TWI739503B - 加熱構件的清潔方法以及基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
一種加熱構件(150)的清潔方法，係用以清潔基板處理裝置(100)的加熱構件(150)，並包含：對加熱構件(150)的上表面(150a)供給清洗液之製程；以在加熱構件(150)的上表面(150a)中與清洗液混合之方式對加熱構件(150)的上表面(150a)的外周部選擇性地供給藥液之製程；以及從加熱構件(150)的上表面(150a)排出藥液之製程。
Description
本發明係有關於一種加熱構件的清潔方法以及基板處理裝置。
已知有一種用以處理基板之基板處理裝置。例如，基板處理裝置係使用於半導體基板的製造或者玻璃基板的製造。近年來，雖然邁向半導體的高積體化以及細微化，然而在此種情形中存在有形成於基板的圖案(pattern)崩壞之問題。
因此，為了抑制基板內的圖案的崩壞，檢討了將使用於基板的處理之純水置換成IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)後再使IPA乾燥之方式。在IPA的乾燥時，使用加熱構件使IPA從基板乾燥(參照例如專利文獻1)。在專利文獻1的基板處理裝置中，於基板的附近配置具備燈的照射部，藉此促進IPA從基板乾燥。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-29041號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，在將照射部配置於基板的附近之情形中，會有已經處理過基板的處理液附著於照射部之問題。會有附著於照射部的附著物使基板周圍的氛圍(atmosphere)惡化且附著物再次附著於基板從而使基板的特性降低之虞。
本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種能有效率地清潔基板處理裝置的加熱構件之加熱構件的清潔方法以及基板處理裝置。
[用以解決課題之手段]
本發明的態樣之一為一種加熱構件的清潔方法，係用以清潔基板處理裝置的加熱構件，並包含：對前述加熱構件的上表面供給清洗(rinse)液之製程：以在前述加熱構件的前述上表面中與前述清洗液混合之方式對前述加熱構件的前述上表面的外周部選擇性地供給藥液之製程；以及從前述加熱構件的前述上表面排出前述藥液之製程。
在實施形態之一中，前述加熱構件的清潔方法係在供給前述清洗液之後且在選擇性地供給前述藥液之前進一步地包含對前述加熱構件的前述上表面供給氣體之製程。
在實施形態之一中，在供給前述氣體之製程中對前述加熱構件的前述上表面的中央供給前述氣體。
在實施形態之一中，供給前述氣體之製程係包含在前述加熱構件的前述上表面的前述外周部中將前述清洗液形成為環狀之製程。
在實施形態之一中，選擇性地供給前述藥液之製程係包含在前述加熱構件的前述上表面的外周部中將前述藥液形成為環狀之製程。
在實施形態之一中，排出前述藥液之製程係包含使前述藥液移動至前述加熱構件的前述上表面的端部並將前述藥液從前述加熱構件的前述上表面的端部排出之製程。
在實施形態之一中，排出前述藥液之製程係包含對前述加熱構件的前述上表面的中央供給氣體之製程。
在實施形態之一中，排出前述藥液之製程係包含旋轉前述加熱構件之製程。
依據本發明的另一個態樣，基板處理裝置係具備基板保持部、加熱構件、清洗液供給部、藥液供給部以及控制部。前述基板保持部係用以保持基板。前述加熱構件係與被前述基板保持部保持之前述基板的背面對向。前述控制部係控制前述加熱構件、前述藥液供給部以及前述清洗液供給部。前述控制部係在對前述加熱構件的上表面供給清洗液後，以對前述加熱構件的前述上表面的外周部選擇性地供給藥液並在前述加熱構件的前述上表面中混合前述藥液與前述清洗液之方式控制前述清洗液供給部以及前述藥液供給部。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備氣體供給部；前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之前且在對前述加熱構件的前述上表面供給前述清洗液之後，以對前述加熱構件的前述上表面供給氣體之方式控制前述氣體供給部。
在實施形態之一中，前述控制部係以藉由對前述加熱構件的前述上表面供給前述氣體從而將前述清洗液形成為環狀之方式控制前述氣體供給部。
在實施形態之一中，前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之後，以對前述加熱構件的中央供給前述氣體之方式控制前述氣體供給部。
在實施形態之一中，前述加熱構件係構成為可旋轉；前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之後，以使前述加熱構件旋轉之方式控制前述加熱構件。
[發明功效]
依據本發明，能有效率地清潔基板處理裝置的加熱構件。
以下參照圖式說明本發明的基板處理裝置以及加熱構件的清潔方法的實施形態。此外，圖式中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，在本說明書中，為了容易理解發明，會有記載彼此正交之X軸、Y軸以及Z軸之情形。典型而言，X軸以及Y軸係與水平方向平行，Z軸係與鉛直方向平行。
首先，參照圖1說明本發明的基板處理裝置100的實施形態。圖1係本實施形態的基板處理裝置100的示意性的俯視圖。
基板處理裝置100係處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者之方式處理基板W。
基板W係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板以及太陽電池用基板。例如，基板W為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係逐片地處理基板W。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數個腔室(chamber)110、流體櫃(fluid cabinet)100A、流體箱(fluid box)100B、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。
裝載埠LP係分別層疊並收容複數片基板W。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與腔室110之間搬運基板W。腔室110係分別對基板W噴出處理液並處理基板W。處理液係包含藥液、清洗液以及／或者有機溶劑。流體櫃100A係收容處理液以及氣體。
具體而言，複數個腔室110係形成複數個塔(tower)TW(在圖1中為四個塔TW)，複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下層疊的複數個腔室110(在圖1中為三個腔室110)。流體箱100B係分別與複數個塔TW對應。流體櫃100A內的處理液係經由某個流體箱100B被供給至與流體箱100B對應之塔TW所含有的全部的腔室110。此外，流體櫃100A內的氣體係經由某個流體箱100B被供給至與流體箱100B對應之塔TW所含有的全部的腔室110。
基板處理裝置100係進一步具備控制裝置101。控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。
控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係具有處理器。控制部102係具有中央處理運算機(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))。或者，控制部102亦可具有泛用的運算機。
記憶部104係記憶資料以及電腦程式。資料係包含處方(recipe)資料。處方資料係包含用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方係分別規定基板W的處理內容以及處理順序。
記憶部104係包含主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置係例如為半導體記憶體以及／或者硬碟機(Hard Disk Drive)。記憶部104亦可包含可移媒體(removable media)。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式從而執行基板處理動作。
接著，參照圖2說明本實施形態的基板處理裝置100。圖2係基板處理裝置100的示意圖。
基板處理裝置100係具備腔室110、基板保持部120、藥液供給部132、清洗液供給部134、有機溶劑供給部136、氣體供給部140以及加熱構件150。腔室110係收容基板W。基板保持部120係保持基板W。藥液供給部132係對基板W供給藥液。清洗液供給部134係對基板W供給清洗液。有機溶劑供給部136係對基板W供給有機溶劑。此外，在本說明書中會有將藥液供給部132、清洗液供給部134以及有機溶劑供給部136總稱並記載為處理液供給部130之情形。氣體供給部140係對基板W供給氣體。加熱構件150係加熱基板W。
腔室110為略箱形狀，且具有內部空間。腔室110係收容基板W。在此，基板處理裝置100為用以逐片地處理基板W之葉片型式，並於腔室110逐片地收容有基板W。基板W係被收容於腔室110內並在腔室110內被處理。於腔室110收容有基板保持部120、藥液供給部132、清洗液供給部134、有機溶劑供給部136以及加熱構件150各者的至少一部分。
基板保持部120係保持基板W。基板保持部120係以將基板W的上表面(表面)Wa朝向上方且將基板W的背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。此外，基板保持部120係在保持著基板W的狀態下使基板W旋轉。
例如，基板保持部120亦可為用以夾持基板W的端部之夾持型式。或者，基板保持部120亦可具有用以從背面Wb保持基板W之任意的機構。例如，基板保持部120亦可為真空型式。在此情形中，基板保持部120係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面Wb的中央部吸附於上表面，藉此水平地保持基板W。或者，基板保持部120亦可組合用以使複數個夾具銷(chuck pin)接觸至基板W的周端面之夾持型式與真空型式。
例如，基板保持部120係包含自轉基座(spin base)121、夾具(chuck)構件122、軸(shaft)123、電動馬達124以及殼體(housing)125。夾具構件122係設置於自轉基座121。夾具構件122係夾持基板W。典型而言，於自轉基座121設置有複數個夾具構件122。
軸123為中空軸。軸123係沿著旋轉軸Ax朝鉛直方向延伸。於軸123的上端結合有自轉基座121。基板W係被載置於自轉基座121的上方。
自轉基座121為圓板狀，用以水平地支撐基板W。軸123係從自轉基座121的中央部朝下方延伸。電動馬達124係對軸123賦予旋轉力。電動馬達124係使軸123朝旋轉方向旋轉，藉此使基板W以及自轉基座121以旋轉軸Ax作為中心旋轉。殼體125係圍繞軸123以及電動馬達124。
藥液供給部132係對基板W的上表面Wa供給藥液。能藉由使用了藥液的藥液處理來處理基板W的上表面Wa。能藉由藥液處理對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成以及膜的至少一部分的去除的任一者。典型而言，藥液為使用於基板W的蝕刻處理之蝕刻液。
藥液係包含氫氟酸(hydrofluoric acid； HF)。例如，氫氟酸係可被加熱至40℃以上至70℃以下，亦可被加熱至50℃以上至60℃以下。然而，氫氟酸亦可不被加熱。此外，藥液亦可進一步包含過氧化氫水。此外，藥液亦可包含SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨過氧化氫水混和液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液；亦即鹽酸過氧化氫水混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))或者王水(濃鹽酸與濃硝酸的混合物)。
藥液供給部132係包含配管132a、閥132b以及噴嘴132n。噴嘴132n係對基板W的上表面Wa噴出藥液。噴嘴132n係連接於配管132a。從供給源對配管132a供給藥液。閥132b係將配管132a內的流路予以開閉。較佳為噴嘴132n係構成為可相對於基板W移動。
清洗液供給部134係對基板W的上表面Wa供給清洗液。能藉由使用了清洗液的清洗處理來沖洗附著於基板W的上表面Wa的藥液以及雜質等。從清洗液供給部134所供給的清洗液亦可包含去離子水(DIW；Deionized Water)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水或者還原水(氫水)的任一者。
清洗液供給部134係包含配管134a、閥134b以及噴嘴134n。噴嘴134n係對基板W的上表面Wa噴出清洗液。噴嘴134n係連接於配管134a。從供給源對配管134a供給有清洗液。閥134b係將配管134a內的流路予以開閉。
有機溶劑供給部136係對基板W的上表面Wa供給有機溶劑。能藉由使用了有機溶劑的有機溶劑處理將基板W的上表面Wa的清洗液置換成有機溶劑。典型而言，有機溶劑的揮發性係比清洗液的揮發性還高。
從有機溶劑供給部136所供給的有機溶劑亦可包含IPA(異丙醇)。或者，有機溶劑亦可包含甲醇(methanole)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)、HFE(hydrofluoro ether；氫氟醚)、PGEE(propylene glycol ethyl ether；丙二醇乙醚)或者PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate；丙二醇甲醚醋酸酯)。
有機溶劑供給部136係包含配管136a、閥136b以及噴嘴136n。噴嘴136n係對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。噴嘴136n係連接於配管136a。從供給源對配管136a供給有機溶劑。閥136b係將配管136a內的流路予以開閉。
氣體供給部140係對基板W供給氣體。例如，氣體供給部140係對基板W的上表面Wa供給氣體。從氣體供給部140所供給的氣體係例如為惰性氣體。在一例中，氣體係包含氮氣。
氣體供給部140係包含配管140a、閥140b以及噴嘴140n。閥140b係配置於配管140a。配管140a係將氣體導引至腔室110內。閥140b係將配管140a內的流路予以開閉。
加熱構件150係加熱被基板保持部120保持之基板W。加熱構件150係具有薄板的圓板形狀。加熱構件150亦稱為加熱板(hot plate)。加熱構件150係配置於基板W與基板保持部120之間。詳細而言，加熱構件150係配置於自轉基座121的上方。
加熱構件150係可與基板W接觸，亦可不與基板W接觸。此外，加熱構件150亦可相對於被基板保持部120保持之基板W移動。在加熱構件150可移動之情形中，較佳為在加熱構件150已以基板W與加熱構件150之間的距離變短之方式移動的狀態下加熱構件150開始加熱基板W。
加熱構件150係具有上表面150a、背面150b以及側面150c。側面150c係連繫上表面150a以及背面150b。加熱構件150的上表面150a係與基板W的背面Wb對向。此外，加熱構件150的背面150b係與自轉基座121對向。再者，加熱構件150的側面150c係與夾具構件122對向。此外，雖然在此加熱構件150係不旋轉，然而加熱構件150亦可構成為可旋轉。
加熱構件150係包含本體部152、加熱器154、支撐部155以及通電單元156。例如，本體部152係使用陶瓷或者碳化矽(SiC)所形成。本體部152的表面亦可被疏水化。加熱器154係內置於本體部152。加熱器154亦可為電阻器。
本體部152係具有朝水平方向延伸的圓板形狀。本體部152係安裝於朝鉛直方向延伸的支撐部155。支撐部155係支撐本體部152。支撐部155係配置於軸123的內孔。
通電單元156係經由供電線154L而與加熱器154電性地連接。供電線154L係經由軸123的內孔連繫加熱器154與通電單元156。支撐部155亦可為中空筒形狀，供電線154L亦可通過支撐部155的內孔。或者，支撐部155亦可為柱形狀，供電線154L亦可埋入於支撐部155。
通電單元156係對加熱器154供給電流。在加熱器154為電阻器之情形中，加熱器154係藉由熱電阻而加熱。通電單元156係對加熱器154通電，藉此加熱構件150的上表面150a的溫度係上升至高於室溫。例如，加熱構件150的上表面150a的溫度係在上表面150a的面內呈均一。如此，加熱構件150係加熱基板W。
基板處理裝置100係進一步具備罩(cup)180以及升降單元182。罩180係回收從基板W飛散的液體。升降單元182係將罩180升降。罩180係藉由升降單元182而朝鉛直上方上升至基板W的側方。在此情形中，罩180係回收因為基板W的旋轉而從基板W飛散的處理液。此外，罩180係藉由升降單元182而朝鉛直下方下降至基板W的側方。
如上所述，控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係控制基板保持部120、藥液供給部132、清洗液供給部134、有機溶劑供給部136、加熱構件150以及／或者罩180。在一例中，控制部102係控制電動馬達124、閥132b、134b、136b、140b、通電單元156以及／或者升降單元182。
本實施形態的基板處理裝置100係適用於設置有半導體的半導體基板的處理。典型而言，於半導體基板的基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係適用於半導體基板的製造時的導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。
本實施形態的基板處理裝置100係適用於濕蝕刻(wet etching)處理基板W之情形。當濕蝕刻處理基板W時，由於基板W的材料局部性地溶解，因此會有溶解的成分附著於基板處理裝置100內之情形。在此情形中，當附著物附著於基板W時，基板W的特性會降低。然而，依據本實施形態，能適當地清潔基板處理裝置100的加熱構件150，並能抑制對基板處理裝置100所處理的基板W產生不良影響。
接著，參照圖1至圖3說明本實施形態的基板處理裝置100。圖3係基板處理裝置100的方塊圖。
如圖3所示，控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。控制裝置101係控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、氣體供給部140、通電單元156以及升降單元182。具體而言，控制裝置101係對索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、氣體供給部140、通電單元156以及升降單元182發送控制訊號，藉此控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部120、處理液供給部130、氣體供給部140、通電單元156以及升降單元182。
具體而言，控制部102係控制索引機器人IR，藉由索引機器人IR傳遞基板W。
控制部102係控制中心機器人CR，藉由中心機器人CR傳遞基板W。例如，中心機器人CR係接取未處理的基板W並將基板W搬入至複數個腔室110中的某個腔室110。此外，中心機器人CR係從腔室110接取處理過的基板W並搬出基板W。
控制部102係能分別個別地控制處理液供給部130的閥132b、134b、136b，將閥132b、134b、136b的狀態切換成開狀態或者閉狀態。具體而言，控制部102係控制處理液供給部130的閥132b、134b、136b並將閥132b、134b、136b設定成開狀態，藉此能使於配管132a、134a、136a內朝向噴嘴132n、134n、136n流動的藥液、清洗液以及有機溶劑通過。此外，控制部102係控制處理液供給部130的閥132b、134b、136b並將閥132b、134b、136b設定成閉狀態，藉此能分別停止供給於配管132a、134a、136a內朝向噴嘴132n、134n、136n流動的藥液、清洗液以及有機溶劑。
控制部102係能控制氣體供給部140的閥140b並將閥140b的狀態切換成開狀態或者閉狀態。具體而言，控制部102係控制氣體供給部140的閥140b並將閥140b設定成開狀態，藉此能使於配管140a內朝向噴嘴140n流動的氣體通過。此外，控制部102係控制氣體供給部140的閥140b並將閥140b設定成閉狀態，藉此能停止供給於配管140a內朝向噴嘴140n流動的氣體。
控制部102係能控制通電單元156從而能控制加熱構件150的加熱。具體而言，控制部102係控制通電單元156對加熱構件150的加熱器154供給電流，藉此能開始將加熱構件150加熱。另一方面，控制部102係控制通電單元156停止對加熱構件150的加熱器154供給電流，藉此能停止將加熱構件150加熱。
控制部102係能控制升降單元182從而移動罩180。具體而言，控制部102係控制升降單元182使罩180朝鉛直方向上升，藉此能將罩180的位置移動至基板保持部120的側方。另一方面，控制部102係控制升降單元182使罩180朝鉛直方向下降，藉此能將罩180的位置移動至退避位置。
接著，參照圖1至圖4說明本實施形態的加熱構件150的清潔處理。圖4中的(a)至圖4中的(f)係用以說明加熱構件150的清潔處理之示意圖。此外，加熱構件150的清潔處理亦可在處理基板W之前進行。或者，加熱構件150的清潔處理亦可在處理過基板W之後再進行。
如圖4中的(a)所示，於加熱構件150的上方未配置有基板W。加熱構件150係用以在處理基板W時加熱基板W。因此，雖然能將基板W設置於加熱構件150的上方，然而在此基板W係未配置於加熱構件150的上方。
如圖4中的(b)所示，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a供給清洗液R。例如，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a中的中心150d附近供給清洗液R。在一例中，清洗液供給部134的噴嘴134n係一邊噴出清洗液R一邊相對於加熱構件150以跨過加熱構件150的上表面150a中的中心150d之方式移動。或者，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a的外周部供給清洗液R。此外，雖然清洗液供給部134係使用於基板W的處理，然而在此使用於清潔加熱構件150。
如圖4中的(c)所示，藥液供給部132係對加熱構件150的上表面150a的外周部選擇性地供給藥液Cs。例如，藥液供給部132係對比加熱構件150的上表面150a中的中心150d與端部之間的中間位置還外側的位置選擇性地供給藥液Cs。藉此，藥液Cs係在加熱構件150的上表面150a中與清洗液R混合並於清洗液R內擴散。此外，雖然藥液供給部132係使用於基板W的處理，然而在此使用於清潔加熱構件150。此外，藥液Cs係從藥液供給部132的噴嘴132n朝加熱構件150的上表面150a中之遠離中心的位置噴出。
此外，在供給藥液Cs之前，清洗液R係位於加熱構件150的上表面150a中之比中心150d與端部之間的中間位置還外側。例如，清洗液R係位於加熱構件150的上表面150a的外周部。清洗液R亦可被供給氣體供給部140的氣體，藉此於加熱構件150的上表面150a移動並位於加熱構件150的上表面150a的外周部。或者，清洗液供給部134的噴嘴134n亦可以對加熱構件150的上表面150a的外周部噴出清洗液R之方式移動。
清洗液R係環狀地形成於加熱構件150的上表面150a的外周部。此外，雖然在圖4中的(c)中在供給藥液Cs之前清洗液R未覆蓋加熱構件150的上表面150a的中心150d，然而在供給藥液Cs之前清洗液R亦可覆蓋加熱構件150的上表面150a的中心150d。
如圖4中的(d)所示，藥液Cs係環狀地形成於加熱構件150的上表面150a的外周部中。藥液Cs係未覆蓋加熱構件150的上表面150a的中心150d地環狀地配置於加熱構件150的中心150d與上表面150a的端部之間的區域。
如圖4中的(e)所示，使藥液Cs在加熱構件150的上表面150a中朝上表面150a的端部移動。在此情形中，藥液Cs係以藥液Cs的環擴展之方式在加熱構件150的上表面150a中移動。隨著藥液Cs的移動，加熱構件150的上表面150a係被清潔。例如，藥液Cs亦可被氣體移動。或者，藥液Cs亦可隨著加熱構件150的旋轉所致使的離心力而移動。
之後，如圖4中的(f)所示，藥液Cs係從加熱構件150的上表面150a排出至外部。藉由以上的動作，能藉由藥液Cs清潔加熱構件150的上表面150a。
例如，在處理基板W時，會有已經使用於基板W的處理之藥液、清洗液以及有機溶劑的任一者從基板W垂落並附著於加熱構件之情形。當這些處理液附著於加熱構件時，雜質會附著於加熱構件的上表面的外周部。尤其是在使用用以蝕刻基板W之蝕刻液作為藥液之情形中，藉由蝕刻處理從基板W去除的成分會附著於加熱構件的上表面的外周部，容易於加熱構件的上表面的外周部形成附著物。再者，隨著加熱構件的溫度變化，附著物亦會固化。之後，當在基板W的處理中加熱構件的附著物的成分從加熱構件附著於基板W時，基板W的特性會變化。例如，會有附著物包含金屬之情形。作為一例，金屬係包含鈦(Ti)、鈷(Co)、鎢(W)以及鎵(Ga)的任一者。
依據本實施形態的基板處理裝置100，能藉由選擇性地供給至加熱構件150的上表面150a的外周部之藥液有效率的清潔加熱構件150的上表面150a的外周部。因此，能抑制加熱構件150的附著物的成分附著於基板W並使基板W的特性降低。
此外，較佳為因應附著物所含有的金屬的種類使用不同的藥液。在附著物包含鈦(Ti)之情形中，典型而言附著物係包含氧化鈦以及／或者氮化鈦。在此情形中，較佳為使用氫氟酸作為藥液。或者，較佳為使用氫氟酸與過氧化氫水作為藥液。尤其，較佳為交互地使用氫氟酸以及過氧化氫水作為藥液。能藉由過氧化氫水使附著物的金屬氧化。此外，能藉由氫氟酸去除氧化物。
在附著物包含鈷(Co)之情形中，較佳為使用SC2(鹽酸過氧化氫水混合液)作為藥液。此外，在附著物包含鎢(W)之情形中，較佳為使用SC1(氨過氧化氫水混合液)作為藥液。或者，在附著物包含鎢(W)之情形中，亦可使用SC2作為藥液。此外，在附著物包含鎵(Ga)之情形中，亦可使用王水(濃鹽酸與濃硝酸的混合物)作為藥液。
此外，附著物亦可未含有金屬。例如，附著物亦可為蝕刻的殘渣。或者，附著物亦可為矽的殘渣。或者，附著物亦可為乾蝕刻(dry etching)後的聚合物(polymer)的殘渣。
藥液供給部132亦可僅朝一方向移動。例如，藥液供給部132的噴嘴132n係可沿著X方向移動，藥液供給部132係可朝通過基板W的中心150d之直線上移動。此外，藥液亦可藉由清洗液以及氣體在加熱構件150的上表面150a中形成為環狀。
接著，參照圖1至圖5說明本實施形態的加熱構件150的清潔處理。圖5中的(a)至圖5中的(e)係用以說明加熱構件150的清潔處理之示意圖。
如圖5中的(a)所示，對加熱構件150供給清洗液R。詳細而言，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a的中央供給清洗液R。清洗液R係覆蓋加熱構件150的上表面150a的中心150d。此外，雖然清洗液供給部134係使用於基板W的處理，然而在此使用於清潔加熱構件150。
如圖5中的(b)所示，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央附近供給氣體G。藉由來自氣體供給部140的氣體G，清洗液R係從加熱構件150的上表面150a的中央朝周圍擴展。在此，清洗液R係不覆蓋加熱構件150的上表面150a的中心150d地形成為環狀。
如圖5中的(c)所示，藥液Cs係選擇性地被供給至加熱構件150的上表面150a的外周部。詳細而言，藥液供給部132係朝加熱構件150的上表面150a中的清洗液R供給藥液Cs。在此，藥液供給部132係對加熱構件150的上表面150a的第一位置噴出藥液Cs。藥液Cs係以與清洗液R混合並與清洗液R一起沿著環狀擴展之方式移動。此外，由於事先對加熱構件150的上表面150a噴出清洗液R，因此藥液Cs係在加熱構件150的上表面150a中擴散至清洗液R中而成為混合液；另一方面，藥液Cs幾乎不會擴散至加熱構件150的上表面150a中未存在有清洗液R的區域。
如圖5中的(d)所示，藥液Cs係選擇性地被供給至加熱構件150的上表面150a的外周部。詳細而言，藥液供給部132係朝加熱構件150的上表面150a中存在有清洗液R的位置供給藥液Cs。在此，藥液供給部132的噴嘴132n係沿著X方向從第一位置移動至第二位置後再噴出藥液Cs。藥液Cs係以沿著環狀的清洗液R與藥液Cs的混合液擴展之方式移動。
如圖5中的(e)所示，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a供給氣體G。氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央附近供給氣體G。藉由從氣體供給部140所供給的氣體G，清洗液R以及藥液Cs的混合液係移動至加熱構件150的上表面150a的端部並從加熱構件150的上表面150a的端部排出至外部。藉由以上的動作，能藉由藥液Cs清潔加熱構件150的上表面150a。
此外，在上述說明中，雖然在圖5中的(b)中供給氣體G並將清洗液R形成為環狀，然而本實施形態並未限定於此。在圖5中的(b)中，清洗液R亦可不形成為環狀。此外，在上述說明中，雖然在圖5中的(c)中噴出藥液Cs，藉此清洗液R以及藥液Cs的混合液係形成為環狀，然而本實施形態並未限定於此。在圖5中的(c)中，清洗液R以及藥液Cs的混合液亦可不形成為環狀。然而，如圖5中的(d)所示，在供給排出用的氣體G之前，較佳為清洗液R與藥液Cs的混合液係形成為環狀。藉此，藥液Cs係能有效率地清潔加熱構件150的上表面150a的外周部。
此外，在參照圖5的上述說明中，雖然藥液供給部132係沿著X方向相對於基板W移動，然而藥液供給部132亦可沿著X方向以及Y方向相對於基板W移動。在此情形中，藥液供給部132亦可以沿著環狀的清洗液R之方式供給藥液。
此外，在參照圖5的上述說明中，雖然藥液供給部132係對加熱構件150的上表面150a的兩個位置供給藥液Cs，然而本實施形態並未限定於此。藥液供給部132亦可對加熱構件150的上表面150a的一個位置供給藥液Cs。或者，藥液供給部132亦可對清洗液R的三個以上的位置供給藥液Cs。
如上所述，在處理基板W時，會有附著物附著於加熱構件150之情形。因此，加熱構件150亦可在基板W的處理後再清潔。
接著，參照圖1至圖6說明本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法。圖6係用以說明本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法之流程圖。
如步驟Sa1所示，將基板W搬入至腔室110。例如，中心機器人CR係將未處理的基板W搬入至腔室110內。基板保持部120係保持被搬入的基板W。典型而言，於基板W的矽晶圓的表面形成有細微的圖案。接著，處理係移行至步驟Sa2。
如步驟Sa2所示，藉由藥液處理基板W。藥液供給部132係對基板W供給藥液。藥液供給部132係打開閥132b並從噴嘴132n噴出藥液。此時，基板保持部120係旋轉基板W。被供給至基板W的上表面Wa的中心部附近的藥液係接受基板W的旋轉所致使的離心力而於基板W的上表面Wa上朝基板W的周緣部流動。藉此，藥液係遍及基板W的上表面Wa的全域，並藉由藥液處理基板W的上表面Wa。
在此情形中，罩180係上升至位於基板W的側方為止，並回收從基板W飛散的藥液。之後，藥液供給部132係停止供給藥液。接著，處理係移行至步驟Sa3。
如步驟Sa3所示，藉由清洗液清洗基板W。清洗液供給部134係對基板W供給清洗液。清洗液供給部134係打開閥134b並從噴嘴134n噴出清洗液。此時，基板保持部120係保持並旋轉基板W。被供給至基板W的上表面Wa的中心部附近的清洗液係接受基板W的旋轉所致使的離心力而於基板W的上表面Wa上朝基板W的周緣部流動。藉此，清洗液係遍及至基板W的上表面Wa的全域，並藉由清洗液清洗基板W的上表面Wa。之後，清洗液供給部134係停止供給清洗液。接著，處理係移行至步驟Sa4。
如步驟Sa4所示，藉由有機溶劑處理基板W。有機溶劑供給部136係對基板W供給有機溶劑。有機溶劑供給部136係打開閥136b並從噴嘴136n噴出有機溶劑。此時，基板保持部120係保持並旋轉基板W。被供給至基板W的上表面Wa的中心部附近的有機溶劑係接受基板W的旋轉所致使的離心力而於基板W的上表面Wa上朝基板W的周緣部流動。藉此，有機溶劑係遍及至基板W的上表面Wa的全域，基板W的上表面Wa的清洗液係被置換成有機溶劑。之後，有機溶劑供給部136係停止供給有機溶劑。接著，處理係移行至步驟Sa5。
如步驟Sa5所示，加熱構件150係加熱基板W。基板W的背面Wb係被來自加熱構件150的熱輻射加熱，或者被基板W的背面Wb與加熱構件150的上表面150a之間的空間內流體熱傳導加熱。加熱構件150係以加熱構件150的上表面150a與基板W的背面Wb變成平行之方式配置。因此，從加熱構件150被施加至基板W之每單位面積的熱量係在基板W的全域中變成大致均一。此時，基板W係停止旋轉或者基板W係以低速旋轉。
加熱構件150係加熱基板W的背面Wb，藉此基板W的上表面Wa整面的溫度係上升至預先設定的加熱時的上表面溫度。加熱時的上表面溫度為比有機溶劑的沸點還高10℃至50℃的範圍的預定的溫度。以基板W的上表面Wa的整面會上升至加熱時的上表面溫度之方式將加熱構件150的每單位面積的熱量以及基板W的背面Wb與加熱構件150的上表面150a之間的間隔設定成預定的大小。
如步驟Sa6所示，去除有機溶劑。首先，當基板W的上表面Wa的溫度到達至加熱時的上表面溫度並經過預定時間時，基板W的上表面Wa的有機溶劑的一部分係蒸發並氣化，從而於基板W的上表面Wa的上方空間形成有蒸氣膜。藉此，有機溶劑係從基板W的上表面Wa浮上。
之後，以低速旋轉基板W並對基板W的上表面Wa供給氣體。例如，基板保持部120係以旋轉速度10rpm至500rpm旋轉基板W並打開氣體供給部140的閥140b。藉此，基板W的上表面Wa的中心的有機溶劑被推出至外側並局部地被去除，從而形成有小徑圓形狀的乾燥區域。
有機溶劑係經由蒸氣膜從基板W的上表面Wa分離，並處於容易沿著基板W的上表面Wa移動的狀態。因此，隨著基板W的旋轉以及氣體的供給，乾燥區域係從基板W的上表面Wa的中心朝外側擴大。藉由乾燥區域擴展至基板W的上表面Wa的全域，能將有機溶劑維持在液塊狀態地從基板W的上表面Wa去除。接著，處理係移行至步驟Sa7。
如步驟Sa7所示，將基板W乾燥。例如，基板保持部120係高速地旋轉基板W。例如，基板W的旋轉速度係增加至2500rpm。藉此，能將有機溶劑從基板W的上表面Wa甩離並將基板W乾燥(旋乾(spin out))。接著，處理係移行至步驟Sa8。
如步驟Sa8所示，從腔室110搬出基板W。例如，中心機器人CR係搬出已在腔室110內處理過的基板W。如上所述，能藉由步驟Sa1至步驟Sa8處理基板W。在圖6中，基板處理製程Sa係包含步驟Sa1至步驟Sa8。在此，在基板處理製程Sa之後，處理係移行至步驟S12。
如步驟S12所示，對加熱構件150供給清洗液。例如，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a供給清洗液。典型而言，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a的中央供給清洗液。接著，處理係移行至步驟S14。
如步驟S14所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。氣體係例如為惰性氣體。在一例中，氣體係包含氮氣。藉由氣體的供給，清洗液係在加熱構件150的上表面150a中環狀地擴展。此時，較佳為罩180係配置於覆蓋加熱構件150的側方之位置。接著，處理係移行至步驟S16。
如步驟S16所示，對加熱構件150供給藥液。例如，藥液供給部132係朝加熱構件150的上表面150a的清洗液供給藥液。藉此，藥液係與加熱構件150的上表面150a的清洗液混合並於環狀的清洗液內擴散。接著，處理係移行至步驟S18。
如步驟S18所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。藉此，排出加熱構件150的上表面150a的清洗液以及藥液。較佳為罩180係配置於覆蓋加熱構件150的側方之位置。
藉由步驟S12至步驟S18清潔處理加熱構件150。在圖6中，清潔製程Sp係包含步驟S12至步驟S18。藉由上述方式，能處理基板W並清潔加熱構件150。依據本實施形態，即使在基板處理製程Sa中有附著物附著於加熱構件150，亦能在清潔製程Sp中迅速地清潔加熱構件150。
此外，在參照圖6的上述說明中，雖然在處理過一片基板W之後再進行加熱構件150的上表面150a的清潔處理，然而本實施形態並未限定於此。亦可在結束預定片數的基板W的處理後再進行加熱構件150的清潔處理。例如，亦可在每次處理過十片基板W後再進行加熱構件150的清潔處理。或者，亦可在開始基板W的處理後，在經過預定時間後將處理過的基板W排出後再進行加熱構件150的清潔處理。例如，亦可在開始基板W的處理後，在經過五小時後將處理過的基板W排出後再進行加熱構件150的清潔處理。
或者，在已停止基板處理裝置100的驅動之停止期間已經過預定時間之情形中，亦可在開始下一次驅動基板處理裝置100時進行加熱構件150的清潔處理。或者，亦可在即將停止驅動基板處理裝置100之前先將基板W搬出後再進行加熱構件150的清潔處理。
此外，在參照圖6的上述說明中，雖然加熱構件150係在處理過基板W之後再進行加熱構件150的清潔處理，然而本實施形態並未限定於此。加熱構件150亦可在處理基板W之前進行清潔處理。尤其，在基板處理裝置100未於預定期間驅動之情形中，較佳為加熱構件150係在處理基板W之前進行清潔處理。
此外，在參照圖1至圖6的上述說明中，雖然噴嘴132n、134n、136n、140n分別個別地設置，然而本實施形態並未限定於此。噴嘴132n、134n、136n、140n的至少一部分亦可一體化。此外，在參照圖1至圖6的上述說明中，雖然僅對基板W的上表面Wa供給液體以及氣體，然而本實施形態並未限定於此。亦可對基板W的背面Wb供給液體以及氣體的至少一者。
接著，參照圖7說明本實施形態的基板處理裝置100。圖7係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖7所示的基板處理裝置100係除了下述幾點除外具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成：噴嘴132n以及噴嘴134n可一體地移動；噴嘴136n以及噴嘴140n係一體化；加熱構件150可相對於基板W升降；對基板W的背面Wb供給氣體；為了避免冗長，省略重複的記載。
本實施形態的基板處理裝置100係進一步具備臂構件A1，臂構件A1係安裝有藥液供給部132的噴嘴132n以及清洗液供給部134的噴嘴134n。於臂構件A1安裝有移動單元Ta。移動單元Ta係使臂構件A1移動。
移動單元Ta係在噴出位置與退避位置之間移動臂構件A1。在臂構件A1位於噴出位置之情形中，臂構件A1係位於基板W的上方。在臂構件A1位於噴出位置之情形中，臂構件A1係朝基板W的上表面Wa噴出藥液以及清洗液。在臂構件A1位於退避位置之情形中，臂構件A1係位於比基板W還更基板W的徑方向外側。
基板處理裝置100係進一步具備：噴嘴N1，係有機溶劑供給部136的噴嘴136n以及氣體供給部140的噴嘴140n一體化而成。於噴嘴N1安裝有移動單元Tn。移動單元Tn係使噴嘴N1移動。
移動單元Tn係在噴出位置與退避位置之間移動噴嘴N1。在噴嘴N1位於噴出位置之情形中，噴嘴N1係位於基板W的上方。在噴嘴N1位於噴出位置之情形中，噴嘴N1係朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑以及氣體。在噴嘴N1位於退避位置之情形中，噴嘴N1係位於比基板W還更基板W的徑方向外側。
此外，圖7所示的基板處理裝置100係進一步具備氣體供給部140A。氣體供給部140A係對基板W供給氣體。例如，氣體供給部140A係對基板W的背面Wb供給氣體。從氣體供給部140A所供給的氣體係例如惰性氣體。在一例中，氣體係包含氮氣。
氣體供給部140A係包含配管140c、閥140d以及噴嘴140m。閥140d係配置於配管140c。配管140c係將氣體導引至腔室110內。閥140d係將配管140c予以開閉。
配管140c係貫通軸123的內孔以及加熱構件150。例如，配管140c亦可貫通支撐部155的內孔。典型而言，配管140c係貫通加熱構件150的上表面150a的中心。因此，噴嘴140m係位於加熱構件150的上表面150a的中心。從加熱構件150的上表面150a的中心朝基板W的背面Wb供給氣體。
此外，基板處理裝置100係進一步具備：升降單元158，係將加熱構件150升降。升降單元158係使加熱構件150相對於基板保持部120上下地相對移動。在加熱構件150加熱基板W之情形中，升降單元158係以加熱構件150接近基板W之方式使加熱構件150上升。
例如，升降單元158係能將加熱構件150上升至加熱構件150接近基板W之位置(接近位置)。此外，升降單元158係能將加熱構件150下降至加熱構件150相對於上升位置已從基板W離開之位置(離開位置)。
當加熱構件150上升至接近位置時，加熱構件150的上表面150a係從基板W的背面Wb接近至特定的間隔(典型而言為0.5mm至3mm)。加熱構件150到達至接近位置，藉此基板W的背面Wb係被來自加熱構件150的熱輻射加熱，或者被基板W的背面Wb與加熱構件150的上表面150a之間的空間內流體熱傳導加熱。較佳為加熱構件150係以加熱構件150的上表面150a與基板W的背面Wb變成平行之方式配置於接近位置。
此外，在此，雖然已將加熱構件150上升至加熱構件150接近基板W之位置，然而加熱構件150亦可將加熱構件150上升至接觸基板W之位置。
在本實施形態的基板處理裝置100中，於臂構件A1安裝有噴嘴132n以及噴嘴134n。由於藥液以及清洗液大多連續地使用，因此能縮短噴嘴的移動所需的時間。此外，在基板處理裝置100中設置有噴嘴136n與噴嘴140n一體化而成的噴嘴N1。由於有機溶劑以及氣體大多連續地使用，因此能縮短噴嘴的移動所需的時間。
在本實施形態的基板處理裝置100中，能藉由氣體供給部140A對基板W的背面Wb供給氣體。因此，能抑制附著物附著於基板W的背面Wb以及／或者加熱構件150。
此外，在本實施形態的基板處理裝置100中，升降單元158係能縮短加熱構件150與基板W之間的距離。因此，加熱構件150係能以更少的電力有效率地加熱基板W。
此外，在參照圖1至圖7的上述說明中，雖然藥液供給部132係供給一種類的藥液，然而本實施形態並未限定於此。藥液供給部132亦可個別地供給複數種類的藥液。
接著，參照圖8說明本實施形態的基板處理裝置100。圖8係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖8所示的基板處理裝置100係除了藥液供給部132包含第一藥液供給部132A以及第二藥液供給部13B之點除外，具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
在本實施形態的基板處理裝置100中，藥液供給部132係包含第一藥液供給部132A以及第二藥液供給部132B。第一藥液供給部132A係供給第一藥液。第二藥液供給部132B係供給與第一藥液不同的第二藥液。
第一藥液供給部132A係包含配管132c、閥132d以及噴嘴132p。噴嘴132p係對基板W的上表面Wa噴出藥液。噴嘴132p係連接於配管132c。從供給源對配管132c供給第一藥液。閥132d係將配管132c內的流路予以開閉。
第二藥液供給部132B係包含配管132e、閥132f以及噴嘴132q。噴嘴132q係對基板W的上表面Wa噴出藥液。噴嘴132q係連接於配管132e。從供給源對配管132e供給第二藥液。閥132f係將配管132e內的流路予以開閉。
在此，噴嘴132p以及噴嘴132q係與噴嘴134n一起安裝於臂構件A1。臂構件A1係可藉由移動單元Ta移動。
第一藥液供給部132A以及第二藥液供給部132B係適用於加熱構件150的清潔處理。例如，第一藥液以及第二藥液的一者為用以使附著物的組成變化之液體，第一藥液以及第二藥液的另一者為用以剝離組成已變化的附著物之液體。例如，在附著物包含鈦(Ti)之情形中，亦可使用過氧化氫水作為第一藥液且使用氫氟酸作為第二藥液。在此情形中，第一藥液以及第二藥液亦可不同時地噴出，而是以不同的時序噴出。
然而，第一藥液以及第二藥液亦可同時噴出。例如，在附著物包含鈷(Co)之情形中，亦可使用過氧化氫水作為第一藥液且使用鹽酸作為第二藥液。此外，在附著物包含鎢(W)之情形中，亦可使用過氧化氫水作為第一藥液且使用鹽酸作為第二藥液。或者，在附著物包含鎢(W)之情形中，亦可使用過氧化氫水作為第一藥液且使用氨水作為第二藥液。再者，在附著物包含鎵(Ga)之情形中，亦可使用濃鹽酸作為第一藥液且使用濃硝酸作為第二藥液。
此外，在第一藥液以及第二藥液分別單獨地對附著物產生不同的影響之情形中，較佳為第一藥液以及第二藥液係以不同的時序供給。
接著，參照圖8以及圖9說明本實施形態的加熱構件150的清潔方法。圖9係用以說明加熱構件150的清潔方法之流程圖。
如步驟S42所示，對加熱構件150供給清洗液。例如，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a供給清洗液。典型而言，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a的中央供給清洗液。接著，處理係移行至步驟S44。
如步驟S44所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。藉由氣體的供給，清洗液係在加熱構件150的上表面150a中擴展成環狀。此時，較佳為罩180係配置於覆蓋加熱構件150的側方之位置。接著，處理係移行至步驟S46。
如步驟S46所示，對加熱構件150的第一位置供給第一藥液。第一藥液係包含過氧化氫水。例如，第一藥液供給部132A係朝加熱構件150的上表面150a的清洗液供給第一藥液。藉此，第一藥液係與加熱構件150的上表面150a的清洗液混合並在環狀的清洗液內擴散。接著，處理係移行至步驟S48。
如步驟S48所示，對加熱構件150的第二位置供給第一藥液。例如，第一藥液供給部132A係朝加熱構件150的上表面150a的清洗液供給第一藥液。藉此，第一藥液係與加熱構件150的上表面150a的清洗液混合並在環狀的清洗液內擴散。接著，處理係移行至步驟S50。
如步驟S50所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。藉此，排出加熱構件150的上表面150a的清洗液以及第一藥液。接著，處理係移行至步驟S52。
如步驟S52所示，對加熱構件150供給清洗液。例如，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a供給清洗液。典型而言，清洗液供給部134係對加熱構件150的上表面150a的中央供給清洗液。接著，處理係移行至步驟S54。
如步驟S54所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。藉由氣體的供給，清洗液係在加熱構件150的上表面150a中擴展成環狀。此時，較佳為罩180係配置於覆蓋加熱構件150的側方之位置。接著，處理係移行至步驟S56。
如步驟S56所示，對加熱構件150的第一位置供給第二藥液。第二藥液係包含氫氟酸。例如，第二藥液供給部132B係朝加熱構件150的上表面150a的清洗液供給第二藥液。藉此，第二藥液係與加熱構件150的上表面150a的清洗液混合並在環狀的清洗液內擴散。接著，處理係移行至步驟S58。
如步驟S58所示，對加熱構件150的第二位置供給第二藥液。例如，第二藥液供給部132B係朝加熱構件150的上表面150a的清洗液供給第二藥液。藉此，第二藥液係與加熱構件150的上表面150a的清洗液混合並在環狀的清洗液內擴散。接著，處理係移行至步驟S60。
如步驟S60所示，氣體供給部140係對加熱構件150供給氣體。例如，氣體供給部140係對加熱構件150的上表面150a的中央供給氣體。藉此，排出加熱構件150的上表面150a的清洗液以及第二藥液。藉由上述方式，能清潔加熱構件150的上表面。
此外，在參照圖9的說明中，雖然在使用包含過氧化氫水的第一藥液後再使用包含氫氟酸的第二藥液，然而本發明並未限定於此。亦可先使用包含氫氟酸的第二藥液後再使用包含過氧化氫水的第一藥液。例如，在雜質的表面中露出金屬之情形中，較佳為使用包含過氧化氫水的第一藥液後再使用包含氫氟酸的第二藥液。另一方面，在雜質的表面中露出金屬氧化物之情形中，較佳為使用包含氫氟酸的第二藥液後再使用包含過氧化氫水的第一藥液。
接著，參照圖10說明本實施形態的基板處理裝置100。圖10係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖10所示的基板處理裝置100係除了具備支撐部以及升降銷且夾具構件122的一部分可轉動之點除外，具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
在本實施形態的基板處理裝置100中，基板保持部120係進一步具備支撐軸126以及連結於支撐軸126的升降銷127。支撐軸126係朝鉛直方向延伸的圓筒形狀，支撐軸126係配置於軸123的內孔。於支撐軸126的內孔配置有支撐部155。從支撐軸126至少伸出三根升降銷127。升降銷127係在支撐軸126的上方朝徑方向外側延伸，且在支撐軸126的前端朝鉛直上方延伸。
於加熱構件150設置有至少三處的貫通孔150h。貫通孔150h係連繫加熱構件150的上表面150a與背面150b。貫通孔150h的位置、大小以及數量係與升降銷127的位置、大小以及數量對應地設置，貫通孔150h係構成為可使升降銷127通過。
本實施形態的基板處理裝置100係進一步具備可使支撐軸126升降的升降單元158A。升降單元158A係使支撐軸126移動，藉此升降銷127係貫通加熱構件150。在升降單元158A將支撐軸126下降之情形中，升降銷127係不從加熱構件150的上表面150a突出。另一方面，在升降單元158A將支撐軸126上升之情形中，升降銷127係從加熱構件150的上表面150a突出。在此情形中，升降銷127的上端係位於比夾具構件122的上端還更鉛直上方。
升降銷127的上端係能位於比夾具構件122的上端還更鉛直上方。因此，在中心機器人CR將基板W搬入至腔室110以及／或者從腔室110搬出基板W之情形中，中心機器人CR係能將基板W傳遞至升降銷127以使升降銷127支撐基板W。
夾具構件122係具有本體部122a以及複數個轉動部122b。本體部122a係相對於自轉基座121朝鉛直上方延伸。轉動部122b係設置於本體部122a的鉛直上方的前端。轉動部122b係可相對於本體部122a朝基板W的圓周方向轉動。因此，在複數個轉動部122b朝向內側之情形中，基板W係被轉動部122b支撐。此外，在複數個轉動部122b朝向外側之情形中，基板W係未被轉動部122b支撐。因此，當在複數個轉動部122b朝向外側的狀態下升降單元158A將用以保持基板W之升降銷127下降時，能將基板W載置於加熱構件150的上表面150a。藉此，能將加熱構件150的熱能充分地傳達至基板W。
此外，在參照圖3至圖10的上述說明中，雖然加熱構件150的加熱器154為電阻器，然而本實施形態並未限定於此。加熱構件150亦可在加熱時照射光線。
接著，參照圖11說明本實施形態的基板處理裝置100。圖11係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖11所示的基板處理裝置100係除了加熱構件150在加熱時照射光線之點除外，具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
如圖11所示，加熱構件150係配置於被基板保持部120保持之基板W的下方。加熱構件150係具有複數個燈150L，並設置於基板保持部120的上方。各個燈150L點亮，藉此被基板保持部120保持之基板W的背面Wb係被來自燈150L的光線照射。
在此，加熱構件150亦可為例如排列地設置有複數隻直管型式的燈150L而構成。或者，加熱構件150亦可為將複數個燈泡型式的燈150L設置成陣列狀而構成。或者，亦可使用例如鹵素燈(halogen lamp)或者氙閃光燈(xenon flash lamp)作為燈150L。
可使用用以對基板保持部120上的基板W照射電磁波之各種照射構件作為加熱構件150。例如，除了可使用用以照射光線之燈150L以外，亦可使用例如用以對基板保持部120上的基板W照射遠紅外線之遠紅外線加熱器或者用以對基板保持部120上的基板W照射微波之微波加熱器。
此外，基板處理裝置100亦可因應加熱構件150的上表面150a中的附著物開始加熱構件150的清潔處理。例如，基板處理裝置100亦可拍攝加熱構件150的上表面150a並開始加熱構件150的上表面150a的清潔處理。
接著，參照圖12說明本實施形態的基板處理裝置100。圖12係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖12所示的基板處理裝置100係除了進一步具備拍攝部190之點除外，具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
拍攝部190係配置於腔室110內。拍攝部190係拍攝加熱構件150的上表面150a並生成影像資料。控制裝置101係因應拍攝部190的拍攝結果開始加熱構件150的清潔處理。例如，控制裝置101係從拍攝部190所生成的影像資料判定是否有附著物附著於加熱構件150的上表面150a，在有附著物附著於加熱構件150的上表面150a之情形中開始加熱構件150的清潔處理。
接著，參照圖12以及圖13說明本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法。圖13為用以說明本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法之流程圖。
在步驟Sb1中，拍攝部190係拍攝加熱構件150的上表面150a。之後，處理係移行至步驟Sb2。
在步驟Sb2中，控制部102係依據拍攝部190的拍攝結果判定是否清潔加熱構件150。例如，控制部102係解析拍攝部190所生成的影像資料並判定是否有附著物附著於加熱構件150。在影像資料所顯示的加熱構件150的上表面150a的顏色為與當初的加熱構件150的顏色不同的顏色之情形中，控制部102係判定成有附著物附著於加熱構件150。或者，在影像資料所示的加熱構件150的形狀與當初的加熱構件150的形狀不同之情形中，控制部102係判定成有附著物附著於加熱構件150。
在判定成要清潔加熱構件150之情形中(步驟Sb2中為「是」)，處理係移行至步驟Sp1。在判定成不要清潔加熱構件150之情形中(步驟Sb2中為「否」)，處理係移行至基板處理製程Sa。
在步驟Sp1中清潔加熱構件150。例如，控制部102係執行圖6的步驟S12至步驟S18並清潔加熱構件150。之後，處理係移行至基板處理製程Sa。
在基板處理製程Sa中處理基板W。控制部102係執行圖6的步驟Sa1至步驟Sa8並處理基板W。之後，處理係移行至步驟Sb3。
在步驟Sb3中，拍攝部190係拍攝加熱構件150的上表面150a。之後，處理係移行至步驟Sb4。
在步驟Sb4中，控制部102係依據拍攝部190的拍攝結果判定是否清潔加熱構件150。例如，控制部102係解析拍攝部190所生成的影像資料並判定是否有附著物附著於加熱構件150。在判定成要清潔加熱構件150之情形中(步驟Sb4中為「是」)，處理係移行至步驟Sp2。在判定成不要清潔加熱構件150之情形中(步驟Sb4中為「否」)，處理係移行至步驟Sb5。
在步驟Sp2中清潔加熱構件150。例如，控制部102係執行圖6的步驟S12至步驟S18並清潔加熱構件150。之後，處理係移行至步驟Sb5。
在步驟Sb5中，控制部102係判定是否存在有應處理的其他基板W。例如，在判定成存在有應處理的基板W之情形中(步驟Sb5中為「是」)，處理係返回至基板處理製程Sa。在判定成未存在有應處理的基板W之情形中(步驟Sb5中為「否」)，結束處理。藉由以上方式，能執行基板處理以及加熱構件150的清潔處理。依據本實施形態，由於依據拍攝部190所拍攝的結果判定是否進行加熱構件150的清潔處理，因此能因應必要性來清潔加熱構件150。
此外，在參照圖1至圖13的上述說明中，雖然基板W旋轉且加熱構件150不旋轉，然而本實施形態並未限定於此。加熱構件150亦可旋轉。
接著，參照圖14說明本實施形態的基板處理裝置100。圖14係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。圖14所示的基板處理裝置100係除了加熱構件150旋轉之點除外，具有與參照圖1以及圖2所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
基板處理裝置100係進一步具備用以使加熱構件150旋轉之電動馬達159。電動馬達159係連結於支撐部155。藉由電動馬達159使加熱構件150旋轉。控制部102係控制電動馬達159，藉此旋轉加熱構件150。
在本實施形態的基板處理裝置100中，由於可藉由電動馬達159使加熱構件150旋轉，因此在加熱構件150的清潔製程中亦可不對加熱構件150的上表面150a供給氣體。詳細而言，對加熱構件150的上表面150a的外周部供給藥液後，加熱構件150旋轉，藉此即使不對加熱構件150的上表面150a供給氣體亦能將藥液從加熱構件150的上表面150a排出。
此外，在參照圖1至圖14的上述說明中，雖然藉由藥液清潔加熱構件150，然而本實施形態並未限定於此。除了藉由藥液來清潔加熱構件150之外亦可再藉由磨耗來清潔加熱構件150。在磨耗加熱構件150之情形中，較佳為在加熱構件150旋轉的狀態下磨耗加熱構件150。
接著，參照圖15說明本實施形態的基板處理裝置100。圖15所示的基板處理裝置100係除了進一步具備刷洗(scrub)構件192之點除外，具有與參照圖14所說明的基板處理裝置100同樣的構成，因此為了避免冗長，省略重複的記載。
基板處理裝置100係進一步具備刷洗構件192。刷洗構件192係在清潔製程中使用藥液刷洗加熱構件150的上表面150a。刷洗構件192的頭部係由海綿、不織布、發泡聚胺酯(foamed polyurethane)等軟質材料或者研磨帶所構成。刷洗構件192係與加熱構件150的上表面150a接觸，藉此刷洗構件192能使用藥液去除加熱構件150的上表面150a的附著物。
較佳為刷洗構件192係相對於加熱構件150相對性地移動。例如，刷洗構件192亦可沿著X方向以及／或者Y方向相對於加熱構件150的上表面150a移動。或者，亦可在維持於刷洗構件192接觸至加熱構件150的上表面150a的狀態下旋轉加熱構件150。此外，刷洗構件192不僅使用於加熱構件150的清潔製程，亦可使用於基板W的處理製程。
以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，藉由適當地組合上述實施形態所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可將實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素刪除。再者，亦可適當地組合不同的實施形態中的構成要素。為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀、尺寸等係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。
[產業可利用性]
本發明係適用於清潔用以加熱基板之加熱構件。
100:基板處理裝置
100A:流體櫃
100B:流體箱
101:控制裝置
102:控制部
104:記憶部
110:腔室
120:基板保持部
121:自轉基座
122:夾具構件
122a:本體部
122b:轉動部
123:軸
124:電動馬達
125:殼體
126:支撐軸
127:升降銷
130:處理液供給部
132:藥液供給部
132A:第一藥液供給部
132B:第二藥液供給部
132a,132c,132e,134a,136a,140a,140c:配管
132b,132d,132f,134b,136b,140b,140d:閥
132n,132p,132q,134n,136n,140n,140m,N1:噴嘴
134:清洗液供給部
136:有機溶劑供給部
140,140A:氣體供給部
150:加熱構件
150a:(加熱構件的)上表面
150b:(加熱構件的)背面
150c:(加熱構件的)側面
150d:(加熱構件的上表面的)中心
150h:貫通孔
150L:燈
152:本體部
154:加熱器
154L:供電線
155:支撐部
156:通電單元
158,158A,182:升降單元
159:電動馬達
180:罩
190:拍攝部
192:刷洗構件
A1:臂構件
Ax:旋轉軸
CR:中心機器人
Cs:藥液
G:氣體
IR:索引機器人
LP:裝載埠
R:清洗液
Sa:基板處理製程
Sp:清潔製程
Ta,Tn:移動單元
TW:塔
W:基板
Wa:(基板的)上表面
Wb:(基板的)背面
[圖1]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖2]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖3]係本實施形態的基板處理裝置的方塊圖。
[圖4]中的(a)至(f)係用以說明本實施形態的加熱構件的清潔方法之示意圖。
[圖5]中的(a)至(e)係用以說明本實施形態的加熱構件的清潔方法之示意圖。
[圖6]係本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法之流程圖。
[圖7]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖8]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖9]係用以說明本實施形態的加熱構件的清潔方法之流程圖。
[圖10]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖11]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖12]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖13]係用以說明本實施形態的基板處理裝置所為的基板處理方法之流程圖。
[圖14]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
[圖15]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。
100:基板處理裝置
101:控制裝置
102:控制部
104:記憶部
110:腔室
120:基板保持部
121:自轉基座
122:夾具構件
123:軸
124:電動馬達
125:殼體
130:處理液供給部
132:藥液供給部
132a,134a,136a,140a:配管
132b,134b,136b,140b:閥
132n,134n,136n,140n:噴嘴
134:清洗液供給部
136:有機溶劑供給部
140:氣體供給部
150:加熱構件
150a:(加熱構件的)上表面
150b:(加熱構件的)背面
150c:(加熱構件的)側面
152:本體部
154:加熱器
154L:供電線
155:支撐部
156:通電單元
182:升降單元
180:罩
Ax:旋轉軸
W:基板
Wa:(基板的)上表面
Wb:(基板的)背面
Claims (13)
- 一種加熱構件的清潔方法，係用以清潔基板處理裝置的加熱構件，並包含： 對前述加熱構件的上表面供給清洗液之製程； 以在前述加熱構件的前述上表面中與前述清洗液混合之方式對前述加熱構件的前述上表面的外周部選擇性地供給藥液之製程；以及 從前述加熱構件的前述上表面排出前述藥液之製程。
- 如請求項1所記載之加熱構件的清潔方法，其中在供給前述清洗液之後且在選擇性地供給前述藥液之前進一步地包含對前述加熱構件的前述上表面供給氣體之製程。
- 如請求項2所記載之加熱構件的清潔方法，其中在供給前述氣體之製程中對前述加熱構件的前述上表面的中央供給前述氣體。
- 如請求項所2或3記載之加熱構件的清潔方法，其中供給前述氣體之製程係包含在前述加熱構件的前述上表面的前述外周部中將前述清洗液形成為環狀之製程。
- 如請求項1所記載之加熱構件的清潔方法，其中選擇性地供給前述藥液之製程係包含在前述加熱構件的前述上表面的外周部中將前述藥液形成為環狀之製程。
- 如請求項1所記載之加熱構件的清潔方法，其中排出前述藥液之製程係包含使前述藥液移動至前述加熱構件的前述上表面的端部並將前述藥液從前述加熱構件的前述上表面的端部排出之製程。
- 如請求項1所記載之加熱構件的清潔方法，其中排出前述藥液之製程係包含對前述加熱構件的前述上表面的中央供給氣體之製程。
- 如請求項1所記載之加熱構件的清潔方法，其中排出前述藥液之製程係包含旋轉前述加熱構件之製程。
- 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係用以保持基板； 加熱構件，係與被前述基板保持部保持之前述基板的背面對向； 清洗液供給部； 藥液供給部；以及 控制部，係控制前述加熱構件、前述藥液供給部以及前述清洗液供給部； 前述控制部係在對前述加熱構件的上表面供給清洗液後，以對前述加熱構件的前述上表面的外周部選擇性地供給藥液並在前述加熱構件的前述上表面中混合前述藥液與前述清洗液之方式控制前述清洗液供給部以及前述藥液供給部。
- 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中進一步具備氣體供給部； 前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之前且在對前述加熱構件的前述上表面供給前述清洗液之後，以對前述加熱構件的前述上表面供給氣體之方式控制前述氣體供給部。
- 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以藉由對前述加熱構件的前述上表面供給前述氣體從而將前述清洗液形成為環狀之方式控制前述氣體供給部。
- 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之後，以對前述加熱構件的中央供給前述氣體之方式控制前述氣體供給部。
- 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述加熱構件係構成為可旋轉； 前述控制部係在對前述加熱構件的前述上表面的前述外周部選擇性地供給前述藥液之後，以使前述加熱構件旋轉之方式控制前述加熱構件。
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|---|---|---|---|
| JP2019151245A JP7372079B2 (ja) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | 加熱部材の清浄方法および基板処理装置 |
| JP2019-151245 | 2019-08-21 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202108251A TW202108251A (zh) | 2021-03-01 |
| TWI739503B true TWI739503B (zh) | 2021-09-11 |
Family
ID=74660855
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| TW (1) | TWI739503B (zh) |
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Citations (3)
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| JPH10199852A (ja) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
| JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2013140955A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびヒータ洗浄方法 |
-
2019
- 2019-08-21 JP JP2019151245A patent/JP7372079B2/ja active Active
-
2020
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- 2020-07-06 TW TW109122693A patent/TWI739503B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10199852A (ja) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
| JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2013140955A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびヒータ洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202108251A (zh) | 2021-03-01 |
| WO2021033427A1 (ja) | 2021-02-25 |
| JP7372079B2 (ja) | 2023-10-31 |
| JP2021034475A (ja) | 2021-03-01 |
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