JP2008294276A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

基板処理方法及びその装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008294276A
JP2008294276A JP2007138933A JP2007138933A JP2008294276A JP 2008294276 A JP2008294276 A JP 2008294276A JP 2007138933 A JP2007138933 A JP 2007138933A JP 2007138933 A JP2007138933 A JP 2007138933A JP 2008294276 A JP2008294276 A JP 2008294276A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning liquid
processed
liquid supply
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007138933A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiro Kondo
藤 丈 博 近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2007138933A priority Critical patent/JP2008294276A/ja
Priority to US12/126,087 priority patent/US20080289656A1/en
Publication of JP2008294276A publication Critical patent/JP2008294276A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】洗浄対象の膜の材料にかかわらず簡易に高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】被処理基板１の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで乾燥させる基板処理方法であって、回転中の被処理基板の表面上に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を被処理基板上で移動させる際に、被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された水位に基づいて、洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は被処理基板の回転速度、あるいは洗浄液供給位置の移動速度及び被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理方法及びその装置に関する。
半導体デバイス、ＬＳＩ、電子回路部品、液晶表示素子等の製造におけるウェット処理工程、特に感光性レジスト膜を用いた処理において、基板を洗浄する必要がある。近年では、基板の大口径化に伴い、感光性レジスト膜の洗浄工程、例えば現像工程におけるリンス工程や液浸プロセスにおける洗浄工程では、洗浄が不十分であることによる致命的な欠陥の発生が大きな問題となっている。
従来は、基板を回転しながら、位置が固定されたノズルから洗浄液を供給し洗浄及び乾燥を行っていた。しかしこの手法では、大口径化に伴う基板外周での乱流の影響により、基板中心部よりも外周部での乾燥が進み、その結果、中心部で洗浄除去された物質が基板外周部に残存するという問題があった。
この問題を解決するため、後述する特許文献１に記載されたように、洗浄工程の初期に基板を回転しながら中心で洗浄液を供給し、ノズルを基板中心から外周に移動させる洗浄方法が提案されている。
しかしながらこの方法では、ノズルの移動制御に関する最適化が困難であった。仮に、特定の洗浄工程において試行錯誤を行って最適化を図ったとしても、感光性レジストの材料が変わる毎に最適解が異なる。このため、材料毎に最適化を図る必要があり、作業性が悪いという問題があった。
特開２００６−８０３１５号公報
本発明は、洗浄工程において洗浄の対象となる膜の材料にかかわらず、簡易な手法により高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様による基板処理方法は、被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理方法であって、回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を供給する洗浄液供給位置を前記被処理基板上で移動させる際に、前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、前記被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された前記水位に基づいて、前記洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。
また、本発明の一態様による基板処理装置は、被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理装置であって、前記被処理基板を保持し回転させる被処理基板保持及び回転部と、回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を、前記被処理基板上を移動しながら供給する洗浄液供給部と、前記被処理基板の表面上において、前記洗浄液の水位を計測する計測部と、前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、計測された前記洗浄液の水位に基づいて、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
さらに、本発明の一態様による基板処理装置は、被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理装置であって、前記被処理基板を保持し回転させる被処理基板保持及び回転部と、回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を、前記被処理基板上を移動しながら供給する洗浄液供給部と、予め計測された、前記被処理基板上に形成された所定の膜を洗浄する際における前記洗浄液の水位の変化に関するデータを記憶する記憶部と、前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、前記記憶部に記憶された前記データに基づいて、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
以上説明したように、本発明の基板処理方法及びその装置によれば、異なる材料から成る膜を洗浄する際にも、簡易な手法により高い洗浄効果を得ることが可能である。
先ず、比較例による洗浄処理における手順について説明する。
例えば、被処理基板として、３００mmの半導体ウェーハ上に反射防止膜を形成し、さらに化学増幅型レジストを塗布する。
ＡｒＦエキシマレーザを用いて、露光用レチクルを介して所望のパターンの縮小投影露光を行う。被処理基板に熱処理を行った後、現像処理を行う。
ここで、現像処理の具体的方法として、現像液供給ノズルから現像液を吐出しながら、被処理基板の外周領域から被処理基板の表面上を半径方向に沿って一方向に走査することで現像液膜を被処理基板上に形成する。所定時間、静止現像処理を行う。
引き続いて、純水を用いた洗浄処理、乾燥処理を行う。一般的なリンス乾燥方法は、被処理基板を回転させながら洗浄液供給ノズルから、所定時間被処理基板中心部に純水を供給する。その後、被処理基板を回転させながら、洗浄液供給ノズルを移動させて、洗浄液供給位置を被処理基板の中心部から外側に向かって移動させることにより、乾燥領域を中心部から外側に広げ、最期に洗浄液供給位置を被処理基板の外側まで移動させる。あるいは、洗浄液の供給を停止させることにより乾燥させる。
このような比較例としての一般的な洗浄処理を行ったときの洗浄結果を図１（ａ）〜（ｃ）に示す。
図１（ａ）に被処理基板の回転数が１５００（ｒｐｍ）、図１（ｂ）に被処理基板の回転数が１０００（ｒｐｍ）、図１（ｃ）に被処理基板の回転数が５００（ｒｐｍ）であって、それぞれ洗浄液供給ノズルの移動速度を一定とした場合における欠陥の分布並びに数を示す。
図１（ａ）〜図１（ｃ）からも明らかなように、被処理基板の回転数により欠陥数に大きな変化があるため、洗浄処理方法の最適化が必要であることがわかる。
また、上述したようにあるレジスト材料に対して最適化を行ったとしても、レジスト材料が変わると最適解が変わるため、レジスト材料毎に最適化を行うのは困難である。
次に、本発明の実施の形態による基板処理方法及びその装置について図面を参照して説明する。本実施の形態は、感光性樹脂膜の現像工程におけるリンス・乾燥処理を対象とする。
図２に、本実施の形態による基板処理装置の構成を示す。この装置は、被処理基板１を保持する基板保持部２と、被処理基板１を回転させるための回転軸３、駆動部４を含む回転機構部と、現像液を供給する現像液供給ノズル１３と、現像液供給ノズル１３を被処理基板１と並行するように移動させる移動機構部１４と、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１１と、洗浄液供給ノズル１１を移動させる移動機構部１２と、被処理基板１の表面上の複数の箇所における乾燥状態を計測する乾燥モニタ部２１と、駆動部４、移動機構部１２及び１４、乾燥モニタ部２１の動作を制御する制御部２２とを備える。
ここで、乾燥モニタ部２１は、単一波長の光を被処理基板１上に照射し、被処理基板１からの反射光強度をモニタすることで、乾燥状態、具体的には被処理基板１上に存在する洗浄液の水位を計測するものである。
このような基板処理装置を用いて、本実施の形態に従い洗浄処理を行う手順について説明する。
所定時間静止現像を行った後に、被処理基板１を回転させながら洗浄液供給ノズル１１から洗浄液として純水を被処理基板１の中心部に供給する。
所定時間経過後、被処理基板１を回転させながら、洗浄液供給ノズル１１を被処理基板１の中心部から外側へ移動させることにより、洗浄液供給位置を基板中心部から外側に移動させて、乾燥領域を基板中心部から外側に広げていく。
その際に、被処理基板１の表面上における複数箇所において乾燥状態を、乾燥モニタ２１の出力に基づいて計測する。この計測結果に基づき、被処理基板１の中心部から外側へ向けて広がっていく乾燥移動速度を、制御部２２において算出する。そして、この乾燥移動速度に洗浄液供給位置の移動速度が一致するように、被処理基板１の回転数、又は洗浄液供給ノズル１１の移動速度、あるいは被処理基板１の回転数及び洗浄液供給ノズル１１の移動速度を制御部２２により制御する。
例えば、計測して得られた乾燥移動速度が、予め設定していた洗浄液供給位置移動速度よりも遅い場合は、その計測結果に基づいて洗浄液供給位置移動速度が遅くなるように、制御部２２が洗浄液供給ノズル１１の移動速度を遅くする。
より具体的な乾燥状態の計測、また乾燥移動速度の計測について説明する。図３に、被処理基板１の表面上において乾燥状態を計測する複数の計測点Ａ、Ｂ、Ｃを示す。被処理基板１の中心Ｏから外周へ半径方向に沿って順に計測点Ａ、Ｂ、Ｃが配置されている。
図４（ａ）〜（ｃ）に、計測点Ａ、Ｂ、Ｃにおける水位の変化を示す。計測点Ａでは、図４（ａ）に示されたように、水位が時間の経過と共に低下していき所定レベルＬ１に到達するまでに時間ｔ１が経過している。
計測点Ｂでは、図４（ｂ）に示されたように、水位が同じ所定レベルＬ１に到達するまでにｔ１より長い時間ｔ２が経過する。さらに計測点Ｃでは、図４（ｃ）に示されたように、水位が所定レベルＬ１に到達するまでに時間ｔ２よりさらに長い時間ｔ３が経過している。
このように、被処理基板１の表面上において、中心Ｏから外周に向かって計測点Ａ、Ｂ、Ｃと移動するにつれて、洗浄液が回転により外周へ移動することによって、水位の低下に要する時間が長くなる。そこで、各計測点Ａ、Ｂ、Ｃにおいて水位が所定レベルＬ１に到達する際に洗浄液供給ノズル１１が各計測点上に一致するように、洗浄液供給ノズル１１の移動速度又は被処理基板１の回転速度、あるいは洗浄液供給ノズル１１の移動速度及び被処理基板１の回転速度を制御すればよい。
上述した比較例に従い洗浄を行った時、即ち乾燥移動速度と洗浄液供給位置移動速度が不一致の場合に２０００個の欠陥が発生した。これに対し、本実施の形態に従って、乾燥移動速度と洗浄液供給位置移動速度が一致するように制御しながら洗浄を行った場合、欠陥数が６０個まで減少した。これにより、上記実施の形態による洗浄効果が確認された。
ここで、乾燥移動速度と洗浄液供給位置移動速度が一致するように制御する際に、ここでは洗浄液供給ノズル１１の移動速度を制御している。しかし、これに限らず、洗浄液供給ノズル１１の移動速度を当初の設定から変更することなく、被処理基板１の回転速度を変更してもよい。例えば、乾燥移動速度が洗浄液供給位置の移動速度より速い場合は、被処理基板１の回転速度を下げて乾燥移動速度を低下させる。逆に、乾燥移動速度が洗浄液供給位置の移動速度より遅い場合は、被処理基板１の回転速度を上げて乾燥移動速度を速くする。
あるいはまた、乾燥移動速度と洗浄液供給位置移動速度が一致するように、洗浄液供給ノズル１１の移動速度及び被処理基板１の回転速度を共に制御してもよい。
また、測定された乾燥移動速度が速い場合、即ち被処理基板の中心部から外周へ向かって水位が所定レベルまで下がっていく速度が速い場合は、洗浄液供給ノズルを被処理基板の中心側へ一旦戻して乾燥移動速度を低下させてもよい。
洗浄の対象となる膜が同一材料である場合は、以前に洗浄を行った際に測定した乾燥移動速度を用いて洗浄液供給位置移動速度が一致するように制御することができる。よって、同一材料から成る膜を複数回洗浄する際には、その都度乾燥移動速度を測定する必要はなく、以前に測定した結果を制御部内あるいは外部に設けられた記憶部に格納しておき、洗浄の際に読み出して制御に用いてもよい。
また、洗浄の対象となる膜の乾燥速度が同一かどうかは、自動的に判断することもできる。例えば、接触角測定器を用いて、膜の表面上に形成された水滴と膜の表面との間の接触角を測定して判断することが可能である。予め、接触角毎に、即ち膜の材料毎に最適化を図った洗浄液供給位置移動速度を記憶部に格納しておき、このデータに基づいて制御部２２が制御を行ってもよい。
上記実施の形態では、被処理基板の表面全体の洗浄を最適化するように制御対象としている。しかしこれに限らず、図１（ｃ）に示されたなように、欠陥が発生し易い基板の中心から例えば５０mmというように所定半径までの円形領域等、少なくとも一部の領域の洗浄が最適化されるように制御を行ってもよい。
上述した実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的範囲内において様々に変形することが可能である。
比較例による基板処理方法に従って、被処理基板の回転速度を変えたときのそれぞれの欠陥の分布を示した説明図。 本発明の実施の形態による基板処理装置の構成を示した概略図。 同実施の形態による基板処理装置において計測する被処理基板上の水位の計測点を示す平面図。 図３における各計測点の水位の時間的変化を示すグラフ。
符号の説明
１ 被処理基板
２ 基板保持部
１１ 洗浄液供給ノズル
１２、１４ 移動機構部
１３ 現像液供給ノズル
２１ 乾燥モニタ部
２２ 制御部

Claims (5)

  1. 被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理方法であって、
    回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を供給する洗浄液供給位置を前記被処理基板上で移動させる際に、前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、前記被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された前記水位に基づいて、前記洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする基板処理方法。
  2. 回転中の前記被処理基板の表面上に洗浄液を供給する際に、前記被処理基板の表面上における複数の箇所における水位を計測し、それぞれの前記箇所で水位が所定レベルまで低下した時点で、前記洗浄液を供給する位置が前記箇所と一致するように、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
  3. 被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理装置であって、
    前記被処理基板を保持し回転させる被処理基板保持及び回転部と、
    回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を、前記被処理基板上を移動しながら供給する洗浄液供給部と、
    前記被処理基板の表面上において、前記洗浄液の水位を計測する計測部と、
    前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、計測された前記洗浄液の水位に基づいて、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  4. 前記計測部は、前記被処理基板の表面上の複数箇所において、前記洗浄液の水位を計測し、
    前記制御部は、それぞれの前記箇所で水位が所定レベルまで低下した時点で、前記洗浄液供給位置が前記箇所と一致するように、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 被処理基板の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで前記被処理基板を乾燥させる基板処理装置であって、
    前記被処理基板を保持し回転させる被処理基板保持及び回転部と、
    回転中の前記被処理基板の表面上に前記洗浄液を、前記被処理基板上を移動しながら供給する洗浄液供給部と、
    予め計測された、前記被処理基板上に形成された所定の膜を洗浄する際における前記洗浄液の水位の変化に関するデータを記憶する記憶部と、
    前記被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、前記記憶部に記憶された前記データに基づいて、前記洗浄液供給位置の移動速度又は前記被処理基板の回転速度、あるいは前記洗浄液供給位置の移動速度及び前記被処理基板の回転速度を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
JP2007138933A 2007-05-25 2007-05-25 基板処理方法及びその装置 Pending JP2008294276A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007138933A JP2008294276A (ja) 2007-05-25 2007-05-25 基板処理方法及びその装置
US12/126,087 US20080289656A1 (en) 2007-05-25 2008-05-23 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007138933A JP2008294276A (ja) 2007-05-25 2007-05-25 基板処理方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008294276A true JP2008294276A (ja) 2008-12-04

Family

ID=40071256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007138933A Pending JP2008294276A (ja) 2007-05-25 2007-05-25 基板処理方法及びその装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080289656A1 (ja)
JP (1) JP2008294276A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10395949B2 (en) 2014-04-16 2019-08-27 Ebara Corporation Substrate drying apparatus, storage medium, and substrate drying method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100224217A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor cleaning method and apparatus and controlling method of the same
JP4927158B2 (ja) * 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
CN107030050B (zh) * 2017-05-31 2018-01-30 重庆市桑麻环保科技有限公司 一种环保装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10395949B2 (en) 2014-04-16 2019-08-27 Ebara Corporation Substrate drying apparatus, storage medium, and substrate drying method

Also Published As

Publication number Publication date
US20080289656A1 (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6436068B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR100852818B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조방법
JP2011135002A (ja) 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP2009252855A (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体
JP2009177133A (ja) 半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法
JP2012124309A (ja) 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
JP2008060103A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2007019161A (ja) パターン形成方法及び被膜形成装置
KR101950047B1 (ko) 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법
JP2008294276A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP2008060104A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6597872B2 (ja) 基板処理方法
JP5317504B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP5323374B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP2012114259A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP5994804B2 (ja) 基板洗浄方法
KR101300892B1 (ko) 기판의 처리 방법 및 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체
JP5541311B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5014208B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2012142396A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3719843B2 (ja) 基板処理方法
TWI487013B (zh) 半導體清洗方法與裝置及其控制方法
JP2010156782A (ja) 露光装置
JP4723631B2 (ja) 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置
JP2007299937A (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体。

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090717

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091120