JP3166065B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

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JP3166065B2
JP3166065B2 JP04561396A JP4561396A JP3166065B2 JP 3166065 B2 JP3166065 B2 JP 3166065B2 JP 04561396 A JP04561396 A JP 04561396A JP 4561396 A JP4561396 A JP 4561396A JP 3166065 B2 JP3166065 B2 JP 3166065B2
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ultraviolet
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばＬＣＤ基
板等の被処理体を塗布処理する前工程の処理装置及び処
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
【０００３】例えば、被処理体であるＬＣＤ基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置にて冷却し
た後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち
感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱
処理装置にて加熱してベーキング処理（プリベーク）を
施した後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そし
て、露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布し
て所定のパターンを形成した後に、ベーキング処理（ポ
ストベーク）を施して高分子化のための熱変成、ＬＣＤ
基板とパターンとの密着性を強化している。
【０００４】上記処理が施されるＬＣＤ基板は、レジス
ト塗布処理が施される前に各種成膜処理が施され、また
途中に一時的な保存や輸送中に大気に晒されるため、Ｌ
ＣＤ基板にパーティクルや有機汚染物が付着する虞れが
ある。そのため、レジスト塗布処理前の前工程でＬＣＤ
基板の表面を清浄にすべくブラシや洗浄液を用いた洗浄
処理が施されている。また、ＬＣＤ基板へのレジスト液
の密着性を良好にすべくアドヒージョン処理が施されて
いる。
【０００５】また、有機汚染物を除去する手段として、
有機汚染物が付着した被処理体例えば半導体ウエハに紫
外線を照射することにより発生するオゾンを利用して有
機汚染物を分解する技術が知られている（特公平４−９
３７３号公報参照）。この技術によれば、紫外線ランプ
例えば低圧水銀ランプを点灯すると、主として波長が２
５４ｎｍの水銀共鳴線の紫外線が外部に放出され、従と
して１８５ｎｍの紫外線が、更には他の波長のものが僅
かに放出される。そこで、この生成機構を利用して、す
なわち、これら紫外線のうち波長１８５ｎｍの紫外線に
よってオゾンが生成され、このオゾンが波長２５４ｎｍ
の紫外線によって分解されて発生基の酸素が生成され、
この発生基の酸素が有機汚染物を分解してガス状態で飛
散させるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記洗
浄処理においても、ＬＣＤ基板に付着した有機汚染物を
完全に除去することができず、次工程のレジスト塗布処
理において均一なレジスト膜が形成できず、歩留まりの
低下をきたすという問題があった。
【０００７】有機汚染物を除去する手段として上記紫外
線を照射して有機汚染物を分解除去する方法が考えられ
るが、この技術においては、有機汚染物の分解除去は可
能であるが、紫外線照射手段から発生するオゾンを有効
に利用するための工夫がなされておらず、十分な清浄化
を図るには至っていない。また、紫外線照射手段から発
生されるオゾンが被処理体以外の他の装置、機器類に及
ぼす悪影響や装置外部への漏洩を防止する必要がある。
【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、オゾンを有効に利用して被処理体に付着した有機汚
染物を除去するようにした処理装置及び処理方法を提供
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理装置は、有機物の付着した被
処理体の保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、 上記処理室の上方に位置して上記被処理体に対し
て紫外線を照射する紫外線照射手段を収容する紫外線照
射手段室と、 上記紫外線照射手段室から上記処理室内
方に向けて気体を流入させる手段と、 上記紫外線照射
手段及び又は処理室に設けられる排気手段と、を具備
し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平
方向に揺動可能に形成したことを特徴とする（請求項
１）。
【００１０】また、この発明の第２の処理装置は、有機
物の付着した被処理体の保持手段を収容する外気と遮断
可能な処理室と、 上記処理室の上方に位置して上記被
処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段を収容
する紫外線照射手段室と、上記紫外線照射手段室から上
記処理室内方に向けて気体を流入させる手段と、上記紫
外線照射手段及び又は処理室に設けられる排気手段と、
を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的
に水平方向に揺動及び接離移動可能に形成したことを特
徴とする（請求項２）。
【００１１】また、この発明の第３の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けら
れた開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段
の紫外線照射により生成されて、上記処理室内に存在す
るオゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外
の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の
排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手
段とを相対的に水平方向に揺動可能に形成したことを特
徴とする（請求項３）。
【００１２】また、この発明の第４の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けら
れた開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段
の紫外線照射により生成されて、上記処理室内に存在す
るオゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外
の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の
排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手
段とを相対的に水平方向に揺動及び接離移動可能に形成
したことを特徴とする（請求項４）。
【００１３】また、この発明の第５の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けら
れた開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段
の紫外線照射により生成されて、上記処理室内に存在す
るオゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外
の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の
排気手段と、 上記第２の排気手段による排気動作を上
記開閉手段の開閉状態に応じて制御可能な排気開閉機構
と、を具備することを特徴とする（請求項５）。
【００１４】また、この発明の第６の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けら
れた開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射 手段
の紫外線照射により生成されて、上記処理室内に存在す
るオゾンを排気すると共に、処理室内から該処理室外の
下方に漏れたオゾンを排気する第１の排気手段と、 上
記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排気
する第２の排気手段と、 を具備することを特徴とする
（請求項６）。
【００１５】また、この発明の第７の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手
段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する
開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫
外線照射により生成されて、上記処理室内に存在するオ
ゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外の紫
外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の排気
手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段と
を相対的に水平方向に揺動可能に形成したことを特徴と
する（請求項７）。
【００１６】また、この発明の第８の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手
段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する
開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫
外線照射により生成されて、上記処理室内に存在するオ
ゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外の紫
外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の排気
手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段と
を相対的に水平方向に揺動及び接離移動可能に形成した
ことを特徴とする（請求項８）。
【００１７】また、この発明の第９の処理装置は、有機
物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記被
処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理室
と、上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射
手段と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手
段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通 する
開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫
外線照射により生成されて、上記処理室内に存在するオ
ゾンを排気する第１の排気手段と、 上記処理室外の紫
外線照射手段側に発生するオゾンを排気する第２の排気
手段と、 上記第２の排気手段による排気動作を上記開
閉手段の開閉状態に応じて制御可能な排気開閉機構と、
を具備することを特徴とする（請求項９）。
【００１８】また、この発明の第１０の処理装置は、有
機物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記
被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理
室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線
照射手段と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照
射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通
する開口を開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段
の紫外線照射により生成されて、上記処理室内に存在す
るオゾンを排気すると共に、処理室内から該処理室外の
下方に漏れたオゾンを排気する第１の排気手段と、 上
記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排気
する第２の排気手段と、 を具備することを特徴とする
（請求項１０）。
【００１９】また、この発明の第１１の処理装置は、有
機物の付着した被処理体を保持する保持手段と、 上記
被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な処理
室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線
照射手段と、 上部室と下部室とに区画され、上記紫外
線照射手段を下部室に収容する紫外線照射手段室と、上
記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉す
る開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射によ
り生成されて、上記処理室内に存在するオゾンを排気す
る第１の排気手段と、 上記下部室に連通し、この下部
室内に発生するオゾンを排気すると共に、上記上部室に
連通し、上記紫外線照射手段室に発生した加熱空気を排
気する第２の排気手段と、 を具備することを特徴とす
る（請求項１１）。
【００２０】請求項５，６，９，１０又は１１に記載の
発明の処理装置において、上記保持手段と紫外線照射手
段とは所定の位置に対向されていれば両者を固定にして
も差し支えないが、好ましくは、上記保持手段と紫外線
照射手段とを相対的に水平方向に揺動可能に形成する
か、上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に接離移
動可能に形成するか、あるいは、上記保持手段と紫外線
照射手段とを相対的に水平方向に揺動及び接離移動可能
に形成する方がよい（請求項１２，１３，１４）。
【００２１】また、請求項１ないし１１のいずれかに記
載の発明の処理装置において、上記保持手段を加熱及び
又は冷却可能に形成することも可能である（請求項１
５）。
【００２２】この発明の第１の処理方法は、有機物の付
着した被処理体を処理室内の保持手段に載置する工程
と、 上記処理室を外気と遮断し、上記保持手段を作動
して上記被処理体を紫外線照射位置に移動する工程と、
上記被処理体を水平方向に揺動させつつ被処理体に被
処理体に紫外線を所定時間照射する工程と、 上記保持
手段と紫外線照射手段の少なくとも一方を、紫外線の照
射位置から外す工程と、上記被処理体を上記処理室から
排出する工程と、を有することを特徴とする（請求項１
６）。
【００２３】また、この発明の第２の処理方法は、有機
汚染物の付着した被処理体を処理室内の保持手段に載置
する工程と、 上記処理室を外気と遮断し、上記保持手
段を作動して上記被処理体を紫外線照射位置に移動する
工程と、 上記被処理体を水平方向に揺動させつつ被処
理体に紫外線を所定時間照射する工程と、 上記処理室
内のオゾンを排気する工程と、 上記保持手段と紫外線
照射手段の少なくとも一方を、紫外線の照射位置から外
す工程と、 上記被処理体を上記処理室から排出する工
程と、を有することを特徴とする（請求項１７）。
【００２４】この発明の処理方法において、上記被処理
体に紫外線を照射する際、紫外線照射手段室に気体を流
入しつつ処理を行う方が好ましい（請求項１８）。
【００２５】この発明によれば、有機物の付着した被処
理体を処理室内の保持手段に載置した後、処理室を外気
と遮断し、保持手段を作動して被処理体を紫外線照射位
置に移動し、そして、被処理体に紫外線を所定時間照射
することで、紫外線照射手段から発生されるオゾンを有
効に利用して被処理体に付着する有機物を分解除去する
ことができると共に、被処理体の接触角を下げることが
でき、いわゆる“ぬれ性”を高めることができる。した
がって、次工程の洗浄処理、塗布処理等の処理の向上を
図ることができる。
【００２６】また、上記処理室内の処理に供されたオゾ
ン及び紫外線照射手段から発生したその他のオゾンを外
部に排気することにより、オゾンの外部への漏洩を防止
することができると共に、オゾンによる装置、機器類の
悪影響を防止することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施形態を添付
図面に基いて詳細に説明する。この実施例では、この発
明に係る処理装置をＬＣＤ基板の塗布処理システムに適
用した場合について説明する。
【００２８】上記塗布処理システムは、図１に示すよう
に、被処理体としてＬＣＤ基板Ｇ（以下に基板という）
を搬入・搬出するローダ部１と、基板Ｇの前処理部２
と、中継部３を介して前処理部２に連設される塗布処理
部４とで主に構成されている。なお、塗布処理部４には
中継部５を介して現像処理部６が連設され、また、現像
処理部６には受渡し部を介してレジスト膜に所定の微細
パターンを露光するための露光装置（図示せず）が連設
可能になっている。
【００２９】上記ローダ部１は、未処理の基板Ｇを収容
するカセット７と、処理済みの基板Ｇを収容するカセッ
ト７ａを載置するカセット載置台８と、このカセット載
置台８上のカセット７，７ａとの間で基板Ｇの搬出入を
行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方向の移動及
び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９とで構成さ
れている。
【００３０】上記前処理部２は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動
及びθ回転可能なメインアーム１０の搬送路１１の一方
の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１２
と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄
装置１３とを配置し、搬送路１１の他方の側に、基板Ｇ
の加熱装置１４と、オゾン照射手段を具備するこの発明
に係る処理装置２０が配置されている。
【００３１】一方、上記塗布処理部４は、前処理部２と
同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能なメイン
アーム１０ａを有し、このメインアーム１０ａの搬送路
１１ａの一方の側に、基板Ｇの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置１５と、基板Ｇを所定温度に冷却
する冷却装置１６と、基板Ｇを所定温度に加熱する加熱
装置１７を配置し、搬送路１１ａの他方の側にレジスト
塗布装置１８及び塗布膜除去装置１９を配置してなる。
【００３２】また、上記中継部３は、基板Ｇを支持する
支持ピン３ａを立設する受渡し台３ｂを有する箱体３ｃ
の底面にキャスタ（図示せず）を具備した構造となって
おり、必要に応じてこの中継部３を前処理部２及び塗布
処理部４から分離し引出してスペースを確保し、前処理
部２又は塗布処理部４内に作業員が入って補修や点検等
を容易に行うことができるようになっている。
【００３３】なお、現像処理部６においても、図示しな
いが上記前処理部２及び塗布処理部４と同様に搬送路及
びメインアームを有する搬送機構が設けられており、こ
の搬送機構の搬送路を挟んで現像の前後でプリベーク又
はポストベークを行う加熱装置と、現像装置（図示せ
ず）が配置されている。
【００３４】上記のように構成される塗布処理システム
において、カセット７内に収容された未処理の基板Ｇは
ローダ部１の搬出入ピンセット９によって取出された
後、前処理部２のメインアーム１０に受け渡され、そし
て、処理装置２０に搬送される。処理装置２０において
基板Ｇに紫外線照射手段によってオゾンが照射されて、
基板Ｇに付着する有機汚染物が除去された後、基板Ｇは
ブラシ洗浄装置１２内に搬送される。このブラシ洗浄装
置１２内にてブラシ洗浄された基板Ｇは必要に応じてジ
ェット水洗浄装置１３内にて高圧ジェット水により洗浄
される。この後、基板Ｇは、アドヒージョン処理装置１
５にて疎水化処理が施され、冷却装置１６にて冷却され
た後、レジスト塗布装置１８にてフォトレジスト膜すな
わち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜除去装置１
９によって基板Ｇの周辺部の不要なレジスト膜が除去さ
れる。そして、このフォトレジスト膜が加熱装置１７に
て加熱されてベーキング処理が施された後、露光装置に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板
Ｇは現像処理部６の現像装置内へ搬送され、現像液によ
り現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現
像処理を完了する。
【００３５】次にこの発明の処理装置について説明す
る。 ◎第一実施形態 図２はこの発明の処理装置の概略断面図である。上記処
理装置２０は、基板Ｇを処理する処理室２１と、この処
理室２１の上部に設けられ、紫外線照射手段例えば紫外
線ランプ２２を収容する紫外線照射手段室例えばランプ
室２３と、処理室２１とランプ室２３とを連通する開口
２４を開閉する開閉手段例えばランプシャッタ２５と、
処理室２１に接続される第１の排気手段４１と、ランプ
室２３に接続される第２の排気手段４２とを具備してな
る。
【００３６】処理室２１の側面には、基板Ｇの搬入・搬
出口２６が設けられており、この搬入・搬出口２６は、
シリンダ２７によって垂直方向に作動するユニットシャ
ッタ２８によって開閉可能になっている。また、処理室
２１内には、上記メインアーム１０によって搬入・搬出
口２６から処理室２１内に搬入される基板Ｇを保持する
保持手段３０が配設されている。
【００３７】保持手段３０には、図３及び図４に示すよ
うに、基板Ｇを載置する例えばタフラム処理が施された
アルミニウム合金製の載置台３１と、この載置台３１に
設けられた複数例えば４個の貫通孔（図示せず）にそれ
ぞれ遊嵌される支持ピン３２と、支持棒３３を介して載
置台３１を支持する支持板３４に連結されて載置台３１
を上下方向に移動する載置台移動用シリンダ３５とが設
けられている。この場合、支持板３４は支持ピン３２の
下部を支持する支柱３２ａに摺動可能に嵌装されてい
る。このように構成することにより、載置台移動用シリ
ンダ３５が駆動して、載置台３１が下降して支持ピン３
２が載置台３１から突出した状態で支持ピン３２上に基
板Ｇを受け取り、載置台３１が上昇して支持ピン３２よ
り上方へ移動した状態で基板Ｇを載置すると共に、基板
Ｇを紫外線ランプ２２から発生されるオゾンの照射最適
位置へ移動することができるようになっている。
【００３８】なおこの場合、支持板３４の下面には２本
の垂直棒３６ａが吊り下げられており、これら垂直棒３
６ａの下端部間に架設される板部材３６ｂに位置決め部
材３６ｃが取り付けられている。この位置決め部材３６
ｃは、載置台３１と共に移動され、載置台３１の下方に
配置された固定板３７の下面に当接した状態で載置台３
１の上昇を停止、すなわち基板Ｇをオゾンの照射が最適
な最も紫外線ランプ２２に近い位置に停止することがで
きるようになっている。このときの紫外線ランプ２２と
基板Ｇとの最小距離は約１０ｍｍである。なお、位置決
め部材３６ｃはねじ等によって微調整可能に形成されて
いる。
【００３９】上記説明では、支持ピン３２に対して載置
台３１が上下に移動するように構成する場合について説
明したが、載置台３１を固定し、支持ピン３２を上下に
移動するように構成することも可能である。
【００４０】また、上記支持ピン３２を支持する支柱３
２ａと載置台移動用シリンダ３５は、保持板３８上に設
置されており、保持板３８は固定板３７の上面にリニア
ガイド３９ａを介して水平方向に移動可能に取り付けら
れている。そして、保持板３８は無端ベルト（図示せ
ず）を介して正逆回転可能なステッピングモータ３９ｂ
により回転されるプーリ３９ｃに連結されており、ステ
ッピングモータ３９ｂの駆動により保持板３８が水平方
向に移動されるようになっている。したがって、保持板
３８の水平方向の移動によって支持ピン３２、載置台移
動用シリンダ３５及び載置台３１が水平移動すると共
に、載置台３１上に保持された基板Ｇが紫外線ランプ２
２に対して平行方向に移動（揺動）することができる。
この基板Ｇの揺動によって、基板Ｇ表面に平均して紫外
線ランプ２２から発生されるオゾンを照射することがで
きる。
【００４１】また、上記処理室２１の内周面には、載置
台３１の外周部近傍に向って延びる断面略横Ｌ形の側部
カバー４３が取り付けられており、載置台３１の下方位
置には、中央に排気口４４を有し、周縁に側部カバー４
３の垂下片４３ａに重なるように配置される起立片４５
ａを有するカップ４５が取り付けられている。また、処
理室２１の下部には、下部カバー４６によって上記載置
台移動用シリンダ３５やステッピングモータ３９ｂ等の
駆動制御部が、処理室２１と区画されて配置されてい
る。排気口４４には第１の排気管４７が接続され、処理
室２１の下部側面に設けられた側部排気口４４ａには第
２の排気管４８が接続され、これら第１及び第２の排気
管４７，４８と第１及び第２の排気管４７，４８に介設
される排気ファン４０とで第１の排気手段４１が構成さ
れている。なお、側部カバー４３とカップ４５とを気密
に連設してオゾンの漏れを解消することができれば、第
１の排気手段４１を第１の排気管４７と排気ファン４０
とで構成してもよい。
【００４２】このように構成することにより、排気ファ
ンを駆動すると、載置台３１上の基板Ｇの上面に照射さ
れたオゾンが基板Ｇの表面から周辺に流れて下方に流
れ、その後、オゾンは中央の排気口４４から第１の排気
管４７に流れる一方、側部カバー４３の垂下片４３ａと
カップ４５の起立片４５ａとの隙間４９から漏れ出るオ
ゾンは、側部排気口４４から第２の排気管４８に流れて
排気される。
【００４３】一方、上記ランプ室２３内には、複数例え
ば７本の紫外線ランプ２２（例えば低圧水銀灯）が水平
に互いに平行に配列されている。この紫外線ランプ２２
は気体流入手段に接続されている。すなわち、紫外線ラ
ンプ２２は、流量調整器５０及びフィルタ５１を介設す
る管路５２を介して空気供給源５３に接続されており、
空気供給源５３から供給された清浄空気を開口２４を介
して基板Ｇ表面に供給すると共に、発生したオゾンを効
率的に使用し得るように構成されている。
【００４４】また、ランプ室２３は多数の小孔を有する
仕切板２３ｃによって上部室２３ａと下部室２３ｂに区
画されている。下部室２３ｂには、側面に下部排気口４
４Ａが設けられており、この下部排気口４４Ａに触媒５
４を介して第３の排気管５５が接続されている。この第
３の排気管５５は上記第１及び第２の排気管４７，４８
と合流すると共に、排気ファン４０が介設されて、ラン
プ室２３内に発生するオゾンを外部に排気するように構
成されている。また、第３の排気管５５には排気の開閉
用ダンパ５６（排気開閉機構）が介設されており、この
ダンパ５６を開閉操作することによってランプ室２３内
のオゾンの排気を選択的に行えるようになっている。す
なわち、処理室２１とランプ室２３との間に設けられた
開口２４を開閉するランプシャッタ２５を図示しないシ
リンダによって開放した状態においては、ダンパ５６を
閉じることによって、紫外線ランプ２２から発生したオ
ゾンを基板Ｇ側に効率よく供給させるようにする。ま
た、ランプシャッタ２５が閉塞している状態ではダンパ
５６を開くことによって、ランプ室２３内に存在するオ
ゾンを外部に排気するようになっている。
【００４５】上部室２３ａの対向する側面の一方には空
気供給口５７が設けられており、反対側には上部排気口
５８が設けられている。この場合、空気供給口５７にエ
アーフィルタを取り付けてもよい。上部排気口５８には
第４の排気管５９が接続されている。この第４の排気管
５９は上記第１及び第２の排気管４７，４８と合流する
と共に、排気ファンが介設されて、ランプ室２３内に発
生する加熱空気を常時外部に排気してランプ室２３内を
冷却するようになっている。
【００４６】上記第３の排気管５５と第４の排気管５９
とで第２の排気手段４２が構成されている。この第２の
排気手段４２によって、ランプ室２３内に発生するオゾ
ンを外部に排気してオゾンから電装品等を保護すると共
に、ランプ室２３を常時冷却して熱的損傷を防止するこ
とができる。
【００４７】次に、上記のように構成された処理装置を
用いて基板Ｇの表面に付着された有機汚染物の除去する
手順について説明する。まず、ユニットシャッタ２８を
下降して搬入・搬出口２６を開口した状態で、前処理部
２のメインアーム１０によって搬送された基板Ｇを載置
台３１上に突出する支持ピン３２に受け渡す（図３及び
図４（ａ）参照）。基板Ｇを支持ピン３２に受け渡した
メインアーム１０が処理室２１の外へ後退した後、ユニ
ットシャッタ２８が上昇して搬入・搬出口２６を閉塞す
ると共に、載置台移動用シリンダ３５の駆動により上昇
する載置台３１によって基板Ｇを保持して基板Ｇを紫外
線照射位置に移動する（図４（ｂ）参照）。
【００４８】基板Ｇが紫外線照射位置に移動された状態
で、図示しないシリンダの駆動によってランプシャッタ
２５が開放されると、紫外線ランプ２２から発生したオ
ゾンが開口２４を介して基板Ｇの表面に照射されて基板
Ｇ表面に付着している有機汚染物を分解除去する。有機
汚染物を分解除去したオゾンは第１の排気手段４１によ
りオゾンは基板Ｇの周縁から下方に流れ、排気口４４及
び側部排気口４４Ａを介して外部に排気される。なお、
ランプシャッタ２５が開放している状態では第２の排気
手段４２のダンパ５６は閉じているので、紫外線ランプ
２２から発生したオゾンを効率よく基板Ｇ側に供給する
ことができる。また、基板Ｇにオゾンが照射されている
間、ステッピングモータ３９ｂの駆動により載置台３１
及び基板Ｇが水平方向に移動（揺動）することにより、
基板Ｇの表面全体にオゾンが均等に照射され、有機汚染
物の除去を効率よく行うことができる。なお、オゾンの
照射中に必要に応じて基板Ｇを紫外線ランプ２２に対し
て接離移動させるようにしてもよい。
【００４９】ランプシャッタ２５を所定時間開放してオ
ゾンを基板Ｇに照射した後、ユニットシャッタ２８を下
降して搬入・搬出口２６を開放すると共に、載置台３１
を下降する。その後、ランプシャッタ２５を閉じて基板
Ｇを支持ピン３２にて支持する。そして、前処理部２の
メインアーム１０が処理室２１内に侵入して基板Ｇを受
け取り、処理室２１の外部へ搬出して処理が完了する。
なお、ユニットシャッタ２８が開放した状態において
も、処理室２１内に残存するオゾンは第１の排気手段４
１によって外部に排気されるため、前処理部２内にはオ
ゾンが漏洩する虞れはない。また、ランプシャッタ２５
が閉じた状態では、第２の排気手段４２のダンパ５６が
開放しているので、ランプ室２３内に発生するオゾンは
第３の排気管５５から外部に排気される。
【００５０】上記のように構成される処理装置によれ
ば、洗浄装置１２，１３及びアドヒージョン処理装置１
５で洗浄あるいは疎水化処理される基板Ｇにオゾンを照
射して、基板Ｇに付着する有機汚染物を除去することが
できるので、基板Ｇの接触角を小さく、すなわち基板Ｇ
の“ぬれ性”を高めることができる。したがって、洗浄
装置１２，１３による洗浄効果を向上させることができ
ると共に、アドヒージョン処理後のレジスト塗布におい
て、レジスト液のはじきを抑制してレジスト膜を均一化
にし、歩留まりの向上を図ることができる。
【００５１】◎第二実施形態 図５はこの発明の処理装置の第二実施形態の概略断面図
である。第二実施形態は、紫外線ランプ２２から発生す
るオゾンを更に活性化して、基板Ｇに付着する有機汚染
物を更に効率よく除去するようにした場合である。すな
わち、上記載置台３１の内部に加熱手段例えば加熱ヒー
タ６０を内蔵し、載置台３１上に保持された基板Ｇに、
紫外線ランプ２２からオゾンが照射されている間、この
加熱ヒータ６０を作動して基板Ｇを加熱することによ
り、オゾンから分解される酸素を更に活性化して有機汚
染物の分解除去をより効率よく行い得るようにした場合
である。上記加熱手段は必ずしも加熱ヒータ６０である
必要はなく、加熱ヒータ６０以外に例えば載置台３１に
設けられた循環通路に熱媒体を流通させるようにしても
よい。なお、第二実施形態において、その他の部分は上
記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。
【００５２】◎第三実施形態 図６はこの発明の処理装置の第三実施形態の概略断面図
である。第三実施形態は、紫外線ランプ２２から発生す
る熱によって基板Ｇが悪影響を受けるのを防止するよう
にした場合である。すなわち、上記載置台３１の内部に
循環通路６１を設けると共に、この循環通路６１に冷媒
供給源６２を接続して、循環通路６１内に所定温度の冷
媒液を流通させて、載置台３１上の基板Ｇを一定の温度
に維持させるようにした場合である。このように載置台
３１上の基板Ｇのを冷却することにより、紫外線ランプ
２２の熱によって高温下に晒される基板Ｇの温度を所定
の一定温度に維持することができるので、安定した状態
で基板Ｇにオゾンを照射することができる。なお、第三
実施形態において、その他の部分は上記第一実施形態と
同じであるので、同一部分には同一符号を付して、その
説明は省略する。
【００５３】◎第四実施形態 図７はこの発明の処理装置の第四実施形態の概略断面図
である。第四実施形態は、紫外線ランプ２２から発生す
るオゾンを更に活性化して、基板Ｇに付着する有機汚染
物を更に効率よく除去すると共に、基板Ｇの温度を一定
に維持して処理の安定化を図れるようにした場合であ
る。すなわち、上記載置台３１の内部に加熱手段例えば
加熱ヒータ６０を内蔵すると共に、冷媒液の循環通路６
１を形成し、かつ循環通路６１に冷媒供給源６２を接続
し、載置台３１の温度を検出する温度検知手段例えば熱
電対６３からの検出信号を図示しない制御手段例えばＣ
ＰＵで制御処理して加熱ヒータ６０あるいは冷媒供給源
６２に伝達し、加熱ヒータ６０あるいは冷媒供給源６２
からの冷媒供給を選択的に行い得るようにした場合であ
る。
【００５４】このように構成することにより、例えば加
熱ヒータ６０を作動して基板Ｇを加熱することができ、
これにより、オゾンから分解される酸素を更に活性化し
て有機汚染物の分解除去をより効率よく行うことができ
る。また、循環通路６１内に所定温度の冷媒液を流通さ
せて、載置台３１上の基板Ｇを一定の温度に維持させ
て、安定した状態で基板Ｇにオゾンを照射することがで
きる。なお、第四実施形態において、その他の部分は上
記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。
【００５５】◎その他の実施形態 上記実施形態では、紫外線ランプ２２に対して載置台３
１を接離移動させる場合について説明したが、必ずしも
載置台３１を移動させる必要はなく、紫外線ランプ２２
を載置台３１すなわち基板Ｇ側に接離移動させるように
してもよく、あるいは両者を互いに接離移動可能に形成
してもよい。
【００５６】また、上記実施形態では、紫外線ランプ２
２に対して載置台３１を水平移動可能に形成して基板Ｇ
を揺動させるようにした場合について説明したが、必ず
しも載置台３１を水平方向に揺動させる必要はなく、紫
外線ランプ２２を載置台３１すなわち基板Ｇに対して水
平方向に揺動可能にするか、あるいは両者を相対的に水
平方向に揺動可能に形成してもよい。
【００５７】上記実施形態では、被処理体がＬＣＤ基板
である場合について説明したが、ＬＣＤ基板以外の例え
ば半導体ウエハ、ガラス基板、ＣＤ等についても同様に
処理することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、有機物の付着した被処理体を紫外線照射位置に移動
して、被処理体に紫外線を所定時間照射することによ
り、紫外線照射手段から発生されるオゾンを有効に利用
して被処理体に付着する有機物を分解除去することがで
きると共に、被処理体の接触角を下げることができ、い
わゆる“ぬれ性”を高めることができるので、次工程の
洗浄処理、塗布処理等の処理の向上を図ることができ
る。
【００５９】また、処理室内の処理に供されたオゾン及
び紫外線照射手段から発生したその他のオゾンを外部に
排気することにより、オゾンの外部への漏洩を防止する
ことができると共に、オゾンによる装置、機器類の悪影
響を防止することができるので、装置の寿命の増大を図
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の処理装置を適用したＬＣＤ基板の塗
布処理システムの概略平面である。
【図２】この発明に係る処理装置の第一実施形態を示す
概略断面図である。
【図３】この発明における保持手段を示す概略側面図で
ある。
【図４】被処理体の保持前の状態を示す概略側面図
（ａ）及び被処理体の保持状態を示す概略側面図（ｂ）
である。
【図５】この発明の処理装置の第二実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【図６】この発明の処理装置の第三実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【図７】この発明の処理装置の第四実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【符号の説明】
Ｇ ＬＣＤ基板（被処理体） ２１ 処理室 ２２ 紫外線ランプ（紫外線照射手段） ２３ ランプ室（紫外線照射手段室） ２４ 開口 ２５ ランプシャッタ（開閉手段） ２６ 搬入・搬出口 ２８ ユニットシャッタ ３０ 保持手段 ３１ 載置台 ３２ 支持ピン ３５ 載置台移動用シリンダ ３６ｃ 位置決め部材 ３９ａ リニアガイド ３９ｂ ステッピングモータ ４０ 排気ファン ４１ 第１の排気手段 ４２ 第２の排気手段 ４７ 第１の排気管 ４８ 第２の排気管 ５０ 流量調整器（気体流入手段） ５１ フィルタ（気体流入手段） ５２ 管路（気体流入手段） ５３ 空気供給源（気体流入手段） ５５ 第３の排気管 ５６ ダンパ（排気開閉機構） ５９ 第４の排気管 ６０ 加熱ヒータ（加熱手段） ６１ 循環通路 ６２ 冷媒供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−266834（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−109674（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−64565（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機物の付着した被処理体の保持手段を
    収容する外気と遮断可能な処理室と、 上記処理室の上方に位置して上記被処理体に対して紫外
    線を照射する紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段
    室と、 上記紫外線照射手段室から上記処理室内方に向けて気体
    を流入させる手段と、 上記紫外線照射手段室及び又は処理室に設けられる排気
    手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動可能に形成した ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 有機物の付着した被処理体の保持手段を
    収容する外気と遮断可能な処理室と、 上記処理室の上方に位置して上記被処理体に対して紫外
    線を照射する紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段
    室と、 上記紫外線照射手段室から上記処理室内方に向けて気体
    を流入させる手段と、 上記紫外線照射手段室及び又は処理室に設けられる排気
    手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動及び接離移動可能に形成したことを特徴とする処理
    装置。
  3. 【請求項３】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けられた開口を
    開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動可能に形成した ことを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けられた開口を
    開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動及び接離移動可能に形成したことを特徴とする処理
    装置。
  5. 【請求項５】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けられた開口を
    開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、 上記第２の排気手段による排気動作を上記開閉手段の開
    閉状態に応じて制御可能な排気開閉機構と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項６】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記処理室と紫外線照射手段との間に設けられた開口を
    開閉する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気すると共に、処理室
    内から該処理室外の下方に漏れたオゾンを排気する第１
    の排気手段と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段 と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  7. 【請求項７】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉
    する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動可能に形成したことを特徴とする処理装置。
  8. 【請求項８】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉
    する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、を具備し、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動及び接離移動可能に形成したことを特徴とする処理
    装置。
  9. 【請求項９】 有機物の付着した被処理体を保持する保
    持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉
    する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、 上記第２の排気手段による排気動作を上記開閉手段の開
    閉状態に応じて制御可能な排気開閉機構と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  10. 【請求項１０】 有機物の付着した被処理体を保持する
    保持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上記紫外線照射手段を収容する紫外線照射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉
    する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気すると共に、処理室
    内から該処理室外の下方に漏れたオゾンを排気する第１
    の排気手段と、 上記処理室外の紫外線照射手段側に発生するオゾンを排
    気する第２の排気手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  11. 【請求項１１】 有機物の付着した被処理体を保持する
    保持手段と、 上記被処理体及び保持手段を収容する外気と遮断可能な
    処理室と、 上記被処理体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段
    と、 上部室と下部室とに区画され、上記紫外線照射手段を下
    部室に収容する紫外線照射手段室と、 上記処理室と紫外線照射手段室とを連通する開口を開閉
    する開閉手段と、 上記紫外線照射手段の紫外線照射により生成されて、上
    記処理室内に存在するオゾンを排気する第１の排気手段
    と、 上記下部室に連通し、この下部室内に発生するオゾンを
    排気すると共に、上記上部室に連通し、上記紫外線照射
    手段室に発生した加熱空気を排気する第２の排気手段
    と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  12. 【請求項１２】 請求項５，６，９，１０又は１１に記
    載の処理装置において、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動可能に形成したことを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項１３】 請求項５，６，９，１０又は１１に記
    載の処理装置において、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に接離移動可
    能に形成したことを特徴とする処理装置。
  14. 【請求項１４】 請求項５，６，９，１０又は１１に記
    載の処理装置において、 上記保持手段と紫外線照射手段とを相対的に水平方向に
    揺動及び接離移動可能に形成したことを特徴とする処理
    装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１ないし１１のいずれかに記載
    の処理装置において、 上記保持手段を加熱及び又は冷却可能に形成したことを
    特徴とする処理装置。
  16. 【請求項１６】 有機物の付着した被処理体を処理室内
    の保持手段に載置する工程と、 上記処理室を外気と遮断し、上記保持手段を作動して上
    記被処理体を紫外線照射位置に移動する工程と、 上記被処理体を水平方向に揺動させつつ被処理体に紫外
    線を所定時間照射する工程と、 上記保持手段と紫外線照射手段の少なくとも一方を、紫
    外線の照射位置から外す工程と、 上記被処理体を上記処理室から排出する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。
  17. 【請求項１７】 有機物の付着した被処理体を処理室内
    の保持手段に載置する工程と、 上記処理室を外気と遮断し、上記保持手段を作動して上
    記被処理体を紫外線照射位置に移動する工程と、 上記被処理体を水平方向に揺動させつつ被処理体に紫外
    線を所定時間照射する工程と、 上記処理室内のオゾンを排気する工程と、 上記保持手段と紫外線照射手段の少なくとも一方を、紫
    外線の照射位置から外す工程と、 上記被処理体を上記処理室から排出する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６又は１７記載の処理方法に
    おいて、 上記被処理体に紫外線を照射する際、紫外線照射手段室
    に気体を流入しつつ処理を行うことを特徴とする処理方
    法。
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