない、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（５）前記水溶性ポリマーの溶液は、界面活性剤が添加されている、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（６）前記洗浄液は水である、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（７）前記洗浄液を供給する工程と前記基板を乾燥させる工程は同時並行的に行われ、
当該工程において、供給ノズルからの前記洗浄液の吐出先が基板中央から基板周縁に向けて移動するよう当該供給ノズルを移動させながら、当該供給ノズルから基板外側に向けて吐出された前記洗浄液を供給する、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（８）前記洗浄液を供給する際、前記供給ノズルの移動に伴い、前記基板の回転速度を低くしていく、前記（７）に記載の基板処理方法。
（９）前記洗浄液を供給する際、前記吐出先が前記基板の周縁のベベルまで至るよう、前記供給ノズルを移動させる、前記（７）または（８）に記載の基板処理方法。
（１０）前記供給ノズルの前記洗浄液の吐出角度は、基板周縁のベベルに対して、当該基板の表面とは反対側に傾いている、前記（９）に記載の基板処理方法。
（１１）液浸露光処理後の基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板は、パターニングが未形成のレジスト膜をその表面に有し、
当該基板処理装置は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板に、水溶性ポリマーの溶液を供給する溶液供給ノズルと、
前記基板保持部に保持された前記基板に、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記回転機構、前記溶液供給ノズルからの供給及び前記洗浄液供給ノズルからの供給の制御を行うように構成されている制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記基板の表面に、水溶性ポリマーの溶液を供給する工程と、
供給した前記水溶性ポリマーの溶液により、前記レジスト膜の表面を親水化させる工程と、
前記親水化させる工程後、前記基板を回転させながら、当該基板の表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、
前記洗浄液が供給された前記基板を乾燥させる工程と、が実行されるよう、制御を行うように構成され、
前記水溶性ポリマーの溶液は、前記レジスト膜の酸の濃度を許容範囲内に収めるｐＨ値を有する、基板処理装置。
１ 洗浄装置
２０ スピンチャック
２１ チャック駆動部
３３ 溶液供給ノズル
３４ ノズル駆動部
３６ 洗浄液供給ノズル
３７ ノズル駆動部
２００ 制御部
Ｐ 水溶性ポリマー
Ｒ レジスト膜
Ｗ ウェハ

Claims (9)

  1. 液浸露光処理後の、パターンが未形成のレジスト膜を有する基板の表面に、水溶性ポリマーの溶液を供給する工程と、
    供給した前記水溶性ポリマーの溶液により、前記レジスト膜の表面を親水化させる工程と、
    前記親水化させる工程後、前記基板を回転させながら、当該基板の表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、
    前記洗浄液が供給された前記基板を乾燥させる工程と、を有し、
    処理対象の前記基板は、液浸露光処理後の基板であり、且つ、前記液浸露光処理と現像処理との間に行われる露光後熱処理前の基板であり、
    前記レジスト膜は光酸発生剤を含み、
    前記水溶性ポリマーの溶液のｐＨ値は、５～９である、基板処理方法。
  2. 前記水溶性ポリマーの溶液の溶媒は水であり有機溶媒を含まない、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記水溶性ポリマーの溶液は、界面活性剤が添加されている、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記洗浄液は水である、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 前記洗浄液を供給する工程と前記基板を乾燥させる工程は同時並行的に行われ、
    当該工程において、供給ノズルからの前記洗浄液の吐出先が基板中央から基板周縁に向けて移動するよう当該供給ノズルを移動させながら、当該供給ノズルから基板外側に向けて吐出された前記洗浄液を供給する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 前記洗浄液を供給する際、前記供給ノズルの移動に伴い、前記基板の回転速度を低くしていく、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記洗浄液を供給する際、前記吐出先が前記基板の周縁のベベルまで至るよう、前記供給ノズルを移動させる、請求項５または６に記載の基板処理方法。
  8. 前記供給ノズルの前記洗浄液の吐出角度は、基板周縁のベベルに対して、当該基板の表面とは反対側に傾いている、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 液浸露光処理後の基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板は、パターニングが未形成のレジスト膜をその表面に有し、
    当該基板処理装置は、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を回転させる回転機構と、
    前記基板保持部に保持された前記基板に、水溶性ポリマーの水溶液を供給する溶液供給ノズルと、
    前記基板保持部に保持された前記基板に、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
    前記回転機構、前記溶液供給ノズルからの供給及び前記洗浄液供給ノズルからの供給の制御を行うように構成されている制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記基板の表面に、水溶性ポリマーの溶液を供給する工程と、
    供給した前記水溶性ポリマーの溶液により、前記レジスト膜の表面を親水化させる工程と、
    前記親水化させる工程後、前記基板を回転させながら、当該基板の表面に対して洗浄液を供給し、親水化に寄与していない水溶性ポリマーの水溶液を除去する工程と、
    前記洗浄液が供給された前記基板を乾燥させる工程と、が実行されるよう、制御を行うように構成され、
    処理対象の前記基板は、液浸露光処理後の基板であり、且つ、前記液浸露光処理と現像処理との間に行われる露光後熱処理前の基板であり、
    前記レジスト膜は光酸発生剤を含み、
    前記水溶性ポリマーの溶液のｐＨ値は、５～９である、基板処理装置。
JP2019199625A 2019-11-01 2019-11-01 基板処理方法及び基板処理装置 Active JP7329418B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019199625A JP7329418B2 (ja) 2019-11-01 2019-11-01 基板処理方法及び基板処理装置
TW109136066A TW202123318A (zh) 2019-11-01 2020-10-19 基板處理方法及基板處理裝置
CN202011136919.5A CN112786484A (zh) 2019-11-01 2020-10-22 基片处理方法和基片处理装置
KR1020200141028A KR20210053222A (ko) 2019-11-01 2020-10-28 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US17/083,096 US11488846B2 (en) 2019-11-01 2020-10-28 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019199625A JP7329418B2 (ja) 2019-11-01 2019-11-01 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021072406A JP2021072406A (ja) 2021-05-06
JP7329418B2 true JP7329418B2 (ja) 2023-08-18

Family

ID=75687893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019199625A Active JP7329418B2 (ja) 2019-11-01 2019-11-01 基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11488846B2 (ja)
JP (1) JP7329418B2 (ja)
KR (1) KR20210053222A (ja)
CN (1) CN112786484A (ja)
TW (1) TW202123318A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114914167A (zh) * 2022-07-11 2022-08-16 广州粤芯半导体技术有限公司 清洗溶液的监测方法及其监测系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038671A1 (en) 2006-08-08 2008-02-14 Tokyo Electron Limited Pattern forming method and apparatus
JP2008060103A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2010118519A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd ウエハの洗浄方法及び記憶媒体
JP2011014935A (ja) 2010-10-18 2011-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。
US20150217335A1 (en) 2006-08-29 2015-08-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
WO2018116985A1 (ja) 2016-12-19 2018-06-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023893A (ja) * 1999-07-12 2001-01-26 Nec Corp フォトレジストパターンの形成方法
US8795952B2 (en) * 2010-02-21 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Line pattern collapse mitigation through gap-fill material application

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038671A1 (en) 2006-08-08 2008-02-14 Tokyo Electron Limited Pattern forming method and apparatus
JP2008042019A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2008060103A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US20150217335A1 (en) 2006-08-29 2015-08-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2010118519A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd ウエハの洗浄方法及び記憶媒体
JP2011014935A (ja) 2010-10-18 2011-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。
WO2018116985A1 (ja) 2016-12-19 2018-06-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202123318A (zh) 2021-06-16
CN112786484A (zh) 2021-05-11
JP2021072406A (ja) 2021-05-06
KR20210053222A (ko) 2021-05-11
US11488846B2 (en) 2022-11-01
US20210134615A1 (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101493647B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
TWI619190B (zh) Liquid processing method, memory medium and liquid processing device
WO2005101468A1 (ja) リンス処理方法および現像処理方法
KR102608177B1 (ko) 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치
JP4730787B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI797159B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP7329418B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US10707098B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and memory medium
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7308105B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP6481644B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
TWI833688B (zh) 顯像處理方法、電腦記憶媒體及顯像處理裝置
JP7360970B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP7445021B2 (ja) 塗布処理装置、塗布処理方法及びコンピュータ記憶媒体
US11774854B2 (en) Substrate processing method, storage medium, and substrate processing apparatus
JP7360973B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP2004014869A (ja) 現像装置
TW202129436A (zh) 基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220803

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230425

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230623

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230711

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7329418

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150