JPH0497515A - レジスト除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレジスト除去装置に関し、特に液晶用ガラス基
板を対象としたレジスト除去装置に関する。

〔従来の技術〕

現在、半導体膜や絶縁体膜等を所定の形状に加工する場
合、まず、レジストをパターニングし、レジストが被覆
されていない領域をエツチング加工したのちレジストを
除去する方法が広く用いられている。

液晶表示パネルに用いられるような大型ガラス基板の場
合には、レジスト除去装置とじで表面にレジストを有す
る基板をレジスト剥離液に浸漬する方式、あるいは、剥
離液をシャワー状に散布する方式のものが一般に多く用
いられている。

このような湿式とは別に、酸素プラズマ中でレジストを
灰化する乾式の装置も半導体ウェーハを対象としたホト
リソグラフィー工程で数多く用いられている。又、最近
では、プラズマダメージ。

真空処理に伴なう発塵を回避するために、紫外線とオゾ
ンによる反応を利用した灰化装置も用いられるようにな
ってきた。このような灰化装置は、例えば、処理すべき
ウェーハの上方に紫外線を照射するための低圧水銀ラン
プが設けられ、ウェーハ上方中央部に設けられた管から
ウェーハ表面へオゾンが供給される構造を有している（
例えば、日立評論第７１巻、１９８９年、第５号、第３
９頁〜第４５頁）。

〔発明が解決しようとする課題〕

レジストを除去する前の工程、すなわち、半導体膜や絶
縁体膜等をエツチング加工する工程では、例えば、エツ
チング加工手段としてドライエツチングのようにプラズ
マが用いられる場合には、イオン衝撃や熱によりレジス
トが変質しやすく、そのため、剥離液を用いた湿式装置
では、レジストを完全除去するのが困難であるという欠
点がある。

また、酸素プラズマを利用した灰化装置では、レジスト
の除去性は上述の湿式装置に比べて優れているが、半導
体表面がレジストに含まれる不純物で汚染されやすいと
いう欠点を有する。

一方、紫外線とオゾンとの反応を利用した灰化装置は、
前述したように半導体ウェーハを対象としたものでオゾ
ンがウェーハの上方中央部に設けられた管から散布され
る構造が用いられており、ウェーハステージを回転させ
ることで紫外線照射とオゾン供給の均一化を図っている
。然しなから、対象基板が液晶表示パネルに用いられる
ような大型ガラス基板で、かつ、形状も半導体ウェーハ
のように円形でない場合には、このような装置構成では
均一性を確保することが困難となるという欠点がある。

このため、大型基板に対して剥離性、清浄性。

均一性の優れた新しいレジスト除去装置が望まれている
。

本発明の目的は、大型基板に対して剥離性、清浄性、均
一性の優れたレジスト除去装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のレジスト除去装置は、水平に置かれた基板を水
平方向に一定速度で搬送させるベルト搬送機構と、搬送
ベルト下に設置されたホットプレートおよび前記搬送ベ
ルト上方に設置されたハロゲンランプからなる基板加熱
機構と、前記ハロゲンランプに対して一定周期で交互に
配列された低圧水銀ランプからなる紫外線照射機構と、
搬送長さに対して前半と後半とで前記搬送ベルトを挟ん
で互いに反対向きとなるように分割設置され、かつ、搬
送方向に対して垂直、かつ、前記基板面に対して水平方
向にオゾンを散布するための複数個の吹き出し孔を有す
るオゾン散布管からなるオゾン散布機構とを備えている
。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を模式的に示す断面図、第２
図は第１図の平面図である。

第１の実施例は、第１図及び第２図に示すように、表面
にレジストを有する基板４は搬送ベルト１により水平方
向に搬送される。搬送ベルト１の下方には基板４を加熱
するためのホットプレート３を設けである。搬送ベルト
１の上方には、ハロゲンランプ５および低圧水銀ランプ
６とを１本ずつ交互に配列し、それぞれのランプ５，６
の裏側には光の散逸を防ぐための反射板７を設けである
。搬送ベルト１に平行に配置されたオゾン散布管９から
オゾンが搬送方向に対して垂直、かつ、基板４面に平行
に供給されたのち、搬送ベルト１を挟んでオゾン散布管
９と相対する側に設けられた排気室１１および排気管１
０を通して排気される。更に、装置中央部でオゾン散布
管９と排気室１１の位置が入れ替った構成をとっている
。

ハロゲンランプとして長さ３５ｃｍ、出力５００ワツト
、低圧水銀ランプとして長さ３５ｃ、出力１００ワツト
のランプを用いた。反射板８としては、低圧水銀ランプ
６用として直径６ＣＩＤの半円筒状のステレス板にアル
ミ蒸着したもの、ハロゲンランプ用として直径６ＣＩＩ
の半円筒状のステンレス板に金蒸着したものを用いた。

オゾン散布管９として外径２０１．長さ４０ｃｍのステ
ンレス管に直径３ｍｌの吹き出し孔が基板と相対する側
に８■のピッチで多数設けられているものを合計６本用
いた。低圧水銀ランプ６とハロゲンランプ５とを６■の
ピッチで各々２１本、２０本交互に並べた。

基板４とそれぞれのランプ５．６との距離は１ｃｍとし
た。ホットプレート３としては、内部にシリコンラバー
ヒータが埋め込まれたものを用いた。

搬送ベルト１としてテフロングラファイトベルトを用い
た。

基板４としては、次のようなものを用いた。大きさ３０
０Ｘ３０Ｃ）＋ｍ２．厚さ１　ｍｍのガラス（商品名：
コーニング７０５９）板上に、プラズマ化学気相堆積法
によりアモルファスシリコン膜を３０００人堆積したの
ち、厚さ７０００人のレジスト（商品名：０ＦＰＲ８０
０）を塗布し、通常のホトリソグラフィー技術により大
きさ２０×２０μｍ２．ピッチ５０μｍの多数のレジス
ト島を形成した。然るのち、４弗化炭素（ＣＦ４）を用
いたドライエツチングにより、レジストで被覆されてい
ない領域のアモルファスシリコン膜を除去してレジスト
灰化実験に供した。

基板４を搬送ベルト１上に載せ、毎分８０■の速度で水
平方向に移動させながらハロゲンランプ５、低圧水銀ラ
ンプ６、オゾン散布管９により、基板４表面に、赤外線
・紫外線照射、オゾン散布を行なった。オゾン散布では
、ガスとして酸素の中にオゾンを７ｖｏＪ％混ぜたもの
を用い、オゾン散布管１本当り毎分５ρの酸素／オゾン
混合カスを散布した。基板４の加熱温度は、２００°Ｃ
とした。

このような条件下で、基板４を処理した結果、アモルフ
ァスシリコン膜上のレジストを完全に灰化することがで
きた。又、レジスト灰化後のアモルファスシリコン膜表
面の不純物分析をおこなったがレジスト中に含まれるナ
トリウム（Ｎａ）等の不純物は検出されなかった。

本装置の搬送部前半のみを用いてオゾン散布方向が一方
向のみの場合についても実験をおこない、レジスト除去
の均一性を比較検討した。搬送速度は毎分４０ｃｍとし
、紫外線とオゾンの照射時間を前述の実験と同一となる
ようにした。

その結果、オゾン散布管９から一番遠い位置に相当るす
基板４端部領域にレジストの残留がわずかながら認めら
れた。搬送速度を毎分３０ｃｍにした場合にはレジスト
は完全に除去されていた。

これらの実験から、オゾン散布方向を搬送部ばで反転さ
せることは、レジスト灰化の均一性向上に有効であるこ
とがわかった。

本実施例では、基板加熱温度を２００℃としたが、これ
に限定されたものではなく、２００℃より低い場合でも
搬送速度を小さくすることにより本発明の目的を達成す
ることができる。

更に、本実施例では、基板４としてガラスを用いたが他
の材質、例えば、シリコンウェーハに対しても熱論有効
である。

第１の実施例では、ハロゲンランプ５と低圧水銀ランプ
６とが１本ずつ交互に設けらえた場合について述べたが
、第２の実施例ではハロゲンランプ５と低圧水銀ランプ
６が各々２本ずつ交互に設けられている点が第１の実施
例と異なる。ハロゲンランプ５．低圧水銀ランプ６のサ
イズ、出力ワット数は第１の実施例と同じである。

ランプの数は、ハロゲンランプ５　２０＄、低圧水銀ラ
ンプ６２２本としな。

第１の実施例と同様の基板構造、処理条件を用いてレジ
スト灰化をおこなった結果、第１の実施例と同様、基板
４上のレジストを完全に除去することができた。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体膜表面を汚染する
ことなく大面積基板上のレジストを低温で、かつ、均一
に除去できる新しい装置を提供するものである。

本発明の装置は、複数個の吹き出し孔を有するオゾン散
布管を搬送ベルトの脇に複数本搬送方向に平行に並べ、
搬送方向に対して垂直、かつ、基板面に水平な方向にオ
ゾンを散布させる方式を用いているが、オゾン散布管の
設置位置を搬送途中で搬送ベルトの反対側に変え、オゾ
ンの散布方向を途中で反転させているため大面積の基板
でもオゾンを均一に供給することができ、従って、均一
な灰化処理を行うことができる効果がある。

基板加熱に関しては、ホットプレートおよびハロゲンラ
ンプにより基板の裏面と表面側から同時に加熱できるた
め熱勾配による基板割れが生じにくいという効果を有す
る。

又、本発明の装置は、乾式であるためこれまで湿式では
不可欠であったレジスト剥離液が不要となり、廃液処理
、剥離液の交換等のわずられしさから解放されるという
効果を有する。

更に、本発明の装置は、ベルト搬送方式を用いているた
め他の枚葉型処理装置との連結が容易で、例えば、湿式
エツチング装置の乾燥部の後に本発明の装置を連結する
ことにより、エツチングからレジスト除去までを一貫し
て効率良く処理できる効果もある。

図、第２図は第１図の平面図である。

１・・・搬送ベルト、２・・・ローラ、３・・・ホット
プレート、４・・・基板、５・・・ハロゲンランプ、６
・・・低圧水銀ランプ、７・・・反射板、８・・・上蓋
、９・・・オゾン散布管、１０・・・排気管、１１・・
・排気室、１２・・・酸素／オゾン混合ガス、１３・・
・排気ガス。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　水平に置かれた基板を水平方向に一定速度で搬送させ
   るベルト搬送機構と、搬送ベルト下に設置されたホット
   プレートおよび前記搬送ベルト上方に設置されたハロゲ
   ンランプからなる基板加熱機構と、前記ハロゲンランプ
   に対して一定周期で交互に配列された低圧水銀ランプか
   らなる紫外線照射機構と、搬送長さに対して前半と後半
   とで前記搬送ベルトを挟んで互いに反対向きとなるよう
   に分割設置され、かつ、搬送方向に対して垂直、かつ、
   前記基板面に対して水平方向にオゾンを散布するための
   複数個の吹き出し孔を有するオゾン散布管からなるオゾ
   ン散布機構とを備えたことを特徴とするレジスト除去装
   置。