WO2013140955A1

WO2013140955A1 - 基板処理装置およびヒータ洗浄方法

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Publication number: WO2013140955A1
Application number: PCT/JP2013/054808
Authority: WO
Inventors: 僚村元
Original assignee: 大日本スクリーン製造株式会社
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2013-02-25
Publication date: 2013-09-26
Also published as: KR101925173B1; US20180247843A1; CN104205305B; US10573542B2; KR20140138744A; US9991141B2; CN104205305A; TW201603136A; TWI490938B; TWI584367B; US20150047677A1; TW201349330A

Abstract

基板保持手段（３）により保持された基板（Ｗ）の上面に対向配置されてその上面を加熱するためのヒータ（３５）が洗浄される。ヒータは、赤外線ランプ（３８）とハウジング（４０）とを有している。ヒータ洗浄方法は、前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向し、上方に向けて液を吐出する第１吐出口（８４）を有する下ノズル（８２）の上方のヒータ洗浄位置に、前記第１吐出口に対向するように前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、前記基板保持手段に基板を保持していない状態で、前記下ノズルに洗浄液を供給して、前記第１吐出口から上方に向けて洗浄液を吐出させることにより、前記ヒータ洗浄位置に配置された前記ヒータの前記ハウジングの外表面に洗浄液を供給する下洗浄液吐出工程とを含む。

Description

基板処理装置およびヒータ洗浄方法

　この発明は、赤外線ランプを有し、基板に加熱処理を施すためのヒータを備える基板処理装置、およびそのヒータを洗浄するためのヒータ洗浄方法に関する。加熱処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。

　半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の主面（表面）にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入が不要な部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。

　代表的なレジスト除去処理では、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水の混合液である硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ液）などの薬液が供給される。これにより、アッシングされたレジストが除去され、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。

　ところが、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
　そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭ液を供給して、このＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ_２ＳＯ_５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。

特開２００５－９３９２６号公報

　本件発明者は、基板の主面に供給された薬液のより一層の高温化を図るため、薬液処理時において、基板の主面に供給した薬液を加熱することを検討している。具体的には、赤外線ランプと、この赤外線ランプを収容するハウジングとを有するヒータを、基板の主面に間隔を空けて対向配置することにより、基板の主面に存在する薬液を加熱することを検討している。

　ところが、赤外線ランプによる薬液の加熱処理の際には、薬液が急激に温められて、基板の主面の周辺に、薬液ミストが大量に発生する。加熱処理の際に発生した薬液ミストは、基板の主面に対向するヒータのハウジングの下面に付着する。ハウジングの下面に薬液ミストが付着したまま放置されると、ハウジングの下面の赤外線透過率の低下により、ハウジング外に放出される赤外線の照射光量が低下する。それだけでなく、薬液ミストが乾燥して結晶化することにより、ハウジングの下面がパーティクル源になるおそれがある。したがって、基板を１枚処理する毎に、ヒータのハウジングの下面に付着した薬液を洗い流す必要がある。

　ヒータのハウジングを洗浄する方策として、鉛直下方に向く複数個の吐出口が水平方向に沿って一列または複数列に配列されたバーノズルを設け、各吐出口からの処理液をヒータに対して上方から供給する方策が考えられる。しかしながら、このような方策では、ヒータのハウジングの下面全域に洗浄液を行き渡らせるのは困難である。
　本発明の目的は、ヒータを良好に洗浄することができる基板処理装置およびヒータ洗浄方法を提供することである。

　この発明は、基板保持手段により保持された基板の上面（上側の主面）に対向配置されてその上面を加熱するためのヒータを洗浄するヒータ洗浄方法を提供する。ヒータは、赤外線ランプとハウジングとを有する。前記ヒータ洗浄方法は、前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向し、上方に向けて液を吐出する第１吐出口を有する下ノズルの上方のヒータ洗浄位置に、前記第１吐出口に対向するように前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、前記基板保持手段に基板を保持していない状態で、前記下ノズルに洗浄液を供給して、前記第１吐出口から上方に向けて洗浄液を吐出させることにより、前記ヒータ洗浄位置に配置された前記ヒータの前記ハウジングの外表面に洗浄液を供給する下洗浄液吐出工程とを含む、ヒータ洗浄方法である。

　この方法によれば、第１吐出口の上方のヒータ位置にヒータが配置され、それによって、ヒータが第１吐出口に対向する。その状態で、第１吐出口から上方に向けて洗浄液が吐出される。第１吐出口からの洗浄液は、上方に向けて吹き上がり、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータのハウジングの下部外表面に着液し、この下部外表面を洗浄する。
　ヒータは、基板保持手段に保持された基板を加熱する加熱処理のために用いられる。この加熱処理の際には、基板の表面にハウジングの下部外表面が対向配置される。そのため、加熱処理後には、ハウジングの下部外表面に異物が付着しているおそれがある。このような異物は、第１吐出口から上方に向けて、すなわち、ハウジングの下部外表面に向けて供給される洗浄液により洗い流すことができる。これにより、ハウジングの外表面を良好に洗浄できるので、ハウジングの外表面を清浄な状態に保つことができる。

　前記ハウジングは、前記赤外線ランプによる基板に対する加熱処理時に基板の表面に対向する対向面を有していてもよい。また、前記加熱処理は、基板の上面に薬液が存在している状態で行われてもよい。この場合、加熱処理の際に、赤外線ランプにより薬液が急激に温められて、基板の主面の周囲に大量の薬液ミストが発生するおそれがある。そして、発生した薬液ミストが、ハウジングの対向面に付着するおそれがある。

　しかしながら、このような場合であっても、ヒータのハウジングの対向面を洗浄液を用いて洗浄することにより、ハウジングの対向面に付着している薬液ミストを洗い流すことができ、ハウジングの対向面を清浄な状態に保つことができる。ゆえに、ハウジング外に放出される赤外線の照射光量の低下を防止することができ、かつハウジングがパーティクル源になって基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止できる。

　この発明の一実施形態では、前記方法は、前記下洗浄液吐出工程に並行して、前記第１吐出口の上方（より具体的には前記ヒータ洗浄位置の上方）に配設された上ノズルから下方に向けて洗浄液を吐出することにより前記ハウジングの外表面に洗浄液を供給する上洗浄液吐出工程をさらに含む。
　この方法によれば、下ノズルからの洗浄液の吐出と並行して、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータの上方に配置された上ノズルから、下方に向けて洗浄液が吐出される。そのため、ハウジングの外表面の広範囲に、洗浄液を行き渡らせることができる。これにより、ヒータのハウジングの外表面を広範囲に洗浄することができる。

　前記上ノズルは、前記基板保持手段を収容する処理室の天井壁に配置される天井ノズルであってもよい。
　この発明の一実施形態では、前記方法は、前記下洗浄液吐出工程に並行して、前記第１吐出口から吐出される洗浄液の前記ハウジングの外表面における着液位置を移動させる着液位置移動工程をさらに含む。

　この方法によれば、第１吐出口からの洗浄液の吐出に並行して、ハウジングの外表面における洗浄液の着液位置が移動させられる。これにより、ハウジングの下部外表面の広範囲に洗浄液を着液させて、効果的な洗浄を図ることができる。
　前記着液位置移動工程は、前記第１吐出口からの洗浄液の吐出方向と交差する方向（水平方向）に前記ヒータを往復移動させる工程を含んでいてもよい。

　この発明の一実施形態では、前記方法は、前記下洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液を除去する乾燥工程をさらに含む。
　この方法によれば、洗浄液によるヒータハウジングの洗浄処理後に、ハウジングの外表面に残留する洗浄液が除去される。これにより、ハウジングの外表面に残留した洗浄液が、基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止することができる。

　この発明の一実施形態では、前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記ハウジングの外表面を加熱して乾燥させる加熱乾燥工程を含む。
　この方法によれば、赤外線ランプからの赤外線の照射によりハウジングが温められて、ハウジングの外表面に付着している洗浄液が蒸発して除去される。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。

　この発明の一実施形態では、前記下ノズルが、上方に向けて気体を吐出するための第２吐出口をさらに有しており、前記乾燥工程は、前記下ノズルに乾燥用ガスを供給して、前記第２吐出口から上方に向けて乾燥用ガスを吹き付けることにより、前記ヒータ洗浄位置に配置された前記ヒータの前記ハウジングの外表面に乾燥用ガスを供給する下乾燥用ガス吹付け工程を含む。

　この方法によれば、第２吐出口からの乾燥用ガスがヒータのハウジングの下部外表面に吹き付けられる。この乾燥用ガスによって、ハウジングの下部外表面に付着している洗浄液が吹き飛ばされる。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。
　この発明は、さらに、赤外線ランプと、前記赤外線ランプを収容するハウジングとを有し、基板の主面に対向する処理位置で、その基板の主面を加熱するヒータと、前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータが位置する状態で、前記ハウジングの外表面に、洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを含む、基板処理装置を提供する。

　この構成によれば、加熱処理時の処理位置とは異なる洗浄位置にヒータが配置された状態で、ヒータのハウジングの外表面に洗浄液が供給される。これにより、ハウジングの外表面に付着している異物を、洗浄液を用いて洗い流すことができる。ゆえに、ハウジングの外表面を良好に洗浄することができる。
　ハウジングは、赤外線ランプによって基板を加熱する加熱処理時に基板の表面に対向する対向面を有していてもよい。また、基板の主面に薬液が存在している状態で、基板に対して加熱処理が施されていてもよい。この場合、加熱処理の際に、赤外線ランプにより薬液が急激に温められて基板の主面の周囲に大量の薬液ミストが発生し、この薬液ミストがハウジングの対向面に付着することがある。

　しかしながら、このような薬液ミストは、ヒータへの洗浄液の供給によって洗い流される。これにより、ハウジングの対向面を洗浄することができる。ゆえに、ハウジング外に放出される赤外線の照射光量の低下や、ハウジングがパーティクル源になって基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止できる。
　前記洗浄位置が、前記ヒータが前記処理位置から退避して待機するときの待機位置であってもよい。この構成によれば、待機位置に待機するヒータに対して洗浄処理を施すので、ヒータが待機位置に位置していれば、基板処理の進行状況に拘わりなく、ヒータを洗浄することができる。すなわち、基板処理を中断することなくヒータを洗浄できるので、基板処理装置の生産性を高めることができる。

　この発明一実施形態では、前記基板処理装置は、前記ヒータを収容し、当該ヒータから飛散する洗浄液を受け止める収容部材をさらに含む。この構成によれば、ヒータの周囲に洗浄液が飛散するのを抑制することができる。
　この場合、前記収容部材は、底部に排出口を有し、液を溜めることが可能な有底容器状の貯留容器を含み、前記洗浄液供給手段は、前記貯留容器内に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを含んでいてもよい。この場合に、前記基板処理装置は、前記貯留容器の前記排出口に接続されて、前記貯留容器に溜められた液を排出するための排液配管と、前記排液配管に介装されて、前記排液配管を開閉する排液バルブとをさらに含んでいてもよい。

　この構成によれば、排液バルブが閉じられることにより有底容器からの洗浄液の排出が阻止される。この状態で、洗浄液ノズルから洗浄液が供給されることにより、貯留容器に洗浄液が溜められる。貯留容器に溜められた洗浄液中に、ヒータのハウジングの外表面を浸漬させることにより、ハウジングの外表面を洗浄することができる。
　前記洗浄液供給手段は、前記ハウジングの外表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を有する洗浄液ノズルを備えていてもよい。

　この発明一実施形態では、前記基板処理装置は、前記ハウジングの外表面から洗浄液を除去するために、前記ハウジングの外表面に向けて乾燥用ガスを吹き付ける乾燥用ガス吹付手段をさらに含む。
　この構成によれば、ヒータのハウジングに乾燥用ガス吹付手段から乾燥用ガスが吹き付けられる。乾燥用ガスによって、ハウジングの外表面に付着している洗浄液が吹き飛ばされる。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記ヒータを昇降させるヒータ昇降手段をさらに含み、前記乾燥用ガス吹付手段は、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガスノズルを含み、前記基板処理装置は、前記乾燥用ガス吹付手段および前記ヒータ昇降手段を制御して、前記乾燥用ガスノズルから乾燥用ガスを吐出させるとともに、前記ヒータを昇降させることにより、前記ハウジングの外表面における乾燥用ガスの供給位置を昇降させる吹付乾燥制御手段をさらに含む。

　この構成によれば、乾燥用ガスノズルからの乾燥用ガスが横向きに吐出されつつ、その吐出口に対向する領域をヒータが昇降する。このため、ハウジングの外表面の広い領域（好ましくは全域）に乾燥用ガスが吹き付けられるので、ハウジングの外表面の広い領域（好ましくは全域）から洗浄液を除去することができる。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥することができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射させることにより、前記外表面に付着している洗浄液を加熱して乾燥させる加熱乾燥制御手段をさらに含む。この構成によれば、赤外線ランプからの赤外線の照射によりハウジングが加熱されて、ハウジングの外表面に付着している洗浄液が除去される。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。

　この発明は、さらに、基板の主面に対向する処理位置でその基板の主面を加熱するヒータを洗浄するためのヒータ洗浄方法を提供する。ヒータは、赤外線ランプと、この赤外線ランプを収容するハウジングとを有する。前記ヒータ洗浄方法は、前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、前記洗浄位置に位置する前記ヒータの外表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを含む。

　この発明の一実施形態では、前記方法は、前記洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液を除去する乾燥工程をさらに含む。
　この方法によれば、洗浄液の供給によるヒータ洗浄処理後に、ハウジングの外表面に残留する洗浄液が除去される。これにより、洗浄液がハウジングの外表面に残留して、基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止することができる。

　この発明の一実施形態では、前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記外表面に付着している洗浄液を加熱して乾燥させる加熱乾燥工程を含む。
　この発明一実施形態では、前記乾燥工程は、前記ヒータを昇降させるヒータ昇降工程と、前記ハウジングの外表面に向けて、乾燥用ガスノズルから、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガス吐出工程とを含む。

　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の一実施形態に係るヒータ洗浄方法が実行される基板処理装置の構成を模式的に示す図である。前記基板処理装置に備えられたヒータヘッドの図解的な断面図である。前記ヒータヘッドに備えられた赤外線ランプの斜視図である。図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。前記基板処理装置によるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。ＳＰＭ液膜形成工程を説明するための図解的な図である。ＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な図である。ＳＰＭ液膜加熱工程におけるヒータヘッドの移動範囲を示す平面図である。ヒータヘッド洗浄乾燥工程の一例を示すフローチャートである。ヒータヘッド洗浄乾燥工程中の一工程を説明するための図解的な図である。図９Ａの次の工程を示す図解的な図である。ヒータヘッド洗浄乾燥工程におけるヒータヘッドの移動範囲を示す平面図である。本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。図１１に示す基板処理装置に備えられた洗浄ポッドの構成を示す図である。図１１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。図１１の基板処理装置におけるヒータヘッド洗浄乾燥工程の流れを示すフローチャートである。ヒータヘッド洗浄乾燥工程中の一工程を説明するための図解的な図である。図１５Ａの次の工程を示す図解的な図である。図１５Ｂの次の工程を示す図解的な図である。洗浄ポッドの他の構成例を示す図である。図１６の切断面線Ａ－Ａから見た断面図である。洗浄ポッドのさらに他の構成例を示す図である。図１８の切断面線Ｂ－Ｂから見た断面図である。

　図１は、本発明の一実施形態に係るヒータ洗浄方法が実行される基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。基板処理装置１は、たとえば基板の一例としてのウエハＷの表面（主面）に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。

　基板処理装置１は、隔壁２Ａにより区画された処理室２を備えている。処理室２の天井壁には、処理室２内に清浄空気を送り込むためのファンフィルタユニット（図示しない）が設けられている。清浄空気とは、基板処理装置１が設置されるクリーンルーム内の空気を浄化して生成される空気である。
　基板処理装置１は、処理室２内に、ウエハ回転機構（基板保持手段）３と、剥離液ノズル（薬液供給手段）４と、ヒータヘッド（ヒータ）３５とを備えている。ウエハ回転機構３は、ウエハＷを保持して回転させる。剥離液ノズル４は、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面（上面）に対して、薬液としてのレジスト剥離液の一例としてのＳＰＭ液を供給する。ヒータヘッド３５は、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置され、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液を加熱する。

　ウエハ回転機構３として、たとえば挟持式のものが採用されてもよい。具体的には、ウエハ回転機構３は、たとえば、ほぼ鉛直に延びるスピン軸７と、スピン軸７の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個の挟持部材９とを備えている。そして、各挟持部材９をウエハＷの端面に当接させて、複数の挟持部材９でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、ウエハＷの中心がスピン軸７の中心軸線上に配置される。

　スピン軸７には、モータ（図示しない）を含むチャック回転駆動機構６から回転力が入力される。この回転力の入力により、スピン軸７が回転し、挟持部材９に挟持されたウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース８ともに所定の回転軸線（鉛直軸線）Ｃまわりに回転する。チャック回転駆動機構６は、スピン軸７と一体化されたロータ（駆動軸）と、その周囲に配置されたステータとを有し、スピン軸７が鉛直方向に貫通した中空モータの形態を有していてもよい（図１１参照）。

　スピン軸７は中空軸であり、その内部には、それぞれ鉛直方向に延びる裏面側液供給管８０および裏面側ガス供給管８１が挿通されている。裏面側液供給管８０の上端部および裏面側ガス供給管８１の上端部は、それぞれ、スピン軸７の上端に設けられた裏面ノズル（下ノズル）８２に接続されている。裏面ノズル８２は、その上端に、円形の裏面液吐出口（第１吐出口）８４と、円形の裏面ガス吐出口（第２吐出口）８５とを有している。裏面液吐出口８４および裏面ガス吐出口８５は互いに近接して配置されている。各吐出口８４，８５は、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの下面のほぼ回転中心に対向している。裏面液吐出口８４および裏面ガス吐出口８５の上下方向の高さは揃っている。

　裏面側液供給管８０には、洗浄液の一例としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）が供給される洗浄液下供給管８６が接続されている。洗浄液下供給管８６には、その洗浄液下供給管８６を開閉するための洗浄液下バルブ８７が介装されている。
　裏面側ガス供給管８１には、乾燥用ガスの一例としての窒素ガスが供給される乾燥用ガス下供給管８８が接続されている。乾燥用ガス下供給管８８には、その乾燥用ガス下供給管８８を開閉するための乾燥用ガス下バルブ８９が介装されている。

　剥離液ノズル４は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭ液を吐出するストレートノズルである。剥離液ノズル４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１液アーム１１の先端に取り付けられている。第１液アーム１１は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第１液アーム１１には、第１液アーム１１を所定角度範囲内で揺動させるための第１液アーム揺動機構１２が結合されている。第１液アーム１１の揺動により、剥離液ノズル４は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。このホームポジションは、ヒータヘッド３５がウエハＷの上方から退避して待機するときの待機位置である。

　剥離液ノズル４には、ＳＰＭ供給源からのＳＰＭ液が供給される剥離液供給管１５が接続されている。剥離液供給管１５の途中部には、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給／供給停止を切り換えるための剥離液バルブ２３が介装されている。
　また、基板処理装置１は、ＤＩＷノズル２４と、ＳＣ１ノズル２５と、カップ５とを備えている。ＤＩＷノズル２４は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給する。ＳＣ１ノズル２５は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給する。カップ５は、ウエハ回転機構３の周囲を取り囲み、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭ液やＳＣ１、ＤＩＷを受け止める。

　ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、ウエハ回転機構３の上方で、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の途中部には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介装されている。

　ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２液アーム２８の先端に取り付けられている。第２液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第２液アーム２８には、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させるための第２液アーム揺動機構２９が結合されている。第２液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。

　ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の途中部には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
　ウエハ回転機構３の側方には、鉛直方向に延びる支持軸３３が配置されている。支持軸３３の上端部には、水平方向に延びるヒータアーム３４が結合されている。そのヒータアーム３４の先端に、赤外線ランプ３８を収容保持するヒータヘッド３５が取り付けられている。また、支持軸３３には、支持軸３３を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構３６と、支持軸３３を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構３７とが結合されている。

　揺動駆動機構３６から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を所定の角度範囲内で回動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上方で、ヒータアーム３４が、支持軸３３を支点として揺動する。ヒータアーム３４の揺動により、ヒータヘッド３５が、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動する。また、昇降駆動機構３７から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を上下動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（図１に二点鎖線で示す高さの位置。後述する中央近接位置および周縁近接位置を含む。）と、そのウエハＷの上方に退避する退避位置（図１に実線で示す高さの位置）との間で、ヒータヘッド３５が昇降する。この実施形態では、近接位置は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面とヒータヘッド３５の下面（対向面）５２Ｂとの間隔がたとえば３ｍｍになる位置に設定されている。

　処理室２の天井壁の下面には、ウエハ回転機構３による回転軸線Ｃの上方に、洗浄液上ノズル（天井ノズル）９４と乾燥用ガス上ノズル（天井ノズル）９５とが互いに横方向に隣接して配置されている。
　洗浄液上ノズル９４は、下向きにシャワー状に液を吐出するための吐出口を有している。洗浄液上ノズル９４には、洗浄液が供給される洗浄液上供給管９０が接続されている。洗浄液上供給管９０には、その洗浄液上供給管９０を開閉するための洗浄液上バルブ９１が介装されている。

　乾燥用ガス上ノズル９５は、鉛直下向きに気体を吐出するための吐出口を有している。乾燥用ガス上ノズル９５には、乾燥用ガスの一例としての窒素ガスが供給される乾燥用ガス上供給管９２が接続されている。乾燥用ガス上供給管９２には、その乾燥用ガス上供給管９２を開閉するための乾燥用ガス上バルブ９３が介装されている。
　図２は、ヒータヘッド３５の構成例を示す図解的な断面図である。

　ヒータヘッド３５は、赤外線ランプ３８と、上部に開口部３９を有し、赤外線ランプ３８を収容する有底容器状のランプハウジング（ハウジング）４０と、ランプハウジング４０の内部で赤外線ランプ３８を吊り下げて支持する支持部材４２と、ランプハウジング４０の開口部３９を閉塞するための蓋（ハウジング）４１とを備えている。この実施形態では、蓋４１がヒータアーム３４の先端に固定されている。

　図３は、赤外線ランプ３８の構成例を示す斜視図である。図２および図３に示すように、赤外線ランプ３８は、円環状の（円弧状の）円環部４３と、円環部４３の両端から、円環部４３の中心軸線に沿うように延びる一対の直線部４４，４５とを有する１本の赤外線ランプヒータである。主として円環部４３が赤外線を放射する発光部として機能する。この実施形態では、円環部４３の直径（外径）は、たとえば約６０ｍｍに設定されている。赤外線ランプ３８が支持部材４２に支持された状態で、円環部４３は水平姿勢をなしている。換言すると、円環部４３の中心軸線は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に垂直な軸線（鉛直軸線）である。

　赤外線ランプ３８は、フィラメントを石英管内に収容して構成されている。赤外線ランプ３８には、電圧供給のためのアンプ５４（図４参照）が接続されている。赤外線ランプ３８として、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。
　図２に示すように、蓋４１は円板状をなし、ヒータアーム３４に対して水平姿勢に固定されている。蓋４１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋４１はヒータアーム３４と一体に形成されている。しかしながら、蓋４１をヒータアーム３４と別に形成するようにしてもよい。また、蓋４１の材料として、ＰＴＦＥ等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用することもできる。

　蓋４１の下面４９には、略円筒状の溝部５１が形成されている。溝部５１は水平平坦面からなる上底面５０を有し、上底面５０に支持部材４２の上面４２Ａが接触して固定されている。蓋４１には、上底面５０を上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔５８，５９が形成されている。各挿通孔５８，５９は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５の各上端部が挿通するように形成されている。

　ランプハウジング４０は有底円筒容器状をなしている。ランプハウジング４０は石英を用いて形成されている。
　ランプハウジング４０は、その開口部３９を上方に向けた状態で、蓋４１の下面４９（この実施形態では、溝部５１以外の領域の下面）に固定されている。ランプハウジング４０の開口側の周端縁からは、円環状のフランジ４０Ａが径方向外方に向けて（水平方向に）突出している。フランジ４０Ａがボルト等の固定ユニット（図示しない）を用いて蓋４１の下面４９に固定されることにより、ランプハウジング４０が蓋４１に支持されている。

　この状態で、ランプハウジング４０の底板部５２は、水平姿勢の円板状をなしている。底板部５２の上面５２Ａおよび下面５２Ｂ（対向面）は、それぞれ水平平坦面をなしている。ランプハウジング４０内において、赤外線ランプ３８は、その円環部４３の下部が底板部５２の上面５２Ａに近接して対向配置されている。円環部４３と底板部５２とは互いに平行に設けられている。見方を変えると、円環部４３の下方は、ランプハウジング４０の底板部５２によって覆われている。この実施形態では、ランプハウジング４０の外径は、たとえば約８５ｍｍに設定されている。また、赤外線ランプ３８（円環部４３の下部）と上面５２Ａとの間の上下方向の間隔はたとえば約２ｍｍに設定されている。

　支持部材４２は厚肉の板状（略円板状）をなしており、ボルト５６等によって、蓋４１にその下方から、水平姿勢で取付け固定されている。支持部材４２は、耐熱性を有する材料（たとえばセラミックスや石英）を用いて形成されている。支持部材４２は、その上面４２Ａおよび下面４２Ｂを、上下方向（鉛直方向）に貫通する２つの挿通孔４６，４７を有している。赤外線ランプ３８の直線部４４，４５が、挿通孔４６，４７にそれぞれ挿通している。

　各直線部４４，４５の途中部には、Ｏリング４８が外嵌固定されている。直線部４４，４５を挿通孔４６，４７に挿通させた状態では、２つのＯリング４８の外周が対応する挿通孔４６，４７の内壁にそれぞれ圧接する。これにより、直線部４４，４５の各挿通孔４６，４７に対する抜止めが達成され、赤外線ランプ３８が支持部材４２によって吊り下げ支持される。

　アンプ５４から赤外線ランプ３８に電力が供給されると、赤外線ランプ３８が赤外線を放射し、その赤外線は、ランプハウジング４０を介して、ヒータヘッド３５の下方に向けて出射される。ランプハウジング４０の底板部５２を介して出射された赤外線が、ウエハＷ上のＳＰＭ液を加熱する。
　より具体的には、後述するレジスト除去処理の際に、ヒータヘッド３５の下端面を構成するランプハウジング４０の底板部５２が、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置される。この状態では、ランプハウジング４０の底板部５２を介して出射された赤外線が、ウエハＷおよびウエハＷ上のＳＰＭ液を加熱する。

　また、蓋４１内には、ランプハウジング４０の内部にエアを供給するための給気経路６０と、ランプハウジング４０の内部の雰囲気を排気するための排気経路６１とが形成されている。給気経路６０および排気経路６１は、蓋４１の下面に開口する給気ポート６２および排気ポート６３をそれぞれ有している。給気経路６０には、給気配管６４の一端が接続されている。給気配管６４の他端は、エアの給気源に接続されている。排気経路６１には、排気配管６５の一端が接続されている。排気配管６５の他端は、排気源に接続されている。

　図４は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、チャック回転駆動機構６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、第１液アーム揺動機構１２、第２液アーム揺動機構２９、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、洗浄液下バルブ８７、乾燥用ガス下バルブ８９、洗浄液上バルブ９１、乾燥用ガス上バルブ９３等が制御対象として接続されている。

　図５は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図６Ａは、後述するＳＰＭ液膜形成工程を説明するための図解的な図である。図６Ｂは、後述するＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な図である。図７は、後述するＳＰＭ液膜加熱工程におけるヒータヘッド３５の移動範囲を示す平面図である。
　以下、図１～図７を参照しつつ、レジスト除去処理の処理例について説明する。

　レジスト除去処理に際しては、制御装置５５によって制御される搬送ロボット（図示しない）によって、処理室２（図１参照）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳ１：ウエハ搬入）。ウエハＷは、その表面を上方に向けた状態でウエハ回転機構３に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、ヒータヘッド３５、剥離液ノズル４およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。

　ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御装置５５はチャック回転駆動機構６を制御して、ウエハＷを回転開始させる（ステップＳ２）。ウエハＷの回転速度は、液盛り速度（３０～３００ｒｐｍの範囲で、たとえば６０ｒｐｍ）まで上げられ、その後、その液盛り速度に維持される。液盛り速度とは、後に供給されるＳＰＭ液でウエハＷをカバレッジできる速度、すなわち、ウエハＷの表面にＳＰＭ液の液膜を保持可能な速度である。また、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの上方位置に移動させる。

　ウエハＷの回転速度が液盛り速度に達した後、図６Ａに示すように、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を開いて、剥離液ノズル４からＳＰＭ液をウエハＷの表面に供給する。ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭ液は、ウエハＷの表面上に溜められていき、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成される（ステップＳ３：ＳＰＭ液膜形成工程）。

　図６Ａに示すように、ＳＰＭ液膜形成工程の開始時には、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの回転中心上に配置させ、剥離液ノズル４からＳＰＭ液を吐出させる。これにより、ウエハＷの表面にＳＰＭ液の液膜７０を形成して、ＳＰＭ液をウエハＷの表面の全域に行き渡らせることができる。これにより、ＳＰＭ液の液膜７０でウエハＷの表面の全域を覆うことができる。

　剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の吐出開始から予め定める液膜形成期間が経過すると、制御装置５５は、チャック回転駆動機構６を制御して、ウエハＷの回転速度を液盛り速度よりも小さい所定の加熱処理速度に下げる。これにより、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程（加熱処理）が実行される。
　加熱処理速度は、ウエハＷへのＳＰＭ液の供給がなくても、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０を保持可能な速度（１～２０ｒｐｍの範囲で、たとえば１５ｒｐｍ）である。また、チャック回転駆動機構６によるウエハＷの減速と同期して、図６Ｂに示すように、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を閉じて、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給を停止するとともに、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をホームポジションに戻す。ウエハＷへのＳＰＭ液の供給が停止されるが、ウエハＷの回転速度が加熱処理速度に下げられることにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０が継続して保持される。

　また、図６Ｂおよび図７に示すように、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させる。さらに、制御装置５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を、ホームポジションから移動させ、さらに、ウエハＷの回転中心と対向する中央近接位置（図６Ｂおよび図７に実線で示す位置）と、ウエハＷの周縁部と対向する周縁近接位置（図６Ｂおよび図７に二点鎖線で示す位置）との間で往復移動させる。赤外線ランプ３８による赤外線の照射により、赤外線ランプ３８直下のウエハＷおよびＳＰＭ液が急激に温められ、ウエハＷとの境界付近のＳＰＭ液が温められる。そして、ウエハＷの表面における底板部５２の下面５２Ｂに対向する領域（赤外線ランプ３８に対向する領域）が、ウエハＷの回転中心を含む領域からウエハＷの周縁を含む領域に至る範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域を加熱することができる。

　赤外線ランプ３８からの赤外線の照射により、赤外線ランプ３８直下のＳＰＭ液が急激に温められる。そのため、ウエハＷの表面の周囲に、大量のＳＰＭ液ミストが生じる。
　なお、周縁近接位置は、ヒータヘッド３５をその上方から見たときに、底板部５２の下面５２Ｂの一部、より好ましくは赤外線ランプ３８の円環部４３が、ウエハＷの外周よりも径方向に張り出している位置である。

　ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程では、ＳＰＭ液の液膜７０がウエハＷの表面との境界付近で温められる。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの表面からのレジストの剥離が進行する。
　その後、ウエハＷの回転速度が下げられてから予め定める液膜加熱処理時間が経過すると、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる。また、制御装置５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５をホームポジションに戻す。このＳＰＭ液膜加熱工程の終了時には、ヒータヘッド３５のランプハウジング４０の下面５２Ｂには、大量のＳＰＭ液ミストが付着している。

　そして、制御装置５５は、チャック回転駆動機構６を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（３００～１５００ｒｐｍの範囲で、たとえば１０００ｒｐｍ）に上げる。さらに、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ５：中間リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって洗い流される。

　ＤＩＷの供給が所定の中間リンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
　ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの表面に供給する（ステップＳ６）。また、制御装置５５は、第２液アーム揺動機構２９を制御して、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５を、ウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域に、ＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力により、ウエハＷの表面に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。

　ＳＣ１の供給が所定のＳＣ１供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、第２液アーム揺動機構２９を制御して、ＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。また、ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給させる（ステップＳ７：リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。

　ＤＩＷの供給が所定のリンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
　リンス処理の開始から所定時間が経過すると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給を停止する。その後、制御装置５５は、チャック回転駆動機構６を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００～２５００ｒｐｍ）に上げて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥されるスピンドライ処理を行う（ステップＳ８）。

　スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、制御装置５５は、チャック回転駆動機構６を制御して、ウエハ回転機構３の回転を停止させる。これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳ９）。
　ウエハＷの搬出後、ヒータヘッド３５を洗浄し、その洗浄後のヒータヘッド３５を乾燥するヒータヘッド洗浄乾燥工程が実行される（ステップＳ１０）。ヒータヘッド洗浄乾燥工程では、ヒータヘッド３５を洗浄するための洗浄処理が施され、その洗浄処理後のヒータヘッド３５に対して乾燥処理が施される。ステップＳ１０のヒータヘッド洗浄乾燥工程の終了により、１枚のウエハＷに対する一連のレジスト除去処理は終了する。

　図８は、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の一例を説明するためのフローチャートである。図９Ａは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程における洗浄処理を説明するための図解的な図であり、図９Ｂは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程における乾燥処理を説明するための図解的な図である。図１０は、ヒータヘッド洗浄乾燥工程におけるヒータヘッド３５の移動範囲を示す平面図である。

　ヒータヘッド洗浄乾燥工程の洗浄処理では、制御装置５５は、揺動駆動機構３６を制御してヒータアーム３４を揺動させる、かつ昇降駆動機構３７を制御してヒータヘッド３５を昇降させて、ヒータヘッド３５をホームポジションからウエハ回転機構３の上方のヒータ洗浄位置に移動させる。このとき、ウエハ回転機構３にはウエハＷが保持されていない。そのため、ヒータヘッド３５は、スピンベース８の上面に対向して配置される（ステップＳ２１。ヒータ配置工程）。より詳しくは、ウエハ回転機構３による回転中心の上方（回転軸線Ｃ上）のヒータ洗浄位置にヒータヘッド３５（ランプハウジング４０）の円形の下面５２Ｂが位置するように配置される。ヒータ洗浄位置は、裏面液吐出口８４から吹き上げられる洗浄液がヒータヘッド３５の下面５２Ｂに達するような高さ位置であることが望ましい。

　また、図９Ａに示すように、制御装置５５は、洗浄液上バルブ９１（図１等参照）を開いて、洗浄液上ノズル９４から下向きにシャワー状に洗浄液を吐出させる（ステップＳ２２。上洗浄液吐出工程）。これにより、洗浄液上ノズル９４から下方に向けて流下した洗浄液は、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータヘッド３５に降り掛かる。すなわち、ヒータヘッド３５の上面（たとえば蓋４１の上面）に着液する。

　また、制御装置５５は、洗浄液下バルブ８７（図１等参照）を開いて、裏面ノズル８２の裏面液吐出口８４から鉛直上方に向けて洗浄液を吐出させる（ステップＳ２２。下洗浄液吐出工程）。これにより、裏面液吐出口８４から、洗浄液が、鉛直上方に向けて吹き上がる。裏面液吐出口８４から吹き上げられた洗浄液は、ヒータヘッド３５の下面を構成するランプハウジング４０の底板部５２の下面５２Ｂに着液する。

　また、制御装置５５は揺動駆動機構３６を制御してヒータアーム３４を揺動させて、ヒータヘッド３５を、第１移動端位置と第２移動端位置との間で往復移動させる。第１移動端位置から第２移動端位置までの範囲内の任意の位置は、いずれもヒータ洗浄位置である。第１移動端位置は、図１０に実線で示すように、スピンベース８の中心とスピンベース８の一周縁部との間においてスピンベース８の上方に設定されている。第２移動端位置は、図１０に二点鎖線で示すように、スピンベース８の中心とスピンベース８の他周縁部との間においてスピンベース８の上方に設定されている。さらに具体的には、第１移動端位置は、ランプハウジング４０の下面５２Ｂの一周縁部がスピンベース８の回転中心上（回転軸線Ｃ上）にある位置である。第２移動端位置は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂの他周縁部（前記の一周縁部に対して下面５２Ｂの中心を挟んで反対側の周縁部）がスピンベース８の回転中心上（回転軸線Ｃ上）にある位置である。

　制御装置５５は、まず、揺動駆動機構３６を制御してヒータアーム３４を揺動させることにより、ヒータヘッド３５を、スピンベース８の中心から、前記第１移動端位置（図１０に実線で示す位置）に移動させる。次いで、制御装置５５は、揺動駆動機構３６を制御して、ヒータアーム３４を所定角度範囲内で揺動させて、ヒータヘッド３５を、前記第１移動端位置と前記第２移動端位置（図１０に二点鎖線で示す位置）上との間で往復移動させる（ステップＳ２３。着液位置移動工程）。

　これによって、裏面液吐出口８４からの洗浄液が導かれる下面５２Ｂ上において、洗浄液の着液位置は、下面５２Ｂの一周縁部から中心を経由して他周縁部に至る範囲内を、下面５２Ｂの周方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂの全域に洗浄液がむらなく供給され、この洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。

　また、裏面液吐出口８４からの洗浄液が導かれるヒータヘッド３５の上面（蓋４１の上面）においても、洗浄液の着液位置が、円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。ヒータヘッド３５の上面に供給された洗浄液は、ヒータヘッド３５の上面全域へと拡がり、また、ヒータヘッド３５の側壁へと拡がる。
　以上により、ヒータヘッド３５の外表面の全域に洗浄液がまんべんなく行き渡り、ヒータヘッド３５の外表面の全域を良好に洗浄することができる。

　洗浄液上ノズル９４および裏面液吐出口８４からの洗浄液の吐出、ならびにヒータアーム３４の往復揺動は、予め定める洗浄処理時間が経過するまで続行される。
　予め定める洗浄処理時間が終了すると（ステップＳ２４でＹＥＳ）、制御装置５５は、洗浄液上バルブ９１および洗浄液下バルブ８７を閉じて（ステップＳ２５）、洗浄液上ノズル９４および裏面液吐出口８４からの洗浄液の吐出を停止する。

　また、図９Ｂに示すように、制御装置５５は、乾燥用ガス上バルブ９３を開く（ステップＳ２６）。これにより、乾燥用ガス上ノズル９５からの乾燥用ガスが、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータヘッド３５の上面に吹き付けられる。この乾燥用ガスによって、ヒータヘッド３５の上面に付着している洗浄液が吹き飛ばされる。
　また、制御装置５５は、乾燥用ガス下バルブ８９を開く（ステップＳ２６。下乾燥用ガス吹付け工程）。これにより、裏面ノズル８２の裏面ガス吐出口８５からの乾燥用ガスが、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータヘッド３５のランプハウジング４０の下面５２Ｂに吹き付けられる。

　このとき、制御装置５５は揺動駆動機構３６を制御してヒータアーム３４を揺動させて、ヒータヘッド３５を、第１移動端位置と第２移動端位置との間で往復移動させる。これによって、裏面ガス吐出口８５からの乾燥用ガスの下面５２Ｂにおける吹付け位置は、下面５２Ｂの一周縁部から中心を経由して他周縁部に至る範囲内を、下面５２Ｂの周方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。

　これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂの全域に乾燥用ガスがむらなく供給され、この乾燥用ガスによって、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着している洗浄液が吹き飛ばされる。
　さらに、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させる（ステップＳ２６。加熱乾燥工程）。これにより、ランプハウジング４０が温められて、ランプハウジング４０の下面５２Ｂまたは外周に付着している洗浄液が蒸発して除去される。

　乾燥用ガス上ノズル９５および裏面ノズル８２からの乾燥用ガスの吐出、ならびに赤外線ランプ３８からの赤外線の放射は、予め定める乾燥処理時間が経過するまで続行される。
　予め定める乾燥処理時間が終了すると（ステップＳ２７でＹＥＳ）、制御装置５５は、乾燥用ガス上バルブ９３および乾燥用ガス下バルブ８９を閉じて（ステップＳ２８）、乾燥用ガス上ノズル９５および裏面ガス吐出口８５からの乾燥用ガスの吐出を停止する。

　また、制御装置５５は、揺動駆動機構３６を制御して、ヒータアーム３４を揺動させ、洗浄処理後のヒータヘッド３５をホームポジションに戻す。
　ヒータヘッド洗浄乾燥工程の終了により、一連のレジスト除去処理は終了する。
　以上により、この実施形態によれば、各ウエハＷに対するレジスト除去処理において、ヒータヘッド３５を洗浄するための洗浄処理が実行される。この洗浄処理では、裏面液吐出口８４の上方に対向するヒータ洗浄位置に、ヒータヘッド３５が配置される。また、裏面液吐出口８４から鉛直上方に向けて洗浄液が吐出される。裏面液吐出口８４からの洗浄液は、鉛直上方に向けて吹き上がり、ヒータ洗浄位置に配置されたヒータヘッド３５のランプハウジング４０の下面５２Ｂに着液する。

　ＳＰＭ液膜加熱工程において発生する大量のＳＰＭ液ミストはランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着することがある。裏面液吐出口８４からランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストを洗い流すことができるから、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを清浄な状態に保つことができる。その結果、ランプハウジング４０外に放出される赤外線の照射光量の低下を防止することができ、かつランプハウジング４０の下面５２Ｂがパーティクル源になることを防止することができる。

　また、ヒータヘッド３５の洗浄処理後に、ヒータヘッド３５の外表面が乾燥される。これにより、ヒータヘッド３５の外表面に残留した洗浄液が、ウエハＷの処理に悪影響を及ぼすことを防止できる。
　以上の実施形態について、次のような変形が可能である。
　たとえば、前述の実施形態では、ヒータヘッド３５の洗浄処理において、ヒータヘッド３５に、洗浄液上ノズル９４および裏面液吐出口８４の双方から洗浄液を供給している。しかし、ヒータヘッド３５の洗浄処理において、洗浄液上ノズル９４からの洗浄液を供給せずに、裏面液吐出口８４からのヒータヘッド３５に対する洗浄液の供給のみによって、ヒータヘッド３５を洗浄するようにしてもよい。この場合には、ヒータヘッド３５の乾燥処理において、ヒータヘッド３５に対する乾燥用ガス上ノズル９５の吹き付けの必要はない。

　また、前述の実施形態では、ヒータヘッド３５を水平方向に往復移動させることにより、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂにおける洗浄液の着液位置を移動させている。しかし、ヒータヘッド３５を移動する代わりに、たとえば、裏面ノズル８２として液の吐出方向を変更可能な吐出口を有するノズルを採用することもできる。この場合には、吐出口からの洗浄液の吐出方向を異ならせることにより、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂにおける洗浄液の着液位置を移動させることができる。

　さらに、前述の実施形態では、ヒータヘッド３５の乾燥処理において、ヒータヘッド３５に付着した洗浄液を、乾燥用ガス上ノズル９５や裏面ノズル８２からの乾燥用ガスを吹き付けて飛ばす吹き飛ばし乾燥と、赤外線ランプ３８によりランプハウジング４０を温める加熱乾燥との双方を行う例を説明した。しかし、乾燥用ガスによる吹き飛ばし乾燥は行わずに、赤外線ランプ３８による加熱乾燥のみにより、ヒータヘッド３５を乾燥させてもよい。

　また、裏面ノズル８２は、裏面液吐出口８４と裏面ガス吐出口８５とを有しているが、これに代えて、１つの吐出口から洗浄液と乾燥ガスとを選択的に吐出させるように構成されたノズルを採用することもできる。
　また、ヒータヘッド洗浄乾燥工程（図５に示すステップＳ１０）と併せて、ヒータアーム３４の洗浄が行われてもよい。ヒータアーム３４の洗浄は、洗浄液上ノズル９４から吐出される洗浄液を用いて行うことができる。また、処理室２内に別途配設されたバーノズル（図示しない）を用いて、ヒータアーム３４を洗浄することもできる。バーノズルは、鉛直下方に向く多数の吐出口が水平方向に沿って一列または複数列に配列されており、たとえば、処理室２内の上部領域に配置される。この場合、ヒータアーム３４（およびヒータヘッド３５）が、バーノズルの下方に対向配置された状態で、バーノズルの各吐出口から洗浄液が吐出される。それによって、洗浄液がヒータアーム３４の外表面に降り掛かり、ヒータアーム３４の外表面が洗浄される。

　さらに、ヒータヘッド洗浄乾燥工程（図５に示すステップＳ１０）と併せて処理室２内の洗浄（チャンバ洗浄）が行われてもよい。
　図１１は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置１０１の構成を模式的に示す図である。この図１１において、前述の図１に示された各部に対応する部分に同一参照符号を付し、説明を省略する。

　基板処理装置１０１は、処理室２内に、ウエハＷを保持して回転させるウエハ回転機構（基板保持手段）３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面（上面）に対して、薬液としてのレジスト剥離液の一例としてのＳＰＭ液を供給するための剥離液ノズル（薬液供給手段）４と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置され、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液を加熱するヒータヘッド（ヒータ）３５と、洗浄ポッド（貯留容器）１８０とを備えている。

　洗浄ポッド１８０は、ヒータヘッド３５のホームポジションに配置されている。洗浄ポッド１８０は、有底円筒状の容器であり、ヒータヘッド３５は、不使用時には、洗浄ポッド１８０に収容された状態で待機させられる。
　図１２は、洗浄ポッド１８０の構成を示す図である。洗浄ポッド１８０は、有底円筒状の容器である。洗浄ポッド１８０の上面は開放されていて、その上面に、ヒータヘッド３５を受け入れる入口が形成されている。ヒータヘッド３５は、この入口から洗浄ポッド１８０内に収容される。洗浄ポッド１８０は、円筒状の周壁１８１と、この周壁１８１の下端に結合された底部１８２とを含む。

　底部１８２の略中央部には、排液口１８３が形成されている。底部１８２の下面には、排液配管１８４の一端が排液口１８３に接続されている。排液配管１８４の他端は、排液を処理するための排液設備へと接続されている。排液配管１８４には、排液配管１８４を開閉するための排液バルブ１８５が介装されている。なお、排液バルブ１８５は、通常、開成されている。

　周壁１８１には、ヒータヘッド３５の外表面に洗浄液の一例としてのＤＩＷを供給するための洗浄液ノズル（洗浄液供給手段）１８６が配設されている。洗浄液ノズル１８６には、洗浄液供給管（洗浄液供給手段）１８７を通じて洗浄液が供給される。洗浄液供給管１８７には洗浄液バルブ（洗浄液供給手段）１８８が介装されている。洗浄液バルブ１８８が開かれることにより、洗浄液ノズル１８６に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル１８６の吐出口から洗浄液が吐出される。

　排液バルブ１８５が閉じられた状態で、洗浄液ノズル１８６から洗浄液が吐出されると、洗浄液は底部１８２へと導かれ、洗浄ポッド１８０内に溜められる。また、洗浄ポッド１８０内に溜まった洗浄液は、排液バルブ１８５が開かれることにより排液口１８３から排液され、排液配管１８４を通して排液される。
　周壁１８１の上端縁よりやや下方位置には、ヒータヘッド３５の外表面に乾燥用ガスの一例としての窒素ガスを供給するための乾燥用ガスノズル（乾燥用ガス吹付手段）１８９が配置されている。この実施形態では、複数（たとえば一対）の乾燥用ガスノズル１８９が備えられている。一対の乾燥用ガスノズル１８９は、たとえば、その吐出口が洗浄ポッド１８０の中心軸線を挟んで対向するように同じ高さで周壁１８１に配設されている。

　各乾燥用ガスノズル１８９には、乾燥用ガス供給管（乾燥用ガス吹付手段）１９０を通じて乾燥用ガスが供給される。各乾燥用ガス供給管１９０には乾燥用ガスバルブ（乾燥用ガス吹付手段）１９１が介装されている。乾燥用ガスバルブ１９１が開かれることにより、対応する乾燥用ガスノズル１８９に乾燥用ガスが供給される。各乾燥用ガスノズル１８９からは、洗浄ポッド１８０の内側に向けて略水平に乾燥用ガスが吐出される。

　図１３は、基板処理装置１０１の電気的構成を示すブロック図である。図１３において、前述の図４に示された各部の対応部分には、同一参照符号を付す。基板処理装置１０１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、チャック回転駆動機構６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、第１液アーム揺動機構１２、第２液アーム揺動機構２９、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、排液バルブ１８５、洗浄液バルブ１８８、乾燥用ガスバルブ１９１等が制御対象として接続されている。

　基板処理装置１０１におけるレジスト除去処理の例は、前述の実施形態と実質的に同様である。すなわち、図５、図６Ａ、図６Ｂおよび図７を参照して説明したレジスト除去処理は、基板処理装置１０１によっても行うことができる。ただし、ヒータヘッド洗浄乾燥工程（図５のステップＳ１０）の内容は、異なるので、以下に説明する。
　ヒータヘッド３５がホームポジションにあるときには、ヒータヘッド３５は、洗浄ポッド１８０内に収容されている。すなわち、制御装置５５により揺動駆動機構３６が駆動されて、ヒータヘッド３５が洗浄ポッド１８０の上面の鉛直上方に配置されるようにヒータアーム３４が移動される。さらに、制御装置５５により昇降駆動機構３７が制御されて、ヒータヘッド３５がホームポジションに達するまで、ヒータアーム３４およびヒータヘッド３５が鉛直下方に降下される。ヒータヘッド３５がホームポジションに達すると、その位置で待機させられる。ホームポジションでは、ヒータヘッド３５の少なくともランプハウジング４０の全体（好ましくはヒータヘッド３５の全体）が洗浄ポッド１８０内に収容される。

　この実施形態では、ヒータヘッド３５は、スピンベース８の上方ではなく、ホームポジションで洗浄される。そのため、ウエハＷの搬出後でなくても、すなわち、スピンベース８上にウエハＷが存在しているときであっても、不使用状態である限り、ヒータヘッド３５を洗浄することができる。すなわち、レジスト除去処理の進行状況に拘わりなく、ヒータヘッド３５を洗浄することができる。したがって、ヒータヘッド３５の洗浄タイミングは、その使用タイミング以外の任意のタイミングとすることができる。具体的には、たとえばＳＰＭ液膜加熱工程（図５に示すステップＳ４）の終了後において、ホームポジションに戻されたヒータヘッド３５に対して洗浄処理や乾燥処理を施すようにしてもよい（図５に二点鎖線で示すステップＳ２０：ヒータヘッド洗浄乾燥工程）。また、ＳＰＭ液膜加熱工程後であれば、その他のタイミングでヒータヘッド洗浄乾燥工程を実行させてもよい。

　図１４は、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の一例を示すフローチャートである。図１５Ａは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程における洗浄処理を説明するための図解的な図であり、図１５Ｂおよび図１５Ｃは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程における乾燥処理を説明するための図解的な図である。
　所定の洗浄タイミングになると、制御装置５５は、排液バルブ１８５を閉じ、洗浄液バルブ１８８を開く（ステップＳ３１）。排液バルブ１８５が閉じられた状態で、洗浄液ノズル１８６から洗浄液が吐出されると、図１５Ａに示すように、洗浄液は洗浄ポッド１８０内を底部１８２へと導かれ、洗浄ポッド１８０内に溜められる。洗浄液ノズル１８６からの洗浄液の吐出は、洗浄ポッド１８０内に溜められている処理液の液面高さが、予め定める洗浄高さに達するまで続行される。この洗浄高さは、ホームポジションにあるヒータヘッド３５の下面５２Ｂよりも上方位置に設定されている。したがって、洗浄ポッド１８０に溜められた洗浄液の液面が洗浄高さに達している場合には、ランプハウジング４０の下部分の外表面（下面５２Ｂおよびランプハウジング４０の周壁の下部分の外周面）は洗浄液に浸漬された状態にある。

　洗浄ポッド１８０に溜められている洗浄液の液面高さが洗浄高さに達すると（ステップＳ３２でＹＥＳ）、制御装置５５は洗浄液バルブ１８８を閉じる（ステップＳ３３）。これにより、洗浄液ノズル１８６からの洗浄液の供給が停止される。たとえば、液面センサ（図示しない）によって洗浄液の液面高さを検出し、この液面センサからの検出出力に基づき、制御装置５５が液面の洗浄高さへの到達を判断するようにしてもよい。また、洗浄ポッド１８０内に洗浄液が全く溜められていない状態から、洗浄ポッド１８０内の液面高さが洗浄高さに達するような液溜め時間が予め設定されており、洗浄液バルブ１８８の開成からそのような液溜め時間が経過したタイミングで、洗浄液バルブ１８８が閉じられてもよい。

　ランプハウジング４０の下面５２Ｂの洗浄液への浸漬により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。その後、洗浄ポッド１８０に溜められている洗浄液の量が維持され、それによって、ランプハウジング４０の下部分の外表面の洗浄液への浸漬が維持される。
　洗浄液バルブ１８８が閉じられてから予め定める洗浄処理時間（浸漬時間）が経過すると（ステップＳ３４でＹＥＳ）、制御装置５５は排液バルブ１８５を開く（ステップＳ３５）。洗浄ポッド１８０内に溜められた洗浄液は、排液バルブ１８５が開かれることにより、排液口１８３から排液配管１８４を通して排液される。これにより、ランプハウジング４０の下部分の外表面の洗浄液への浸漬が終了する。

　次いで、図１５Ｂおよび図１５Ｃに示す乾燥処理が実行される。
　洗浄ポッド１８０内から洗浄液が抜かれた後、制御装置５５は、各乾燥用ガスバルブ１９１を開く（ステップＳ３６）。これにより、各乾燥用ガスノズル１８９の吐出口から、洗浄ポッド１８０の内側に向けて、略水平に乾燥用ガスが吐出される。
　また、制御装置５５は昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を上昇させる。それによって、ランプハウジング４０の周壁外周面に、乾燥用ガスノズル１８９の吐出口が対向させられる。

　その後、制御装置５５は昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を、予め定める上位置（図１５Ｂに実線で示す位置）と、中間位置（図１５Ｂに二点鎖線で、図１５Ｃに実線でそれぞれ示す位置）との間を昇降させる（ステップＳ３７）。ヒータヘッド３５の上位置では、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂが乾燥用ガスノズル１８９の吐出口の側方に位置する。したがって、上位置は、ホームポジションよりも高い。ヒータヘッド３５の中間位置は、上位置とホームポジションとの間に設定されている。この中間位置では、ヒータヘッド３５の外周面（ランプハウジング４０の外周面）のうち、前記の洗浄処理において洗浄液に浸漬される部分が、乾燥用ガスノズル１８９の吐出口よりも下に位置する。

　ヒータヘッド３５の昇降に伴って、ランプハウジング４０の周壁外周面の下部分における乾燥用ガスの吹付け位置（供給位置）も上下動（昇降）する。そのため、ランプハウジング４０の周壁外周面の広範囲に乾燥用ガスを吹き付けることができる。これにより、ランプハウジング４０の周壁外周面の下部分に付着している洗浄液が吹き飛ばされて除去される。

　また、図１５Ｂに示すように、ヒータヘッド３５が上位置にあるときには、乾燥用ガスノズル１８９から吐出された乾燥用ガスは、ランプハウジング４０の下面５２Ｂのやや下方を、下面５２Ｂに沿って流れる。このように流れる乾燥用ガスにより、下面５２Ｂに付着している洗浄液が吹き飛ばされて除去される。ヒータヘッド３５から飛散した洗浄液は、周壁１８１に受け止められる。そのため、洗浄液の液滴が洗浄ポッド１８０外に飛散するのを抑制または防止することができる。

　ヒータヘッド３５の昇降動作に際して、制御装置５５は、ヒータヘッド３５を上位置まで上昇させた後降下を開始する前に、昇降動作を一旦停止させて、ヒータヘッド３５を上位置のまま所定時間維持させるように昇降駆動機構３７を制御してもよい。この場合、ランプハウジング４０の下面５２Ｂから、洗浄液をより効果的に除去することができる。
　さらに、制御装置５５は、ステップＳ３６における乾燥用ガスノズル１８９からの乾燥用ガスの吐出に並行して、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させる（ステップＳ３８。加熱乾燥工程）。これにより、ランプハウジング４０が温められて、ランプハウジング４０の下部分に付着している洗浄液が蒸発除去される。

　乾燥用ガスノズル１８９からの乾燥用ガスの吐出、および赤外線ランプ３８からの赤外線の放射は、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射開始から、予め定める乾燥処理時間が経過するまで続行される。
　乾燥処理時間が経過すると（ステップＳ３９でＹＥＳ）、制御装置５５は、各乾燥用ガスバルブ１９１を閉じて（ステップＳ４０）、乾燥用ガスノズル１８９からの乾燥用ガスの吐出を停止する。また、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる（ステップＳ４０）。

　また、制御装置５５は、昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を降下させて、ホームポジションに戻す（ステップＳ４１）。
　こうして、ヒータヘッド洗浄乾燥工程が終了する。
　以上により、この実施形態によれば、各ウエハＷに対するレジスト除去処理において、ヒータヘッド３５を洗浄するための洗浄処理が実行される。この洗浄処理の実行時には、ホームポジションにヒータヘッド３５が配置される。また、排液バルブ１８５が閉じられて、洗浄液ノズル１８６から洗浄液が供給されることにより、洗浄ポッド１８０に洗浄液が溜められる。洗浄ポッド１８０中に溜められた洗浄液中に、ランプハウジング４０の下部の外表面が浸漬されることにより、下面５２Ｂを含むランプハウジング４０の下部分の外表面を洗浄することができる。

　ＳＰＭ液膜加熱工程（図５に示すステップＳ４）において発生した大量のＳＰＭ液ミストはランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着していることがある。このＳＰＭミストは、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液によって洗い流すことができる。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができ、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを清浄な状態に保つことができる。ゆえに、ランプハウジング４０外に放出される赤外線の照射光量の低下を防止することができ、かつランプハウジング４０の下面５２Ｂがパーティクル源になることを防止することができる。

　また、ヒータヘッド３５の洗浄処理後に、下面５２Ｂを含むランプハウジング４０の下部分の外表面が乾燥される。これにより、洗浄液がランプハウジング４０の下部分の外表面に残留して、ウエハＷの処理に悪影響を及ぼすことを防止できる。
　図１６は、洗浄ポッド（収容部材）の他の構成例を示す図である。図１７は、図１６の切断面線Ａ－Ａから見た断面図である。図１６および図１７に示す洗浄ポッド２８０は、図１１に示す構成において、洗浄ポッド１８０に代えて搭載されて用いられる。

　図１６等において、図１２に示された各部に対応する部分は同一参照符号で示し、説明を省略する。
　この洗浄ポッド２８０においては、洗浄ポッド２８０の円板状の底部２８２に複数（たとえば４つ）の洗浄液ノズル１１１が配設されている。各洗浄液ノズル１１１は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに向けて洗浄液を吐出するための洗浄液吐出口１１０を有している。

　図１６および図１７に示すように、各洗浄液吐出口１１０は、底部２８２の周縁部において、周方向に等間隔に配設されている。各洗浄液吐出口１１０の吐出方向は、鉛直方向に所定角度（たとえば３０°～６０°）傾斜した上向き、かつ円筒状の洗浄ポッド１８０の中心軸線方向に向かう方向である。各洗浄液ノズル１１１には、洗浄液供給管１１２を通じて洗浄液が供給される。各洗浄液供給管１１２には洗浄液バルブ１１３が介装されている。洗浄液バルブ１１３が開かれることにより、対応する洗浄液ノズル１１１に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル１１１の洗浄液吐出口１１０から洗浄液が吐出される。

　この洗浄ポッド２８０では、図１２等に示した洗浄ポッド１８０における洗浄処理とは異なる洗浄処理が実行される。一方、この洗浄ポッド２８０では、図１２等に示した洗浄ポッド１８０における乾燥処理と同様の乾燥処理が実行される。洗浄ポッド２８０では、ヒータヘッド３５は、ホームポジションよりもやや上方の洗浄位置（図１６に示す位置）で洗浄処理を受ける。

　所定の洗浄タイミングになると、制御装置５５により昇降駆動機構３７が制御されて、ヒータヘッド３５が上昇されて、ホームポジションよりもやや上方で、かつ中間位置（図１５Ｃ等に示す位置）よりも下方に設定された洗浄位置に配置される。
　また、各洗浄液バルブ１１３が開かれて、各洗浄液吐出口１１０から洗浄液が吐出される。各洗浄液吐出口１１０から吐出された洗浄液は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに着液する。この実施形態では、各洗浄液吐出口１１０から吐出された洗浄液は、たとえば、円形の下面５２Ｂ上において、洗浄液吐出口１１０と下面５２Ｂの中心とを結ぶ線分の中間位置に着液する。下面５２Ｂに着液した洗浄液は、下面５２Ｂを伝ってその周囲に広がる。その後、洗浄液ノズル１１１からの洗浄液の吐出開始から、予め定める洗浄処理期間が経過すると、洗浄液バルブ１１３が閉じられる。洗浄処理の全期間を通じて、排液バルブ１８５は開成状態にある。そのため、底部２８２に導かれた洗浄液は、底部２８２に溜められずに、排液配管１８４を通して機外に排出される。

　この洗浄ポッド２８０によれば、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。
　その後、図１５Ｂおよび図１５Ｃを参照して前述した乾燥処理が実行される。

　図１８は、さらに他の構成例に係る洗浄ポッド（収容部材）３８０の図である。図１９は、図１８の切断面線Ｂ－Ｂから見た断面図である。図１８および図１９に示す洗浄ポッド３８０は、図１１に示す構成において、洗浄ポッド１８０に代えて搭載されて用いられる。
　図１８等において、図１２に示された各部に対応する部分は同一参照符号で示し、説明を省略する。

　この洗浄ポッド３８０においては、洗浄ポッド３８０の円板状の底部３８２に複数（たとえば５つ。図１８では３つのみ図示）の洗浄液ノズル２０１が配設されている。各洗浄液ノズル２０１は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに向けて洗浄液を吐出するための洗浄液吐出口２００を有している。また、洗浄液吐出口２００が底部３８２の中央部にも配設されているので、底部３８２の周縁部に排液口２８３が配置されている。

　複数の洗浄液吐出口２００は、ホームポジションに位置するヒータヘッド３５の下面５２Ｂの中心の下方に対向する１つの中央吐出口２００Ａと、その下面５２Ｂの周縁部の下方に対向する複数（たとえば４つ）の周縁吐出口２００Ｂとを備えている。各周縁吐出口２００Ｂは、底部３８２の周縁部において、周方向に等間隔に配設されている。各洗浄液吐出口２００Ａ，２００Ｂの吐出方向は、鉛直上方である。各洗浄液ノズル２０１には、洗浄液供給管２０２を通じて洗浄液が供給される。洗浄液供給管２０２には洗浄液バルブ２０３が介装されている。洗浄液バルブ２０３が開かれることにより、洗浄液ノズル２０１に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル２０１の洗浄液吐出口２００（２００Ａ，２００Ｂ）から洗浄液が吐出される。

　この洗浄ポッド３８０では、図１２等に示した洗浄ポッド１８０における洗浄処理とは異なる洗浄処理が実行される。一方、この洗浄ポッド３８０では、図１２等に示した洗浄ポッド１８０における乾燥処理と同様の乾燥処理が実行される。洗浄ポッド３８０では、ヒータヘッド３５は、図１６等に示した洗浄ポッド２８０の場合と同様に、洗浄位置（図１８に示す位置）で洗浄処理を受ける。

　ヒータヘッド３５が洗浄位置に配置された後、洗浄液バルブ２０３が開かれて、各洗浄液吐出口２００（２００Ａ，２００Ｂ）から洗浄液が吐出される。各洗浄液吐出口２００から吐出された洗浄液は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに着液し、下面５２Ｂを伝ってその周囲に広がる。その後、洗浄液ノズル２０１からの洗浄液の吐出開始から、予め定める洗浄処理期間が経過すると、洗浄液バルブ２０３が閉じられる。洗浄処理の全期間を通じて、排液バルブ１８５は開成状態にある。そのため、底部３８２に導かれた洗浄液は、底部３８２に溜められずに、排液配管１８４を通して機外に排出される。

　このようにして、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。
　その後、図１５Ｂおよび図１５Ｃを参照して前述した乾燥処理が実行される。
　図１２～図１９を参照して説明した実施形態について、以下のような変形が可能である。

　図１６の洗浄ポッド２８０および図１７の洗浄ポッド３８０においては、それらの内部に洗浄液を溜める必要はない。したがって、洗浄ポッド２８０，３８０から排液バルブ１８５を取り除いた構成を採用してもよい。
　また、乾燥用ガスノズル１８９の個数は２つに限らず、３個以上の乾燥用ガスノズル１８９が設けられてもよい。この場合に、複数の乾燥用ガスノズル１８９は同じ高さに配置されていることが望ましく、また、周方向に等間隔に配設されていることが望ましい。

　また、乾燥用ガスノズル１８９の吐出方向は、水平でなく、斜め下向きであってもよい。
　また、乾燥用ガスノズル１８９は、洗浄ポッドの周壁１８１に設けられる必要はなく、洗浄ポッド１８０，２８０，３８０の上面よりも上方（すなわち洗浄ポッド外）に配置されていてもよい。

　また、前述の実施形態では、ヒータヘッド３５の乾燥処理において、乾燥用ガスノズル１８９からの乾燥用ガスを吹き付けて飛ばす吹き飛ばし乾燥と、赤外線ランプ３８によりランプハウジング４０を温める加熱乾燥との双方により、ランプハウジング４０の外表面を乾燥させる例を説明した。しかし、乾燥用ガスによる吹き飛ばし乾燥は行わずに、赤外線ランプ３８による加熱乾燥のみにより、ランプハウジング４０の外表面を乾燥させるようにしてもよい。

　また、ヒータヘッド洗浄乾燥工程を処理室２からのウエハＷの搬出後に行う場合には、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の実行と併せて、ヒータアーム３４の洗浄が行われてもよい。ヒータアーム３４の洗浄は、たとえば処理室２内に別途配設されたバーノズル（図示しない）を用いて、ヒータアーム３４を洗浄することができる。バーノズルは、鉛直下方に向く多数の吐出口が水平方向に沿って一列または複数列に配列されており、たとえば、処理室２内の上部領域に配置される。この場合、ヒータアーム３４が、バーノズルの下方に対向配置された状態で、バーノズルの各吐出口から洗浄液が吐出される。それによって、洗浄液がヒータアーム３４の外表面に降り掛かり、ヒータアーム３４の外表面が洗浄される。

　さらに、ヒータヘッド洗浄乾燥工程を処理室２からのウエハＷの搬出後に行う場合には、ステップＳ１０のヒータヘッド洗浄乾燥工程の実行と併せて処理室２内の洗浄（チャンバ洗浄）が行われてもよい。
　また、図１～図１９を参照して説明した前述の２つの実施形態に関して、次のような変形が可能である。

　すなわち、洗浄処理に用いる洗浄液としてＤＩＷを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、洗浄液は、ＤＩＷに限らず、希フッ酸水溶液、炭酸水、電解イオン水、オゾン水などを洗浄液として採用することもできる。さらに洗浄液として、希フッ酸水溶液等の薬液を用いる場合には、洗浄液をヒータヘッド３５に供給した後に、ＤＩＷや炭酸水などを用いてヒータヘッド３５から洗浄液を洗い流すためのリンス処理が施されてもよい。

　また、乾燥用ガスの一例として窒素ガスを挙げたが、清浄空気やその他の不活性ガスを乾燥用ガスとして用いることができる。
　また、上記の実施形態を、燐酸などの高温のエッチング液を用いて基板の主面の窒化膜を選択的にエッチングする基板処理装置に備えられるヒータの洗浄方法に適用することもできる。

　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　この出願は、２０１２年３月２３日に日本国特許庁に提出された特願２０１２－６８０８２号および特願２０１２－６８０８３号に対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

１     基板処理装置
２     処理室
２Ａ   隔壁
３     ウエハ回転機
４     剥離液ノズル
５     カップ
６     チャック回転駆動機構
７     スピン軸
８     スピンベース
９     挟持部材
１１   第１液アーム
１２   第１液アーム揺動機構
１５   剥離液供給管
２３   剥離液バルブ
２４   剥離液ノズル
２５   ＳＣ１ノズル
２６   ＤＩＷ供給管
２７   ＤＩＷバルブ
２８   第２液アーム
２９   第２液アーム揺動機構
３０   ＳＣ１供給管
３１   ＳＣ１バルブ
３３   支持軸
３４   ヒータアーム
３５   ヒータヘッド
３６   揺動駆動機構
３７   昇降駆動機構
３８   赤外線ランプ
３９   開口部
４０   ランプハウジング
４０Ａフランジ
４１   蓋
４２   支持部材
４２Ａ上面
４２Ｂ下面
４３   円環部
４４，４５    直線部
４６，４７    挿通孔
４８   Ｏリング
４９   下面
５０   上底面
５１   溝部
５２   底板部
５２Ａ上面
５２Ｂ下面
５４   アンプ
５５   制御装置
５６   ボルト
５８，５９    挿通孔
６０   給気経路
６１   排気経路
６２   給気ポート
６３   排気ポート
６４   給気配管
６５   排気配管
７０   液膜
８０   裏面側液供給管
８１   裏面側ガス供給管
８２   裏面ノズル
８４   裏面液吐出口
８５   裏面ガス吐出口
８６   洗浄液下供給管
８７   洗浄液下バルブ
８８   乾燥用ガス下供給管
８９   乾燥用ガス下バルブ
９０   洗浄液上供給管
９１   洗浄液上バルブ
９２   乾燥用ガス上供給管
９３   乾燥用ガス上バルブ
９４   洗浄液上ノズル
９５   乾燥用ガス上ノズル
１０１基板処理装置
１１０洗浄液吐出口
１１１洗浄液ノズル
１１２洗浄液供給管
１１３洗浄液バルブ
１８０，２８０，３８０      洗浄ポッド
１８１周壁
１８２底部
１８３排液口
１８４排液配管
１８５排液バルブ
１８６洗浄液ノズル
１８７洗浄液供給管
１８８洗浄液バルブ
１８９乾燥用ガスノズル
１９０乾燥用ガス供給管
１９１乾燥用ガスバルブ
２００洗浄液吐出口
２００Ａ      中央吐出口
２００Ｂ      周縁吐出口
２０１洗浄液ノズル
２０２洗浄液供給管
２０３洗浄液バルブ
２８２底部
２８３排液口
３８２底部
Ａ     切断面線
Ｂ     切断面線
Ｃ     回転軸線
Ｓ１～Ｓ１０、Ｓ２０～Ｓ２９，Ｓ３１～Ｓ４１     ステップ
Ｗ     ウエハ

Claims

　赤外線ランプとハウジングとを有し、基板保持手段により保持された基板の上面に対向配置されてその上面を加熱するためのヒータを洗浄するヒータ洗浄方法であって、
　前記基板保持手段に保持された基板の下面に対向し、上方に向けて液を吐出する第１吐出口を有する下ノズルの上方のヒータ洗浄位置に、前記第１吐出口に対向するように前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、
　前記基板保持手段に基板を保持していない状態で、前記下ノズルに洗浄液を供給して、前記第１吐出口から上方に向けて洗浄液を吐出させることにより、前記ヒータ洗浄位置に配置された前記ヒータの前記ハウジングの外表面に洗浄液を供給する下洗浄液吐出工程とを含む、ヒータ洗浄方法。
　前記下洗浄液吐出工程に並行して、前記第１吐出口の上方に配設された上ノズルから下方に向けて洗浄液を吐出することにより前記ハウジングの外表面に洗浄液を供給する上洗浄液吐出工程をさらに含む、請求項１に記載のヒータ洗浄方法。
　前記下洗浄液吐出工程に並行して、前記第１吐出口から吐出される洗浄液の前記ハウジングの外表面における着液位置を移動させる着液位置移動工程をさらに含む、請求項１または２に記載のヒータ洗浄方法。
　前記下洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液を除去する乾燥工程をさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のヒータ洗浄方法。
　前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記ハウジングの外表面を加熱して乾燥させる加熱乾燥工程を含む、請求項４に記載のヒータ洗浄方法。
　前記下ノズルが、上方に向けて気体を吐出するための第２吐出口をさらに有しており、
　前記乾燥工程は、前記下ノズルに乾燥用ガスを供給して、前記第２吐出口から上方に向けて乾燥用ガスを吹き付けることにより、前記ヒータ洗浄位置に配置された前記ヒータの前記ハウジングの外表面に乾燥用ガスを供給する下乾燥用ガス吹付け工程を含む、請求項４または５に記載のヒータ洗浄方法。
　赤外線ランプと、前記赤外線ランプを収容するハウジングとを有し、基板の主面に対向する処理位置で、その基板の主面を加熱するヒータと、
　前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータが位置する状態で、前記ハウジングの外表面に、洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを含む、基板処理装置。
　前記洗浄位置が、前記ヒータが前記処理位置から退避して待機するときの待機位置である、請求項７に記載の基板処理装置。
　前記ヒータを収容し、当該ヒータから飛散する洗浄液を受け止める収容部材をさらに含む、請求項７または８に記載の基板処理装置。
　前記収容部材は、底部に排出口を有し、液を溜めることが可能な有底容器状の貯留容器を含み、
　前記洗浄液供給手段は、前記貯留容器内に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを含む、請求項９に記載の基板処理装置。
　前記貯留容器の前記排出口に接続されて、前記貯留容器に溜められた液を排出するための排液配管と、
　前記排液配管に介装されて、前記排液配管を開閉する排液バルブとをさらに含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
　前記洗浄液供給手段は、前記ハウジングの外表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を有する洗浄液ノズルを備えている、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記ハウジングの外表面から洗浄液を除去するために、前記ハウジングの外表面に向けて乾燥用ガスを吹き付ける乾燥用ガス吹付手段をさらに含む、請求項７～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記ヒータを昇降させるヒータ昇降手段をさらに含み、
　前記乾燥用ガス吹付手段は、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガスノズルを含み、
　前記基板処理装置は、前記乾燥用ガス吹付手段および前記ヒータ昇降手段を制御して、前記乾燥用ガスノズルから乾燥用ガスを吐出させるとともに、前記ヒータを昇降させることにより、前記ハウジングの外表面における乾燥用ガスの供給位置を昇降させる吹付乾燥制御手段をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理装置。
　前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射させることにより、前記外表面に付着している洗浄液を加熱して乾燥させる加熱乾燥制御手段をさらに含む、請求項７～１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　赤外線ランプと、この赤外線ランプを収容するハウジングとを有し、基板の主面に対向する処理位置でその基板の主面を加熱するヒータを、洗浄するためのヒータ洗浄方法であって、
　前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、
　前記洗浄位置に位置する前記ヒータの外表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを含む、ヒータ洗浄方法。
　前記洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液を除去する乾燥工程をさらに含む、請求項１６に記載のヒータ洗浄方法。
　前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記外表面に付着している洗浄液を加熱して乾燥させる加熱乾燥工程を含む、請求項１７に記載のヒータ洗浄方法。
　前記乾燥工程は、
　前記ヒータを昇降させるヒータ昇降工程と、
　前記ハウジングの外表面に向けて、乾燥用ガスノズルから、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガス吐出工程とを含む、請求項１７または１８に記載のヒータ洗浄方法。