JP2009177133A - 半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法 - Google Patents

半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体ウェハに対して安価にコーティングを行なうコーティング装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０６を支持しかつ回転させる回転可能にされたプラットフォーム２１２と、半導体ウェハの中央部上に予備加湿溶剤、フォトレジストまたはＡＲＣを供給し、かつ半導体ウェハの周辺部上に予備加湿溶剤を追加して供給する第１、第２、第３のノズル２０４、２０８、２１０と、プラットフォーム２１２の回転を制御すると共に、半導体ウェハの中央部上に予備加湿溶剤を供給し、半導体ウェハが回転している期間に予備加湿溶剤が供給されている半導体ウェハの中央部上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給し、半導体ウェハが回転し続けている期間に半導体ウェハの周辺部上に予備加湿溶剤を追加して供給するように第１、第２、第３のノズルを制御するコントローラ２２０を具備する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体ウェハ上に種々の膜をコーティングする半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法に関する。
半導体装置の製造方法は、半導体ウェハを作成し、ウェハ上で種々の処理技術を行うことを含んでいる。そのような技術の一つとして、ウェハ上で具体化される回路デザインに依存する投影イメージをウェハ上に露光するリソグラフィが含まれている。イメージを投影する前に、ウェハ上に、フォトレジスト及び反射防止膜（anti-reflecting coating、以下、ＡＲＣと称する）がコーティングされる。投影イメージがウェハ上に正確に露光されることを確実にするためには、フォトレジスト及びＡＲＣを平坦にかつウェハを完全に覆うようにコーティングすることが重要である。
フォトレジスト及びＡＲＣによりウェハ表面を効果的に覆うために、ウェハの表面を予備加湿溶剤（pre-wet solvent）で覆う必要がある。この予備加湿溶剤は、フォトレジスト及びＡＲＣのコーティングに先立ってウェハ上にコーティングされる。予備加湿溶剤は、平坦でかつフォトレジスト及びＡＲＣが広がり易い濡れた表面を提供し、フォトレジスト及びＡＲＣの表面張力を破壊することに役立つ。
しかしながら、これらの溶液を供給するシステムの使用により種々の問題が生じている。フォトレジストまたはＡＲＣが供給されている間、半導体ウェハは比較的早い速度で回転している。このような高速回転により、既にウェハの外側部分にまで到達した予備加湿溶剤が、フォトレジストまたはＡＲＣがウェハの外側部分に到達する前に乾いてしまう。乾燥した表面は、フォトレジスト及びＡＲＣのコーティングを阻害し、製造欠陥の発生に結びつく。このような製造欠陥を減少させるために、フォトレジストまたはＡＲＣの追加供給が行われる。しかし、これらの溶液は非常に高価であり、特にフォトレジストは１ガロン（3.785リットル）当たり10000USドル（100万円以上）もする。
従って、フォトレジスト及びＡＲＣによりウェハが完全に覆われるまで、予備加湿溶剤により半導体ウェハの表面が濡れた状態を保つ改良されたコーティング装置及びコーティング方法が望まれている。これにより、リソグラフィ工程において必要とされる高価なフォトレジストの使用量を削減することができる。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体ウェハに対して安価にコーティングを行なうことができる半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法を提供することである。
本発明の半導体ウェハコーティング装置は、半導体ウェハを支持しかつ回転させる回転可能にされたプラットフォームと、前記半導体ウェハの中央部上に第１及び第２の薬液を供給し、かつ前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給する薬液供給部と、前記プラットフォームの回転を制御すると共に、前記半導体ウェハの中央部上に前記第１の薬液を供給し、前記半導体ウェハが回転している期間に前記第１の薬液が供給されている前記半導体ウェハの中央部上に前記第２の薬液を供給し、さらに、前記半導体ウェハが回転し続けている期間に前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給するように前記薬液供給部を制御するコントローラとを具備したことを特徴する。
本発明の半導体ウェハコーティング方法は、回転可能にされたプラットフォーム上に半導体ウェハを載置し、前記半導体ウェハ上に第１のノズルから第１の薬液を供給し、前記第１の薬液が供給されている期間に第１の速度で前記半導体ウェハを回転させ、前記第１の速度よりも速い第２の速度で前記半導体ウェハが回転し、前記半導体ウェハが前記第１の薬液で濡れている期間に、第２のノズルから前記第１の薬液とは異なる第２の薬液を前記半導体ウェハ上に供給し、前記半導体ウェハが前記第１の速度よりも速い速度で回転を続けている期間に、第３のノズルから前記第１の薬液を追加して前記半導体ウェハ上に供給することを特徴する。
本発明の半導体ウェハコーティング方法は、半導体ウェハ上に第１のノズルから予備加湿溶剤を供給し、前記半導体ウェハを約５００〜１０００（ｒｐｍ）の範囲の第１のレートで回転させ、前記第１のノズルから供給された前記予備加湿溶剤を前記半導体ウェハ上で分散させ、約３０００〜５０００（ｒｐｍ）の範囲の第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に第２のノズルからフォトレジストを供給し、前記第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に、前記半導体ウェハの外側部分に向けるようにした第３のノズルから予備加湿溶剤を供給し、前記半導体ウェハが前記第２のレートで回転し続けている期間に、前記半導体ウェハの外側部分に前記フォトレジストが広がる前に、前記第３のノズルからの前記予備加湿溶剤の供給を停止することを特徴する。
本発明によれば、半導体ウェハに対して安価にコーティングを行なうことができる半導体ウェハコーティング装置及び半導体ウェハコーティング方法を提供することができる。
まず、本発明の実施形態の説明の前に、本発明の概要を説明する。
本発明の一実施形態の半導体ウェハコーティング装置は３個のノズルを有する。第１のノズルはウェハ上に予備加湿溶剤を供給する。第２のノズルは、高速回転している状態のウェハ上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給する。フォトレジストまたはＡＲＣは、回転しているウェハにより生成される遠心力によりウェハの外側部分に広げられる。第３のノズルは、ウェハの外側部分に向かって追加の予備加湿溶剤を供給する。第３のノズルは、第２のノズルがフォトレジストまたはＡＲＣを供給する時のように、遅れて供給を開始してもよい。この追加の予備加湿溶剤の供給は、ウェハを濡れた状態に維持し、フォトレジストまたはＡＲＣがウェハを完全にコーティングすることに役立つ。従って、より少ない量のフォトレジストまたはＡＲＣにより、ウェハを完全にコーティングすることができる。
本発明の他の実施形態の半導体ウェハコーティング装置は、先に説明した第３のノズルを有するマルチノズルアームを有する。
本発明のさらに他の実施形態の半導体ウェハコーティング方法は、フォトレジストがウェハ上で広がっている期間に、ウェハの外側の部分に追加の予備加湿溶剤を供給する。
次に、本発明の実施形態の説明の前に参考例について説明する。図１は参考例に係る半導体ウェハコーティング装置を示している。このコーティング装置１００は、半導体ウェハ１０４上に予備加湿溶剤を供給する第１のノズル１０２を備えている。さらに、このコーティング装置１００は、半導体ウェハ１０４上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給する第２のノズル１０６を備えている。フォトレジストまたはＡＲＣは、予備加湿溶剤上に供給される。半導体ウェハ１０４は、回転しているプラットフォーム１０８上に載置され、これにより半導体ウェハ１０４も回転する。このような回転動作は、半導体ウェハ１０４の表面に渡ってフォトレジストまたはＡＲＣが広がることを助ける。
この装置１００の一つの欠点は、フォトレジストまたはＡＲＣが、しばしば、半導体ウェハ１０４の表面に渡って十分に広がらないことである。半導体ウェハ１０４は高速で回転しているので、フォトレジストまたはＡＲＣが半導体ウェハの外側の部分まで広がる前に、半導体ウェハの外側の部分に近いところの予備加湿溶剤が乾燥してしまう。これにより、半導体ウェハ上でコーティングが不均一となり、コーティング欠陥が生じる。このようなコーティング欠陥を改善するためには、十分なフォトレジストまたはＡＲＣを供給して、先の問題が解消される手助けをすればよい。これは、フォトレジストまたはＡＲＣが典型的に高価であるという故に特に問題となる。
図２は本発明の一実施形態に係る半導体ウェハコーティング装置２００を示している。このコーティング装置２００は、３つのノズルが取り付けられた可動アーム２０２を有する。第１のノズル２０４は、半導体ウェハ２０６上に予備加湿溶剤（pre-wet solvent）を供給する。半導体ウェハ２０６はどのようなサイズのものであってもよく、例えば、３００ｍｍ以上の直径を有するものであってもよい。本実施形態では、ウェハサイズが大きい程、より効果的である。第２のノズル２０８は、半導体ウェハ２０６上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給する。第３のノズル２１０は、半導体ウェハ２０６上に追加の予備加湿溶剤を供給する。半導体ウェハ２０６は、ウェハのサイズに適応した任意のサイズを有するプラットフォーム２１２上に載置される。例えば、プラットフォーム２１２は３００ｍｍ以上である。プラットフォームは、規定された時間、回転するようにコントローラ２２０により制御され、これにより半導体ウェハ２０６も回転する。この回転により、供給された予備加湿溶剤、フォトレジストまたはＡＲＣが半導体ウェハ２０６に渡って広げられる。
コーティング装置２００の第１のノズル２０４は、半導体ウェハ２０６の中央部上に予備加湿溶剤を供給する。第１のノズル２０４は、予備加湿溶剤を排出する排出口２１４を有する。予備加湿溶剤は、ウェハの表面上に湿潤状態を生成する。この湿潤状態は、フォトレジストまたはＡＲＣを平坦にかつウェハの全面に渡って均一に広がるようにさせる。
コーティング装置２００の第２のノズル２０８は、半導体ウェハ２０６上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給する。第２のノズル２０８は、フォトレジストまたはＡＲＣを供給する排出口２１６を有する。第２のノズル２０８から供給される溶液は、予備加湿溶剤の上、つまり半導体ウェハ２０６の中央部上に供給される。再度説明するが、ウェハ２０６の回転により生成される遠心力により、溶液が半導体ウェハ２０６の表面に渡って広げられる。
第３のノズル２１０は、半導体ウェハ２０６上に追加の予備加湿溶剤を供給する。この予備加湿溶剤は、第１のノズル２０４から供給される予備加湿溶剤と同一のものであってもよい。第３のノズル２１０は、追加の予備加湿溶剤を排出する排出口２１８を有する。この排出口２１８は、半導体ウェハ２０６の外側の部分における環状領域に広がる意図された噴射パターン内に予備加湿溶剤を供給するように構成されたシャワータイプの排出口である。この噴射パターンは、ウェハの直径の例えば１／６以下の環状領域となるように広がっている。例えば、半導体ウェハ２０６が直径３００ｍｍのウェハの場合、半導体ウェハ２０６の放射方向で測定して、５０ｍｍ以下の幅の環状領域に予備加湿溶剤が供給さるように噴射パターンが広がっている。このシャワータイプのノズルは、半導体ウェハ２０６の外側の部分に予備加湿溶剤を向かわせるように角度が設定されている。第３のノズル２１０は、ウェハ２０６がまだ回転し続けている期間で、第１のノズル２０４が供給を開始した後に、予備加湿溶剤の供給を開始するようにしてもよい。例えば、第２のノズル２０８が供給を開始した時と同一時刻に、第３のノズル２１０が供給を開始するようにしてもよい。
可動アーム２０２は、溶液供給のために３つのノズルが希望する位置に配置されるように、プラットフォーム２１２と関連付けられて移動する。さらに、ノズル２０４、２０８、２１０は、溶液供給のためにさらなる位置に配置されるように、可動アーム２０２と関連付けられて移動する。可動アーム２０２及びノズル２０４、２０８、２１０の位置は、コントローラ２２０によって制御される。加えて、コントローラ２２０は、プラットフォーム２１２の回転を制御する。さらに、可動アーム２０２に関連付けて、プラットフォーム２１２を移動させてもよい。
図３は、図２に示す半導体ウェハコーティング装置を用いて、レジストまたはＡＲＣの使用量を減らし、半導体ウェハ上に完全なコーティングを行なう、本発明の一実施形態に係る半導体ウェハコーティング方法のフローチャートである。図３は、本発明の一実施形態及び変形例の一例を示しているにすぎない。また、図４Ａ乃至図４Ｆは、図３に示した方法の種々のステップの一例を示している。
以下、半導体ウェハコーティング方法について説明する。コーティング工程を開始するために、ステップ３０２において、図４Ａに示すように、半導体ウェハ２０６の中央部上に第１のノズル２０４から予備加湿溶剤４００が供給される。次に、ステップ３０４において、予備加湿溶剤４００が供給された後に、半導体ウェハ２０６が載置されているプラットフォーム２１２が回転を開始し、これにより半導体ウェハ２０６も回転を開始する。なお、予備加湿溶剤４００が供給される時に、予めプラットフォーム２１２及び半導体ウェハ２０６はゆっくりした速度で回転させておいてもよい。初期の回転は、例えば５００〜１０００（ｒｐｍ）の低速である。半導体ウェハ２０６は回転しているので、図４Ｂに示すように、予備加湿溶剤４００は半導体ウェハ２０６の表面に渡って広げられ、薄い流体膜４０２が形成される。予備加湿溶剤４００からなる薄い流体膜４０２は、この後の工程で供給されるコーティング材を容易にかつより完全に広げることができ、これらのコーティング材が少量しか消費されない結果をもたらす。
半導体ウェハ２０６の表面に渡って予備加湿溶剤４００が広げられた後、図４Ｃに示すように、ステップ３０６において、回転している半導体ウェハ２０６の中央部上に第２のノズル２０８からフォトレジストまたはＡＲＣを供給する。フォトレジストまたはＡＲＣが供給されるとき（あるいはその後、直ちに）、半導体ウェハ２０６は例えば３０００〜１００００（ｒｐｍ）の高速で回転する。半導体ウェハ２０６の回転により、フォトレジストまたはＡＲＣは、半導体ウェハ２０６の表面において、予備加湿溶剤４００からなる薄い流体膜４０２上に平坦に広げられる。ステップ３０８において、フォトレジストまたはＡＲＣが供給されるとき、第３のノズル２１０から追加の予備加湿溶剤４００が供給される。第３のノズル２１０は、シャワータイプのノズルであり、追加の予備加湿溶剤４００が半導体ウェハ２０６の外側の部分に向かうように構成されている。このとき、半導体ウェハ２０６は高速で回転を続けているので、追加の予備加湿溶剤４００は、ステップ３０２において形成された薄い流体膜４０２、特にウェハ２０６の周辺部に近い部分が残こるように働く。追加の予備加湿溶剤４００は、半導体ウェハ２０６の外側の部分における湿潤状態を維持し、これによりフォトレジストまたはＡＲＣのコーティング４１０は、半導体ウェハ２０６の全体表面に渡ってより完全かつ均一に広がる。このことは、半導体ウェハ２０６を完全にコーティングするのに少ないフォトレジストまたはＡＲＣで済むので、望ましい。フォトレジストまたはＡＲＣは非常に高価なので、これらの使用量を削減することは主要なビジネス上の効果となり得る。
ステップ３１０において、第３のノズル２１０は追加の予備加湿溶剤４００の供給を停止する。図４Ｄに示すように、追加の予備加湿溶剤４００は供給されないが、フォトレジストまたはＡＲＣは、第２のノズル２０８から供給される。図４Ｅに示すように、第２のノズル２０８は、ウェハ２０６が十分なフォトレジストまたはＡＲＣで覆われるまで供給を続ける。
ステップ３１２において、第２のノズル２０８は、フォトレジストまたはＡＲＣの供給を停止する。フォトレジストまたはＡＲＣコーティング４１０、予備加湿溶剤４００はもはや供給されていなが、半導体ウェハ２０６は、乾燥するまでステップ３１４において高速で回転を継続する。図４Ｆに示すように、ステップ３１６において、フォトレジストまたはＡＲＣのコーティング４１０は半導体ウェハ２０６の全体表面に渡って均一にかつ完全に広げられ、コーティング欠陥が非常に少ない半導体ウェハ２０６が製造される。
このように、３つのノズルを有する改良された本実施形態の半導体ウェハコーティング装置及び方法を説明した。このような装置及び方法を使用することにより、半導体ウェハをより均一にコーティングすることができ、しかもフォトレジストまたはＡＲＣの使用量を最小にすることができ、コーティング欠陥が非常に少ない半導体ウェハを、コストを削減して製造することができる。
この発明は以下のような態様を取り得る。
第１の態様の半導体ウェハコーティング装置は、半導体ウェハを支持しかつ回転させる回転可能にされたプラットフォームと、前記半導体ウェハの中央部上に第１及び第２の薬液を供給し、かつ前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給する薬液供給部と、前記プラットフォームの回転を制御すると共に、前記半導体ウェハの中央部上に前記第１の薬液を供給し、前記半導体ウェハが回転している期間に前記第１の薬液が供給されている前記半導体ウェハの中央部上に前記第２の薬液を供給し、さらに、前記半導体ウェハが回転し続けている期間に前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給するように前記薬液供給部を制御するコントローラとを具備する。
また、第１の態様において、第１の薬液が予備加湿溶剤である。
さらに、第１の態様において、第２の薬液がフォトレジストである。
さらに、第１の態様において、第２の薬液が反射防止液である。
さらに、第１の態様において、プラットフォームは少なくとも３００ｍｍの直径を有する。
さらに、第１の態様において、半導体ウェハは少なくとも３００ｍｍの直径を有する。
第２の態様の半導体ウェハコーティング方法は、回転可能にされたプラットフォーム上に半導体ウェハを載置し、前記半導体ウェハ上に第１のノズルから第１の薬液を供給し、前記第１の薬液が供給されている期間に第１の速度で前記半導体ウェハを回転させ、前記第１の速度よりも速い第２の速度で前記半導体ウェハが回転し、前記半導体ウェハが前記第１の薬液で濡れている期間に、第２のノズルから前記第１の薬液とは異なる第２の薬液を前記半導体ウェハ上に供給し、前記半導体ウェハが前記第１の速度よりも速い速度で回転を続けている期間に、第３のノズルから前記第１の薬液を追加して前記半導体ウェハ上に供給する。
また、第２の態様において、第１の薬液が予備加湿溶剤である。
さらに、第２の態様において、第２の薬液がフォトレジストである。
さらに、第２の態様において、第２の薬液が反射防止液である。
さらに、第２の態様において、第１の速度は約５００〜１０００（ｒｐｍ）の範囲である。
さらに、第２の態様において、第２の速度は約３０００〜５０００（ｒｐｍ）の範囲である。
さらに、第２の態様において、半導体ウェハは少なくとも３００ｍｍの直径を有する。
さらに、第２の態様において、第３のノズルはシャワータイプのノズルであること。
さらに、第２の態様において、第１の薬液を追加して供給する際に、半導体ウェハの外側部分に第１の薬液を向かわせる。
さらに、第２の態様において、半導体ウェハの外側部分は、半導体ウェハの放射方向で５０ｍｍ以下の環状領域である。
さらに、第２の態様において、半導体ウェハの外側部分は、半導体ウェハの直径の１／６に相当する部分である。
第３の態様の半導体ウェハコーティング方法は、半導体ウェハ上に第１のノズルから予備加湿溶剤を供給し、前記半導体ウェハを約５００〜１０００（ｒｐｍ）の範囲の第１のレートで回転させ、前記第１のノズルから供給された前記予備加湿溶剤を前記半導体ウェハ上で分散させ、約３０００〜５０００（ｒｐｍ）の範囲の第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に第２のノズルからフォトレジストを供給し、前記第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に、前記半導体ウェハの外側部分に向けるようにした第３のノズルから予備加湿溶剤を供給し、前記半導体ウェハが前記第２のレートで回転し続けている期間に、前記半導体ウェハの外側部分に前記フォトレジストが広がる前に、前記第３のノズルからの前記予備加湿溶剤の供給を停止する。
また、第２の態様において、半導体ウェハは少なくとも３００ｍｍの直径を有する。
さらに、第３の態様において、半導体ウェハの外側部分は、半導体ウェハの放射方向で５０ｍｍ以下の環状領域である。
参考例に係るコーティング装置の側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置の側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング方法のフローチャート。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の１つの工程を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の他の工程を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の他の工程を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の他の工程を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の他の工程を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るコーティング装置及び方法の他の工程を示す側面図。
符号の説明
２００…半導体ウェハコーティング装置、２０２…可動アーム、２０４…第１のノズル、２０６…半導体ウェハ、２０８…第２のノズル、２１０…第３のノズル、２１２…プラットフォーム、２１４、２１６、２１８…排出口、２２０…コントローラ。

Claims (5)

  1. 半導体ウェハを支持しかつ回転させる回転可能にされたプラットフォームと、
    前記半導体ウェハの中央部上に第１及び第２の薬液を供給し、かつ前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給する薬液供給部と、
    前記プラットフォームの回転を制御すると共に、前記半導体ウェハの中央部上に前記第１の薬液を供給し、前記半導体ウェハが回転している期間に前記第１の薬液が供給されている前記半導体ウェハの中央部上に前記第２の薬液を供給し、さらに、前記半導体ウェハが回転し続けている期間に前記半導体ウェハの周辺部上に前記第１の薬液を追加して供給するように前記薬液供給部を制御するコントローラ
    とを具備したことを特徴する半導体ウェハコーティング装置。
  2. 前記第１の薬液が予備加湿溶剤（pre-wet solvent）であり、前記第２の薬液がフォトレジスト（photo-resist coating）または反射防止液（anti-reflective coating）であることを特徴する請求項１記載の半導体ウェハコーティング装置。
  3. 回転可能にされたプラットフォーム上に半導体ウェハを載置し、
    前記半導体ウェハ上に第１のノズルから第１の薬液を供給し、
    前記第１の薬液が供給されている期間に第１の速度で前記半導体ウェハを回転させ、
    前記第１の速度よりも速い第２の速度で前記半導体ウェハが回転し、前記半導体ウェハが前記第１の薬液で濡れている期間に、第２のノズルから前記第１の薬液とは異なる第２の薬液を前記半導体ウェハ上に供給し、
    前記半導体ウェハが前記第１の速度よりも速い速度で回転を続けている期間に、第３のノズルから前記第１の薬液を追加して前記半導体ウェハ上に供給する
    ことを特徴する半導体ウェハコーティング方法。
  4. 前記第１の薬液を追加して供給する際に、前記半導体ウェハの外側部分に前記第１の薬液を向かわせることを特徴する請求項３記載の半導体ウェハコーティング方法。
  5. 半導体ウェハ上に第１のノズルから予備加湿溶剤を供給し、
    前記半導体ウェハを約５００〜１０００（ｒｐｍ）の範囲の第１のレートで回転させ、前記第１のノズルから供給された前記予備加湿溶剤を前記半導体ウェハ上で分散させ、
    約３０００〜５０００（ｒｐｍ）の範囲の第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に第２のノズルからフォトレジストを供給し、
    前記第２のレートで回転している前記半導体ウェハ上に、前記半導体ウェハの外側部分に向けるようにした第３のノズルから予備加湿溶剤を供給し、
    前記半導体ウェハが前記第２のレートで回転し続けている期間に、前記半導体ウェハの外側部分に前記フォトレジストが広がる前に、前記第３のノズルからの前記予備加湿溶剤の供給を停止する
    ことを特徴する半導体ウェハコーティング方法。
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