JP2008166316A - 基板処置装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】減圧処理が終了した基板Wをトンネル型加熱処理チャンバー3内に引き込み、ホットプレート10上に移載する。次いで、扉5を閉じホットプレート10上に基板Wを載置した状態で、駆動装置11によってホットプレート10を下流側に移動せしめる。そして、この移動の際に紫外線ランプ18の下方を通過するので、基板Wの表面に形成された塗膜(レジスト膜)は紫外線照射と加熱処理が同時に施される。
【選択図】図1
Description
特許文献2:特開昭64−056315号公報
一方、従来の紫外線照射装置を組み込んだ基板処理装置は、処理時におけるステージと紫外線照射装置との位置関係が固定であるため、紫外線ランプの照射ムラが緩和されずそのままウェーハ表面の被膜処理の不均一さとなって現れてしまう。
Claims (2)
- 減圧処理チャンバーに連続してトンネル型加熱処理チャンバーが配置され、このトンネル型加熱処理チャンバー内にはホットプレートがレールに沿って移動可能とされ、またトンネル型加熱処理チャンバー内には前記減圧処理チャンバーからホットプレート上に基板を移載する受け渡し装置が設けられ、更にトンネル型加熱処理チャンバーの天井面の一部は透光性の窓とされ、この窓の上方に紫外線照射装置が昇降自在に配置されていることを特徴とする基板処置装置。
- 請求項1に記載の基板処置装置において、前記トンネル型加熱処理チャンバーの天井面の一部は一段下がった凹部とされ、この凹部内に前記紫外線照射装置が配置されていることを特徴とする基板処置装置。
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