JP2015207621A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記筐体内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前記載置台を基板の受け渡し位置と処理室との間で前後方向に移動させるために前記載置台の下方側に設けられた駆動機構と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射するための紫外線照射部と、
前記処理室と前記駆動機構が位置する駆動室とを上下に仕切るために設けられ、前記載置台を支持する支持部が移動するためのスリットが形成された仕切り部材と、
前記駆動室内の雰囲気を排気するために当該駆動室に設けられた第1の排気口と、
前記スリットに臨むように当該スリットの長さ方向に沿って形成された第2の排気口と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記第2の排気口は、前記スリットの左右両側にて互いに対向する面に設けられていること。
(b)前記処理室側の仕切り部材の下方側には、当該仕切り部材の下面に対して隙間を開けて配置された緩衝空間形成部材が設けられ、当該隙間は、前記処理室側の雰囲気と前記駆動室側の雰囲気との間に配置される緩衝空間を構成すること。
(b)前記処理室の底部には、前記スリットの長さ方向に沿って伸びると共に、前記基板の受け渡し位置から処理室に向かう方向を前方側とすると、前端側に第3の排気口が形成され、当該第3の排気口から流入した気流を排気する排気ダクトが設けられたこと。さらに、前記仕切り部材における前記排気ダクトの底面に相当する部位の一部には、第1の開口部が形成され、また前記第1の開口部は、前記第3の排気口の近傍に設けられていること。前記仕切り部材における排気ダクトの前端よりも前方側であって、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置には、第2の開口部が設けられていること。さらに、前記第3の排気口は、前記処理室内における紫外線照射部から紫外線が照射される領域に向けて開口しているか、前記処理室から、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置に向けて開口していること。
(c)前記第1の排気口は、前記スリットの左右両側に設けられていること。また、前記処理室には不活性ガスが供給されるガス供給部が設けられていること。このとき、前記ガス供給部は、前記スリットを挟んで処理室の左縁部及び右縁部に前記スリットの伸びる方向に沿って設けられたガス供給孔を備えていること。さらに、前記処理室における基板の入り口には、不活性ガスのカーテンを形成するための機構が設けられていること。
(d)前記処理室よりも前記基板の受け渡し位置側に寄った部位において、前記仕切り部材に第3の開口部が形成されていること。このとき、前記第3の開口部は、前記基板の受け渡し位置において前記スリットの左右両側に形成された開口部を含み、当該開口部と前記載置台の載置面の高さ位置との間には、当該開口部を覆うカバーが設けられていること
このようにウエハWに対して紫外線を照射する処理(UV処理)を行いながら、BCPからパターンを形成する処理の流れについて図1を参照しながら説明しておく。
以下、大気UV処理モジュール141、及び窒素UV処理モジュール144の構成、作用の説明を順次、行う。
図3の縦断側面図に示すように、大気UV処理モジュール141は、前後方向に細長い扁平な筐体21内を仕切り部材23によって上下に仕切り、仕切り部材23の上方側にウエハWの受け渡し位置や処理室20を設ける一方、仕切り部材23の下方側には真空チャック5の駆動機構を収容した駆動室22が設けられている。
上述の手前側開口部231や受け渡し室側開口部233a、233bは、本実施の形態の第3の開口部に相当する。第3の開口部は、ウエハWの受け渡しが行われる空間内の排気を、処理室20内の排気とは独立して行うことにより、処理室20内の排気量を低減するために設けられる。
また図2に示すように、ランプボックス72の前方には庇部73が設けられている。
図4に示すように、真空チャック5を支持する支持部51の下端部にはスライダー52が設けられている。このスライダー52は、既述のスリット234が伸びる方向に沿って駆動室22の床面上に配置されたレール53に案内されて駆動室22内を前後方向に移動自在に構成されている。
スライダー52、レール53、駆動ベルト541や回転モーター543、プーリー542は、真空チャック5の駆動機構に相当する。なお、図示の便宜上、図4においては、駆動ベルト541の一部を切り欠いた状態で表示してある。
排気孔222は、駆動室22内の雰囲気を排気するための第1の排気口に相当する。
スリット側ダクト3a、3bに設けられた排気口31は、第2の排気口に相当する。
このように本例においては、処理室20の後端部、及び排気ダクト42a、42bの後端部が各々上部側排気室24に向けて開口する構成となっているが、処理室20または排気ダクト42a、42bのいずれか一方を上部側排気室24に向けて開口させてもよい。処理室20の後端部からのみ排気を行う場合は、処理室20自体が本発明の排気ダクトを構成しているといえる。
既述のように駆動室22内は、真空チャック5の支持部51やスライダー52が前後方向に移動する空間であり、これらの部材51、52の移動に伴って駆動室22内の雰囲気が掻き乱される。この結果、駆動室内22にて発生したパーティクルが舞い上がり、スリット234などを介して処理室20に流入するおそれがある。
以上に説明した案内板41a、41b(処理室側開口部232a、232b)、排気ダクト42a、42bやスリット側ダクト3a、3bの上方側を流れる処理室20内の大気は、後端側排気部6を介して外部へと排出される。また、排気ダクト42a、42bは処理室20内の容積を低減して、処理室20からの排気量を減らす役割も果たしている。
なお本例の窒素UV処理モジュール144においては、処理室20の後端部に後端側排気部6は設けられていない。
なお、既述の後部側開口部235a、235bは必ずしも設けなくてもよく、この場合には処理室側開口部232a、232bの後方側の排気ダクト43a、43bを案内部材421a、421bにて塞いでもよい。
さらに本例においても排気ダクト43a、43bは処理室20内の容積を低減して、処理室20からの排気量を低減する役割も果たしている。
ウエハWを収納したカセットCが、塗布、現像装置1のキャリアブロックS1に搬入されたら、ウエハ搬送モジュール123によりウエハWを順次取り出し、棚ユニットG3内の受け渡しモジュール153に搬送する。
次いでウエハWは、現像モジュール130に搬送され、現像された後、熱処理モジュール140でポストベーク処理されて、図1(a)に示すようにパターニングされたレジスト膜92が形成される。
次いでウエハWは、受け渡しモジュール150に搬送され、その後キャリアブロックS1のウエハ搬送モジュール123によって所定のカセット載置板121上のカセットCに搬入される。
141 大気UV処理モジュール
144 窒素UV処理モジュール
20 処理室
21 筐体
211 搬入出口
22 駆動室
23 仕切り部材
234 スリット
3a、3b スリット側ダクト
31 排気口
42a、42b
排気ダクト
43a、43b
排気ダクト
5 真空チャック
51 支持部
7 紫外線ランプ
73 庇部
Claims (15)
- 筐体と、
前記筐体内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前記載置台を基板の受け渡し位置と処理室との間で前後方向に移動させるために前記載置台の下方側に設けられた駆動機構と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射するための紫外線照射部と、
前記処理室と前記駆動機構が位置する駆動室とを上下に仕切るために設けられ、前記載置台を支持する支持部が移動するためのスリットが形成された仕切り部材と、
前記駆動室内の雰囲気を排気するために当該駆動室に設けられた第1の排気口と、
前記スリットに臨むように当該スリットの長さ方向に沿って形成された第2の排気口と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の排気口は、前記スリットの左右両側にて互いに対向する面に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理室側の仕切り部材の下方側には、当該仕切り部材の下面に対して隙間を開けて配置された緩衝空間形成部材が設けられ、当該隙間は、前記処理室側の雰囲気と前記駆動室側の雰囲気との間に配置される緩衝空間を構成することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理室の底部には、前記スリットの長さ方向に沿って伸びると共に、前記基板の受け渡し位置から処理室に向かう方向を前方側とすると、前端側に第3の排気口が形成され、当該第3の排気口から流入した気流を排気する排気ダクトが設けられたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記仕切り部材における前記排気ダクトの底面に相当する部位の一部には、第1の開口部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第1の開口部は、前記第3の排気口の近傍に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記仕切り部材における排気ダクトの前端よりも前方側であって、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置には、第2の開口部が設けられていることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第3の排気口は、前記処理室内における紫外線照射部から紫外線が照射される領域に向けて開口していることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第3の排気口は、前記処理室から、前記処理室から前記基板の受け渡し位置に臨む位置に向けて開口していることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第1の排気口は、前記スリットの左右両側に設けられていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理室には不活性ガスが供給されるガス供給部が設けられていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部は、前記スリットを挟んで処理室の左縁部及び右縁部に前記スリットの伸びる方向に沿って設けられたガス供給孔を備えていることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記処理室における基板の入り口には、不活性ガスのカーテンを形成するための機構が設けられていることを特徴とする請求項11または12に記載の基板処理装置。
- 前記処理室よりも前記基板の受け渡し位置側に寄った部位において、前記仕切り部材に第3の開口部が形成されていることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第3の開口部は、前記基板の受け渡し位置において前記スリットの左右両側に形成された開口部を含み、当該開口部と前記載置台の載置面の高さ位置との間には、当該開口部を覆うカバーが設けられていることを特徴とする請求項14に記載の基板処理装置。
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