JP6323141B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6323141B2 JP6323141B2 JP2014086246A JP2014086246A JP6323141B2 JP 6323141 B2 JP6323141 B2 JP 6323141B2 JP 2014086246 A JP2014086246 A JP 2014086246A JP 2014086246 A JP2014086246 A JP 2014086246A JP 6323141 B2 JP6323141 B2 JP 6323141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- slit
- processing chamber
- substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 194
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 40
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 31
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 15
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、基板に紫外線を照射して処理を行う基板処理装置に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいて、基板に対して目的とする処理を行うために紫外線を照射する手法が知られており、例えば基板の周縁を露光するいわゆる周縁露光などの処理が行われている。一方、基板にパターンを形成する技術について、新規な手法が種々提案されており、その一連の手法の中で紫外線を利用する新規な技術も提案されている。例えば基板上のレジスト膜の全面に紫外線を照射してレジスト膜を改質する処理や２種類のポリマーからなるブロック重合体に紫外線を照射した後、現像することによりラインパターンを形成する手法などが挙げられる。
このように紫外線を利用して基板処理を行う場合、装置構成の簡素化の要請も考慮すると、処理雰囲気を不活性ガス雰囲気にした場合であっても大気の混入が避けられず、オゾンが発生してしまう。このため、発生したオゾンが問題になる懸念がある。紫外線を用いる処理装置の有効な構成の一つとしては、例えば特許文献１に記載されているように、基板を載置台に載置して紫外線照射部の下方側を通過させる構成を挙げることができるが、オゾンにより載置台の駆動系が腐食する懸念がある。
こうした点を考慮すると、紫外線を用いた基板処理装置においては、駆動系からのパーティクルが基板に付着しないようにしつつ、オゾンによる駆動系の腐食を抑えることが要請され、処理雰囲気を不活性ガスとする場合には大気の混入を抑えることも要求される。特許文献１にはこのような点については全く着目されていない。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、紫外線を用いた基板処理装置において、オゾンによる駆動機構に対する悪影響を抑え、また基板へのパーティクルの付着を低減することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明に係る基板処理装置は、筐体と、
前記筐体内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前方側の基板の受け渡し位置と後方側の処理室との間で、前記載置台を前後方向に移動させるために前記載置台の下方側に設けられた駆動機構と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射するための紫外線照射部と、
前記処理室と前記駆動機構が位置する駆動室とを上下に仕切るために設けられ、前記載置台を支持する支持部が移動するためのスリットが形成された仕切り部材と、
前記駆動室内の雰囲気を排気するために当該駆動室に設けられた第１の排気口と、
前記スリットに臨むように当該スリットの長さ方向に沿って形成された第２の排気口と、
前記スリットの左右両側位置の前記処理室の底部に設けられ、前記スリットの長さ方向に沿って伸びると共に、前記基板の受け渡し位置側の前端部に、前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域に向けて開口する第３の排気口が形成され、当該第３の排気口から流入した気流を排気する排気ダクトと、
前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域を挟んで、各排気ダクトの前端部よりも前方側であって、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置の前記仕切り部材に設けられた第２の開口部と、を備えたことを特徴とする。
前記筐体内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前方側の基板の受け渡し位置と後方側の処理室との間で、前記載置台を前後方向に移動させるために前記載置台の下方側に設けられた駆動機構と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射するための紫外線照射部と、
前記処理室と前記駆動機構が位置する駆動室とを上下に仕切るために設けられ、前記載置台を支持する支持部が移動するためのスリットが形成された仕切り部材と、
前記駆動室内の雰囲気を排気するために当該駆動室に設けられた第１の排気口と、
前記スリットに臨むように当該スリットの長さ方向に沿って形成された第２の排気口と、
前記スリットの左右両側位置の前記処理室の底部に設けられ、前記スリットの長さ方向に沿って伸びると共に、前記基板の受け渡し位置側の前端部に、前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域に向けて開口する第３の排気口が形成され、当該第３の排気口から流入した気流を排気する排気ダクトと、
前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域を挟んで、各排気ダクトの前端部よりも前方側であって、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置の前記仕切り部材に設けられた第２の開口部と、を備えたことを特徴とする。
前記基板処理装置は、以下の構成を備えていてもよい。
（ａ）前記第２の排気口は、前記スリットの左右両側にて互いに対向する面に設けられていること。
（ｂ）前記処理室側の仕切り部材の下方側には、当該仕切り部材の下面に対して隙間を開けて配置された緩衝空間形成部材が設けられ、当該隙間は、前記処理室側の雰囲気と前記駆動室側の雰囲気との間に配置される緩衝空間を構成すること。
（ｃ）前記第１の排気口は、前記スリットの左右両側に設けられていること。
（ｄ）前記処理室よりも前記基板の受け渡し位置側に寄った部位において、前記仕切り部材に第３の開口部が形成されていること。このとき、前記第３の開口部は、前記基板の受け渡し位置において前記スリットの左右両側に形成された開口部を含み、当該開口部と前記載置台の載置面の高さ位置との間には、当該開口部を覆うカバーが設けられていること。
（ａ）前記第２の排気口は、前記スリットの左右両側にて互いに対向する面に設けられていること。
（ｂ）前記処理室側の仕切り部材の下方側には、当該仕切り部材の下面に対して隙間を開けて配置された緩衝空間形成部材が設けられ、当該隙間は、前記処理室側の雰囲気と前記駆動室側の雰囲気との間に配置される緩衝空間を構成すること。
（ｃ）前記第１の排気口は、前記スリットの左右両側に設けられていること。
（ｄ）前記処理室よりも前記基板の受け渡し位置側に寄った部位において、前記仕切り部材に第３の開口部が形成されていること。このとき、前記第３の開口部は、前記基板の受け渡し位置において前記スリットの左右両側に形成された開口部を含み、当該開口部と前記載置台の載置面の高さ位置との間には、当該開口部を覆うカバーが設けられていること。
本発明は、基板の載置台をその下方側の駆動室内の駆動機構により基板の受け渡し位置と処理室との間で前後方向に移動できるように構成し、載置台の支持部が移動するためのスリットを備えた仕切り部材により、処理室と駆動室との間を上下に仕切っている。そして駆動室に設けた第１の排気口により駆動室内を排気し、更にスリットに臨む第２の排気口により駆動室内及び処理室内の排気を行っている。このため仕切り部材にスリットが存在していても、駆動室から処理室へのパーティクルの流入と処理室から駆動室へのオゾンの流入とが抑えられる効果がある。
初めに、本発明の基板処理装置である大気ＵＶ処理モジュール１４１及び窒素ＵＶ処理モジュール１４４を用いてウエハＷに対して実行される処理の具体例について説明する。 後述する大気ＵＶ処理モジュール１４１及び窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、ブロック共重合体（ＢＣＰ：Block CoPolymers）の自己組織化（ＤＳＡ：Directed Self Assembly）を利用してウエハＷ上にパターンを形成する処理に適用される。具体的には、窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、ウエハＷの表面にＢＣＰを塗布してＢＣＰ膜９３を形成し、不活性ガスである窒素雰囲気下でこのＢＣＰ膜９３に紫外線を照射する処理（窒素ＵＶ（Ultra Violet）処理）を実行することにより、相分離したパターンの溶剤に対する溶解度を調節する処理に用いられる。
また以下の実施の形態では、親水性ポリマーブロックと疎水性ポリマーブロックとを含むＢＣＰを用い、下地側の中性膜９１に形成した親水領域９１１と相分離した後の親水性ポリマー部９３１との親和性を利用して、パターンが形成される位置の制御を行う例について説明する。この例において大気ＵＶ処理モジュール１４１は、大気雰囲気下で中性膜９１に紫外線を照射することにより、中性膜９１に親水領域９１１を形成する処理（大気ＵＶ処理）に用いられる。
このようにウエハＷに対して紫外線を照射する処理（ＵＶ処理）を行いながら、ＢＣＰからパターンを形成する処理の流れについて図１を参照しながら説明しておく。
このようにウエハＷに対して紫外線を照射する処理（ＵＶ処理）を行いながら、ＢＣＰからパターンを形成する処理の流れについて図１を参照しながら説明しておく。
図１（ａ）には、ウエハＷの上面側に、ＢＣＰが相分離することにより形成される親水性ポリマー部９３１、疎水性ポリマー部９３２の双方に対して親和性が中間的な中性膜９１を形成した状態を示している。さらに中性膜９１の上層側には親水領域９１１を形成する位置に合わせて開口を形成したレジスト膜９２がパターニングされている。このウエハＷに対し、大気ＵＶ処理を行うと、中性膜９１の表面が酸化されて親水領域９１１が形成される。
親水領域９１１の形成後、レジスト膜９２を除去し、ＢＣＰを塗布してＢＣＰ膜９３を形成し（図１（ｂ））、次いで当該ＢＣＰ膜９３の形成されたウエハＷを加熱して熱処理を行う。この熱処理により、親水性ポリマーブロックと疎水性ポリマーブロックとが相分離して親水性ポリマー部９３１と疎水性ポリマー部９３２とのラメラ構造（図面と直交する方向へ直線状に伸びる親水性ポリマー部９３１、疎水性ポリマー部９３２が交互に配置された構造）が形成される。このとき、ウエハＷ上の予め設定した位置に親水領域９１１を形成しておくことにより、親水領域９１１の中央部に疎水性ポリマー部９３２が配置される。この中央部の疎水性ポリマー部９３２を基点として、その両サイドに親水性ポリマー部９３１が配置され、さらにその両サイドに疎水性ポリマー部９３２が配置されるので、所望の位置及び順番で疎水性ポリマー部９３２、親水性ポリマー部９３１を交互に配置することができる（図１（ｃ））。
親水性ポリマー部９３１及び疎水性ポリマー部９３２が形成されたウエハＷに対してさらに窒素ＵＶ処理を行うと（図１（ｃ））、例えば疎水性ポリマー部９３２側の架橋反応の進行により溶剤に溶解しにくくなる一方、親水性ポリマー部９３１側ではポリマーの主鎖を切断する反応が進行して溶剤に溶解し易くなる。その後、ウエハＷの表面にＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol）などの有機溶剤を供給して親水性ポリマー部９３１を溶解除去することにより、所定の間隔を開けて配置された直線状の疎水性ポリマー部９３２のパターンを得ることができる。この疎水性ポリマー部９３２をマスクパターンとしてエッチング処理を行うことにより、マスクパターンに対応したパターン構造をウエハＷ上に形成することができる。
以上に概要を説明したＢＣＰのＤＳＡを利用したパターンの形成法において、本例の大気ＵＶ処理モジュール１４１や窒素ＵＶ処理モジュール１４４では、載置台を成す真空チャック５上にウエハＷが載置され、処理室２０内にて紫外線照射部である紫外線ランプ７の下方側にウエハＷを通過させてＵＶ処理が行われる。さらにこれら大気ＵＶ処理モジュール１４１及び窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、ＵＶ処理の際に発生するオゾンが真空チャック５の駆動機構を収容した駆動室２２内へ進入することを抑え、且つ、駆動室２２内で発生したパーティクルの処理室２０側への進入を抑えることが可能な構成を備えている。
以下、大気ＵＶ処理モジュール１４１、及び窒素ＵＶ処理モジュール１４４の構成、作用の説明を順次、行う。
以下、大気ＵＶ処理モジュール１４１、及び窒素ＵＶ処理モジュール１４４の構成、作用の説明を順次、行う。
本発明の第１の実施の形態である大気ＵＶ処理モジュール１４１について図２〜図７を参照しながら説明する。なお、図２〜図１１を用いた大気ＵＶ処理モジュール１４１、窒素ＵＶ処理モジュール１４４の説明においては、図面に向かって左側を手前側として説明する。
図３の縦断側面図に示すように、大気ＵＶ処理モジュール１４１は、前後方向に細長い扁平な筐体２１内を仕切り部材２３によって上下に仕切り、仕切り部材２３の上方側にウエハＷの受け渡し位置や処理室２０を設ける一方、仕切り部材２３の下方側には真空チャック５の駆動機構を収容した駆動室２２が設けられている。
図３の縦断側面図に示すように、大気ＵＶ処理モジュール１４１は、前後方向に細長い扁平な筐体２１内を仕切り部材２３によって上下に仕切り、仕切り部材２３の上方側にウエハＷの受け渡し位置や処理室２０を設ける一方、仕切り部材２３の下方側には真空チャック５の駆動機構を収容した駆動室２２が設けられている。
筐体２１の前面側の側壁には、仕切り部材２３の上方側の空間へウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２１１が形成されており、この搬入出口２１１はシャッター２１２によって開閉自在となっている。
図２、図３に示すように、搬入出口２１１に臨む筐体２１内の手前側の領域には、外部のウエハ搬送機構１７０と真空チャック５との間でウエハＷの受け渡しが行われる空間（受け渡し位置）が設けられている。真空チャック５は、ウエハＷが載置される円板状の部材であり、その上面には不図示の真空排気路に接続された吸着口が開口し、ウエハＷを吸着保持することができる。
真空チャック５は、支持部５１を介して後述する駆動機構に接続され、仕切り部材２３にはこの支持部５１を移動させるための移動経路を成す直線状のスリット２３４が形成されている。従って真空チャック５は、このスリット２３４に沿ってウエハＷの受け渡し位置と、処理室２０との間を前後方向に移動することができる。
図２、図５などに示すように、搬入出口２１１と、受け渡し位置側に移動した真空チャック５とに挟まれた位置の仕切り部材２３には、搬入出口２１１から進入した大気を駆動室２２内へ向けて下方側へ吸い込むための手前側開口部２３１が設けられている。手前側開口部２３１は、搬入出口２１１に沿って左右方向に細長い形状に形成されている。
また、手前側から見てスリット２３４の左右両側位置の仕切り部材２３には、ウエハＷの受け渡し空間内の大気を駆動室２２内へ向けて下方側へ吸い込むための受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂが形成されている（図２、図６など参照）。受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂは、前記スリット２３４の伸びる方向に沿って、前後方向に細長い形状に形成されている。
上述の手前側開口部２３１や受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂは、本実施の形態の第３の開口部に相当する。第３の開口部は、ウエハＷの受け渡しが行われる空間内の排気を、処理室２０内の排気とは独立して行うことにより、処理室２０内の排気量を低減するために設けられる。
上述の手前側開口部２３１や受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂは、本実施の形態の第３の開口部に相当する。第３の開口部は、ウエハＷの受け渡しが行われる空間内の排気を、処理室２０内の排気とは独立して行うことにより、処理室２０内の排気量を低減するために設けられる。
さらに図２、図３などに示すように、受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂの上方側には、駆動室２２内で発生したパーティクルが真空チャック５に載置されたウエハＷへ付着することを抑えるために、受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂを覆うカバー５５が設けられている。カバー５５は受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂと真空チャック５上のウエハＷの載置面との間の高さ位置に設けられている。ウエハＷの受け渡し空間内の大気はカバー５５と仕切り部材２３との隙間を介して受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂに進入する。またカバー５５にも、真空チャック５を支持する支持部５１を通過させるためのスリット５５１が形成されている。
図２、図３などに示すように、ウエハＷの受け渡し空間の後方には、仕切り部材２３の上方側を覆うようにランプボックス７２及び処理室カバー７４が設けられている。真空チャック５に載置されたウエハＷは、これら仕切り部材２３とランプボックス７２及び処理室カバー７４とに囲まれた処理室２０内に搬送される。
ランプボックス７２内には、例えば、波長１８５ｎｍと波長２５４ｎｍとに強いピークを有する紫外線を発する低圧紫外ランプ（低圧水銀灯）や、波長１７２ｎｍの単一波長紫外線を発するＸｅエキシマランプ、波長２２２ｎｍの単一波長紫外線を発するＫｒＣｌエキシマランプなどの紫外線ランプ７が配置されている。紫外線ランプ７は、ウエハＷの直径（例えば３００ｍｍ）よりも長い直線状の領域に紫外線を照射できるように構成され、当該直線状の照射領域が、ウエハＷの移動方向（スリット２３４が伸びる方向）と直交する向きに形成されるように配置されている。
ランプボックス７２の下面には、紫外線を透過する石英ガラス７１が配置され、不図示の電力供給部から紫外線ランプ７に電力を供給して発生させた紫外線は、この石英ガラス７１を介して下方側へ照射される。この紫外線ランプ７の下方側をウエハＷが通過することにより、大気雰囲気下でウエハＷに紫外線を照射する大気ＵＶ処理が行われる。
処理室カバー７４は、ランプボックス７２が配置されている位置よりも後方の領域の仕切り部材２３の上方側を覆い、ランプボックス７２と共に仕切り部材２３との間に処理室２０を形成する。
また図２に示すように、ランプボックス７２の前方には庇部７３が設けられている。
また図２に示すように、ランプボックス７２の前方には庇部７３が設けられている。
次いで、図３、図４及び図７を参照しながら、仕切り部材２３の下方側の駆動室２２内の構成について説明する。
図４に示すように、真空チャック５を支持する支持部５１の下端部にはスライダー５２が設けられている。このスライダー５２は、既述のスリット２３４が伸びる方向に沿って駆動室２２の床面上に配置されたレール５３に案内されて駆動室２２内を前後方向に移動自在に構成されている。
図４に示すように、真空チャック５を支持する支持部５１の下端部にはスライダー５２が設けられている。このスライダー５２は、既述のスリット２３４が伸びる方向に沿って駆動室２２の床面上に配置されたレール５３に案内されて駆動室２２内を前後方向に移動自在に構成されている。
またスライダー５２は駆動ベルト５４１に接続され、この駆動ベルト５４１は、レール５３の前端部側及び後端部側に各々配置された回転モーター５４３の回転軸と、プーリー５４２とに巻き掛けられている。そして回転モーター５４３を正転方向または逆転方向に所定量だけ回転させて駆動ベルト５４１を前後方向に移動させることにより、真空チャック５を所望の位置に移動させることができる。
スライダー５２、レール５３、駆動ベルト５４１や回転モーター５４３、プーリー５４２は、真空チャック５の駆動機構に相当する。なお、図示の便宜上、図４においては、駆動ベルト５４１の一部を切り欠いた状態で表示してある。
スライダー５２、レール５３、駆動ベルト５４１や回転モーター５４３、プーリー５４２は、真空チャック５の駆動機構に相当する。なお、図示の便宜上、図４においては、駆動ベルト５４１の一部を切り欠いた状態で表示してある。
図４、図７に示すように駆動室２２内には、手前側から見て左右の内壁面に沿って、前後方向に伸びるように排気管２２１ａ、２２１ｂが設けられている。各排気管２２１ａ、２２１ｂの側面には、互いに間隔を空けて複数の排気孔２２２が形成されており、駆動室２２の雰囲気はこれらの排気孔２２２を介して排気管２２１ａ、２２１ｂへと排気される。従って、これらの排気孔２２２は、前記スリット２３４の左右両側に設けられていることになる。
排気孔２２２は、駆動室２２内の雰囲気を排気するための第１の排気口に相当する。
排気孔２２２は、駆動室２２内の雰囲気を排気するための第１の排気口に相当する。
図７に示すように各排気管２２１ａ、２２１ｂは駆動室２２の後方に設けられた下部側排気室２５に接続されている。排気管２２１ａ、２２１ｂ内を流れる気流は、この下部側排気室２５を介して、下部側排気室２５に接続された下部側排気ライン２５１より外部へ排出される。
以上に説明した構成を備える窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、処理室２０内で発生したオゾンの駆動室２２への進入を抑え、駆動室２２内で発生したパーティクルの処理室２０側への進入を抑制するための特別な排気を行っている。以下、当該処理室２０内の排気に係わる構成について説明する。
図２、図６などに示すように、処理室２０内において、真空チャック５を支持する支持部５１の移動経路を成すスリット２３４の左右両脇の仕切り部材２３上には、当該スリット２３４の長さ方向に沿って形成された排気口３１を備えるスリット側ダクト３ａ、３ｂが設けられている。両スリット側ダクト３ａ、３ｂに形成された排気口３１は、スリット２３４の左右両側にて互いに対向する面に設けられている。
図６に示すように、各スリット側ダクト３ａ、３ｂの後端部は、処理室２０の後方に設けられた上部側排気室２４に接続されている。スリット側ダクト３ａ、３ｂ内を流れる気流は、この上部側排気室２４を介して、上部側排気室２４に接続された上部側排気ライン２４１より外部へ排出される。
スリット側ダクト３ａ、３ｂに設けられた排気口３１は、第２の排気口に相当する。
スリット側ダクト３ａ、３ｂに設けられた排気口３１は、第２の排気口に相当する。
手前側から見て前記スリット側ダクト３ａの左脇、及びスリット側ダクト３ｂの右脇には、ウエハＷの受け渡し空間に臨む処理室２０の前方側の位置における仕切り部材２３に、駆動室２２へ連通する矩形状の処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂが形成されている。これら処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂは、仕切り部材２３に接続された後端部側から先端部側へ向けて次第に高さ位置が高くなるように傾斜した案内板４１ａ、４１ｂによってその上方側が覆われている。
各案内板４１ａ、４１ｂと仕切り部材２３との間の隙間は、処理室２０側からウエハＷの受け渡し空間に臨む位置に開口し、当該空間から処理室２０へ流入する大気の一部は、駆動室２２へ向けて流れる。案内板４１ａ、４１ｂと仕切り部材２３との間の隙間は、本実施の形態の第２の開口部に相当する。
ここで処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの形状は、矩形状に限られるものではなく、例えば仕切り部材２３に複数の小孔を並べて形成した構成を採用してもよい。また、案内板４１ａ、４１ｂにて処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの上方側を覆うことも必須ではなく、仕切り部材２３に剥き出しの状態で処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂを形成してもよい。この場合には、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂ自体が第２の開口部となる。
さらに前記処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの後方側の仕切り部材２３上には、前記スリット２３４やスリット側ダクト３ａ、３ｂに沿って、前後方向に伸びるように排気ダクト４２ａ、４２ｂが形成されている。これら排気ダクト４２ａ、４２ｂの先端部は、処理室２０内における紫外線ランプ７からの紫外線照射が行われる領域に向けて開口する第３の排気口を構成する一方、その後端部は既述の上部側排気室２４に向けて開口している。また、排気ダクト４２ａ、４２ｂの後端部側にて、仕切り部材２３に開口を設け、排気ダクト４２ａ、４２ｂ内を駆動室２２側へ向けて排気してもよい。
これらに加え、処理室２０の最後端の側壁面には、手前側から見て左右方向に伸びるスリット状の排気口６１が形成された後端側排気部６が設けられている（図２、図３）。当該排気口６１についても既述の上部側排気室２４に接続されている。
このように本例においては、処理室２０の後端部、及び排気ダクト４２ａ、４２ｂの後端部が各々上部側排気室２４に向けて開口する構成となっているが、処理室２０または排気ダクト４２ａ、４２ｂのいずれか一方を上部側排気室２４に向けて開口させてもよい。処理室２０の後端部からのみ排気を行う場合は、処理室２０自体が本発明の排気ダクトを構成しているといえる。
このように本例においては、処理室２０の後端部、及び排気ダクト４２ａ、４２ｂの後端部が各々上部側排気室２４に向けて開口する構成となっているが、処理室２０または排気ダクト４２ａ、４２ｂのいずれか一方を上部側排気室２４に向けて開口させてもよい。処理室２０の後端部からのみ排気を行う場合は、処理室２０自体が本発明の排気ダクトを構成しているといえる。
またさらに図３、図７に示すように（図７には破線で示してある）、処理室２０側の仕切り部材２３の下方側には、当該仕切り部材２３の下面との間に隙間を開けて、板状の緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂが配置されている。
既述のように駆動室２２内は、真空チャック５の支持部５１やスライダー５２が前後方向に移動する空間であり、これらの部材５１、５２の移動に伴って駆動室２２内の雰囲気が掻き乱される。この結果、駆動室内２２にて発生したパーティクルが舞い上がり、スリット２３４などを介して処理室２０に流入するおそれがある。
既述のように駆動室２２内は、真空チャック５の支持部５１やスライダー５２が前後方向に移動する空間であり、これらの部材５１、５２の移動に伴って駆動室２２内の雰囲気が掻き乱される。この結果、駆動室内２２にて発生したパーティクルが舞い上がり、スリット２３４などを介して処理室２０に流入するおそれがある。
そこで仕切り部材２３の下方側に緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂを配置して、仕切り部材２３−緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂ間に隙間を形成し、この隙間を緩衝空間２２４としている。緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂは、前端部が既述の処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの前後方向における中央部の下方側に位置し、後端部が駆動室２２の後端側の側壁面に接続されている。また図７に示すように、手前側から見て、緩衝空間形成部材２２３ａの左側の側端部、及び緩衝空間形成部材２２３ｂの右側の側端部は、各々駆動室２２の側壁面に接続されている。一方、緩衝空間形成部材２２３ａの右側の側端部、及び緩衝空間形成部材２２３ｂの左側の側端部は、スリット２３４を構成する仕切り部材２３の下方側まで伸び出し、当該スリット２３４とほぼ同じ幅のスリット２２５を構成している。
以上に説明した構成を備える大気ＵＶ処理モジュール１４１は制御部８と接続されている（図３）。制御部８は図示しないＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には大気ＵＶ処理モジュール１４１の作用、即ち真空チャック５上に載置されたウエハＷを処理室２０内に搬入して紫外線ランプ７から紫外線を照射し大気ＵＶ処理を行った後、再び受け渡し位置までウエハＷを移動させて外部へ搬出するまでの制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
続いて、本大気ＵＶ処理モジュール１４１の作用について説明を行う。外部のウエハ搬送機構１７０により処理対象のウエハＷが搬送されて来たら、シャッター２１２を開けて搬入出口２１１からウエハＷを搬入し、受け渡し空間にて待機している真空チャック５にウエハＷを載置する。真空チャック５にウエハＷが吸着保持されたら、紫外線ランプ７に電力を供給して紫外線の照射を開始すると共に、ウエハＷを処理室２０に向けて移動させる。
ウエハＷが処理室２０内に進入し、紫外線ランプ７の下方側を通過すると、ウエハＷの上面に紫外線が照射される。こうして予め設定された速度で紫外線ランプ７の下方側でウエハＷを移動させることにより、ウエハＷの全面が紫外線によって走査され、図１（ａ）にて説明した大気ＵＶ処理が実行される。
そしてウエハＷの全面への紫外線照射を終えたら、紫外線ランプ７を消灯し、ウエハＷを受け渡し空間側へ移動させる。しかる後、シャッター２１２を開いてウエハ搬送機構１７０を進入させ、真空チャック５の吸着保持を解除してウエハＷをウエハ搬送機構１７０側に受け渡し、処理を完了したウエハＷを搬出する。
これらの動作中の大気ＵＶ処理モジュール１４１内の気体の流れについて説明する。なお、図６の平面図は、図５に示した案内板４１ａ、４１ｂの一部や、排気ダクト４２ａ、４２ｂ、スリット側ダクト３ａ、３ｂの上面を取り払った状態を示している。
図３、図５などに示すように、ウエハＷの搬入出時に搬入出口２１１を介して外部から流れ込んだ大気は、搬入出口２１１に臨む位置に設けられた手前側開口部２３１より駆動室２２へと排出される。また、ウエハＷの受け渡し空間内の大気についても既述の手前側開口部２３１や受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂを介して駆動室２２へと排出される。
さらに、処理室２０の入口には、駆動室２２に向けて開口する処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂへと受け渡し空間内の大気を案内する案内板４１ａ、４１ｂが設けられている。このため、図３、図５に示すように処理室２０への搬入時にウエハＷの移動に伴って受け渡し空間内の大気が処理室２０へ向けて流れ始めても、これら案内板４１ａ、４１ｂに案内されてその流れ方向が下方側へと変えられる。この結果、処理室２０へ進入しようとする大気の一部を、気流の巻き上げなどを発生させずに駆動室２２側へと排出することができる。
これらに加え、処理室２０内で唯一、駆動室２２に向けて直接、開口しているスリット２３４には、当該スリット２３４の長さ方向に沿って排気口３１が形成されたスリット側ダクト３ａ、３ｂが設けられている。このため、図５、図６に示すように、紫外線が照射されて発生したオゾンを含む処理室２０内の大気は、この排気口３１を介してスリット側ダクト３ａ、３ｂに排出され、駆動室２２への流れ込みを抑えることができる。
また、仕切り部材２３の下方側の仕切り部材２３近傍の領域の大気も上述の排気口３１を介してスリット側ダクト３ａ、３ｂに排出されるので、駆動室２２側から処理室２０へのパーティクルを含む気流の流れ込みも抑えることができる。
特に、既述のように仕切り部材２３の下方側には緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂが配置され、仕切り部材２３と緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂとの間に緩衝空間２２４が形成されている。この緩衝空間２２４は、緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂを介して駆動室２２から区画されているので、支持部５１やスライダー５２の移動に伴う駆動室２２内の気流の乱れの影響を受けにくくなっている。この結果、スリット側ダクト３ａ、３ｂは、仕切り部材２３の下方側からの気流を安定して排気することができる。また、処理室２０と駆動室２２との間に緩衝空間２２４を介在させていることにより、駆動室２２内のパーティクルを含む気流の乱れがスリット２２５、２３４を介して処理室２０側に進入しにくくなるという効果もある。
さらにまた、排気ダクト４２ａ、４２ｂは、処理室２０内における紫外線ランプ７からの紫外線照射が行われる領域に向けて開口しているので、当該領域で発生したオゾンを含む大気をオゾンの発生位置にて効果的に外部へと排出することができる。
以上に説明した案内板４１ａ、４１ｂ（処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂ）、排気ダクト４２ａ、４２ｂやスリット側ダクト３ａ、３ｂの上方側を流れる処理室２０内の大気は、後端側排気部６を介して外部へと排出される。また、排気ダクト４２ａ、４２ｂは処理室２０内の容積を低減して、処理室２０からの排気量を減らす役割も果たしている。
以上に説明した案内板４１ａ、４１ｂ（処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂ）、排気ダクト４２ａ、４２ｂやスリット側ダクト３ａ、３ｂの上方側を流れる処理室２０内の大気は、後端側排気部６を介して外部へと排出される。また、排気ダクト４２ａ、４２ｂは処理室２０内の容積を低減して、処理室２０からの排気量を減らす役割も果たしている。
次いで図７を参照しながら駆動室２２内の気体の流れについて説明する。図７に示すように、仕切り部材２３に設けられている手前側開口部２３１や受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂ、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂから流入した大気は、手前側から見て駆動室２２の左右両側面側に設けられている排気管２２１ａ、２２１ｂを介して外部へ排出される。また排気管２２１ａ、２２１ｂには、互いに間隔を開けて複数の排気孔２２２が設けられている。
この結果、駆動室２２内には手前側から見て中央部から左右両側面側へ向かう気流が、駆動室２２内の前後方向（既述のスリット２３４が形成されている方向）に沿って均等に形成される。このため、駆動室２２内においては、パーティクルを含む気流の巻き上げなどの発生が少なく、スリット２３４を介した処理室２０側へのパーティクルの進入を抑えることができる。
また、処理室２０内の大気の一部がスリット側ダクト３ａ、３ｂにて排出しきれずに、オゾンを含む大気がスリット２３４を介して駆動室２２側に進入した場合であっても、駆動室２２内には駆動機構（スライダー５２、レール５３、駆動ベルト５４１や回転モーター５４３、プーリー５４２）から遠ざかる方向へ向けて流れる気流が常時、形成されている。このため、駆動機構付近におけるオゾンを含む大気の滞留が抑えられ、これらの機器の腐食の発生を抑えることができる。
次に、本発明の第２の実施の形態である窒素ＵＶ処理モジュール１４４について図８〜図１１を参照しながら説明する。これらの図においては、図２〜図７を用いて説明した大気ＵＶ処理モジュール１４１と共通の構成要素には、これらの図で用いたものと同じ符号を付してある。また駆動室２２内の構造は、図４、図７に示した例と同様であるので、再度の図示を省略している。
窒素雰囲気中でウエハＷのＵＶ処理（窒素ＵＶ処理）を行う窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、処理室２０内へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管３２ａ、３２ｂが設けられている点と、処理室２０内におけるオゾンの発生量が微量であることから、排気ダクト４３ａ、４３ｂを処理室２０の入口側まで延伸させ、処理室２０内の排気はスリット側ダクト３ａ、３ｂのみにより行っている点と、処理室２０内への大気の進入を抑えるため庇部７３から下方側へ向けて窒素ガスのガスカーテンを形成している点と、において既述の大気ＵＶ処理モジュール１４１の構成とは異なる。
窒素ガス供給管３２ａ、３２ｂは、不図示の窒素供給源に接続され、処理室２０の内側壁面に沿って前後方向に伸びるように設けられている。各窒素ガス供給管３２ａ、３２ｂの上面側には互いに間隔を開けて複数の窒素ガス供給孔３２１が配置されている。即ち、窒素ガス供給孔３２１は、スリット２３４を挟んで処理室２０の左縁部及び右縁部に、スリット２３４の伸びる方向に沿って設けられているといえる。
図１０、図１１に示すように、これらの窒素ガス供給孔３２１から供給された窒素ガスは、処理室２０の天井面（石英ガラス７１や処理室カバー７４の下面）に案内されて流れ方向を処理室２０の中央部側へ変え、スリット２３４に沿って形成されたスリット側ダクト３ａ、３ｂの排気口３１介して外部へ排出される。窒素ガス供給管３２ａ、３２ｂは、不活性ガスのガス供給部に相当する。
本例においてもスリット２３４に沿って形成された排気口３１を備えるスリット側ダクト３ａ、３ｂを配置することにより、処理室２０内で発生した微量のオゾンの駆動室２２への流れ込み、また駆動室２２内で発生したパーティクルの処理室２０への流入を抑えることができる。
なお本例の窒素ＵＶ処理モジュール１４４においては、処理室２０の後端部に後端側排気部６は設けられていない。
なお本例の窒素ＵＶ処理モジュール１４４においては、処理室２０の後端部に後端側排気部６は設けられていない。
また、図９に記載の例では仕切り部材２３の下方側に緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂを設けていないが、図３に示した第１の実施形態に係る大気ＵＶ処理モジュール１４１と同様に、仕切り部材２３の下方側に緩衝空間形成部材２２３ａ、２２３ｂを配置して緩衝空間２２４を形成し、駆動室２２内の気流の乱れの影響を抑えてもよい。
また、前方側から見て前記スリット側ダクト３ａの左脇、及びスリット側ダクト３ｂの右脇には、処理室２０内の前端部から後端部にかけての領域を前後方向に伸びる排気ダクト４３ａ、４３ｂが設けられている。各排気ダクト４３ａ、４３ｂは、既述の大気ＵＶ処理モジュール１４１と同様の位置に設けられた処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂ、及びこれら処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの後方側の仕切り部材２３上に設けられた後部側開口部２３５ａ、２３５ｂを覆うように設けられている。本例において、後部側開口部２３５ａ、２３５ｂは、排気ダクト４３ａ、４３ｂの後端の開口に相当し、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂは第１の開口部に相当している。
図９に示すように、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの後端位置には、排気ダクト４３ａ、４３ｂに進入した気流の一部を処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂに向けて案内するために、排気ダクト４３ａ、４３ｂ内の一部を塞ぐ案内部材４２１ａ、４２１ｂが設けられている。
なお、既述の後部側開口部２３５ａ、２３５ｂは必ずしも設けなくてもよく、この場合には処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの後方側の排気ダクト４３ａ、４３ｂを案内部材４２１ａ、４２１ｂにて塞いでもよい。
なお、既述の後部側開口部２３５ａ、２３５ｂは必ずしも設けなくてもよく、この場合には処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂの後方側の排気ダクト４３ａ、４３ｂを案内部材４２１ａ、４２１ｂにて塞いでもよい。
また第３の排気口である排気ダクト４３ａ、４３ｂの先端部は、処理室２０側からウエハＷの受け渡し空間に臨む位置に開口している。従って処理室２０への搬入時にウエハＷの移動に伴って受け渡し空間内の大気が処理室２０へ向けて流れ始めても、大気の一部は前記開口を介して排気ダクト４３ａ、４３ｂに進入し、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂ、後部側開口部２３５ａ、２３５ｂを介して駆動室２２へ排出される。この結果、処理室２０へ進入しようとする大気の一部を、気流の巻き上げなどを発生させずに駆動室２２側へと排出することができる。
さらに本例においても排気ダクト４３ａ、４３ｂは処理室２０内の容積を低減して、処理室２０からの排気量を低減する役割も果たしている。
さらに本例においても排気ダクト４３ａ、４３ｂは処理室２０内の容積を低減して、処理室２０からの排気量を低減する役割も果たしている。
また図９に示すように、ランプボックス７２の前方に設けた庇部７３の全端縁からは、下方側へ向けて窒素ガスを吐出してガスカーテンを形成することにより、処理室２０内への大気の進入を抑え、紫外線の照射に伴うオゾンの発生量を抑制している。
この窒素ＵＶ処理モジュール１４４にて窒素ガス雰囲気となっており、酸素濃度が例えば数百ｐｐｍ以下の低濃度である処理室２０内にウエハＷを搬入して紫外線を照射すると、図１（ｃ）を用いて説明した窒素ＵＶ処理が実行される。
以上に説明した、本実施の形態に係る大気ＵＶ処理モジュール１４１、窒素ＵＶ処理モジュール１４４によれば以下の効果がある。大気ＵＶ処理モジュール１４１、窒素ＵＶ処理モジュール１４４は、ウエハＷが載置される真空チャック５をその下方側の駆動室２２内の駆動機構によりウエハＷの受け渡し位置と処理室２０との間で前後方向に移動できるように構成されている。そして、これら処理室２０と駆動室２２との間は、真空チャック５の支持部５０が移動するためのスリット２３４を備えた仕切り部材２３により上下に仕切られている。そして駆動室２２に設けた排気孔２２２（第１の排気口）により駆動室２２内を排気し、更にスリット２３４に臨む排気口３１（第２の排気口）により駆動室２２内及び処理室２０内の排気を行っている。このため仕切り部材２３にスリットが存在していても、駆動室２２から処理室２０へのパーティクルの流入と処理室２０から駆動室２２へのオゾンの流入とが抑えられる効果がある。
ここで、大気ＵＶ処理モジュール１４１、窒素ＵＶ処理モジュール１４４の構成は、図２〜図１１に示した例に限定されるものではなく、手前側開口部２３１や受け渡し室側開口部２３３ａ、２３３ｂの一部や、処理室側開口部２３２ａ、２３２ｂと案内板４１ａ、４１ｂとからなる排気機構、排気ダクト４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂの設置を省略してもよい。また駆動室２２内の排気方式も図４、図７に示した例に限定されるものではなく、駆動室２２の後端側の側壁面に直接、下部側排気ライン２５１を接続して排気を行ってもよい。
次いで図１２〜図１４を参照しながら、上述の大気ＵＶ処理モジュール１４１、窒素ＵＶ処理モジュール１４４を備えた塗布、現像装置１によりウエハＷを処理する動作の概要について説明する。
ウエハＷを収納したカセットＣが、塗布、現像装置１のキャリアブロックＳ１に搬入されたら、ウエハ搬送モジュール１２３によりウエハＷを順次取り出し、棚ユニットＧ３内の受け渡しモジュール１５３に搬送する。
ウエハＷを収納したカセットＣが、塗布、現像装置１のキャリアブロックＳ１に搬入されたら、ウエハ搬送モジュール１２３によりウエハＷを順次取り出し、棚ユニットＧ３内の受け渡しモジュール１５３に搬送する。
次いで、ウエハＷは、熱処理モジュール１４０に搬送されて温度調節された後、反射防止膜形成モジュール１３２に搬送され反射防止膜が形成される。次いで、熱処理モジュール１４０で温度調節が行われたウエハＷは、中性膜形成モジュール１３３に搬送されて、図１（ａ）に示した中性膜９１が形成される。その後、熱処理モジュール１４０で温度調節されたウエハＷは、棚ユニットＧ３内の受け渡しモジュール１５３に戻される。
次にウエハＷは、ウエハ搬送モジュール１００によって受け渡しモジュール１５４に搬送された後、アドヒージョンモジュール１４２に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウエハＷは、レジスト塗布モジュール１３４に搬送され、レジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される。次いでウエハＷは、熱処理モジュール１４０に搬送されて、プリベーク処理された後、棚ユニットＧ３の受け渡しモジュール１５５に搬送される。
次にウエハＷは、周辺露光モジュール１４３に搬送され、周辺露光処理された後、棚ユニットＧ３の受け渡しモジュール１５６に搬送される。しかる後、ウエハＷは、ウエハ搬送モジュール１００によって受け渡しモジュール１５２に搬送され、シャトル搬送モジュール１８０によって棚ユニットＧ４の受け渡しモジュール１６２に搬送される。
その後ウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のウエハ搬送モジュール１１０によって露光装置Ｓ４に搬送され、露光処理される。露光処理されたウエハＷは、ウエハ搬送モジュール１１０によって露光装置Ｓ４から受け渡しモジュール１６０に搬送された後、熱処理モジュール１４０にて露光後ベーク処理される。
次いでウエハＷは、現像モジュール１３０に搬送され、現像された後、熱処理モジュール１４０でポストベーク処理されて、図１（ａ）に示すようにパターニングされたレジスト膜９２が形成される。
次いでウエハＷは、現像モジュール１３０に搬送され、現像された後、熱処理モジュール１４０でポストベーク処理されて、図１（ａ）に示すようにパターニングされたレジスト膜９２が形成される。
レジストパターン４０２が形成されたウエハＷは、大気ＵＶ処理モジュール１４１に搬送され、図１（ａ）に示した大気ＵＶ処理が行われる。大気ＵＶ処理により中性膜９１には親水領域９１１が形成されたウエハＷは、洗浄モジュール１３１に搬送され、ウエハＷ上に有機溶剤が供給されてレジスト膜９２が除去される。
次にウエハＷは、ウエハ搬送モジュール１００によって棚ユニットＧ３の受け渡しモジュール１５５に搬送され、ブロック共重合体塗布モジュール１３５に搬送される。ブロック共重合体塗布モジュール１３５では、ＢＣＰが塗布され（図１（ｂ））、次いで熱処理モジュール１４０にて所定の温度の熱処理が行われることにより、ＢＣＰ膜９３は親水性ポリマー部９３１と疎水性ポリマー部９３２とに相分離する。
しかる後ウエハＷは、窒素ＵＶ処理モジュール１４４に搬送され、ここで図１（ｃ）に示した窒素ＵＶ処理が行われる。次いでウエハＷは、棚ユニットＧ３の受け渡しモジュール１５１へ搬送された後、洗浄モジュール１３１に搬入され、ウエハＷ上に有機溶剤が供給されて親水性ポリマー部９３１が除去され、疎水性ポリマー部９３２のパターンが得られる。
次いでウエハＷは、受け渡しモジュール１５０に搬送され、その後キャリアブロックＳ１のウエハ搬送モジュール１２３によって所定のカセット載置板１２１上のカセットＣに搬入される。
次いでウエハＷは、受け渡しモジュール１５０に搬送され、その後キャリアブロックＳ１のウエハ搬送モジュール１２３によって所定のカセット載置板１２１上のカセットＣに搬入される。
以上に本発明の実施の形態を説明したが、ウエハＷが載置される載置台を支持する支持部が移動するためのスリットに沿って形成された排気口３１（第２の排気口）や、駆動室２２に設けた排気孔２２２（第１の排気口）を介して装置内の排気を行う本発明は、上述の大気ＵＶ処理モジュール１４１や窒素ＵＶ処理モジュール１４４に適用する場合に限られない。例えば、既述の周辺露光モジュール１４３に本発明を適用してもよい。
さらには、前記中性膜９１の親水領域９１１に替えて、例えばポリスチレン膜に不活性ガス雰囲気中で紫外線を照射して架橋反応を進行させ、硬化したポリスチレン膜をエッチング装置でパターニングした後、パターニングされたポリスチレン膜の間に中性膜９１を埋め込むことにより、ポリスチレン膜が残存している位置を基点として疎水性ポリマー部９３２が配置されるようにパターンの形成位置を制御する技術がある（例えば特開２０１４−２７２２８）。この技術におけるポリスチレン膜に紫外線を照射するモジュールに対して本発明を適用してもよい。さらに、背景技術にて説明したレジスト膜の改質技術に本発明を適用してもよいことは勿論である。
Ｗ ウエハ
１４１ 大気ＵＶ処理モジュール
１４４ 窒素ＵＶ処理モジュール
２０ 処理室
２１ 筐体
２１１ 搬入出口
２２ 駆動室
２３ 仕切り部材
２３４ スリット
３ａ、３ｂ スリット側ダクト
３１ 排気口
４２ａ、４２ｂ
排気ダクト
４３ａ、４３ｂ
排気ダクト
５ 真空チャック
５１ 支持部
７ 紫外線ランプ
７３ 庇部
１４１ 大気ＵＶ処理モジュール
１４４ 窒素ＵＶ処理モジュール
２０ 処理室
２１ 筐体
２１１ 搬入出口
２２ 駆動室
２３ 仕切り部材
２３４ スリット
３ａ、３ｂ スリット側ダクト
３１ 排気口
４２ａ、４２ｂ
排気ダクト
４３ａ、４３ｂ
排気ダクト
５ 真空チャック
５１ 支持部
７ 紫外線ランプ
７３ 庇部
Claims (6)
- 筐体と、
前記筐体内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前方側の基板の受け渡し位置と後方側の処理室との間で、前記載置台を前後方向に移動させるために前記載置台の下方側に設けられた駆動機構と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射するための紫外線照射部と、
前記処理室と前記駆動機構が位置する駆動室とを上下に仕切るために設けられ、前記載置台を支持する支持部が移動するためのスリットが形成された仕切り部材と、
前記駆動室内の雰囲気を排気するために当該駆動室に設けられた第１の排気口と、
前記スリットに臨むように当該スリットの長さ方向に沿って形成された第２の排気口と、
前記スリットの左右両側位置の前記処理室の底部に設けられ、前記スリットの長さ方向に沿って伸びると共に、前記基板の受け渡し位置側の前端部に、前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域に向けて開口する第３の排気口が形成され、当該第３の排気口から流入した気流を排気する排気ダクトと、
前記紫外線照射部から紫外線が照射される領域を挟んで、各排気ダクトの前端部よりも前方側であって、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置の前記仕切り部材に設けられた第２の開口部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第２の排気口は、前記スリットの左右両側にて互いに対向する面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記処理室側の仕切り部材の下方側には、当該仕切り部材の下面に対して隙間を開けて配置された緩衝空間形成部材が設けられ、当該隙間は、前記処理室側の雰囲気と前記駆動室側の雰囲気との間に配置される緩衝空間を構成することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
- 前記第１の排気口は、前記スリットの左右両側に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理室よりも前記基板の受け渡し位置側に寄った部位において、前記仕切り部材に第３の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第３の開口部は、前記基板の受け渡し位置において前記スリットの左右両側に形成された開口部を含み、当該開口部と前記載置台の載置面の高さ位置との間には、当該開口部を覆うカバーが設けられていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014086246A JP6323141B2 (ja) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | 基板処理装置 |
| KR1020150051844A KR102214962B1 (ko) | 2014-04-18 | 2015-04-13 | 기판 처리 장치 |
| TW104112159A TWI574337B (zh) | 2014-04-18 | 2015-04-16 | 基板處理裝置 |
| US14/688,347 US9362150B2 (en) | 2014-04-18 | 2015-04-16 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014086246A JP6323141B2 (ja) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015207621A JP2015207621A (ja) | 2015-11-19 |
| JP6323141B2 true JP6323141B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=54322621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014086246A Active JP6323141B2 (ja) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9362150B2 (ja) |
| JP (1) | JP6323141B2 (ja) |
| KR (1) | KR102214962B1 (ja) |
| TW (1) | TWI574337B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6845058B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-03-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254425A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Hitachi Ltd | 紫外線洗浄装置 |
| JPH021121A (ja) * | 1988-03-04 | 1990-01-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の有機物除去方法と有機物除去装置および有機物除去用オゾン噴出ノズル |
| US5645419A (en) * | 1994-03-29 | 1997-07-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and device |
| JP3663674B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2005-06-22 | 日本電池株式会社 | 紫外線処理装置 |
| JP3502498B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2004-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3166065B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US6511575B1 (en) * | 1998-11-12 | 2003-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Treatment apparatus and method utilizing negative hydrogen ion |
| TW502293B (en) * | 2000-06-20 | 2002-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device and substrate processing method |
| TW505959B (en) * | 2000-07-19 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for processing substrate and apparatus for forming thin film |
| JP3818858B2 (ja) * | 2001-02-07 | 2006-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP2002270484A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 冷却処理装置及び冷却処理方法 |
| JP3959634B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4046636B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| US20060240680A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platform allowing processing in different ambients |
| JP2008049255A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | 光照射装置 |
| JP2007266636A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP5025546B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2013084902A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-05-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP5890255B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
| JP2014027228A (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
-
2014
- 2014-04-18 JP JP2014086246A patent/JP6323141B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-13 KR KR1020150051844A patent/KR102214962B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-16 US US14/688,347 patent/US9362150B2/en active Active
- 2015-04-16 TW TW104112159A patent/TWI574337B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150120863A (ko) | 2015-10-28 |
| TWI574337B (zh) | 2017-03-11 |
| KR102214962B1 (ko) | 2021-02-09 |
| JP2015207621A (ja) | 2015-11-19 |
| US9362150B2 (en) | 2016-06-07 |
| US20150303077A1 (en) | 2015-10-22 |
| TW201604987A (zh) | 2016-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6543064B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
| US11443964B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing system | |
| KR101846652B1 (ko) | 노광 장치 및 기판 처리 장치 | |
| KR20150016887A (ko) | 자외선 조사 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP6323141B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6985803B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
| JP6894281B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
| TW202303288A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP4859245B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20130025133A (ko) | 기판처리장치 | |
| JP4319201B2 (ja) | 基板の処理方法、プログラム及び基板処理システム | |
| KR20230083005A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2019021939A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 | |
| KR20150076808A (ko) | 기판반송유닛 | |
| JP2023091736A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
| KR20230094143A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP4950771B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR20200052079A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2009164255A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009245993A (ja) | レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160412 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170207 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170410 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170510 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171106 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20171228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180313 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180326 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6323141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |