JP3663674B2 - 紫外線処理装置 - Google Patents

紫外線処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3663674B2
JP3663674B2 JP13987695A JP13987695A JP3663674B2 JP 3663674 B2 JP3663674 B2 JP 3663674B2 JP 13987695 A JP13987695 A JP 13987695A JP 13987695 A JP13987695 A JP 13987695A JP 3663674 B2 JP3663674 B2 JP 3663674B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone
temperature
ultraviolet
processed
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP13987695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08316185A (ja
Inventor
細谷  浩二
弘実 坂元
Original Assignee
日本電池株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電池株式会社 filed Critical 日本電池株式会社
Priority to JP13987695A priority Critical patent/JP3663674B2/ja
Publication of JPH08316185A publication Critical patent/JPH08316185A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3663674B2 publication Critical patent/JP3663674B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウエハあるいはガラス基板上に付着した有機物汚染やレジスト等の有機化合物被膜を紫外線とオゾンにより分解、除去を行う紫外線処理装置に関するもので、特に大型ガラス基板に塗布されたレジストのような有機化合物被膜の分解、除去に係わるものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路や液晶駆動回路の製造において、露光及び現像後のレジストは、マスクとして用いたエッチング工程の後、除去する方法が行われている。このレジストを除去する方法としてアッシング処理が行われる。このアッシング処理の一つとして紫外線とオゾンを用いたアッシング方式がある。
【0003】
アッシング処理に使用される紫外線ランプは、波長185nm、254nmの紫外線を放射する合成石英製の低圧水銀ランプである。
【0004】
紫外線ランプから放射される波長185nmおよび254nmの光エネルギーは、ほとんどの有機化合物の結合を切断することができ、有機化合物のフリーラジカルや励起状態の分子を生成する。
【0005】
一方、波長185nmの紫外線が大気中の酸素に吸収されると、オゾンが発生する。これとオゾン発生器によって発生したオゾンに波長254nmの紫外線が吸収されると、励起酸素原子が生成する。
【0006】
この強力な酸化力を持つ励起酸素原子やオゾンの熱分解によって発生した基底状態の酸素原子は、紫外線照射によって生成した有機化合物のフリーラジカルや励起状態の分子と反応してCO2 、やH2 Oのような揮発性物質を生成する。このようにして、有機化合物の分解、除去が行われる。
【0007】
この作用を利用して大型基板を連続処理を行う場合、ローラーやベルトで基板を搬送し、あらかじめ被処理物を昇温した後、処理室で紫外線とオゾンで処理を行ったり、ホットプレートを処理室内に設置し昇温とアッシングとを同時に行ったりする方法がある。このようなものは、例えば特開平3−46225、特開平3−165028等に開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術においては、液晶ガラス基板のような被処理物の処理に際し、次のような要因により、被処理物に温度ムラが生じ処理の不均一を招くという問題があった。
【0009】
▲1▼ ローラーと接するエッジ部の温度が他の部分に比べ低下しやすい。
▲2▼ ランプ特性を維持するためにランプ近傍の温度を下げるのが望ましく、ランプハウスは給排気や液体によって冷却がほどこされる。このときの、配管の引き回しや風の流れ具合によってランプハウスの各箇所に生じた温度差の影響を受け、被処理物に温度ムラができる。
▲3▼ 処理室のオゾンの排気による風回りの影響で、被処理物に温度ムラができる。
【0010】
本発明の目的は、前記問題点を解決し被処理物温度の均斉度の高い紫外線処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記問題を解決するため、本発明の紫外線処理装置においては、水平方向に搬送しながら加熱し、紫外線照射とオゾン供給によりウエハやガラス基板に付着した有機物汚染やレジストを分解・除去する装置において、2枚以上の反射板を搬送面の下に設置し、各反射板の被処理物に対する距離を調節可能とし、そこからの反射や放射熱を温度分布の補正に用いている。
【0012】
【作用】
前記のように構成された紫外線処理装置によれば、被処理物の温度が低い部分に応じてヒータ温度を設定できるので、被処理物面内の温度差を小さくすることができる。例えば、ローラー直上のヒーター温度を他の部分より高く設定することにより、ローラーとの接触によって生じる温度低下を補償し温度ムラが生じるのを防止できる。
【0013】
また、熱反射板を搬送手段の下に設置し、ここからの反射や放射熱を基板の加熱に用いれば、温度差を小さくすることができる。特に、複数の熱反射板を備え、各々の熱反射板と被処理物との間隔が調整できるよう構成し、被処理物の温度ムラに応じて各々の反射板と基板の距離を変えれば、温度差をより小さくすることができる。
【0014】
【実施例】
実施例について図面を参照して説明する。
【0015】
図1は本発明の一実施例である紫外線処理装置の模試図であり、加熱部1、搬送部2、ランプハウス3、処理室4、冷却部5を備えている。
【0016】
加熱部1には、IRヒーター6が備えてある。このヒータ6の構成の一例としては、図2に示すように、ヒーター6a〜eが、ローラー7の直上を含み搬送方向に平行に複数個配列されている。このヒーター6a〜eは各々温度設定が可能であり、例えば両端のヒーター6a、6eをヒーター6b〜dに対して20℃高く設定することができる。尚、温度調整を行うヒーター6は5列にこだわる必要はなく、被処理物8の面内の温度分布に応じて増減すればよい。
【0017】
ランプハウス3には、紫外線ランプ9、オゾン散布ノズル10が設置される。オゾン散布ノズル10には、オゾン発生器20から高濃度オゾンが供給される。各々のオゾン散布ノズル10の間には、合成石英のような紫外線透過物11が設置され、処理室4からランプハウス3に高濃度オゾンが侵入するのを防止している。
【0018】
ランプハウス3には給気孔12と排気孔13とがあり、ランプハウス3の雰囲気がオゾン分解フィルター14を通してブロワ15によって排気され、ランプハウス3の冷却が行われる。
【0019】
ランプハウス3の下には処理室4がある。処理室4は、オゾンが外部に流出するのを防止するため、排気孔16より処理室4の雰囲気をオゾン分解フィルター14を通してブロワ17によって排気し、処理室4内部を外部に対して負圧に保たれる。
【0020】
また、被処理物8の面内の温度コントロールが、前記ヒーター6の調整で不十分な場合には、搬送面の下に反射板18が設置される。
【0021】
この反射板18の配置の一例を示すものが第3図である。反射板18は反射板18a〜eに分割されており、支柱19の高さを変えることにより被処理物8との距離を調整できるよう構成されている。この例では、ローラー7近傍の反射板18a、eを被処理物8に近づけ、18b,dから18cと中央部にいくほど遠ざけてある。
【0022】
なお、図4に示すように1枚の反射板18を折曲げて設置してもよい。
【0023】
被処理物8は、オゾンと紫外線による処理が終了した後、冷却部5においてドライエアーの吹き付け等によって冷却される。
【0024】
【発明の効果】
本発明にかかる紫外線処理装置は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されたような効果を奏する。
【0025】
加熱部のヒータ温度を個別に調整したり、搬送面下に配した熱反射板を配したりすることにより、被処理物の温度ムラを小さくすることができるため、均斉度よく有機化合物被膜の分解、除去ができる。
【0026】
また、本発明によれば、被処理物の温度ムラを小さくするのに有効であるだけでなく、現像残りのような前工程の装置の特性によって残膜の膜厚にムラある場合、膜厚に応じて被処理物の各位置に温度差を与えることができるので、より均斉度の高い処理を行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す模試図である。
【図2】本発明の一実施例にかかるヒーター配列例を示す図である。
【図3】本発明の一実施例にかかる熱反射板の配列例を示す図である。
【図4】本発明の一実施例にかかる熱反射板の他の例を示す図である。
【符号の説明】
1 加熱部
2 搬送部
3 ランプハウス
4 処理室
5 冷却部
6a〜e ヒーター
7 ローラー
8 被処理物
9 紫外線ランプ
10 オゾン散布ノズル
11 紫外線透過物
12 給気孔
13 排気孔
14 オゾン分解フィルター
15 ブロワ
16 排気孔
17 ブロワ
18 反射板
19 支柱
20a〜e オゾン発生器

Claims (1)

  1. 紫外線ランプと被処理物搬送手段と加熱手段と備えた紫外線処理装置において、搬送手段の下に2枚以上の熱反射板が各反射板の被処理物に対する距離を調整可能に配置されたことを特徴とする紫外線処理装置。
JP13987695A 1995-05-15 1995-05-15 紫外線処理装置 Expired - Fee Related JP3663674B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13987695A JP3663674B2 (ja) 1995-05-15 1995-05-15 紫外線処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13987695A JP3663674B2 (ja) 1995-05-15 1995-05-15 紫外線処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08316185A JPH08316185A (ja) 1996-11-29
JP3663674B2 true JP3663674B2 (ja) 2005-06-22

Family

ID=15255632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13987695A Expired - Fee Related JP3663674B2 (ja) 1995-05-15 1995-05-15 紫外線処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3663674B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW505959B (en) * 2000-07-19 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Apparatus for processing substrate and apparatus for forming thin film
TW201310498A (zh) * 2011-05-03 2013-03-01 特艾希米控公司 直列型熱處理裝置
KR101456239B1 (ko) * 2012-12-26 2014-11-13 전자부품연구원 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치
JP6323141B2 (ja) * 2014-04-18 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN107632501A (zh) * 2017-09-21 2018-01-26 武汉华星光电技术有限公司 一种烘烤装置及烘烤方法
CN120129952A (zh) * 2022-11-07 2025-06-10 东京毅力科创株式会社 基片处理装置
CN117559025B (zh) * 2024-01-11 2024-03-29 广东杰成新能源材料科技有限公司 电池材料老化机构及废旧电池回收装置
CN117559026B (zh) * 2024-01-11 2024-03-29 广东杰成新能源材料科技有限公司 电池材料分解装置及废旧电池回收处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08316185A (ja) 1996-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3696156B2 (ja) 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法
JP3663674B2 (ja) 紫外線処理装置
TWI740052B (zh) 光照射裝置
US20080296258A1 (en) Plenum reactor system
JPH0628254B2 (ja) フオトレジストの剥離装置
JPH04302144A (ja) 洗浄方法
JP3653735B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
TW469479B (en) Method of wet etching and apparatus thereof
JP4804332B2 (ja) ベーキング装置及び基板処理装置
JP3852627B2 (ja) 紫外線処理装置
JP3511728B2 (ja) 紫外線処理装置
KR200294158Y1 (ko) 광조사 장비의 램프 하우스 시스템
JP2005181644A (ja) 基板処理方法および装置
JPH0497515A (ja) レジスト除去装置
JP4211271B2 (ja) 清浄基板の製造方法、および製造装置
JP2754289B2 (ja) 表面処理加工を行った金属の乾燥方法
JPH0684843A (ja) 表面処理装置
JP2757829B2 (ja) レジスト硬化装置
JP2632796B2 (ja) レジスト処理方法
JP2000323455A (ja) アッシング装置
JPH07308567A (ja) 容器の洗浄方法及び洗浄装置
JPH09283502A (ja) 紫外線処理装置
JP4059216B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
JPH0845833A (ja) アッシング装置
KR200158120Y1 (ko) 고주파 경화장치

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040524

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040622

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050321

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100408

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120408

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130408

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees