JP2010135674A

JP2010135674A - 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

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Publication number: JP2010135674A
Application number: JP2008312133A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Takeguchi; 博史竹口; Kosuke Yoshihara; 孝介吉原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-12-08
Filing date: 2008-12-08
Publication date: 2010-06-17
Anticipated expiration: 2028-12-08
Also published as: KR20100066365A; JP4723631B2; KR101487366B1

Abstract

【課題】基板の現像処理を基板面内で均一に行い、レジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させる。
【解決手段】現像液ノズル３３と純水ノズル４０からウェハＷの中心部に現像液Ｄと純水Ｐをそれぞれ供給し、現像液Ｄと純水Ｐの混合液ＣをウェハＷ全面に拡散させる（図４（ａ））。純水ノズル４０からウェハＷの中心部に純水Ｐを供給し（図４（ｂ））、純水ＰをウェハＷ全面に拡散させる（図４（ｃ））。現像液ノズル３３からウェハＷの外周部に現像液Ｄを供給した後（図４（ｄ））、現像液ノズル３３をウェハＷの中心部に移動させながら、ウェハＷに現像液Ｄを供給する。そして、ウェハＷ全面に現像液Ｄを拡散させ、ウェハＷの現像処理を行う（図４（ｅ））。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。

上述した現像処理では、例えばウェハをスピンチャックにより回転させ、当該ウェハの中心部に現像液ノズルから現像液を供給して、ウェハ上に現像液の液膜を形成することにより、ウェハの現像処理が行われている。

また、この現像処理において、例えばウェハ上に現像液を供給する前に、ウェハの中心部に例えば純水を供給することで、現像液を拡散させやすくする、いわゆるプリウェットが行われている（特許文献１）。

特開２００７−３１８０８７号公報

しかしながら、純水でプリウェットをした場合、ウェハ上のレジスト膜に対する純水の接触角が大きいため、ウェハの外周部で純水が飛散しやすく、ウェハ全面をプリウェットすることが困難であった。

そこで、発明者らは、レジスト膜に対する接触角が純水より小さい現像液でプリウェットすることを試みた。しかしながら、かかる場合、ウェハ全面をプリウェットすることができるものの、最初に現像液が供給される中心部では、プリウェットを行ってから現像処理を行うまでに現像液が乾燥し、すなわち中心部分の現像液濃度が高くなるため、中心部以外の部分に比べてウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅が細くなることがあった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の現像処理を基板面内で均一に行い、レジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の現像処理方法であって、基板の中心部に少なくとも現像液を供給し、基板全面を現像液で覆う第１の工程と、その後、基板の中心部に純水を供給し、前記第１の工程で供給した現像液を基板全面から追い出す第２の工程と、その後、基板を回転させながら当該基板に現像液を供給し、基板を現像処理する第３の工程と、を有することを特徴としている。

本発明によれば、先ず、基板の中心部に少なくとも現像液を供給して、基板全面を現像液で覆うことができる。その後、基板の中心部に純水を供給して、基板上の現像液を追い出し、基板全面を純水で覆うことができる。そうすると、基板の現像処理を行うまでに、従来のようにプリウェット用に供給した現像液が乾燥することがない。しかも、基板全面が純水で覆われているので、その後行われる現像処理において、基板上で現像液を円滑かつ均一に拡散させることができる。したがって、基板の現像処理を基板面内で均一に行うことができ、基板上に形成されるレジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させることができる。

前記第３の工程において、現像液ノズルから基板の外周部に現像液を供給した後、前記現像液ノズルを基板の中心部に移動させながら、基板に現像液を供給するようにしてもよい。なお、前記第３の工程において、基板の中心部に現像液を供給するようにしてもよい。

前記第１の工程と前記第２の工程は、基板を回転させながら行われるようにしてもよい。

前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と純水を同時に供給するようにしてもよい。また、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と界面活性剤を含む薬液を同時に供給するようにしてもよい。なお、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液のみを供給するようにしてもよい。

別な観点による本発明によれば、前記現像処理方法を現像処理装置によって実行させるために、当該現像処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

さらに別な観点による本発明は、基板の現像処理を行う現像処理装置であって、基板に現像液を供給する現像液ノズルと、基板に純水を供給する純水ノズルと、基板を保持して当該基板を回転させる回転保持部と、基板の中心部に少なくとも現像液を供給し、基板全面を現像液で覆う第１の工程と、その後、基板の中心部に純水を供給し、前記第１の工程で供給した現像液を基板全面から追い出す第２の工程と、その後、基板を回転させながら当該基板に現像液を供給し、基板を現像処理する第３の工程と、を実行するように前記現像液ノズル、前記純水ノズル及び前記回転保持部を制御する制御部と、を有することを特徴としている。

前記制御部は、前記第３の工程において、前記現像液ノズルから基板の外周部に現像液を供給した後、前記現像液ノズルを基板の中心部に移動させながら、基板に現像液を供給するように前記現像液ノズルを制御してもよい。なお、前記制御部は、前記第３の工程において、基板の中心部に現像液を供給するように前記現像液ノズルを制御してもよい。

前記制御部は、基板を回転させながら、前記第１の工程と前記第２の工程を実行するように前記回転保持部を制御してもよい。

前記制御部は、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と純水を同時に供給するように前記現像液ノズル及び前記純水ノズルを制御してもよい。また、基板に界面活性剤を含む薬液を供給する薬液ノズルをさらに有し、前記制御部は、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と薬液を同時に供給するように前記現像液ノズル及び前記薬液ノズルを制御してもよい。なお、前記制御部は、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液のみを供給するように前記現像液ノズルを制御してもよい。

本発明によれば、基板の現像処理を基板面内で均一に行うことができ、レジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面図であり、図２は、現像処理装置１の構成の概略を示す横断面図である。

現像処理装置１は、図１に示すように処理容器１０を有し、その処理容器１０内の中央部には、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部材としてのスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２０上に吸着保持できる。

スピンチャック２０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構２１を有し、そのチャック駆動機構２１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構２１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック２０は上下動可能になっている。

スピンチャック２０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２２が設けられている。カップ２２は、上面にスピンチャック２０が昇降できるようにウェハＷよりも大きい開口部が形成されている。カップ２２の下面には、回収した液体を排出する排出管２３と、カップ２２内の雰囲気を排気する排気管２４が接続されている。

図２に示すようにカップ２２のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が形成されている。レール３０は、例えばカップ２２のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には、例えば二本のアーム３１、３２が取り付けられている。

第１のアーム３１には、図１及び図２に示すように現像液を供給する現像液ノズル３３が支持されている。第１のアーム３１は、図２に示すノズル駆動部３４により、レール３０上を移動自在である。これにより、現像液ノズル３３は、カップ２２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３５からカップ２２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム３１は、ノズル駆動部３４によって昇降自在であり、現像液ノズル３３の高さを調整できる。

現像液ノズル３３には、図１に示すように、現像液供給源３６に連通する供給管３７が接続されている。現像液供給源３６内には、現像液が貯留されている。供給管３７には、現像液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群３８が設けられている。

第２のアーム３２には、純水を供給する純水ノズル４０が支持されている。第２のアーム３２は、図２に示すノズル駆動部４１によってレール３０上を移動自在であり、純水ノズル４０を、カップ２２のＹ方向負方向側の外方に設けられた待機部４２からカップ２２内のウェハＷの中心部上方まで移動させることができる。また、ノズル駆動部４１によって、第２のアーム３２は昇降自在であり、純水ノズル４０の高さを調節できる。

純水ノズル４０には、図１に示すように純水供給源４３に連通する供給管４４が接続されている。純水供給源４３内には、純水が貯留されている。供給管４４には、純水の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４５が設けられている。なお、以上の構成では、現像液を供給する現像液ノズル３３と純水を供給する純水ノズル４０が別々のアームに支持されていたが、同じアームに支持され、そのアームの移動の制御により、現像液ノズル３３と純水ノズル４０の移動と供給タイミングを制御してもよい。

上述のスピンチャック２０の回転動作と上下動作、ノズル駆動部３４による現像液ノズル３３の移動動作、供給機器群３８による現像液ノズル３３の現像液の供給動作、ノズル駆動部４１による純水ノズル４０の移動動作、供給機器群４５による純水ノズル４０の純水の供給動作などの駆動系の動作は、制御部５０により制御されている。制御部５０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、現像処理装置１における現像処理を実現できる。なお、現像処理装置１における現像処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部５０にインストールされたものが用いられている。

次に、以上のように構成された現像処理装置１で行われる現像処理プロセスについて説明する。図３は、現像処理装置１における現像処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図４は、現像処理プロセスの各工程におけるウェハＷ上の液膜の状態を模式的に示している。なお、図４において、ウェハＷ上に予め形成されたレジスト膜は図示していない。

現像処理装置１に搬入されたウェハＷは、先ず、スピンチャック２０に吸着保持される。続いて第１のアーム３１により待機部３５の現像液ノズル３３がウェハＷの中心部の上方まで移動する。同時に、第２のアーム３２により待機部４２の純水ノズル４０がウェハＷの中心部の上方まで移動する。

次に、チャック駆動機構２１を制御してスピンチャック２０によりウェハＷを例えば１０００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転させる。このウェハＷの回転と同時に、図４（ａ）に示すように現像液ノズル３３からの現像液Ｄと純水ノズル４０からの純水ＰがそれぞれウェハＷの中心部に供給される。そして、現像液Ｄと純水ＰがウェハＷ上に供給されると、現像液Ｄと純水Ｐが混合される前に、一部の純水ＰがウェハＷ上の同心円状に拡散する。レジスト膜に対する接触角が純水Ｐは大きいため、ウェハＷ上に供給された純水Ｐの一部はすぐに拡散するためである。続いて、図５に示すように現像液Ｄと純水ＰがウェハＷ上で混合されて混合液Ｃを形成する。その後、純水Ｐと混合液ＣはウェハＷ上を拡散する。このとき、混合液Ｃは、純水Ｐよりも接触角が小さいため、純水Ｐよりも常に拡散方向（図中の矢印）の後方でウェハＷ上を拡散する。すなわち、混合液Ｃが純水Ｐを超えてウェハＷ上を拡散することがない。こうして、図４（ａ）に示すようにウェハＷの全面に混合液Ｃが拡散する（図３の工程Ｓ１）。

混合液ＣがウェハＷ全面に拡散すると、第１のアーム３１により現像液ノズル３３がウェハＷの中心部上方から待機部３５に移動する。このとき、純水ノズル４０はウェハＷの中心部上方に残っている。

その後、図４（ｂ）に示すように純水ノズル４０から純水ＰがウェハＷの中心部に供給される。このときのウェハＷの回転数は、工程Ｓ１と同一であり、例えば１０００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍである。また、純水Ｐは、例えば１リットル／分の流量で１秒〜２秒間供給される。そして、純水Ｐは混合液Ｃを追い出すようにウェハＷ上を拡散し、図４（ｃ）に示すようにウェハＷの全面が純水Ｐに覆われる（図３の工程Ｓ２）。このように現像液成分がウェハ上から追い出されるため、ウェハＷの現像処理が一時的に停止する。

純水ＰがウェハＷ全面に拡散すると、第２のアーム３２により純水ノズル４０がウェハＷの中心部上方から待機部４２に移動する。同時に、第１のアーム３１により待機部３５の現像液ノズル３３がウェハＷの外周部上方まで移動する。

次に、ウェハＷの回転数を例えば３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍまで減速させ、図４（ｄ）に示すように現像液ノズル３３から現像液ＤがウェハＷの外周部に供給される。その後、現像液ノズル３３は、ウェハＷの中心部に移動しながら、ウェハＷ上に現像液Ｄを供給する。そうすると、図６に示すように現像液ノズル３３から供給された帯状の現像液Ｄは、螺旋状にウェハＷ上に供給されることになる。そして、現像液Ｄは純水Ｐに先導されてウェハＷを円滑かつ均一に拡散し、図４（ｅ）に示すようにウェハＷの全面が現像液Ｄに覆われる。その後、ウェハＷに供給された現像液ＤによりウェハＷに所定時間の現像処理が行われる（図３の工程Ｓ３）。

ウェハＷの現像処理が終了すると、第１のアーム３１により現像液ノズル３３がウェハＷの中心部上方から待機部３５に移動する。同時に、第２のアーム３２により待機部４２の純水ノズル４０がウェハＷの中心部上方まで移動する。その後、ウェハＷを回転させると共に、図４（ｆ）に示すように純水ノズル４０から純水ＰがウェハＷの中心部に供給され、ウェハＷの洗浄処理が行われる（図３の工程Ｓ４）。なお、本実施の形態では、ウェハＷの洗浄処理を行うリンス液として純水を用いたが、他のリンス液を用いてもよい。

その後、純水ノズル４０からの純水Ｐの供給を停止すると共に、ウェハＷを加速回転させて、ウェハＷ上の純水Ｐを乾燥させて除去する。こうして一連のウェハＷの現像処理が終了する。

以上の実施の形態によれば、工程Ｓ１において、ウェハＷの中心部に現像液Ｄと純水Ｐを供給して、ウェハＷ全面を現像液Ｄと純水Ｐの混合液Ｃで覆うことができる。その後工程Ｓ２において、ウェハＷの中心部に純水Ｐを供給して、ウェハＷ上の混合液Ｃを追い出し、ウェハＷ全面を純水Ｐで覆うことができる。そうすると、工程Ｓ３のウェハＷの現像処理を行うまでに、従来のようにプリウェット用に供給した現像液が乾燥することがない。しかも、ウェハＷ全面が純水Ｐで覆われているので、現像処理において、ウェハＷ上で現像液Ｄを円滑かつ均一に拡散させることができる。したがって、ウェハＷの現像処理をウェハ面内で均一に行うことができ、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの寸法、例えば線幅のウェハ面内における均一性を向上させることができる。

また、工程Ｓ１において、混合液Ｃは、純水Ｐよりも常に拡散方向の後方でウェハＷ上を拡散する。また、純水Ｐはレジスト膜に対する接触角が大きいので、ウェハＷの中心部に供給された純水Ｐは、ウェハＷの同心円状に拡散する。そうすると、純水Ｐと混合液Ｃはこの順で基板の同心円状に円滑に拡散する。したがって、ウェハ面内において混合液Ｃを均一に塗布することができ、ウェハ面内の現像液成分の濃度を均一にすることができる。

また、工程Ｓ３において、ウェハＷの現像処理をする際、現像液ノズル３３からウェハＷの外周部に現像液Ｄを供給した後、現像液ノズル３３をウェハＷの中心部に移動させながら、ウェハＷに現像液Ｄを供給した。これによって、ウェハＷ上に帯状の現像液Ｄを螺旋状に供給することができ、現像液ノズル３３の移動速度を大きくすることで、現像処理時間の短縮化を図ることができる。さらに、この現像処理時間の短縮化により、現像液Ｄの供給量を低減することもできる。

なお、以上の実施の形態では、工程Ｓ３において、現像液ノズル３３からウェハＷの外周部に現像液Ｄを供給した後、現像液ノズル３３をウェハＷの中心部に移動させながら、ウェハＷに現像液Ｄを供給したが、現像液ノズル３３をウェハＷの中心部に直接移動させ、当該現像液ノズル３３から現像液ＤをウェハＷの中心部に供給してもよい。なお、その他の工程Ｓ１と工程Ｓ２については、上記実施の形態と同様であるので、説明を省略する。かかる場合でも、現像処理において、ウェハＷ上で現像液Ｄを円滑かつ均一に拡散させることができ、ウェハＷの現像処理をウェハ面内で均一に行うことができる。

また、以上の実施の形態では、工程Ｓ１において、ウェハＷの中心部に現像液Ｄと純水Ｐを同時に供給していたが、ウェハＷの中心部に現像液Ｄのみを供給してもよい。なお、その他の工程Ｓ２と工程Ｓ３については、上記実施の形態と同様であるので、説明を省略する。かかる場合でも、現像処理において、ウェハＷ上で現像液Ｄを円滑かつ均一に拡散させることができ、ウェハＷの現像処理をウェハ面内で均一に行うことができる。

さらに、工程Ｓ１において、ウェハＷの中心部に現像液Ｄと界面活性剤を含む薬液を同時に供給するようにしてもよい。かかる場合、現像処理装置１には、図７及び図８に示すようにウェハＷに薬液を供給する薬液ノズル６０が設けられる。薬液ノズル６０は、レール３０に取り付けられた第３のアーム６１に支持されている。第３のアーム６１は、ノズル駆動部６２によってレール３０上を移動自在となっている。これにより、薬液ノズル６０は、カップ２２のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部６３から、カップ２２内のウェハＷの中心部上方を通って、カップ２２のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部６４まで移動することができる。待機部６３は、カップ２２のＹ方向正方向側の外側と待機部３５との間に設けられ、待機部６４は、カップ２２のＹ方向負方向側の外側と待機部４２との間に設けられている。また、ノズル駆動部６２によって、第３のアーム６１は昇降自在であり、薬液ノズル６０の高さを調節できる。薬液ノズル６０には、薬液供給源６５に連通する供給管６６が接続されている。薬液供給源６５内には、界面活性剤を含む薬液が貯留されている。供給管６６には、薬液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６７が設けられている。なお、以上の構成では、現像液ノズル３３、純水ノズル４０、薬液ノズル６０は別々のアームに支持されていたが、同じアームに支持され、そのアームの移動の制御により、現像液ノズル３３、純水ノズル４０、薬液ノズル６０のそれぞれの移動と供給タイミングを制御してもよい。

そして、工程Ｓ１において、第１のアーム３１により待機部３５の現像液ノズル３３がウェハＷの中心部の上方まで移動すると共に、第３のアーム６１により待機部６４の薬液ノズル６０がウェハＷの中心部の上方まで移動する。その後、現像液ノズル３３からの現像液Ｄと薬液ノズル６０からの薬液がそれぞれウェハＷの中心部に供給される。なお、その他の工程Ｓ２と工程Ｓ３については、上記実施の形態と同様であるので、説明を省略する。

かかる場合でも、工程Ｓ１において、ウェハＷ全面を現像液Ｄと薬液の混合液で覆うことができる。そして、その後工程Ｓ２において、ウェハＷ全面を純水Ｐで覆うことができるので、従来のようにプリウェット用に供給した現像液が乾燥することがなく、現像処理において、ウェハＷ上で現像液Ｄを円滑かつ均一に拡散させることができる。したがって、ウェハＷの現像処理をウェハ面内で均一に行うことができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

以下、本発明の現像処理方法を用いた場合にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅の均一性について、従来の現像処理方法を用いた場合と比較して説明する。本発明の現像処理方法を用いた場合では、先に図１及び図２で示した現像処理装置１を用い、図３及び図４で示した方法でウェハの現像処理を行った。また、従来の現像処理方法を用いた場合では、現像液と純水をウェハに供給した後、ウェハに現像液を供給して現像処理を行い、本発明のように現像処理の前にウェハに純水を供給することは行わなかった。なお、本実施例においては、レジスト液として現像感度の高いＫｒＦレジストを用いた。

かかる条件下で現像処理を行い、ウェハ上のレジストパターンの線幅を測定した結果を図９に示す。図９（ａ）は本発明の現像処理方法を用いた場合であり、図９（ｂ）は従来の現像処理方法を用いた場合である。なお、図９の横軸は、ウェハの中心位置からの距離を示している。また、図９の縦軸は、レジストパターンの線幅を示している。

図９（ｂ）に示したとおり、従来の現像処理方法を用いた場合、レジストパターンの線幅をウェハ面内で均一にすることができなかった。一方、図９（ａ）に示したとおり、本発明の現像処理方法を用いた場合、レジストパターンの線幅をウェハ面内で均一にすることができた。そして、従来の現像処理方法を用いた場合の３シグマが５．２９ｎｍであったのに対し、本発明の現像処理方法を用いた場合の３シグマは２．２５ｎｍであった。

以上より、本発明の現像処理方法を用いた場合、従来に比べて、ウェハの現像処理をウェハ面内で均一に行うことができ、ウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅のウェハ面内における均一性を格段に向上できることが分かった。

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板を現像処理する際に有用である。

本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。現像処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。現像処理プロセスの各工程におけるウェハ上の液膜の状態を模式的に示した説明図である。現像処理プロセスの工程Ｓ１におけるウェハ上の液膜の状態を模式的に示した説明図である。現像処理プロセスの工程Ｓ３におけるウェハ上の液膜の状態を模式的に示した説明図である。他の実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。他の実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。実施例において、現像処理後にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅の測定結果を示したグラフであり、（ａ）は本発明の現像処理方法を用いた場合であり、（ｂ）は従来の現像処理方法を用いた場合である。

符号の説明

１現像処理装置
２０スピンチャック
３３現像液ノズル
４０純水ノズル
５０制御部
６０薬液ノズル
Ｃ混合液
Ｄ現像液
Ｐ純水
Ｗウェハ

Claims

基板の現像処理方法であって、
基板の中心部に少なくとも現像液を供給し、基板全面を現像液で覆う第１の工程と、
その後、基板の中心部に純水を供給し、前記第１の工程で供給した現像液を基板全面から追い出す第２の工程と、
その後、基板を回転させながら当該基板に現像液を供給し、基板を現像処理する第３の工程と、を有することを特徴とする、現像処理方法。
前記第３の工程において、現像液ノズルから基板の外周部に現像液を供給した後、前記現像液ノズルを基板の中心部に移動させながら、基板に現像液を供給することを特徴とする、請求項１に記載の現像処理方法。
前記第１の工程と前記第２の工程は、基板を回転させながら行われることを特徴とする、請求項１又は２のいずれかに記載の現像処理方法。
前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と純水を同時に供給することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の現像処理方法。
前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と界面活性剤を含む薬液を同時に供給することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の現像処理方法。
請求項１〜５の現像処理方法を現像処理装置によって実行させるために、当該現像処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
請求項６に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
基板の現像処理を行う現像処理装置であって、
基板に現像液を供給する現像液ノズルと、
基板に純水を供給する純水ノズルと、
基板を保持して当該基板を回転させる回転保持部と、
基板の中心部に少なくとも現像液を供給し、基板全面を現像液で覆う第１の工程と、その後、基板の中心部に純水を供給し、前記第１の工程で供給した現像液を基板全面から追い出す第２の工程と、その後、基板を回転させながら当該基板に現像液を供給し、基板を現像処理する第３の工程と、を実行するように前記現像液ノズル、前記純水ノズル及び前記回転保持部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、現像処理装置。
前記制御部は、前記第３の工程において、前記現像液ノズルから基板の外周部に現像液を供給した後、前記現像液ノズルを基板の中心部に移動させながら、基板に現像液を供給するように前記現像液ノズルを制御することを特徴とする、請求項８に記載の現像処理装置。
前記制御部は、基板を回転させながら、前記第１の工程と前記第２の工程を実行するように前記回転保持部を制御することを特徴とする、請求項８又は９に記載の現像処理装置。
前記制御部は、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と純水を同時に供給するように前記現像液ノズル及び前記純水ノズルを制御することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の現像処理装置。
基板に界面活性剤を含む薬液を供給する薬液ノズルをさらに有し、
前記制御部は、前記第１の工程において、基板の中心部に現像液と薬液を同時に供給するように前記現像液ノズル及び前記薬液ノズルを制御することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の現像処理装置。