JP2017050379A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の概略断面図である。図1において、基板処理装置100は回転式基板処理装置であり、回転保持部10、飛散防止用のカップ20、ノズルユニット30および制御部40を備える。回転保持部10は、モータ11の回転軸12の先端に取り付けられ、基板Wを水平姿勢で保持した状態で鉛直軸の周りで回転駆動される。なお、本実施の形態においては、基板Wの直径は例えば300mmである。
図1の基板処理装置100における基板Wの処理工程について説明する。図2は、基板処理装置100における基板Wの回転速度の変化および各信号S1〜S5の変化を示す図である。図2においては、信号S1〜S5がローレベルにあるときは、対応するバルブV1〜V5は閉止され、信号S1〜S5がハイレベルにあるときは、対応するバルブV1〜V5は開放される。
上記の膜形成工程および膜厚制御工程の詳細について説明する。図3は、膜形成工程および膜厚制御工程における基板Wの回転速度の変化および各信号S1〜S3の変化を示す図である。図4は、基板Wの被処理面上でレジスト液の厚みが調整される過程を示した図である。
実施例においては、図2に示される膜形成工程、膜厚制御工程、膜乾燥工程、洗浄工程および乾燥工程を順次実行することにより、基板W上に均一な厚みを有するレジスト膜を形成した。一方、比較例においては、膜厚制御工程を実行せず、膜形成工程、膜乾燥工程、洗浄工程および乾燥工程を順次実行することにより、基板W上に均一な厚みを有するレジスト膜を形成した。レジスト液の使用量を実施例と比較例とで比較した結果、実施例においては、レジスト液の使用量が比較例のレジスト液の使用量よりも40%削減されることが判明した。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、レジストノズル31により基板Wの被処理面に供給されたレジスト液が流動性を喪失する前に、溶剤ノズル33により環状領域R1の内縁から外縁に溶剤が吐出される。この場合、環状領域R1の内縁から外縁にわたって供給されたレジスト液が除去され、基板Wの中心部に蓄積されたレジスト液が周縁部に導かれつつ乾燥が進行する。これにより、基板Wの中心部のレジスト液の厚みが小さくなるとともに、基板Wの周縁部のレジスト液の厚みが大きくなる。したがって、レジスト液の厚みを均一に近づけることができる。その結果、塗布ムラ、塗布欠けおよび膜厚の不均一を発生させることなくレジスト液の使用量を削減することができる。
(a)上記実施の形態において、溶剤ノズル33とエッジリンスノズル34とが別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。溶剤ノズル33とエッジリンスノズル34とは、共通のノズルにより構成されてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
11 モータ
12 回転軸
20 カップ
21 開口部
22 廃液口
23 排気口
24 整流板
30 ノズルユニット
31 レジストノズル
32,33,33a 溶剤ノズル
34 エッジリンスノズル
35 バックリンスノズル
36 ノズル洗浄装置
40 制御部
100 基板処理装置
P1 レジスト液供給源
P2,P3 溶剤供給源
P4 エッジリンス液供給源
P5 バックリンス液供給源
R1,R2 環状領域
S0 回転信号
S1 レジスト液吐出信号
S2,S3 溶剤吐出信号
S4 エッジリンス液吐出信号
S5 バックリンス液吐出信号
T1 レジスト液供給管
T2,T3,T3a,T4a 溶剤供給管
T4 エッジリンス液供給管
T5 バックリンス液供給管
V1〜V5,V3a,V4a バルブ
W 基板
Claims (16)
- 基板に塗布液の膜を形成する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
基板の一面に塗布液を供給するように構成される塗布液供給系と、
塗布液を除去する第1の除去液を基板の一面の周縁部に供給するように構成される第1の除去液供給系と、
前記塗布液供給系および前記第1の除去液供給系の動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記回転保持装置により回転される基板の一面に塗布液を供給するように前記塗布液供給系を制御し、
前記塗布液供給系により供給された塗布液が流動性を喪失する前に、前記回転保持装置により回転される基板の前記周縁部における第1の環状領域に第1の除去液を供給するとともに第1の除去液の供給位置が前記第1の環状領域の内縁から外縁に移動するように前記第1の除去液供給系を制御する、基板処理装置。 - 前記制御部は、第1の除去液の供給位置が前記第1の環状領域の外縁から内縁に移動した後、第1の除去液の供給位置が前記第1の環状領域の内縁から外縁に移動するように前記第1の除去液供給系を制御する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第1の環状領域の外縁から内縁に向かう第1の除去液の供給位置の移動速度が前記第1の環状領域の内縁から外縁に向かう第1の除去液の供給位置の移動速度よりも大きくなるように前記第1の除去液供給系を制御する、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記塗布液供給系により基板の一面に塗布液が供給される期間と前記第1の除去液供給系により基板の前記周縁部における前記第1の環状領域に第1の除去液が供給される期間とが部分的に重複するように前記塗布液供給系および前記第1の除去液供給系を制御する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1の除去液供給系は、第1の除去液を斜め下外方へ吐出しつつ前記第1の環状領域に供給する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 塗布液を除去する第2の除去液を基板の一面の前記周縁部に供給するように構成される第2の除去液供給系をさらに備え、
前記制御部は、前記塗布液供給系により供給された塗布液が流動性を喪失した後に、前記回転保持装置により回転される基板の前記周縁部における第2の環状領域に第2の除去液を供給するように前記第2の除去液供給系を制御し、
前記第2の環状領域の内縁は、前記第1の環状領域の内縁よりも外方に位置する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1および第2の除去液供給系は、共通の除去液供給系により構成される、請求項6記載の基板処理装置。
- 第1および第2の除去液は、同一の除去液である、請求項6または7記載の基板処理装置。
- 前記第1の除去液供給系における第1の除去液の供給部分を洗浄する洗浄機構をさらに備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板の一面に溶剤を供給するように構成される溶剤供給系をさらに備え、
前記制御部は、前記塗布液供給系により基板の一面に塗布液が供給される前に、前記回転保持装置により回転される基板の一面に溶剤を供給するように前記溶剤供給系を制御する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板に塗布液の膜を形成する基板処理方法であって、
回転保持装置により水平姿勢で基板を保持し、回転させるステップと、
前記回転保持装置により回転される基板の一面に塗布液供給系により塗布液を供給するステップと、
前記塗布液供給系により供給された塗布液が流動性を喪失する前に、前記回転保持装置により回転される基板の周縁部における第1の環状領域に第1の除去液供給系により第1の除去液を供給し、前記第1の環状領域の内縁から外縁に前記第1の除去液供給系による第1の除去液の供給位置を移動させるステップとを含む、基板処理方法。 - 前記第1の除去液の供給位置を移動させるステップは、前記第1の環状領域の外縁から内縁に前記第1の除去液供給系による第1の除去液の供給位置を移動させた後、前記第1の環状領域の内縁から外縁に前記第1の除去液供給系による第1の除去液の供給位置を移動させることを含む、請求項11記載の基板処理方法。
- 前記第1の環状領域の外縁から内縁に向かう第1の除去液の供給位置の移動速度が前記第1の環状領域の内縁から外縁に向かう第1の除去液の供給位置の移動速度よりも大きい、請求項12記載の基板処理方法。
- 前記塗布液供給系により基板の一面に塗布液が供給される期間と前記第1の除去液供給系により基板の前記周縁部における前記第1の環状領域に第1の除去液が供給される期間とが部分的に重複する、請求項11〜13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の除去液を供給するステップは、前記第1の除去液供給系により第1の除去液を斜め下外方へ吐出しつつ前記第1の環状領域に供給することを含む、請求項11〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記塗布液供給系により供給された塗布液が流動性を喪失した後に、前記回転保持装置により回転される基板の前記周縁部における第2の環状領域に第2の除去液供給系により第2の除去液を供給するステップをさらに含み、
前記第2の環状領域の内縁は、前記第1の環状領域の内縁よりも外方に位置する、請求項11〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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