JP2002208550A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JP2002208550A JP2002208550A JP2001001854A JP2001001854A JP2002208550A JP 2002208550 A JP2002208550 A JP 2002208550A JP 2001001854 A JP2001001854 A JP 2001001854A JP 2001001854 A JP2001001854 A JP 2001001854A JP 2002208550 A JP2002208550 A JP 2002208550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- section
- edge
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機溶剤を用いずにウェハ周縁部を洗浄するエ
ッジリンスが行える塗布装置を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして
駆動部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１
１を所定の回転数で回転させる。支持台１１のウェハチ
ャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うようにドレーン
カップ１３が配設されている。支持台１１の上方には、
ウェハＷＦ主表面にレジストを滴下するレジスト供給部
１４が配備されている。加えて支持台１１の上方には、
ウェハＷＦの周縁部に供給口が向いているエッジリンス
用Ｏ3 水供給ノズル１５が配設されている。ウェハＷＦ
の回転中にこのエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５か
らウェハＷＦ周縁部分にＯ3 水（オゾン水）が供給され
るようになっている。
ッジリンスが行える塗布装置を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして
駆動部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１
１を所定の回転数で回転させる。支持台１１のウェハチ
ャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うようにドレーン
カップ１３が配設されている。支持台１１の上方には、
ウェハＷＦ主表面にレジストを滴下するレジスト供給部
１４が配備されている。加えて支持台１１の上方には、
ウェハＷＦの周縁部に供給口が向いているエッジリンス
用Ｏ3 水供給ノズル１５が配設されている。ウェハＷＦ
の回転中にこのエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５か
らウェハＷＦ周縁部分にＯ3 水（オゾン水）が供給され
るようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に半導体ウェハ表面に塗布部材を被覆する塗布
装置に関する。
係り、特に半導体ウェハ表面に塗布部材を被覆する塗布
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）には半導
体ウェハ全面への様々な塗布工程がある。例えばレジス
ト塗布工程もその一つである。レジストの塗布は、リソ
グラフィ技術を用いる上で不可欠である。ウェハ上に形
成されるパターンの微細化、高精度化が要求されるに従
って、露光技術と共にレジスト工程及びその装置の要求
はますます厳しくなってきた。
体ウェハ全面への様々な塗布工程がある。例えばレジス
ト塗布工程もその一つである。レジストの塗布は、リソ
グラフィ技術を用いる上で不可欠である。ウェハ上に形
成されるパターンの微細化、高精度化が要求されるに従
って、露光技術と共にレジスト工程及びその装置の要求
はますます厳しくなってきた。
【０００３】一般に、レジスト工程に用いられるレジス
ト塗布装置では、スピンコート方式が採用されている。
すなわち、固定されたウェハの中央部にレジストを滴下
した後、そのウェハを所定の回転数で回転させ、レジス
トを振り切る。これにより、ウェハ主表面に所望のレジ
スト膜厚を得る。
ト塗布装置では、スピンコート方式が採用されている。
すなわち、固定されたウェハの中央部にレジストを滴下
した後、そのウェハを所定の回転数で回転させ、レジス
トを振り切る。これにより、ウェハ主表面に所望のレジ
スト膜厚を得る。
【０００４】上記スピンコート方式によれば、ウェハ主
表面全面に一様に塗布される。ウェハの搬送または別の
処理においてウェハ周縁部に接触するような機会が多
く、ウェハ周縁部のレジストはパーティクルの原因にな
る。
表面全面に一様に塗布される。ウェハの搬送または別の
処理においてウェハ周縁部に接触するような機会が多
く、ウェハ周縁部のレジストはパーティクルの原因にな
る。
【０００５】そこで、例えばレジスト塗布後、ウェハ周
縁部を洗浄するエッジリンスというステップが導入され
ている。レジスト塗布に限らず、ＳＯＧ（Spin On Glas
s）膜を形成するＳＯＧ塗布などもウェハ周縁部を洗浄
するエッジリンスが導入されることがある。
縁部を洗浄するエッジリンスというステップが導入され
ている。レジスト塗布に限らず、ＳＯＧ（Spin On Glas
s）膜を形成するＳＯＧ塗布などもウェハ周縁部を洗浄
するエッジリンスが導入されることがある。
【０００６】エッジリンス液には一般に有機溶剤が用い
られている。有機溶剤はエチレングリコールやシンナー
系等の化学物質であり、揮発成分を含む。ケミカル汚染
に繋がるため、ドレーンはタンク回収で産業廃棄物とし
て扱われる。
られている。有機溶剤はエチレングリコールやシンナー
系等の化学物質であり、揮発成分を含む。ケミカル汚染
に繋がるため、ドレーンはタンク回収で産業廃棄物とし
て扱われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た有機溶剤は、完全に回収されるはずもなく、ドレーン
カップ内に残留する。これがクリーンルーム内で悪影響
を及ぼす。すなわち、有機溶剤の一部の成分がクリーン
ルーム内で飛散し、パーティクル汚染源となる。この結
果、製品歩留りを低下させると共に、環境、人体への悪
影響に及ぶ問題となる。
た有機溶剤は、完全に回収されるはずもなく、ドレーン
カップ内に残留する。これがクリーンルーム内で悪影響
を及ぼす。すなわち、有機溶剤の一部の成分がクリーン
ルーム内で飛散し、パーティクル汚染源となる。この結
果、製品歩留りを低下させると共に、環境、人体への悪
影響に及ぶ問題となる。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、有機溶剤を用いずにウェハ周縁部を洗浄す
るエッジリンスが行える塗布装置を提供しようとするも
のである。
れたもので、有機溶剤を用いずにウェハ周縁部を洗浄す
るエッジリンスが行える塗布装置を提供しようとするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト塗
布装置は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台
と、前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、
前記ウェハ主表面に塗布部材を滴下する塗布部材供給部
と、前記駆動部によるウェハの回転中にウェハ周縁部分
にオゾン水を供給するオゾン水供給部とを具備したこと
を特徴とする。
布装置は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台
と、前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、
前記ウェハ主表面に塗布部材を滴下する塗布部材供給部
と、前記駆動部によるウェハの回転中にウェハ周縁部分
にオゾン水を供給するオゾン水供給部とを具備したこと
を特徴とする。
【００１０】上記本発明に係る塗布装置によれば、オゾ
ン水供給部がエッジリンスの役割を果たす。オゾン水は
周囲の環境及び人体に与える影響について、懸念すべき
ものとはなり難い。
ン水供給部がエッジリンスの役割を果たす。オゾン水は
周囲の環境及び人体に与える影響について、懸念すべき
ものとはなり難い。
【００１１】なお、上記オゾン水供給部は、ウェハ領域
に応じて移動制御可能であることを特徴とする。これに
より、径の異なるウェハにも対応でき、また、オリフラ
（オリエンテーションフラット）部分に関するエッジリ
ンスに対処する。また、塗布部材は、レジスト、ＳＯＧ
液のうちいずれかを含むことを特徴とする。
に応じて移動制御可能であることを特徴とする。これに
より、径の異なるウェハにも対応でき、また、オリフラ
（オリエンテーションフラット）部分に関するエッジリ
ンスに対処する。また、塗布部材は、レジスト、ＳＯＧ
液のうちいずれかを含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る塗布装置の要部構成を示す概観図であり、スピンコ
ート方式のレジスト塗布装置である。図示しない処理チ
ャンバ内部に半導体ウェハＷＦの支持台１１が配備され
ている。支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして駆動
部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１１を
所定の回転数で回転させる。ウェハＷＦのチャックは、
図示のようなウェハ裏面の真空吸着によるものを用いて
いる。支持台１１のウェハチャック部分及びウェハＷＦ
の外周に沿うように金属製のドレーンカップ１３が配設
されている。
係る塗布装置の要部構成を示す概観図であり、スピンコ
ート方式のレジスト塗布装置である。図示しない処理チ
ャンバ内部に半導体ウェハＷＦの支持台１１が配備され
ている。支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして駆動
部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１１を
所定の回転数で回転させる。ウェハＷＦのチャックは、
図示のようなウェハ裏面の真空吸着によるものを用いて
いる。支持台１１のウェハチャック部分及びウェハＷＦ
の外周に沿うように金属製のドレーンカップ１３が配設
されている。
【００１３】支持台１１の上方には、ウェハＷＦ主表面
にレジストを滴下するレジスト供給部１４が配備されて
いる。加えて支持台１１の上方には、ウェハＷＦの周縁
部に供給口が向いているエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズ
ル１５が配設されている。ウェハＷＦの回転中にこのエ
ッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ周縁
部分にＯ3 水（オゾン水）が供給されるようになってい
る。
にレジストを滴下するレジスト供給部１４が配備されて
いる。加えて支持台１１の上方には、ウェハＷＦの周縁
部に供給口が向いているエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズ
ル１５が配設されている。ウェハＷＦの回転中にこのエ
ッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ周縁
部分にＯ3 水（オゾン水）が供給されるようになってい
る。
【００１４】ウェハの洗浄技術において、ＳＰＭ洗浄
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液による洗浄）の代り
に、Ｏ3 水によって有機物を除去する技術が知られてい
る。この実施形態では上記ウェハの洗浄技術をレジスト
塗布装置のエッジリンスに応用した。Ｏ3 水により、レ
ジスト剥離のための反応（ＣＯ2 化）を加速させること
が可能となる。レジストはベーク処理前なのでＯ3 水で
容易に落とすことができる。
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液による洗浄）の代り
に、Ｏ3 水によって有機物を除去する技術が知られてい
る。この実施形態では上記ウェハの洗浄技術をレジスト
塗布装置のエッジリンスに応用した。Ｏ3 水により、レ
ジスト剥離のための反応（ＣＯ2 化）を加速させること
が可能となる。レジストはベーク処理前なのでＯ3 水で
容易に落とすことができる。
【００１５】エッジリンス用Ｏ3 供給ノズル１５は、例
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たエッジリンス液をウェハＷＦの回転中にウェハ周縁部
にスポットで当てるように供給する。エッジリンス用Ｏ
3 供給ノズル１５は、ウェハ領域に応じて移動可能とす
る機構を有している。これにより、径の異なるウェハに
対応可能であり、また、オリフラ（オリエンテーション
フラット）部分に関するエッジリンスに対処する。
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たエッジリンス液をウェハＷＦの回転中にウェハ周縁部
にスポットで当てるように供給する。エッジリンス用Ｏ
3 供給ノズル１５は、ウェハ領域に応じて移動可能とす
る機構を有している。これにより、径の異なるウェハに
対応可能であり、また、オリフラ（オリエンテーション
フラット）部分に関するエッジリンスに対処する。
【００１６】図１を参照して、ウェハＷＦのレジスト塗
布及びエッジリンスの工程を説明する。まず、支持台１
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にレジストを
滴下する。次に、所定のレジスト膜厚が得られるように
所定の回転数でウェハＷＦを回転させる。レジストが適
当な膜厚になり、余分なレジストが振り切られた後、ウ
ェハＷＦの回転を一端停止させる。数秒の乾燥時間後、
再び所定の回転数（塗布時よりも低い回転数）でウェハ
ＷＦを回転させる。この時のウェハＷＦ回転中にエッジ
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給が開始さ
れ、ウェハ周縁部のレジストが洗浄、除去される。
布及びエッジリンスの工程を説明する。まず、支持台１
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にレジストを
滴下する。次に、所定のレジスト膜厚が得られるように
所定の回転数でウェハＷＦを回転させる。レジストが適
当な膜厚になり、余分なレジストが振り切られた後、ウ
ェハＷＦの回転を一端停止させる。数秒の乾燥時間後、
再び所定の回転数（塗布時よりも低い回転数）でウェハ
ＷＦを回転させる。この時のウェハＷＦ回転中にエッジ
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給が開始さ
れ、ウェハ周縁部のレジストが洗浄、除去される。
【００１７】図２は、本発明に係るウェハＷＦのオリフ
ラ（オリエンテーションフラット）部分に関するエッジ
リンス方法の一例を示す概略図である。ウェハＷＦの回
転を停止し、オリフラを所定位置に制御する。次に、エ
ッジリンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給が開
始され、ノズル１５自体がオリフラ部分のウェハ周縁部
に沿って移動制御される。これにより、オリフラ部分の
ウェハ周縁部も洗浄できる。
ラ（オリエンテーションフラット）部分に関するエッジ
リンス方法の一例を示す概略図である。ウェハＷＦの回
転を停止し、オリフラを所定位置に制御する。次に、エ
ッジリンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給が開
始され、ノズル１５自体がオリフラ部分のウェハ周縁部
に沿って移動制御される。これにより、オリフラ部分の
ウェハ周縁部も洗浄できる。
【００１８】もちろん上記に限らず、ウェハを低速で回
転させオリフラ部分にも沿うようにエッジリンス用Ｏ3
供給ノズル１５を制御しながら全てのウェハ周縁部分を
連続して洗浄するようにしてもよい。
転させオリフラ部分にも沿うようにエッジリンス用Ｏ3
供給ノズル１５を制御しながら全てのウェハ周縁部分を
連続して洗浄するようにしてもよい。
【００１９】上記第１実施形態の構成によれば、エッジ
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、
有機溶剤を用いずにレジストが塗布されたウェハのエッ
ジリンスが行える。この結果、クリーンルーム内での汚
染源が減少する。また、このＯ3 水供給のエッジリンス
において環境、人体への影響の懸念が解消される。
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、
有機溶剤を用いずにレジストが塗布されたウェハのエッ
ジリンスが行える。この結果、クリーンルーム内での汚
染源が減少する。また、このＯ3 水供給のエッジリンス
において環境、人体への影響の懸念が解消される。
【００２０】図３は、本発明の第２実施形態に係る塗布
装置の要部構成を示す概観図であり、スピンコート方式
のＳＯＧ塗布装置である。図示しない処理チャンバ内部
に半導体ウェハＷＦの支持台２１が配備されている。支
持台２１は、ウェハＷＦをチャック（真空吸着）して駆
動部２２で回転可能である。駆動部２２は、支持台２１
を所定の回転数で回転させる。支持台２１のウェハチャ
ック部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のド
レーンカップ２３が配設されている。
装置の要部構成を示す概観図であり、スピンコート方式
のＳＯＧ塗布装置である。図示しない処理チャンバ内部
に半導体ウェハＷＦの支持台２１が配備されている。支
持台２１は、ウェハＷＦをチャック（真空吸着）して駆
動部２２で回転可能である。駆動部２２は、支持台２１
を所定の回転数で回転させる。支持台２１のウェハチャ
ック部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のド
レーンカップ２３が配設されている。
【００２１】支持台２１の上方には、ウェハＷＦ主表面
にＳＯＧ（Spin On Glass）液を滴下するＳＯＧ液供給
部２４が配備されている。加えて支持台２１の上方に
は、ウェハＷＦの周縁部に供給口が向いているエッジリ
ンス用Ｏ3 水供給ノズル２５が配設されている。ウェハ
ＷＦの回転中にこのエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル２
５からウェハＷＦ周縁部分にＯ3 水（オゾン水）が供給
されるようになっている。この実施形態も、Ｏ3 水によ
って有機物を除去するウェハの洗浄技術をＳＯＧ塗布の
エッジリンスに応用したものである。
にＳＯＧ（Spin On Glass）液を滴下するＳＯＧ液供給
部２４が配備されている。加えて支持台２１の上方に
は、ウェハＷＦの周縁部に供給口が向いているエッジリ
ンス用Ｏ3 水供給ノズル２５が配設されている。ウェハ
ＷＦの回転中にこのエッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル２
５からウェハＷＦ周縁部分にＯ3 水（オゾン水）が供給
されるようになっている。この実施形態も、Ｏ3 水によ
って有機物を除去するウェハの洗浄技術をＳＯＧ塗布の
エッジリンスに応用したものである。
【００２２】エッジリンス用Ｏ3 供給ノズル２５は、例
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たエッジリンス液をウェハＷＦの回転中にウェハ周縁部
にスポットで当てるように供給する。エッジリンス用Ｏ
3 供給ノズル２５は、ウェハ領域に応じて移動可能とす
る機構を有している。これにより、径の異なるウェハに
対応可能であり、また、オリフラ（オリエンテーション
フラット）部分に関するエッジリンスに対処する。
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たエッジリンス液をウェハＷＦの回転中にウェハ周縁部
にスポットで当てるように供給する。エッジリンス用Ｏ
3 供給ノズル２５は、ウェハ領域に応じて移動可能とす
る機構を有している。これにより、径の異なるウェハに
対応可能であり、また、オリフラ（オリエンテーション
フラット）部分に関するエッジリンスに対処する。
【００２３】図３を参照して、ウェハＷＦのレジスト塗
布及びエッジリンスの工程を説明する。まず、支持台２
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にＳＯＧ液を
滴下する。次に、所定のレジスト膜厚が得られるように
所定の回転数でウェハＷＦを回転させる。ＳＯＧが適当
な膜厚になり、余分なＳＯＧが振り切られた後、ウェハ
ＷＦの回転を一端停止させる。数秒の乾燥時間後、再び
所定の回転数（塗布時よりも低い回転数）でウェハＷＦ
を回転させる。この時のウェハＷＦ回転中にエッジリン
ス用Ｏ3 供給ノズル２５からのＯ3 水供給が開始され、
ウェハ周縁部のレジストが洗浄、除去される。
布及びエッジリンスの工程を説明する。まず、支持台２
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にＳＯＧ液を
滴下する。次に、所定のレジスト膜厚が得られるように
所定の回転数でウェハＷＦを回転させる。ＳＯＧが適当
な膜厚になり、余分なＳＯＧが振り切られた後、ウェハ
ＷＦの回転を一端停止させる。数秒の乾燥時間後、再び
所定の回転数（塗布時よりも低い回転数）でウェハＷＦ
を回転させる。この時のウェハＷＦ回転中にエッジリン
ス用Ｏ3 供給ノズル２５からのＯ3 水供給が開始され、
ウェハ周縁部のレジストが洗浄、除去される。
【００２４】また、ウェハＷＦのオリフラ（オリエンテ
ーションフラット）部分に関するエッジリンスも図２と
同様であるため図示は省略する。すなわち、ウェハＷＦ
の回転を停止し、オリフラを所定位置に制御する。次
に、エッジリンス用Ｏ3 供給ノズル２５からのＯ3 水供
給が開始され、ノズル２５自体がオリフラ部分のウェハ
周縁部に沿って移動制御される。これにより、オリフラ
部分のウェハ周縁部も洗浄できる。
ーションフラット）部分に関するエッジリンスも図２と
同様であるため図示は省略する。すなわち、ウェハＷＦ
の回転を停止し、オリフラを所定位置に制御する。次
に、エッジリンス用Ｏ3 供給ノズル２５からのＯ3 水供
給が開始され、ノズル２５自体がオリフラ部分のウェハ
周縁部に沿って移動制御される。これにより、オリフラ
部分のウェハ周縁部も洗浄できる。
【００２５】上記第２実施形態の構成によれば、エッジ
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、
有機溶剤を用いずにＳＯＧが塗布されたウェハのエッジ
リンスが行える。この結果、クリーンルーム内での汚染
源が減少する。さらに、このＯ3 水供給のエッジリンス
において環境、人体への影響の懸念が解消される。
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、
有機溶剤を用いずにＳＯＧが塗布されたウェハのエッジ
リンスが行える。この結果、クリーンルーム内での汚染
源が減少する。さらに、このＯ3 水供給のエッジリンス
において環境、人体への影響の懸念が解消される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ッジリンスはオゾン水によって行われる。この結果、有
機溶剤を用いずにウェハ周縁部を洗浄するエッジリンス
が行える塗布装置を提供することができる。オゾン水は
環境及び人体に悪影響は与えず、有機溶剤に比べてクリ
ーンな洗浄である。従って、クリーンルーム内のパーテ
ィクル汚染も大幅に減少し、製品歩留りの向上に寄与す
る。
ッジリンスはオゾン水によって行われる。この結果、有
機溶剤を用いずにウェハ周縁部を洗浄するエッジリンス
が行える塗布装置を提供することができる。オゾン水は
環境及び人体に悪影響は与えず、有機溶剤に比べてクリ
ーンな洗浄である。従って、クリーンルーム内のパーテ
ィクル汚染も大幅に減少し、製品歩留りの向上に寄与す
る。
【図１】本発明の第１実施形態に係る塗布装置の要部構
成を示す概観図である。
成を示す概観図である。
【図２】本発明に係るウェハＷＦのオリフラ（オリエン
テーションフラット）部分に関するエッジリンス方法の
一例を示す概略図である。
テーションフラット）部分に関するエッジリンス方法の
一例を示す概略図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る塗布装置の要部構
成を示す概観図である。
成を示す概観図である。
１１，２１…支持台 １２，２２…駆動部 １３，２３…ドレーンカップ １４…レジスト供給部 １５，２５…エッジリンス用Ｏ3 水供給ノズル ２４…ＳＯＧ液供給部 ＷＦ…ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハが載置され回転可能な支持
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、 前記ウェハ主表面に塗布部材を滴下する塗布部材供給部
と、 少なくとも前記駆動部による前記ウェハの回転中にウェ
ハ周縁部分にオゾン水を供給するオゾン水供給部と、を
具備したことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 前記オゾン水供給部は、ウェハ領域に応
じて移動制御可能であることを特徴とする請求項１記載
の塗布装置。 - 【請求項３】 前記塗布部材は、レジスト、ＳＯＧ液の
うちいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２
記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001854A JP2002208550A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001854A JP2002208550A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208550A true JP2002208550A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18870442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001001854A Withdrawn JP2002208550A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208550A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014714A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001001854A patent/JP2002208550A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014714A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6352623B1 (en) | Vertically configured chamber used for multiple processes | |
| US8147617B2 (en) | Substrate cleaning method and computer readable storage medium | |
| JP5486708B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20090241995A1 (en) | Substrate cleaning method and apparatus | |
| JP2001070896A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2004524687A (ja) | 加工ツールにおいて基板上の粒子による汚染を低減するための装置および方法 | |
| JP2006332185A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| JP2005268308A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
| JP3426560B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP5276559B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US11845090B2 (en) | Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate | |
| WO2020188958A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6983571B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2004319990A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JPH10199852A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JP2002208550A (ja) | 塗布装置 | |
| JP3035450B2 (ja) | 基板の洗浄処理方法 | |
| JP2001110714A (ja) | 薬液塗布装置および薬液塗布方法 | |
| JP2001332537A (ja) | Ｓｏｇ塗布装置 | |
| JPH04311034A (ja) | ディスク保持装置及びそれを用いたディスク処理方法 | |
| JP2002205021A (ja) | スピンコーターカップの洗浄方法 | |
| JP2001332481A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2003051477A (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI739503B (zh) | 加熱構件的清潔方法以及基板處理裝置 | |
| JP2003174006A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |