JP2008042019A - パターン形成方法およびパターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】液浸露光のために基板表面が疎水性である基板であっても、所定のレジストパターンを均一に安定して形成することができるパターン形成方法およびそれに用いられるパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】現像液を塗布してレジストパターンを形成する前に、液浸露光によりレジスト膜が所定のパターンに露光された基板の表面に薬液を供給して現像液が全面に濡れる程度に基板表面を親水化する。
【選択図】図7
【解決手段】現像液を塗布してレジストパターンを形成する前に、液浸露光によりレジスト膜が所定のパターンに露光された基板の表面に薬液を供給して現像液が全面に濡れる程度に基板表面を親水化する。
【選択図】図7
Description
本発明は、例えば、半導体装置に用いられる液浸露光によりレジスト膜を所定パターンに露光し、露光パターンを現像して所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法およびパターン形成装置に関する。
半導体デバイスのフォトリソグラフィ工程においては、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)にレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
このようなフォトリソグラフィ工程により、最先端の領域では、線幅が90nm(90nmノード)程度の微細な回路パターンを形成することが可能となっている。
近時、半導体デバイスの回路パターンの微細化が急速に進んでおり、これに対応して、現在90nmノードよりもさらに微細な45nmノードへ向けての開発が進められ、これに伴って、露光の解像性能を高める必要性が生じている。そこで、極端紫外露光(EUVL;Extreme Ultra Violet Lithography)やフッ素ダイマー(F2)による露光技術の開発を進める一方で、例えばフッ化アルゴン(ArF)やフッ化クリプトン(KrF)による露光技術を改良して解像性能を上げるため、光を透過する液体からなる液層を基板の表面に形成した状態で露光する手法(以下、「液浸露光」という)が検討されている(例えば、特許文献1)。
このような液浸露光では、露光時にレジスト膜が光を透過する液体(以下、「浸漬液」という)に直接接触することを避けるため、保護膜(以下、「トップコート」という)をレジスト膜上に形成し、このトップコートの上から液浸露光する方法が検討されている(特許文献2)。
また、これに対して、保護膜を形成する工程を減らす目的から、上述のようなトップコートを用いないトップコートレスすなわちレジスト膜表面を直接液浸露光する方法も検討されている。
ところで、これらいずれの方法においても、トップコートもしくはレジスト膜の表面は、露光時に浸漬液への耐水性および露光機の液浸ヘッドのスキャンスピードを上げるために、疎水性にしておかなければならない。
しかしながら、このようなトップコートもしくはレジスト膜の表面が疎水性であるウエハを現像処理する場合、ウエハ上に現像液を液盛りするとウエハ表面が現像液をはじき、液盛りが困難となる。このため、ウエハを均一に安定して現像することができず、CD(Critical Dimension)がばらついたり、欠陥が発生するなどの現像処理不良が発生し、所定のレジストパターンを均一に、かつ安定して形成することができないという問題がある。
再公表WO99/049504号
特開2005−157259号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、液浸露光のために基板表面が疎水性である基板であっても、所定のレジストパターンを均一に安定して形成することができるパターン形成方法およびそれに用いられるパターン形成装置を提供することを目的とする。また、このような方法を実行するためのコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、基板表面にレジスト膜を形成し、または、レジスト膜と保護膜とを順次形成し、次いでレジスト膜またはレジスト膜および保護膜が形成された基板を液体に浸漬させながら露光する液浸露光により前記レジスト膜に所定の露光パターンを形成し、露光パターンを現像液により現像して所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、液浸露光した後、露光パターンを現像する前に、基板表面を構成するレジスト膜表面または保護膜表面を現像液が全面に濡れる程度に親水化する親水化処理を施すことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
上記第1の観点において、前記レジスト膜表面または前記保護膜表面に薬液を供給することにより、または、紫外線照射することにより親水化処理を施すことができる。前記薬液を用いることにより、親水化処理することに加えて基板表面を洗浄することができる。また、前記薬液による親水化処理の前または後または前後両方に洗浄液による洗浄処理を施すことができる。さらに、前記薬液による親水化処理の前または後に上述のように紫外線照射することができる。さらにまた、前記紫外線照射を行った後、洗浄液による洗浄処理を施し、その後前記薬液による親水化処理を行うことができる。さらにまた、洗浄液による洗浄処理を施した後、前記薬液による親水化処理を行い、次いで紫外線照射した後、再び洗浄液による洗浄処理を施すことができる。
このような親水化処理は、現像処理に先立って行われるレジスト膜の酸触媒反応を促進させる加熱処理の前に行うことが好適である。また、前記薬液は酸性液を用いることが好適であり、希酸であることが好ましい。具体的には酢酸、蟻酸、塩酸、硫酸、パートフルオロアルキルスルフォン酸であることが好ましい。
本発明の第2の観点では、基板表面にレジスト膜を形成し、または、レジスト膜と保護膜とを順次形成する塗布系処理部と、レジスト膜またはレジスト膜および保護膜が形成された基板を液体に浸漬させながら露光して前記レジスト膜に所定の露光パターンを形成する液浸露光部と、露光パターンを現像液により現像して所定のレジストパターンを形成する現像処理部と、前記液浸露光部により露光した後、前記現像処理部で現像する前に、基板表面を構成するレジスト膜表面または保護膜表面を現像液が全面に濡れる程度に親水化する親水化機構とを具備することを特徴とするパターン形成装置を提供する。
上記第2の観点において、前記親水化機構は、前記レジスト膜表面または前記保護膜表面を親水化する薬液を基板表面に供給する薬液供給機構を有するように、または、前記レジスト膜表面または前記保護膜表面を親水化する紫外線を基板表面に照射する紫外線照射機構を有するように構成することができる。また、前記親水化機構は、前記薬液供給機構および/または前記紫外線照射機構を有するように構成することができる。
また、露光処理後の基板に洗浄液を供給して洗浄する洗浄処理部をさらに具備するように構成することができる。また、前記親水化機構は前記洗浄処理部に設けられるように構成することができる。さらに、基板を加熱してレジスト膜の酸触媒反応を促進させる加熱処理部をさらに具備し、前記親水化機構で施す親水化処理は、前記現像処理部で施す現像処理に先立って行われる前記加熱処理部で施す加熱処理の前に行うようにすることができる。
本発明の第3の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第1の観点に係る方法が行われるように、コンピュータにパターン形成装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、基板表面にレジスト膜を形成し、または、レジスト膜と保護膜とを順次形成し、次いでレジスト膜またはレジスト膜および保護膜が形成された基板に対して、液浸露光した後、露光パターンを現像する前に、この基板表面に薬液を供給して、液浸露光時における浸漬液への耐水性および液浸ヘッドのスキャンスピードを上げる観点から通常疎水化されているレジスト膜表面または保護膜表面を現像液が全面に濡れる程度に親水化するので、基板表面が現像液をはじくことなく液盛りすることができる。このため、CD(Critical Dimension)のばらつきや、欠陥が発生するなどの現像処理不良を抑制することができ、所定のレジストパターンを均一に安定して形成することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明に係る基板処理装置の一実施形態としてのパターン形成装置の概略平面図であり、図2はその概略斜視図である。
図1は本発明に係る基板処理装置の一実施形態としてのパターン形成装置の概略平面図であり、図2はその概略斜視図である。
パターン形成装置1は、半導体基板であるウエハWに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハWの搬送ステーションであるカセットステーション11と、ウエハWに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション12と、ウエハWに露光処理を施す露光装置14と、処理ステーション12および露光装置14の間でウエハWを受け渡すためのインターフェースステーション13とを備えている。カセットステーション11、処理ステーション12、インターフェースステーション13および露光装置14は、この順にパターン形成装置1の長さ方向(X方向)に直列に配置されている。
カセットステーション11は、複数枚、例えば13枚のウエハWが収容されたウエハカセット(CR)を載置するカセット載置台11aと、カセット載置台11a上のウエハカセット(CR)と後述する処理ステーション12の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットとの間でウエハWを搬送するためのウエハ搬送部11cとをX方向に直列に有している。カセット載置台11a上には、ウエハカセット(CR)を位置決めするための位置決め部11bが、パターン形成装置1の幅方向(Y方向)に複数、例えば5個設けられており、ウエハカセット(CR)は、その開口がウエハ搬送部11cの筐体の壁面に設けられた開閉部11eと対向するように、位置決め部11b位置に載置される。ウエハ搬送部11cは、その筐体内に配置された、ウエハWを保持可能な搬送ピック11dを有し、この搬送ピック11dによりカセット載置台11a上の各ウエハカセット(CR)とトランジションユニットとの間でウエハWを搬送するように構成されている。
処理ステーション12は、筐体15内に配置されており、その前面側(図1下方)に、カセットステーション11側からインターフェースステーション13側に向かって順に、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2とを有し、その背面側(図1上方)に、カセットステーション11側からインターフェースステーション13側に向かって順に、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5を有している。また、処理ステーション12は、第3処理ユニット群G3と第4処理ユニット群G4との間に第1主搬送部A1を有し、第4処理ユニット群G4と第5処理ユニット群G5との間に第2主搬送部A2を有している。
第1処理ユニット群G1は、ウエハWに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する例えば2つのボトムコーティングユニット(BARC)と、ウエハWにレジスト膜を形成する例えば3つのレジスト塗布ユニット(COT)とが積み重ねられて構成されている。第2処理ユニット群G2は、ウエハWに現像処理を施す例えば3つの現像ユニット(DEV)と、ウエハWに形成されたレジスト膜の表面に疎水性の保護膜を形成する例えば2つのトップコーティングユニット(ITC)とが積み重ねられて構成されている。
第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4、第5処理ユニット群G5は、例えば、ウエハWに疎水化処理を施すアドヒージョンユニットやレジスト塗布後のウエハWに加熱処理を施すプリベークユニット、現像処理後のウエハWに加熱処理を施すポストベークユニット、露光後現像前のウエハWに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット等の熱処理ユニットが例えば10段に積み重ねられて構成されている。また、第3処理ユニット群G3は、カセットステーション11と第1主搬送部A1との間でのウエハWの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。第5処理ユニット群G5は、第2主搬送部A2とインターフェースステーション13の後述する第1ウエハ搬送体21との間でのウエハWの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。
第1主搬送部A1は、ウエハWを保持可能な第1主ウエハ搬送アーム16を有し、この第1主ウエハ搬送アーム16は、第1処理ユニット群G1、第3処理ユニット群G3および第4処理ユニット群G4の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第2主搬送部A2は、ウエハWを保持可能な第2主ウエハ搬送アーム17を有し、この第2主ウエハ搬送アーム17は、第2処理ユニット群G2、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
第1処理ユニット群G1とカセットステーション11との間および第2処理ユニット群G2とインターフェースステーション13との間にはそれぞれ、第1および第2処理ユニット群G1、G2に供給される処理液の温度調節装置や温度湿度調節用のダクト等を備えた温度湿度調節ユニット18が設けられている。また、第1および第2処理ユニット群G1、G2の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット(CHM)が設けられている。
図3はパターン形成装置1に設けられたインターフェースステーション13の概略斜視図である。
インターフェースステーション13は、筐体内に配置された、処理ステーション12側の第1インターフェースステーション13aと、露光装置14側の第2インターフェースステーション13bとを有している。第1インターフェースステーション13aには、第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように、ウエハWを搬送するための第1ウエハ搬送体21が設けられており、第2インターフェースステーション13bには、Y方向に移動可能なウエハWを搬送するための第2ウエハ搬送体22が設けられている。
インターフェースステーション13は、筐体内に配置された、処理ステーション12側の第1インターフェースステーション13aと、露光装置14側の第2インターフェースステーション13bとを有している。第1インターフェースステーション13aには、第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように、ウエハWを搬送するための第1ウエハ搬送体21が設けられており、第2インターフェースステーション13bには、Y方向に移動可能なウエハWを搬送するための第2ウエハ搬送体22が設けられている。
第1インターフェースステーション13aの正面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置(WEE)と、露光装置14に搬送されるウエハWを一時収容するイン用バッファカセット(INBR)と、露光装置14から搬送されたウエハWを一時収容するアウト用バッファカセット(OUTBR)と、露光装置14に搬送される前のウエハを洗浄する前洗浄ユニット(PRECLN)と、露光装置14から搬送されたウエハWを洗浄する後洗浄ユニット(POCLN)とが積み重ねられて構成された第6処理ユニット群G6が配置されている。第1インターフェースステーション13aの背面側には、ウエハWを高精度に温調する高精度温調ユニット(CPL)が例えば2段に積み重ねられて構成された第7処理ユニット群G7が配置されている。
第1ウエハ搬送体21は、ウエハWを受け渡すためのフォーク21aを有している。このフォーク21aは、第5処理ユニット群G5、第6処理ユニット群G6、第7処理ユニット群G7の各ユニットにアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハWの搬送を行う。
第2ウエハ搬送体22は、ウエハWを受け渡すためのフォーク22aを有している。このフォーク22aは、第6処理ユニット群G6の前洗浄ユニット(PRECLN)および後洗浄ユニット(POCLN)、第7処理ユニット群G7の各ユニット、露光装置14の後述するインステージ14aおよびアウトステージ14bにアクセス可能であり、これら各部の間でウエハWの搬送を行う。
第1インターフェースステーション13aの上部には、第1インターフェースステーション13aまたはインターフェースステーション13の気流を調整する気流調整部23が設けられ、第2インターフェースステーション13bの上部には、露光装置から搬送されたウエハWが乾燥しないように第2インターフェースステーション13bまたはインターフェースステーション13を加湿する加湿部が設けられている。
ウエハWにレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット(COT)や、露光装置14による露光後のレジスト膜を現像する現像ユニット(DEV)等の各ユニットを有する処理ステーション12と、レジスト塗布後で露光前のウエハWを洗浄する前洗浄ユニット(PRECLN)および露光後で現像前のウエハWを洗浄する後洗浄ユニット(POCLN)を有するインターフェースステーション13とは、レジスト塗布・現像部を構成している。
露光装置14は、インターフェースステーション13から搬送されたウエハWを載置するインステージ14aと、インターフェースステーション13に搬送されるウエハWを載置するアウトステージ14bと、レジスト膜が形成されたウエハWを所定の液体(以下、「浸漬液」という)に浸漬させた状態でレジスト膜を露光する液浸露光部30と、インステージ14a、液浸露光部30およびアウトステージ14bの間でウエハWを搬送するウエハ搬送機構25とを有している。
図2に示すように、カセットステーション11の下部にはこのパターン形成装置1全体を制御する集中制御部19が設けられている。この集中制御部19は、図4に示すように、パターン形成装置1の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御する、CPUを備えたプロセスコントローラ41を有し、このプロセスコントローラ41には、工程管理者がパターン形成装置1の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、パターン形成装置1の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース42と、パターン形成装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ41の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部43とが接続されている。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース42からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部43から呼び出してプロセスコントローラ41に実行させることで、プロセスコントローラ41の制御下で、パターン形成装置1において所望の各種処理が行われる。レシピは、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリなどの読み出し可能な記憶媒体に格納された状態のものであってもよく、さらに、適宜の装置から例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。なお、各処理ユニットには下位のユニットコントローラが設けられており、これらコントローラがプロセスコントローラ41の指令に基づいて各ユニットの動作制御を行うようになっている。
このように構成されたパターン形成装置1においては、まず、ウエハ搬送部11cの搬送ピック11dにより、ウエハカセット(CR)から1枚のウエハWを取り出し、処理ステーション12の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットに搬送する。次に、第1および第2主搬送部A1、A2により、レシピの順序に従って、第1〜5処理ユニット群G1〜5の所定のユニットにウエハWを順次搬送し、ウエハWに一連の処理を施す。ここでは、例えば、アドヒージョンユニットでのアドヒージョン処理、レジスト塗布ユニット(COT)でのレジスト膜の形成、プリベークユニットでのプリベーク処理を順次行う。また、必要に応じて、レジスト膜の上にトップコーティングユニット(ITC)により保護膜を形成する。なお、アドヒージョン処理に代えてボトムコーティングユニット(BARC)でレジスト膜形成に先立って反射防止膜(BARC)の形成を行う場合もある。なお、レジスト膜上に反射防止膜(TARC)を形成し、その上に保護膜を形成する場合もある。
処理ステーション12でのウエハWの一連の処理が終了し、ウエハWを第5処理ユニット群G5に設けられたトランジションユニットに搬送したら、第1ウエハ搬送体21により、ウエハWを周辺露光装置(WEE)、イン用バッファカセット(INBR)、前洗浄ユニット(PRECLN)および高精度温調ユニット(CPL)に順次搬送し、ウエハWに一連の処理を施す。次に、ウエハWを、第2ウエハ搬送体22によって露光装置14のインステージ14aに搬送し、さらにウエハ搬送機構25によって液浸露光部30に搬送し、液浸露光部30でウエハWに露光処理を施す。
液浸露光部30での露光後、ウエハ搬送機構25によってウエハWをアウトステージ14bに搬送する。次に、第2ウエハ搬送体22によってウエハWを後洗浄ユニット(POCLN)に搬送し、ウエハWを洗浄する。続いて、第1ウエハ搬送体21によりウエハWを第5処理ユニット群G5に設けられたトランジションユニットに搬送したら、第1および第2主搬送部A1、A2により、レシピの順序に従って、第1〜5処理ユニット群G1〜5の所定のユニットにウエハWを順次搬送し、ウエハWに一連の処理を施す。ここでは、例えば、ポストエクスポージャーベークユニットでのポストエクスポージャーベーク処理、現像ユニット(DEV)での現像処理、ポストベークユニットでのポストベーク処理を順次行う。そして、ウエハWを、第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットに搬送した後、カセットステーション11のウエハカセット(CR)へ搬送する。
本実施形態においては、露光装置14において液浸露光を行うため、浸漬液に対する耐水性および液浸ヘッドのスキャンスピードを上げる観点から、ウエハ表面を疎水性とする必要がある。このため、レジスト膜として疎水性のものを用いるか、またはトップコーティングユニット(ITC)でレジスト膜表面に疎水性の保護膜を形成する。しかし、この場合には、ウエハWに現像処理を施す際に、その表面が疎水性であるため、現像液をはじき、液盛りが困難となり、所定のレジストパターンを均一に安定して形成することが難しい。
そこで、本実施形態では、後洗浄ユニット(POCLN)にウエハ表面を親水化する機構を持たせ、液浸露光した後、現像液を塗布する前にその後洗浄ユニット(POCLN)によりウエハWの洗浄に加え、ウエハW表面(保護膜表面)を親水化する処理を施す。
以下、このようなウエハW表面を親水化する機構を備えた後洗浄ユニット(POCLN)について詳細に説明する。図5および図6は、それぞれ本実施形態に係る後洗浄ユニット(POCLN)の全体構成を示す概略断面図および概略平面図である。
後洗浄ユニット(POCLN)は筐体50を有し、その中央部には環状の洗浄カップ(CP)が配置され、洗浄カップ(CP)の内側にはスピンチャック51が配置されている。スピンチャック51は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で駆動モータ52によって回転駆動される。洗浄カップ(CP)の底部にはドレイン53が設けられており、親水化処理に用いられた薬液や洗浄処理に用いられた純水液がここから排出される。
駆動モータ52は、筐体50の底板50aに設けられた開口50bに昇降移動可能に配置され、例えばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材54を介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動機構55および昇降ガイド56と結合されている。フランジ部材54は、この駆動モータ52の上半部を覆うように取り付けられている。
ウエハWを親水化処理または洗浄処理する時には、フランジ部材54の下端54aは、開口50bの外周付近で底板50aに密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピンチャック51と第1ウエハ搬送体21のフォーク21aとの間でウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構55が駆動モータ52ないしスピンチャック51を上方へ持ち上げることでフランジ部材54の下端が底板50aから浮くようになっている。
洗浄カップ(CP)の上方には、ウエハWの表面にウエハWの表面を親水化するための薬液を供給する薬液供給ノズル61と、純水を供給する純水供給ノズル62と、紫外線を照射するウエハWとほぼ同じ幅を有する紫外線ランプ63とが、ウエハW上の供給位置とウエハWの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。薬液供給ノズル61は薬液供給配管64を介して薬液供給部65に接続されており、純水供給ノズル62は純水供給配管66を介して純水供給部67に接続されている。薬液供給配管64には開閉バルブ68が設けられ、純水供給配管66には開閉バルブ69が設けられている。紫外線ランプ63は、紫外線ランプ電源70から通電される。
薬液供給ノズル61は第1のノズルスキャンアーム71の先端に取り付けられており、純水供給ノズル62は第2のノズルスキャンアーム72の先端に取り付けられており、紫外線ランプ63は第3のノズルスキャンアーム73の先端部に取り付けられている。これら第1、第2、第3のノズルスキャンアーム71、72、73は、それぞれ筐体50の底板50a上にY方向に敷設されたガイドレール74上から垂直方向に延び、ガイドレール74上を水平移動可能な第1の垂直支持部材75、第2の垂直支持部材76および第3の垂直支持部材77の上端部に取り付けられており、薬液供給ノズル61、純水供給ノズル62、紫外線ランプ63は、これら第1、第2、第3の垂直支持部材75、76、77とともにY軸駆動機構78によってY方向に移動するようになっている。また、第1、第2、第3の垂直支持部材75、76、77はZ軸駆動機構79によってZ方向に移動可能となっている。薬液供給ノズル61は、ノズル待機部80で待機できるようになっている。
スピンチャック51の下方周辺位置には、バックリンス処理用のリンスノズル57が配設されており、ウエハWの裏面に向かって純水等のリンス液を吐出させ、ウエハWの裏面洗浄が可能となるように構成されている。
後洗浄ユニット(POCLN)には、パターン形成装置1のプロセスコントローラ41からの指令に基づいて後洗浄ユニット(POCLN)を制御するためのユニットコントローラ100が設けられている。このユニットコントローラ100は駆動モータ52によるスピンチャック51の駆動制御や、Y軸駆動機構78、Z軸駆動機構79、薬液供給部65、純水供給部67、紫外線ランプ電源70などの制御を行う。
なお、前洗浄ユニット(PRECLN)は、薬液供給系および紫外線を照射するための機構が存在しない以外は後洗浄ユニット(POCLN)と同様の構成を有している。
次に、上記後洗浄ユニット(POCLN)による処理方法について説明する。
図7は第1の処理方法を示すフローチャートである。この方法においては、液浸露光によりレジスト膜が所定のパターンに露光されたウエハWを搬入する(STEP1)。すなわち、第1ウエハ搬送体21のフォーク21aによって後洗浄ユニット(POCLN)内へ搬送し、スピンチャック51を昇降駆動機構55によって上昇させることによりウエハWをスピンチャック51上に真空吸着させる。ウエハWを洗浄カップ(CP)内の定位置まで下降させた状態で、薬液供給ノズル61をスピンチャック51の中心(ウエハの中心)上に移動させ、駆動モータ52によって回転させながら、ウエハW表面に親水化のための薬液を供給し、親水化処理する(STEP2)。すなわち、ウエハW表面に供給された薬液は遠心力によってウエハW中心からその周囲全域にむらなく拡がり、ウエハWが親水化処理される。このような親水化処理に用いられる薬液としては、酸性液を好適に用いることができる。酸性液を用いることにより、酸(H+)によるレジスト表面または保護膜表面の保護基を離脱させる脱保護反応が生じ、その部分が水酸基(OH−)に置換されて親水性となる。これによりレジスト膜表面または保護膜表面が現像液の主成分であるTMAHに可溶となり、現像液がウエハ表面全体に濡れるようになる。酸性液には、希酸のような弱酸性液を用いることができる。具体的には、酢酸、蟻酸、塩酸、硫酸、パートフルオロアルキルスルフォン酸であることが好ましい。パートフルオロアルキルスルフォン酸を用いる場合は、アルキル長鎖がn=1〜4、濃度が10−3〜10−1Nであることがより好ましい。この時のウエハWの回転数は、例えば、100〜500rpmとする。この第1の処理方法では、STEP2の親水化処理がウエハWの洗浄処理を兼ねる。すなわち、親水化処理に用いる薬液により親水化処理と洗浄処理の両方を行う。
図7は第1の処理方法を示すフローチャートである。この方法においては、液浸露光によりレジスト膜が所定のパターンに露光されたウエハWを搬入する(STEP1)。すなわち、第1ウエハ搬送体21のフォーク21aによって後洗浄ユニット(POCLN)内へ搬送し、スピンチャック51を昇降駆動機構55によって上昇させることによりウエハWをスピンチャック51上に真空吸着させる。ウエハWを洗浄カップ(CP)内の定位置まで下降させた状態で、薬液供給ノズル61をスピンチャック51の中心(ウエハの中心)上に移動させ、駆動モータ52によって回転させながら、ウエハW表面に親水化のための薬液を供給し、親水化処理する(STEP2)。すなわち、ウエハW表面に供給された薬液は遠心力によってウエハW中心からその周囲全域にむらなく拡がり、ウエハWが親水化処理される。このような親水化処理に用いられる薬液としては、酸性液を好適に用いることができる。酸性液を用いることにより、酸(H+)によるレジスト表面または保護膜表面の保護基を離脱させる脱保護反応が生じ、その部分が水酸基(OH−)に置換されて親水性となる。これによりレジスト膜表面または保護膜表面が現像液の主成分であるTMAHに可溶となり、現像液がウエハ表面全体に濡れるようになる。酸性液には、希酸のような弱酸性液を用いることができる。具体的には、酢酸、蟻酸、塩酸、硫酸、パートフルオロアルキルスルフォン酸であることが好ましい。パートフルオロアルキルスルフォン酸を用いる場合は、アルキル長鎖がn=1〜4、濃度が10−3〜10−1Nであることがより好ましい。この時のウエハWの回転数は、例えば、100〜500rpmとする。この第1の処理方法では、STEP2の親水化処理がウエハWの洗浄処理を兼ねる。すなわち、親水化処理に用いる薬液により親水化処理と洗浄処理の両方を行う。
このように親水化処理を行なった後、スピンチャック51を高速回転させて薬液を振り切り乾燥する(STEP3)。この時のウエハWの回転数は、1500〜2500rpmとし、15秒間程度行うことが好ましい。
このようにして乾燥処理されたウエハWは、スピンチャック51を昇降駆動機構55によって上昇させて、第1ウエハ搬送体21のフォーク21aによって後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する(STEP4)。
この第1の方法では、薬液による親水化処理により、疎水性であったウエハWの表面をその後の現像処理において現像液が全面に濡れる程度に親水化することができる他、その処理によりウエハ表面の洗浄処理を兼ねるので、レシピの短縮が可能となる。ただし、このような効果は用いる薬液に洗浄効果がある場合に限られる。
洗浄処理ユニット(POCLN)における処理の後、ポストエクスポージャーユニットへウエハWを搬送し、ポストエクスポージャーベーク(露光後ベーク)処理を行う。次いで、第2主ウエハ搬送装置17により現像ユニット(DEV)へ搬送し、現像ユニット(DEV)にて、ウエハWの表面に現像液を液盛りする。この時、上述したように後洗浄ユニット(POCLN)によりウエハWの表面であるレジスト膜の表面または保護膜の表面の全面が現像液に濡れる程度に親水化しており、現像液をはじくことなく液盛りすることができる。このため、ウエハWを均一にかつ安定して現像処理することができ、所定のレジストパターンを均一にかつ安定して形成することができる。
次に、第2の処理方法について説明する。
上記第1の処理方法では、ウエハWを搬入後ウエハWの洗浄を兼ねた親水化処理を行ったが、第2の処理方法では、親水化処理に先立って洗浄処理を行う。図8は第2の処理方法を示すフローチャートである。
上記第1の処理方法では、ウエハWを搬入後ウエハWの洗浄を兼ねた親水化処理を行ったが、第2の処理方法では、親水化処理に先立って洗浄処理を行う。図8は第2の処理方法を示すフローチャートである。
まず、上述したような第1の処理方法のSTEP1と同様に、ウエハWの搬入を行う(STEP11)。すなわち、液浸露光によりレジスト膜が所定のパターンに露光されたウエハWを後洗浄ユニット(POCLN)へ搬送し、このウエハWをスピンチャック51に吸着させる。次いで、純水供給ノズル62とスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)上に移動させウエハWを駆動モータ52によって回転させながらウエハWの表面に純水を供給しウエハWを洗浄処理する(STEP12)。すなわち、ウエハWに供給された純水は遠心力によってウエハW中心からその周囲全域にむらなく拡がり、ウエハWが洗浄処理される。次いで、ウエハWを回転したままの状態にして、純水供給ノズル62を退避させ、薬液供給ノズル61をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)へ移動させ、第1の処理方法と同様、薬液供給ノズル61から親水化のための薬液を吐出させて親水化処理を行う(STEP13)。親水化処理の後、上記第1の処理方法のSTEP3と同様にウエハWを振り切り乾燥し(STEP14)、次いで、後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する(STEP15)。
この第2の方法では、親水化処理の前に洗浄処理を行うので親水化処理のための薬液洗浄力が小さい場合でもウエハW表面のパーティクルを確実に除去することができる。
次に第3の処理方法について説明する。
上記第2の処理方法では、親水化処理する前に洗浄処理を行ったが、第3の処理方法では、それに加えて、親水化処理した後さらに洗浄処理を行う。図9は、第3の処理方法を示すフローチャートである。
上記第2の処理方法では、親水化処理する前に洗浄処理を行ったが、第3の処理方法では、それに加えて、親水化処理した後さらに洗浄処理を行う。図9は、第3の処理方法を示すフローチャートである。
まず、上述したような第2の処理方法におけるSTEP11〜13と同様に、ウエハWを搬入し(STEP21)、後洗浄処理ユニット(POCLN)でウエハWを洗浄し(STEP22)、その後、親水化処理(STEP23)を行う。次いで、ウエハWを回転したままの状態にして、薬液供給ノズル61を退避させ、純水ノズル供給62をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)へ移動させ、純水供給ノズル62から純水を供給して洗浄処理を行う(STEP24)。この洗浄処理の後、上記第1の処理方法のSTEP3と同様にウエハWを振り切り乾燥し(STEP25)、次いで、後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する。
この第3の処理方法は、親水化処理の後に洗浄処理を行って親水化処理の際の薬液を洗い流すことができるので、親水化処理の薬液がその後の処理に悪影響を与える場合等に有効である。
上記第2の処理方法、第3の処理方法のように、親水化のための薬液と洗浄処理のための純水とを供給する場合には、例えば図10に示すように薬液供給ノズル61と純水供給ノズル62を一つのアーム81に取り付けて、ウエハW上に薬液と純水の両方を供給できるようにし、流量調節バルブによりこれらの流量比を除々に変化できるようにすることによって、洗浄効率を高めることができる。例えば、薬液による親水化処理後、薬液供給ノズル61からの薬液吐出流量を除々に低下させ、純水供給ノズル62からの純水吐出流量を除々に増加させることにより、薬液の除去効率を高めることができる。このように薬液と純水の流量比を変える操作を効率的に行うためには、図11に示すように薬液供給ライン82と純水供給ライン83とを1つの液供給ノズル84に接続し、この液供給ノズル84から流量調節バルブ85,86を操作して薬液と純水との吐出流量比を変化させるようにしてもよいし、図12に示すように薬液供給ライン87と純水供給ライン88を混合器89に接続し、これらを混合器89で混合してから液供給ノズル90から所定の流量比の混合液を吐出するようにしてもよい。
次に、第4の処理方法について説明する。
この第4の処理方法では、紫外線ランプ63を用いて、ウエハWの親水化または洗浄を補助する。すなわち、紫外線ランプ63からウエハW表面(保護膜表面)に所定の波長の紫外線を照射することにより、ウエハWの表面を改質して親水化を補助する効果およびウエハWの表面の洗浄を補助する効果を得ることができる。図13は第4の処理方法を示すフローチャートである。
この第4の処理方法では、紫外線ランプ63を用いて、ウエハWの親水化または洗浄を補助する。すなわち、紫外線ランプ63からウエハW表面(保護膜表面)に所定の波長の紫外線を照射することにより、ウエハWの表面を改質して親水化を補助する効果およびウエハWの表面の洗浄を補助する効果を得ることができる。図13は第4の処理方法を示すフローチャートである。
上記第1の処理方法では、ウエハWを搬入後ウエハWの洗浄を兼ねた親水化処理を行ったが、第4の処理方法では、親水化処理に先立って紫外線照射処理を行う。
まず、上述したような上記第1の処理方法STEP1と同様にウエハWを搬入する(STEP31)。次いで、紫外線ランプ63をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)上に移動させ、ウエハWを駆動モータ52によって回転させながらウエハWの表面全体に均一に所定の波長の紫外線を照射し(STEP32)、ウエハW表面の親水化および洗浄処理を補助する。この時のウエハWの回転数は30〜100rpmとし、30秒間程度行うことが好ましい。次いで、ウエハWを回転したままの状態にして、紫外線ランプ63を退避させ、薬液供給ノズル61をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)へ移動させ、薬液供給ノズル61からウエハWの表面に薬液を供給し親水化処理を行う(STEP33)。親水化処理の後、上記第1の処理方法のSTEP3と同様に、ウエハWを振り切り乾燥し(STEP34)、次いで、後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する(STEP35)。
次に、第5の処理方法について説明する。
上記第4の処理方法では、ウエハWを親水化処理する前に紫外線照射処理を行ったが、第5の処理方法では、それに加えて親水化処理する前に洗浄処理を行う。図14は、第5の処理方法を示すフローチャートである。
上記第4の処理方法では、ウエハWを親水化処理する前に紫外線照射処理を行ったが、第5の処理方法では、それに加えて親水化処理する前に洗浄処理を行う。図14は、第5の処理方法を示すフローチャートである。
まず、上述したような第4の処理方法におけるSTEP31、32と同様にウエハWを搬入し(STEP41)、紫外線照射処理を行う(STEP42)。次いで、ウエハWを回転したままの状態にして、紫外線ランプ63を退避させ、純水供給ノズル62をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)へ移動させ、純水供給ノズル62から純水を供給して洗浄処理を行う(STEP43)。この洗浄処理の後、上記第4の処理方法のSTEP33〜35と同様に、親水化処理し(STEP44)、ウエハWを振り切り乾燥し(STEP45)、次いで、後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する(STEP46)。
この第5の処理方法では、紫外線照射処理した後、洗浄処理し、さらに薬液による親水化処理することにより、ウエハW表面の水滴を確実に除去することができる。
次に、第6の処理方法について説明する。
上記第5の処理方法では、親水化処理する前に洗浄処理を行ったが、第6の処理方法では、洗浄処理し、親水化処理した後、さらに洗浄処理を行う。図15は、第6の処理方法を示すフローチャートである。
上記第5の処理方法では、親水化処理する前に洗浄処理を行ったが、第6の処理方法では、洗浄処理し、親水化処理した後、さらに洗浄処理を行う。図15は、第6の処理方法を示すフローチャートである。
まず、上述したような第2の処理方法STEP11〜13と同様にウエハWを搬入し(STEP51)、次いで、ウエハWを洗浄処理する(STEP52)。その後、ウエハW表面を薬液により親水化処理する(STEP53)。このSTEP53において、薬液供給ノズル61からの薬液供給が終了した後、ウエハWを回転させて薬液を振り切り乾燥している間に、薬液供給ノズル61を退避させ、紫外線ランプ63をスピンチャック51の中心(ウエハWの中心)へ移動させ、紫外線照射して紫外線照射処理を行う(STEP54)。この紫外線照射処理の後、上記第3の処理方法のSTEP24〜26と同様に、洗浄処理し(STEP55)、次いで、ウエハWを振り切り乾燥し(STEP56)、その後、後洗浄ユニット(POCLN)から搬出する(STEP57)。
この第6の処理方法では、STEP53の薬液による親水化処理において、振り切り乾燥している間にSTEP54の紫外線照射処理をすることができるため、ウエハWの処理時間を短縮することができる。また、親水化処理の後に、紫外線照射処理、洗浄処理を行って親水化処理の際の薬液を洗い流すことができるので、親水化処理の薬液がその後の処理に悪影響を与える場合等に有効である。
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々変形が可能である。例えば、上記実施形態では、後洗浄処理ユニット(POCLN)において、親水化処理を行った例について示したが、液浸露光後、露光パターンを現像する前であればこれに限るものではない。また、上記実施形態では酸性液を用いて親水化を行う例について示したが、これに限らず親水化可能な他の薬液を用いてもよい。上記実施形態では、ウエハを回転させながら薬液を供給して親水化処理を行ったが、これに限らず、例えば薬液にウエハを浸漬させる等、他の手段にてウエハの薬液処理を行うこともできる。親水化には薬液に限らず他の親水化手段を用いてもよく、例えば、上記実施形態において親水化を補助するために用いた紫外線照射ランプ等の紫外線照射手段を単独で用いて親水化処理を行ってもよい。このような紫外線照射手段の他、赤外線、マイクロ波、熱線または電子線などの高エネルギー線を照射する手段を用いることもできる。
50;筐体
51;スピンチャック
52;駆動モータ
61;薬液供給ノズル
62;純水供給ノズル
63;紫外線ランプ
100;ユニットコントローラ
CP…洗浄カップ
W…半導体ウエハ(ウエハ)
51;スピンチャック
52;駆動モータ
61;薬液供給ノズル
62;純水供給ノズル
63;紫外線ランプ
100;ユニットコントローラ
CP…洗浄カップ
W…半導体ウエハ(ウエハ)
Claims (20)
- 基板表面にレジスト膜を形成し、または、レジスト膜と保護膜とを順次形成し、次いでレジスト膜またはレジスト膜および保護膜が形成された基板を液体に浸漬させながら露光する液浸露光により前記レジスト膜に所定の露光パターンを形成し、露光パターンを現像液により現像して所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
液浸露光した後、露光パターンを現像する前に、基板表面を構成するレジスト膜表面または保護膜表面を現像液が全面に濡れる程度に親水化する親水化処理を施すことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト膜表面または前記保護膜表面に薬液を供給することにより前記親水化処理を施すことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト膜表面または前記保護膜表面に紫外線照射することにより前記親水化処理を施すことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記薬液により、親水化処理することに加えて基板表面を洗浄することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記薬液による親水化処理の前または後または前後両方に洗浄液による洗浄処理を施すことを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記薬液による親水化処理の前または後に紫外線照射することを特徴とする請求項2または請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記紫外線照射を行った後、洗浄液による洗浄処理を施し、その後前記薬液による親水化処理を行うことを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 洗浄液による洗浄処理を施した後、前記薬液による親水化処理を行い、次いで紫外線照射した後、再び洗浄液による洗浄処理を施すことを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 前記薬液による親水化処理は、現像処理に先立って行われるレジスト膜の酸触媒反応を促進させる加熱処理の前に行うことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記薬液は酸性液であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記酸性液は、希酸であることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記希酸は酢酸、蟻酸、塩酸、硫酸、パートフルオロアルキルスルフォン酸を含むことを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。
- 基板表面にレジスト膜を形成し、または、レジスト膜と保護膜とを順次形成する塗布系処理部と、
レジスト膜またはレジスト膜および保護膜が形成された基板を液体に浸漬させながら露光して前記レジスト膜に所定の露光パターンを形成する液浸露光部と、
露光パターンを現像液により現像して所定のレジストパターンを形成する現像処理部と、
前記液浸露光部により露光した後、前記現像処理部で現像する前に、基板表面を構成するレジスト膜表面または保護膜表面を現像液が全面に濡れる程度に親水化する親水化機構と
を具備することを特徴とするパターン形成装置。 - 前記親水化機構は前記レジスト膜表面または前記保護膜表面を親水化する薬液を基板表面に供給する薬液供給機構を有することを特徴とする請求項13に記載のパターン形成装置。
- 前記親水化機構は前記レジスト膜表面または前記保護膜表面を親水化する紫外線を基板表面に照射する紫外線照射機構を有することを特徴とする請求項13に記載のパターン形成装置。
- 前記親水化機構は、前記薬液供給機構および/または前記紫外線照射機構を有することを特徴とする請求項13から請求項15のいずれか1項に記載のパターン形成装置。
- 露光処理後の基板に洗浄液を供給して洗浄する洗浄処理部をさらに具備することを特徴とする請求項13から請求項16に記載のパターン形成装置。
- 前記親水化機構は前記洗浄処理部に設けられていることを特徴とする請求項17に記載のパターン形成装置。
- 基板を加熱してレジスト膜の酸触媒反応を促進させる加熱処理部をさらに具備し、
前記親水化機構で施す親水化処理は、前記現像処理部で施す現像処理に先立って行われる前記加熱処理部で施す加熱処理の前に行うことを特徴とする請求項13から請求項18のいずれか1項に記載のパターン形成装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータにパターン形成装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010128056A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト表面改質液及びこれを利用したレジストパターン形成方法 |
JP2011053650A (ja) * | 2009-06-08 | 2011-03-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィー方法 |
KR20170128114A (ko) | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
US10564546B2 (en) | 2016-05-12 | 2020-02-18 | Jsr Corporation | Resist pattern-forming method |
JP7329418B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
US8289496B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-10-16 | Semes Co., Ltd. | System and method for treating substrate |
KR101166109B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2012-07-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
JP5451515B2 (ja) * | 2010-05-06 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム |
JP5867462B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
US10155252B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and washing method |
JP6336022B1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7197376B2 (ja) * | 2019-01-17 | 2022-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN110391135B (zh) * | 2019-08-08 | 2022-02-08 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106081A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
JP2000306795A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001290287A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト除去方法 |
JP2002246290A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2005109146A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
JP2005183438A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2005250084A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン形成方法 |
JP2005322796A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006119292A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4007047A (en) * | 1974-06-06 | 1977-02-08 | International Business Machines Corporation | Modified processing of positive photoresists |
US5874200A (en) * | 1996-10-15 | 1999-02-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for forming a pattern preventing water mark formation |
JP3719843B2 (ja) | 1998-03-24 | 2005-11-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US5932022A (en) * | 1998-04-21 | 1999-08-03 | Harris Corporation | SC-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process |
US20020110760A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Macronix International Co., Ltd. | Method for improving hydrophilic character of photoresist and effect of development |
JP3774413B2 (ja) | 2002-03-04 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 現像方法 |
JP3951886B2 (ja) | 2002-10-23 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 配線基板,表示デバイス,表示デバイス用カラーフィルター、及び配線基板形成方法,表示デバイス形成方法,表示デバイス用カラーフィルター形成方法 |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP4609878B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
KR100682188B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
-
2006
- 2006-08-08 JP JP2006216009A patent/JP2008042019A/ja active Pending
-
2007
- 2007-04-20 TW TW096114033A patent/TW200809918A/zh unknown
- 2007-07-17 CN CNB2007101360930A patent/CN100555569C/zh active Active
- 2007-07-24 US US11/782,233 patent/US8133663B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-07 KR KR1020070078890A patent/KR20080013774A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106081A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
JP2000306795A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001290287A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト除去方法 |
JP2002246290A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2005109146A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
JP2005183438A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2005250084A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン形成方法 |
JP2005322796A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006119292A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010128056A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト表面改質液及びこれを利用したレジストパターン形成方法 |
US8349549B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-01-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist surface modifying liquid, and method for formation of resist pattern using the same |
JP2011053650A (ja) * | 2009-06-08 | 2011-03-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィー方法 |
JP2016001334A (ja) * | 2009-06-08 | 2016-01-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトリソグラフィー方法 |
KR20170128114A (ko) | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
US10564546B2 (en) | 2016-05-12 | 2020-02-18 | Jsr Corporation | Resist pattern-forming method |
JP7329418B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8133663B2 (en) | 2012-03-13 |
KR20080013774A (ko) | 2008-02-13 |
CN101123181A (zh) | 2008-02-13 |
CN100555569C (zh) | 2009-10-28 |
US20080038671A1 (en) | 2008-02-14 |
TW200809918A (en) | 2008-02-16 |
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