JP2008042004A - パターン形成方法およびパターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板への処理不良の発生を防止することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 パターン形成方法は、基板であるウエハWにレジストを塗布してレジスト膜を形成するとともに保護液を塗布して保護膜を形成する工程(ステップ2)と、ウエハWに形成されたレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程(ステップ5)と、液浸露光後のレジスト膜を現像する工程(ステップ8)と、レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前に、高屈折率液体を洗浄液として用いてウエハWを洗浄する工程(ステップ4、6)とを含む。
【選択図】 図5
【解決手段】 パターン形成方法は、基板であるウエハWにレジストを塗布してレジスト膜を形成するとともに保護液を塗布して保護膜を形成する工程(ステップ2)と、ウエハWに形成されたレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程(ステップ5)と、液浸露光後のレジスト膜を現像する工程(ステップ8)と、レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前に、高屈折率液体を洗浄液として用いてウエハWを洗浄する工程(ステップ4、6)とを含む。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体基板等の基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法およびパターン形成装置に関する。
半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、半導体ウエハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。
半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。そこで、45nmノードの高解像度を実現するフォトリソグラフィ技術として、半導体ウエハと露光用の投影レンズとの間に空気よりも高い屈折率を有する純水等の露光液を供給し、露光液の屈折率を利用して投影レンズからの照射光の波長を短くすることにより露光の線幅を細くする液浸(Immersion)露光が提案されている(例えば特許文献1参照)。また、さらなる高解像度を得るために、環状炭化水素骨格を基本とする化合物等からなる、純水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体(High Index Liquid)を露光液に用いて液浸露光を行う試みがなされており、32nmノードの高解像度を実現できることが報告されている(非特許文献1参照)。
ところで、液浸露光を用いた回路パターンの形成においては、液浸露光前に露光液に対する親和性を向上させるといった目的で、また、液浸露光後に半導体ウエハに付着した露光液を除去するといった目的で、洗浄液として純水を用いて半導体ウエハを洗浄することが行われている(例えば特許文献2参照)。
しかしながら、前述のように露光液に高屈折率液体を用いた場合には、露光液と従来の液浸露光前後に用いられる洗浄液との物性が大きく異なるため、従来の純水による洗浄では、液浸露光前の洗浄においては洗浄液の残渣に起因して液浸露光の際にレジスト膜にバブルや液残り等の処理不良が発生するおそれがあり、液浸露光後の洗浄においても処理ムラ等の処理不良が発生するおそれがある。
国際公開2005−029559号パンフレット
特開2006−80403号公報
著者不明、"半導体製造 次世代液浸露光用 高屈折率新規液体(デルファイ)の開発 〜線幅32ナノメートルの微細加工を実現〜"、[online]、2005年9月12日、三井化学株式会社、[平成18年6月検索]、インターネット<http://www.mitsui-chem.co.jp/whats/2005_0912.htm>
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板への処理不良の発生を防止することが可能なパターン形成方法およびパターン形成装置、ならびにこのようなパターン形成方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点では、基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、基板に形成されたレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、液浸露光後のレジスト膜を現像する工程と、レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前の少なくとも一方の時期に、前記高屈折率液体の有効成分を含む洗浄液で基板を洗浄する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
本発明の第1の観点において、前記洗浄液として前記高屈折率液体を用いることが好ましい。
また、以上の本発明の第1の観点において、前記洗浄工程は、基板を水平に回転させながら基板の主面に前記洗浄液を供給することにより行うことができる。
また、本発明の第2の観点では、基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置であって、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに露光する液浸露光後に現像するレジスト塗布・現像部と、レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前の少なくとも一方の時期に、前記高屈折率液体の有効成分を含む洗浄液で基板を洗浄する洗浄部とを具備することを特徴とするパターン形成装置を提供する。
本発明の第2の観点において、前記洗浄部は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板の主面に前記洗浄液を供給する洗浄液供給機構とを有し、前記スピンチャックによって基板を回転させつつ前記洗浄液供給機構によって前記洗浄液を供給して基板を洗浄することができる。
さらに、本発明の第3の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に前記パターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前の少なくとも一方の時期に、液浸露光に用いられた高屈折率液体の有効成分を含む洗浄液で基板を洗浄するため、液浸露光前の洗浄により、液浸露光時の高屈折率液体に対する基板の親和性を高めてレジスト膜への液残りやバブル等の発生を防止することができ、また、液浸露光後の洗浄により、液浸露光時の基板に付着した高屈折率液体を十分に除去して処理ムラ等の発生を防止することができる。したがって、基板への処理不良の発生を効果的に防止することが可能となる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明に係るパターン形成方法を実施可能なパターン形成装置の概略平面図であり、図2はその概略斜視図である。
図1は本発明に係るパターン形成方法を実施可能なパターン形成装置の概略平面図であり、図2はその概略斜視図である。
パターン形成装置1は、半導体基板であるウエハWに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハWの搬送ステーションであるカセットステーション11と、ウエハWに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション12と、ウエハWに露光処理を施す露光装置14と、処理ステーション12および露光装置14の間でウエハWを受け渡すためのインターフェイスステーション13とを備えている。カセットステーション11、処理ステーション12、インターフェイスステーション13および露光装置14は、この順にパターン形成装置1の長さ方向(Y方向)に直列に配置されている。
カセットステーション11は、複数枚、例えば13枚のウエハWが収容されたウエハカセット(CR)を載置するカセット載置台11aと、カセット載置台11a上のウエハカセット(CR)と後述する処理ステーション12の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットとの間でウエハWを搬送するためのウエハ搬送部11cとをY方向に直列に有している。カセット載置台11a上には、ウエハカセット(CR)を位置決めするための位置決め部11bが、パターン形成装置1の幅方向(X方向)に複数、例えば5個設けられており、ウエハカセット(CR)は、その開口がウエハ搬送部11cの筐体の壁面に設けられた開閉部11eと対向するように、位置決め部11b位置に載置される。ウエハ搬送部11cは、その筐体内に配置された、ウエハWを保持可能な搬送ピック11dを有し、この搬送ピック11dによりカセット載置台11a上の各ウエハカセット(CR)とトランジションユニットとの間でウエハWを搬送するように構成されている。
処理ステーション12は、筐体15内に配置されており、その前面側(図1下方)に、カセットステーション11側からインターフェイスステーション13側に向かって順に、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2とを有し、その背面側(図1上方)に、カセットステーション11側からインターフェイスステーション13側に向かって順に、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5を有している。また、処理ステーション12は、第3処理ユニット群G3と第4処理ユニット群G4との間に第1主搬送部A1を有し、第4処理ユニット群G4と第5処理ユニット群G5との間に第2主搬送部A2を有している。
第1処理ユニット群G1は、ウエハWに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する例えば2つのボトムコーティングユニット(BARC)と、ウエハWの表面にレジストを塗布してレジスト膜を形成する例えば3つのレジスト塗布ユニット(COT)とが積み重ねられて構成されている。第2処理ユニット群G2は、ウエハWに形成された露光後のレジスト膜を現像する例えば3つの現像ユニット(DEV)と、ウエハWに形成されたレジスト膜の表面に保護液を供給して、後述する液浸露光用の液体に対する撥水膜としての保護膜を形成する例えば2つのトップコーティングユニット(ITC)とが積み重ねられて構成されている。
第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4、第5処理ユニット群G5は、ウエハWに疎水化処理を施すアドヒージョンユニットやレジスト塗布後のウエハWに加熱処理を施すプリベークユニット、現像処理後のウエハWに加熱処理を施すポストベークユニット、露光後現像前のウエハWに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット等の熱処理ユニットが例えば10段に積み重ねられて構成されている。また、第3処理ユニット群G3は、カセットステーション11と第1主搬送部A1との間でのウエハWの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。第5処理ユニット群G5は、第2主搬送部A2とインターフェイスステーション13の後述する第1ウエハ搬送体21との間でのウエハWの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。
第1主搬送部A1は、ウエハWを保持可能な第1主ウエハ搬送アーム16を有し、この第1主ウエハ搬送アーム16は、第1処理ユニット群G1、第3処理ユニット群G3および第4処理ユニット群G4の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第2主搬送部A2は、ウエハWを保持可能な第2主ウエハ搬送アーム17を有し、この第2主ウエハ搬送アーム17は、第2処理ユニット群G2、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
第1処理ユニット群G1とカセットステーション11との間および第2処理ユニット群G2とインターフェイスステーション13との間にはそれぞれ、第1および第2処理ユニット群G1、G2に供給される処理液の温度調節装置や温度湿度調節用のダクト等を備えた温度湿度調節ユニット18が設けられている。また、第1および第2処理ユニット群G1、G2の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット(CHM)が設けられている。
図3はパターン形成装置1に設けられたインターフェイスステーション13の概略斜視図である。
インターフェイスステーション13は、筐体内に配置された、処理ステーション12側の第1インターフェイスステーション13aと、露光装置14側の第2インターフェイスステーション13bとを有している。第1インターフェイスステーション13aには、第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように、ウエハWを搬送するための第1ウエハ搬送体21が設けられており、第2インターフェイスステーション13bには、X方向に移動可能なウエハWを搬送するための第2ウエハ搬送体22が設けられている。
インターフェイスステーション13は、筐体内に配置された、処理ステーション12側の第1インターフェイスステーション13aと、露光装置14側の第2インターフェイスステーション13bとを有している。第1インターフェイスステーション13aには、第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように、ウエハWを搬送するための第1ウエハ搬送体21が設けられており、第2インターフェイスステーション13bには、X方向に移動可能なウエハWを搬送するための第2ウエハ搬送体22が設けられている。
第1インターフェイスステーション13aの正面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置(WEE)と、露光装置14に搬送されるウエハWを一時収容するイン用バッファカセット(INBR)と、露光装置14から搬送されたウエハWを一時収容するアウト用バッファカセット(OUTBR)と、露光装置14に搬送される前のウエハを洗浄する前洗浄ユニット(PRECLN)と、露光装置14から搬送されたウエハWを洗浄する後洗浄ユニット(POCLN)とが積み重ねられて構成された第6処理ユニット群G6が配置されている。第1インターフェイスステーション13aの背面側には、ウエハWを高精度に温調する高精度温調ユニット(CPL)が例えば2段に積み重ねられて構成された第7処理ユニット群G7が配置されている。
第1ウエハ搬送体21は、ウエハWを受け渡すためのフォーク21aを有している。このフォーク21aは、第5処理ユニット群G5、第6処理ユニット群G6、第7処理ユニット群G7の各ユニットにアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハWの搬送を行う。
第2ウエハ搬送体22は、ウエハWを受け渡すためのフォーク22aを有している。このフォーク22aは、第6処理ユニット群G6の前洗浄ユニット(PRECLN)および後洗浄ユニット(POCLN)、第7処理ユニット群G7の各ユニット、露光装置14の後述するインステージ14aおよびアウトステージ14bにアクセス可能であり、これら各部の間でウエハWの搬送を行う。
第1インターフェイスステーション13aの上部には、第1インターフェイスステーション13aまたはインターフェイスステーション13の気流を調整する気流調整部23が設けられ、第2インターフェイスステーション13bの上部には、露光装置から搬送されたウエハWが乾燥しないように第2インターフェイスステーション13bまたはインターフェイスステーション13を加湿する加湿部が設けられている。
露光装置14は、インターフェイスステーション13から搬送されたウエハWを載置するインステージ14aと、インターフェイスステーション13に搬送されるウエハWを載置するアウトステージ14bと、ウエハWに形成されたレジスト膜を、水または純水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに露光する液浸露光部30と、インステージ14a、液浸露光部30およびアウトステージ14bの間でウエハWを搬送するウエハ搬送機構25とを有している。なお、露光装置14の詳細については後に説明する。
前洗浄ユニット(PRECLN)および後洗浄ユニット(POCLN)はそれぞれ、液浸露光部30で用いられた高屈折率液体の有効成分を含む液体、より好ましくは、液浸露光部30で用いられた高屈折率液体と同一成分を有する高屈折率液体を洗浄液として用いてウエハWを洗浄(またはリンス)するように構成されている。なお、前洗浄ユニット(PRECLN)の詳細については後に説明する。
図2に示すように、カセットステーション11の下部にはこのパターン形成装置1の全体を制御する制御部19が設けられている。制御部19は、図4に示すように、マイクロプロセッサ(コンピュータ)を備えたプロセスコントローラ31と、このプロセスコントローラ31に接続された、工程管理者がパターン形成装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやパターン形成装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス32と、プロセスコントローラ31に接続された、パターン形成装置1で実行される処理をプロセスコントローラ31の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部33とを有している。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス32からの指示等にて任意のレシピを記憶部33から呼び出してプロセスコントローラ31に実行させることで、プロセスコントローラ31の制御下でパターン形成装置1での処理が行われる。また、前記レシピは、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
次に、パターン形成装置1における処理工程について説明する。
図5はパターン形成装置1によるパターン形成方法の工程図である。
図5はパターン形成装置1によるパターン形成方法の工程図である。
このように構成されたパターン形成装置1においては、まず、ウエハ搬送部11cの搬送ピック11dにより、ウエハカセット(CR)から1枚のウエハWを取り出し、処理ステーション12の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットに搬送した後、レシピの順序に従って、ウエハWを第1および第2主搬送部A1、A2により第1〜5処理ユニット群G1〜5の所定のユニットに順次搬送し、ウエハWに一連の処理を施す。ここでは、例えば、アドヒージョンユニットでのアドヒージョン工程(ステップ1)、レジスト塗布ユニット(COT)でのレジスト膜の形成やトップコーティングユニット(ITC)での保護膜の形成等の膜の形成工程(ステップ2)、プリベークユニットでのプリベーク工程(ステップ3)を順次行う。なお、アドヒージョン処理に代えてボトムコーティングユニット(BARC)での反射防止膜の形成を行う場合もあり、レジスト膜上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に保護膜を形成する場合もある。
処理ステーション12でのウエハWの一連の処理が終了し、ウエハWを第5処理ユニット群G5に設けられたトランジションユニットに搬送したら、ウエハWを、第1ウエハ搬送体21によって前洗浄ユニット(PRECLN)に搬送し、この前洗浄ユニット(PRECLN)で高屈折率液体を用いた前洗浄工程(ステップ4)を行う。なお、ウエハWを、前洗浄ユニット(PRECLN)に搬送する前に、周辺露光装置(WEE)に搬送して周辺露光し、その後、イン用バッファカセット(INBR)に搬送する場合もある。
前洗浄ユニット(PRECLN)での前洗浄工程が終了したら、ウエハWを、第2ウエハ搬送体22によって高精度温調ユニット(CPL)に搬送して所定の温度に調整し、さらに、第2ウエハ搬送体22によって露光装置14のインステージ14aに搬送し、ウエハ搬送機構25によって液浸露光部30に搬送した後、この液浸露光部30でウエハWに形成されたレジスト膜に高屈折率液体を用いた液浸露光工程を行う(ステップ5)。
液浸露光部30での液浸露光工程が終了したら、ウエハWを、ウエハ搬送機構25によってアウトステージ14bに搬送し、第2ウエハ搬送体22によって後洗浄ユニット(POCLN)に搬送した後、この後洗浄ユニット(POCLN)で高屈折率液体を用いた後洗浄工程(ステップ6)を行う。続いて、ウエハWを、第1ウエハ搬送体21によりウエハWを第5処理ユニット群G5に設けられたトランジションユニットに搬送し、さらに、レシピの順序に従って、ウエハWを、第1および第2主搬送部A1、A2により第1〜5処理ユニット群G1〜5の所定のユニットに順次搬送し、ウエハWに一連の処理を施す。ここでは、例えば、ポストエクスポージャーベークユニットでのポストエクスポージャーベーク工程(ステップ7)、現像ユニット(DEV)での現像工程(ステップ8)、ポストベークユニットでのポストベーク工程(ステップ9)を順次行う。そして、ウエハWを、第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットに搬送した後、カセットステーション11のウエハカセット(CR)へと搬送することとなる。
本実施形態では、ウエハWにレジスト膜等の膜を形成した後、高屈折率液体を露光液として用いてレジスト膜を液浸露光する前に、前洗浄ユニット(PRECLN)において、露光液とほぼ等しい物性を有する高屈折率液体の有効成分を含む液体、より好ましくは露光液と等しい物性を有する高屈折率液体を洗浄液として用いてウエハWを洗浄するため、液浸露光時の露光液に対するウエハWの親和性を高めることができるとともに、洗浄液と露光液と物性が異なることに起因する、洗浄液の残渣による液浸露光時のレジスト膜へのバブルや液残り等の発生を防止することができる。また、液浸露光後で現像前に、後洗浄ユニット(POCLN)において、露光液とほぼ等しい物性を有する高屈折率液体の有効成分を含む液体、より好ましくは露光液と等しい物性を有する高屈折率液体を洗浄液として用いてウエハWを洗浄するため、液浸露光時にウエハWに付着した露光液としての高屈折率液体の粘性が高い場合であっても、この露光液と等しい、またはほぼ等しい性質を有する洗浄液の粘着力を利用して露光液を除去することができる。したがって、ウエハWまたはレジスト膜への処理ムラ等の処理不良の発生を防止して、ウエハWに形成されるレジストパターンの品質を高めることが可能となる。
本実施形態に用いられる高屈折率流体としては、例えば特開2006−140429号公報に記載されているものを好適に用いることができる。
次に、露光装置14の液浸露光部30について詳細に説明する。
図6はパターン形成装置1に設けられた露光装置14の液浸露光部30の概略断面図である。
図6はパターン形成装置1に設けられた露光装置14の液浸露光部30の概略断面図である。
液浸露光部30は、ウエハWが載置されるステージ31と、図示しない光源からの露光光で照明されたマスクのパターン像をステージ31上のウエハWに投影露光する投影レンズ32と、ステージ31上のウエハWと投影レンズ32との間に、露光液としての高屈折率液体を供給する供給口33、およびこの露光液を回収する回収口34が形成された露光液流通部材35とを備え、これらが図示しない開閉可能なチャンバー内に収容されて構成されている。
ステージ31は、水平方向に移動可能、かつ微小回転可能に設けられている。また、ステージ31は、載置されたウエハWを囲むように環状突出部36を有し、この環状突出部36により、載置されたウエハWを保持するとともに、ウエハWに供給された露光液の流出を防止できるように構成されている。投影レンズ32は、マスクのパターン像を所定の倍率でウエハWに投影露光するように構成されている。なお、光源からの露光光としては、KrFエキシマレーザ光等の遠紫外光やArFエキシマレーザ光等の真空紫外光などが用いられる。露光液流通部材35は、投影レンズ32の先端部はたは下端部の周囲に環状に設けられており、供給口33および回収口34がそれぞれ、下部に周方向に間隔をあけて複数形成されている。そして、各供給口33から露光液が供給されるとともに、供給された露光液が各回収口34から例えば吸引されて回収されるように構成されている。
このように構成された液浸露光部30においては、ウエハ搬送機構25によってウエハWがステージ31上に載置されると、必要に応じてステージ31および/またはマスクを水平に動かしつつ、露光液流通部材35の各供給口33からウエハWと投影レンズ32との間に高屈折率液体を供給しながら、投影レンズ32によってマスクのパターン像をウエハWに投影することにより、ウエハWに液浸露光処理を施す。この際に、ウエハWと投影レンズ32との間に供給された高屈折率液体を各回収口34から回収する。ここでは、高屈折率液体を用いて液浸露光を行うため、露光波長を著しく短くすることができ、これにより高解像度を得ることができる。液浸露光を所定の時間行ったら、露光液の供給を停止する。その後、ウエハ搬送機構25によってウエハWがステージ31からアウトステージ14bに搬送されることとなる。
次に、前洗浄ユニット(PRECLN)について詳細に説明する。
図7はパターン形成装置1に設けられた前洗浄ユニット(PRECLN)の概略断面図である。
図7はパターン形成装置1に設けられた前洗浄ユニット(PRECLN)の概略断面図である。
前洗浄ユニット(PRECLN)は、ウエハWを収容するチャンバー60と、チャンバー60内でウエハWを水平に保持して回転させるスピンチャック61と、スピンチャック61に保持されたウエハWに洗浄液等の処理液を供給する処理液供給機構62(洗浄液供給機構)と、スピンチャック61に保持されたウエハWから流れ落ちた、あるいは振り切られた洗浄液等の処理液を受け止めるカップ体64とを備えている。
チャンバー60の例えば第1ウエハ搬送体21および第2ウエハ搬送体22に対向する側壁にはそれぞれ、ウエハWを搬入出するための搬入出口60a、60bが形成されているとともに、この搬入出口60a、60bを開閉可能なシャッター60c、60dが設けられている。スピンチャック61は、昇降可能であり、ウエハWの下面に真空吸着してウエハWを保持し、モータ等の駆動源61aによって保持したウエハWを水平に回転させるように構成されている。
処理液供給機構62は、洗浄液を供給するための洗浄液供給源62aと、純水を供給するための純水供給源62bと、洗浄液供給源62aからの洗浄液および純水供給源62bからの純水を、上方からスピンチャック61に保持されたウエハWの上面(表面)に噴出する上側ノズル62cと、洗浄液供給源62aからの洗浄液および純水供給源62bからの純水を、下方からスピンチャック61に保持されたウエハWの下面(裏面)および周縁部に噴出する下側ノズル62dと、洗浄液供給源62aからの洗浄液および純水供給源62bからの純水を上側ノズル62cおよび下側ノズル62dに導く導管62eと、導管62eによって導かれる液を洗浄液と純水とで切り替えるとともに、導管62eを流通する洗浄液または純水の流量を調整するバルブ等の流量調整機構62fとを有している。上側ノズル62cは、その基端部がチャンバー60内に設けられたY方向に延びるガイドレール42eに接続されていることにより、ガイドレール42eに沿ってY方向に移動可能であり、かつ昇降可能に設けられている。下側ノズル62dは、例えば、スピンチャック61の周方向に間隔をあけて複数本設けられている。下側ノズル62dは、上方に向かってウエハWの外側に傾斜するように設けられており、噴出した洗浄液等の処理液がウエハWの周縁部に内側下方から到達するように構成されている。なお、符号63は、上側ノズル62cを待機させておくための待機部である。
カップ体64は、上部が開口し、ウエハWを保持したスピンチャック61の下降時にウエハWを囲繞するように設けられている。また、カップ体64は、その上端部が上方に向かって内側に傾斜しており、ウエハWから流れ落ちた、あるいは振り切られた処理液とともに、下側ノズル62dから噴出された処理液も直接受け止めることができるように構成されている。カップ体64内の底壁には、受け止めた処理液を回収する回収ライン64aが接続されており、カップ体64から回収ライン64aに回収された処理液は、再利用または廃棄されるように構成されている。
なお、後洗浄ユニット(POCLN)は、前洗浄ユニット(PRECLN)と同じ構成を有している。
このように構成された前洗浄ユニット(PRECLN)においては、まず、第1ウエハ搬送体21によって搬入出口60aからチャンバー60内にウエハWが搬入されたら、スピンチャック61を上昇させてウエハWに吸着させ、ウエハWをスピンチャック61に保持させる。次に、シャッター60cによって搬入出口60aを閉塞するとともに、カップ体64によってウエハWが囲繞されるようにスピンチャック61を下降させる。そして、スピンチャック61によってウエハWを回転させつつ、処理液供給機構62によってウエハWに洗浄液を供給してウエハWを洗浄する。これにより、ウエハWに洗浄液が染み込んで、高屈折率液体に対するウエハWの親水性が高められる。続いて、処理液供給機構62による洗浄液の供給を停止した状態で、スピンチャック61によってウエハWを回転させてウエハWをある程度乾燥させる。ウエハWがある程度乾燥し、スピンチャック61による回転を停止させたら、スピンチャック61を上昇させるとともに、シャッター60dによって搬入出口60bを開放する。その後、ウエハWが第2ウエハ搬送体22によって搬入出口60bからチャンバー60外に搬出されることとなる。
一方、後洗浄ユニット(POCLN)においては、まず、第2ウエハ搬送体22によって搬入出口60bからチャンバー60内にウエハWが搬入されたら、ウエハWをスピンチャック61に保持させ、次に、搬入出口60bを閉塞するとともに、スピンチャック61を下降させる。そして、スピンチャック61によってウエハWを回転させつつ、処理液供給機構62によってウエハWに洗浄液を供給してウエハWを洗浄する。液浸露光部30での液浸露光の際にウエハWに付着した高屈折率液体は、上側ノズル62cおよび下側ノズル62dからの洗浄液の噴出圧、洗浄液との粘着力およびスピンチャック61の回転による遠心力によって除去される。続いて、スピンチャック61によってウエハWを回転させつつ、処理液供給機構62によってウエハWに純水を供給してウエハWをリンスし、さらに、処理液供給機構62による純水の供給を停止した状態で、スピンチャック61によってウエハWを回転させてウエハWを乾燥させる。ウエハWが乾燥し、スピンチャック61による回転を停止させたら、スピンチャック61を上昇させるとともに、シャッター60cによって搬入出口60aを開放する。その後、ウエハWが第1ウエハ搬送体21によって搬入出口60aからチャンバー60外に搬出されることとなる。
前洗浄ユニット(PRECLN)および後洗浄ユニット(POCLN)はいずれも、スピンチャック61によってウエハWを水平に保持して回転させつつ、処理液供給機構62の上側ノズル62cおよび下側ノズル62dによってウエハWの表面および裏面周縁部に洗浄液を噴出してウエハWを洗浄するため、前洗浄ユニット(PRECLN)においては、ウエハW全面に略均等に洗浄液を染み込ませることができ、また、後洗浄ユニット(POCLN)においては、液浸露光部30での液浸露光の際にウエハWに付着した高屈折率液体を、洗浄液との粘着力に加え、上側ノズル62cおよび下側ノズル62dからの洗浄液の噴出圧およびスピンチャック61の回転による遠心力を利用して効果的に除去することができる。したがって、ウエハWへの処理ムラ等の処理不良の発生をより確実に防止することが可能となる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上記実施形態では、前洗浄ユニットおよび後洗浄ユニットをいずれも、液浸露光に用いられる高屈折率流体の有効成分を有する液体を洗浄液として用いて基板を洗浄するように構成したが、これに限らず、前洗浄ユニットおよび後洗浄ユニットのいずれか一方のみを、高屈折率流体の有効成分を有する液体を洗浄液として用いるように構成してもよい。
1:パターン形成装置
31:プロセスコントローラ
32:ユーザーインターフェイス
33:記憶部
61:スピンチャック
62:処理液供給機構(洗浄液供給機構)
30:液浸露光部
COT:レジスト塗布ユニット(レジスト塗布部)
DEV:現像ユニット(現像部)
POCLN:後洗浄ユニット(洗浄部)
PRECLN:前洗浄ユニット(洗浄部)
W:ウエハ(基板)
31:プロセスコントローラ
32:ユーザーインターフェイス
33:記憶部
61:スピンチャック
62:処理液供給機構(洗浄液供給機構)
30:液浸露光部
COT:レジスト塗布ユニット(レジスト塗布部)
DEV:現像ユニット(現像部)
POCLN:後洗浄ユニット(洗浄部)
PRECLN:前洗浄ユニット(洗浄部)
W:ウエハ(基板)
Claims (6)
- 基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
基板に形成されたレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、
液浸露光後のレジスト膜を現像する工程と、
レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前の少なくとも一方の時期に、前記高屈折率液体の有効成分を含む洗浄液で基板を洗浄する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記洗浄液として前記高屈折率液体を用いることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記洗浄工程は、基板を水平に回転させながら基板の主面に前記洗浄液を供給することにより行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成方法。
- 基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置であって、
基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を、水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態で所定のパターンに露光する液浸露光後に現像するレジスト塗布・現像部と、
レジスト膜の形成後で液浸露光前、および液浸露光後で現像前の少なくとも一方の時期に、前記高屈折率液体の有効成分を含む洗浄液で基板を洗浄する洗浄部と
を具備することを特徴とするパターン形成装置。 - 前記洗浄部は、
基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板の主面に前記洗浄液を供給する洗浄液供給機構と
を有し、
前記スピンチャックによって基板を回転させつつ前記洗浄液供給機構によって前記洗浄液を供給して基板を洗浄することを特徴とする請求項4に記載のパターン形成装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のパターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR100807081B1 (ko) * | 2005-10-22 | 2008-02-25 | 한국원자력연구원 | 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220388111A1 (en) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Applied Materials, Inc. | Using light coupling properties for film detection |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2005079589A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2006049757A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006140429A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液浸型露光方法および液浸型露光用媒体 |
JP2006190996A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007095891A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2006115186A1 (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2005079589A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2006049757A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2006140429A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液浸型露光方法および液浸型露光用媒体 |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006190996A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007095891A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100807081B1 (ko) * | 2005-10-22 | 2008-02-25 | 한국원자력연구원 | 일차원 탄화규소 증착물의 선택적 성장 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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TW200809917A (en) | 2008-02-16 |
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CN101123182A (zh) | 2008-02-13 |
US20080036980A1 (en) | 2008-02-14 |
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