JPH06104169A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06104169A JPH06104169A JP25122092A JP25122092A JPH06104169A JP H06104169 A JPH06104169 A JP H06104169A JP 25122092 A JP25122092 A JP 25122092A JP 25122092 A JP25122092 A JP 25122092A JP H06104169 A JPH06104169 A JP H06104169A
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- ultraviolet
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの加熱時間及びウェハステージの冷却
時間を短縮することができ、ウェハの処理能力を上げる
ことができ、しかも、紫外線ランプの紫外線強度制御装
置を設けることなくウェハへの紫外線強度を可変するこ
とができ、安価な装置で実現することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。 【構成】 処理室１と、フォトレジストが塗布されたウ
ェハ３を加熱する加熱手段４を有するとともに、該ウェ
ハ３を設置する該処理室１内に設けられたウェハ設置手
段２と、該ウェハ３にエネルギー線を照射する照射手段
５と、該ウェハ設置手段２を該処理室１壁に接触させる
とともに、該処理室１壁から離間させて該ウェハ３と該
照射手段５の離間距離を可変させる駆動手段７，７ａと
を有するように構成する。
時間を短縮することができ、ウェハの処理能力を上げる
ことができ、しかも、紫外線ランプの紫外線強度制御装
置を設けることなくウェハへの紫外線強度を可変するこ
とができ、安価な装置で実現することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。 【構成】 処理室１と、フォトレジストが塗布されたウ
ェハ３を加熱する加熱手段４を有するとともに、該ウェ
ハ３を設置する該処理室１内に設けられたウェハ設置手
段２と、該ウェハ３にエネルギー線を照射する照射手段
５と、該ウェハ設置手段２を該処理室１壁に接触させる
とともに、該処理室１壁から離間させて該ウェハ３と該
照射手段５の離間距離を可変させる駆動手段７，７ａと
を有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、詳しくは、半導体製造においてウェハに塗布された
フォトレジストを紫外線照射によって硬化させる紫外線
照射装置に適用することができ、特に、ウェハの加熱時
間及びウェハステージの冷却時間を短縮することがで
き、しかも、紫外線ランプの紫外線強度制御装置を設け
ることなくウェハへの紫外線強度を可変することができ
る半導体製造装置に関する。
り、詳しくは、半導体製造においてウェハに塗布された
フォトレジストを紫外線照射によって硬化させる紫外線
照射装置に適用することができ、特に、ウェハの加熱時
間及びウェハステージの冷却時間を短縮することがで
き、しかも、紫外線ランプの紫外線強度制御装置を設け
ることなくウェハへの紫外線強度を可変することができ
る半導体製造装置に関する。
【０００２】半導体製造工程の一つにはエッチング工程
があり、このエッチング工程はウェハに所望の回路パタ
ーンを形成する工程である。近年、エッチング工程にお
いては、真空中にガスを導入しマイクロ波若しくは、高
周波を印加して作り出したプラズマを利用して被エッチ
ング膜のエッチングを行うドライエッチングが主流とな
っている。ここで問題となるのは、エッチング処理中に
フォトレジストがプラズマに曝されて変質して除去され
てしまうことである。この問題を解決するために、エッ
チングを行う前にウェハに塗布されたレジストに予め紫
外線を照射してフォトレジストに架橋反応を起こさせて
フォトレジストの耐プラズマ性を向上させる方法が知ら
れている。
があり、このエッチング工程はウェハに所望の回路パタ
ーンを形成する工程である。近年、エッチング工程にお
いては、真空中にガスを導入しマイクロ波若しくは、高
周波を印加して作り出したプラズマを利用して被エッチ
ング膜のエッチングを行うドライエッチングが主流とな
っている。ここで問題となるのは、エッチング処理中に
フォトレジストがプラズマに曝されて変質して除去され
てしまうことである。この問題を解決するために、エッ
チングを行う前にウェハに塗布されたレジストに予め紫
外線を照射してフォトレジストに架橋反応を起こさせて
フォトレジストの耐プラズマ性を向上させる方法が知ら
れている。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来の半導体製造装置の構成を示
す概略図であり、図示例は紫外線照射装置に適用する場
合である。図３において、31は装置の処理室32内のウェ
ハステージ33上に設置されたウェハであり、34はウェハ
31を冷却するためにウェハステージ33内に設けられたウ
ェハ31冷却時に恒温水２５℃が導入される水冷チューブ
であり、35はウェハ31を加熱するためのウェハ31が設置
されている側とは反対側のウェハステージ33裏面に設け
られた抵抗加熱ヒータ等のヒータであり、36は処理室32
内のウェハ31に透明石英ガラス窓37を介して紫外線を照
射するための紫外線ランプであり、38は各部をシールす
るためのＯリングである。
す概略図であり、図示例は紫外線照射装置に適用する場
合である。図３において、31は装置の処理室32内のウェ
ハステージ33上に設置されたウェハであり、34はウェハ
31を冷却するためにウェハステージ33内に設けられたウ
ェハ31冷却時に恒温水２５℃が導入される水冷チューブ
であり、35はウェハ31を加熱するためのウェハ31が設置
されている側とは反対側のウェハステージ33裏面に設け
られた抵抗加熱ヒータ等のヒータであり、36は処理室32
内のウェハ31に透明石英ガラス窓37を介して紫外線を照
射するための紫外線ランプであり、38は各部をシールす
るためのＯリングである。
【０００４】従来の紫外線照射装置では、まず、処理室
32のウェハステージ33上の所定位置にフォトレジストが
塗布されてウェハ31を設置し、ヒータ35でウェハ31を１
１０℃程度に加熱し、この状態で紫外線ランプ36で透明
石英ガラス窓37を介してウェハ31上のフォトレジストに
耐プラズマ性を向上させるために紫外線（λ＝２５４ｎ
ｍ）を照射して架橋反応させる。次いで、紫外線照射を
停止し、ヒータ35でウェハ31を更に約１８０℃（架橋反
応が進むとレジストの耐熱温度が上る）に昇温してフォ
トレジストをベークした後、次のウェハ31の処理をする
ためにヒータ35の通電を止め水冷チューブ34に２５℃の
冷却水を流して１１０℃までウェハステージ33を冷却す
る。ここで、ウェハステージ33を冷却するのは、上記の
如く、次のウェハ31の処理を行うためであり、冷却しな
いで１８０℃のままで次のウェハ31をウェハステージ33
に載せると塗布されたレジストが溶解してしまうからで
ある。なお、ウェハ31加熱時には水冷チューブ34には水
は導入しない。そして、予め紫外線照射されて耐プラズ
マ性が向上したレジストを有するウェハは次の所定のド
ライエッチング工程に進む。
32のウェハステージ33上の所定位置にフォトレジストが
塗布されてウェハ31を設置し、ヒータ35でウェハ31を１
１０℃程度に加熱し、この状態で紫外線ランプ36で透明
石英ガラス窓37を介してウェハ31上のフォトレジストに
耐プラズマ性を向上させるために紫外線（λ＝２５４ｎ
ｍ）を照射して架橋反応させる。次いで、紫外線照射を
停止し、ヒータ35でウェハ31を更に約１８０℃（架橋反
応が進むとレジストの耐熱温度が上る）に昇温してフォ
トレジストをベークした後、次のウェハ31の処理をする
ためにヒータ35の通電を止め水冷チューブ34に２５℃の
冷却水を流して１１０℃までウェハステージ33を冷却す
る。ここで、ウェハステージ33を冷却するのは、上記の
如く、次のウェハ31の処理を行うためであり、冷却しな
いで１８０℃のままで次のウェハ31をウェハステージ33
に載せると塗布されたレジストが溶解してしまうからで
ある。なお、ウェハ31加熱時には水冷チューブ34には水
は導入しない。そして、予め紫外線照射されて耐プラズ
マ性が向上したレジストを有するウェハは次の所定のド
ライエッチング工程に進む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置では、ウェハ31を設定し、かつ水冷チューブ34
が設けられたウェハステージ33と、ヒータ35とが一体的
な構造となっていたため、ウェハ加熱時にはウェハステ
ージ33内の水冷チューブ34に水を流さずにヒータ35に通
電してウェハステージ33を加熱し、この加熱されたウェ
ハステージ33を介してウェハ31を加熱していた。一方、
ウェハ冷却時にはヒータ35の通電を中止してからウェハ
ステージ33内の水冷チューブ34に冷却水を流して加熱さ
れたウェハステージ33を冷却し、この冷却されたウェハ
ステージ33を介してウェハ31を冷却していた。このよう
に、厚さが２５ｍｍもあるアルミ（ステンレス）等のウ
ェハステージ33を高温に加熱することでウェハ31を加熱
し、また、高温になったウェハステージ33を冷却するこ
とでウェハ31を冷却していたため、ウェハステージ33を
所定温度にするのに長時間かかってしまい、単位時間当
たりのウェハ処理枚数が減少してしまうという問題があ
った。
製造装置では、ウェハ31を設定し、かつ水冷チューブ34
が設けられたウェハステージ33と、ヒータ35とが一体的
な構造となっていたため、ウェハ加熱時にはウェハステ
ージ33内の水冷チューブ34に水を流さずにヒータ35に通
電してウェハステージ33を加熱し、この加熱されたウェ
ハステージ33を介してウェハ31を加熱していた。一方、
ウェハ冷却時にはヒータ35の通電を中止してからウェハ
ステージ33内の水冷チューブ34に冷却水を流して加熱さ
れたウェハステージ33を冷却し、この冷却されたウェハ
ステージ33を介してウェハ31を冷却していた。このよう
に、厚さが２５ｍｍもあるアルミ（ステンレス）等のウ
ェハステージ33を高温に加熱することでウェハ31を加熱
し、また、高温になったウェハステージ33を冷却するこ
とでウェハ31を冷却していたため、ウェハステージ33を
所定温度にするのに長時間かかってしまい、単位時間当
たりのウェハ処理枚数が減少してしまうという問題があ
った。
【０００６】ところで、フォトレジストは最初、強度の
弱い紫外線を照射した後、強度の強い紫外線を照射する
と、フォトレジストを均一に架橋反応させることができ
ることが知られている。そして、架橋反応の処理スピー
ドを上げようと思うと、できるだけウェハ31への紫外線
強度を上げなければならない。しかしながら、上記した
従来の半導体製造装置では、紫外線ランプ36とウェハ31
との距離が一定である構造を取っているため、上記の如
く紫外線の強度を変化させる場合は、紫外線ランプ36の
紫外線強度を制御する制御装置を新たに設けなければな
らず、装置コストが大幅に上がってしまうという問題が
あった。
弱い紫外線を照射した後、強度の強い紫外線を照射する
と、フォトレジストを均一に架橋反応させることができ
ることが知られている。そして、架橋反応の処理スピー
ドを上げようと思うと、できるだけウェハ31への紫外線
強度を上げなければならない。しかしながら、上記した
従来の半導体製造装置では、紫外線ランプ36とウェハ31
との距離が一定である構造を取っているため、上記の如
く紫外線の強度を変化させる場合は、紫外線ランプ36の
紫外線強度を制御する制御装置を新たに設けなければな
らず、装置コストが大幅に上がってしまうという問題が
あった。
【０００７】そこで、本発明はウェハの加熱時間及びウ
ェハステージの冷却時間を短縮することができ、ウェハ
の処理能力を上げることができ、しかも、紫外線ランプ
の紫外線強度制御装置を設けることなくウェハへの紫外
線強度を可変することができ、安価な装置で実現するこ
とができる半導体製造装置を提供することを目的として
いる。
ェハステージの冷却時間を短縮することができ、ウェハ
の処理能力を上げることができ、しかも、紫外線ランプ
の紫外線強度制御装置を設けることなくウェハへの紫外
線強度を可変することができ、安価な装置で実現するこ
とができる半導体製造装置を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造装置は上記目的達成のため、処理室と、フォトレ
ジストが塗布されたウェハを加熱する加熱手段を有する
とともに、該ウェハを設置する該処理室内に設けられた
ウェハ設置手段と、該ウェハに電磁波を照射する照射手
段と、該ウェハ設置手段を該処理室壁に接触させるとと
もに、該処理室壁から離間させて該ウェハと該照射手段
の離間距離を可変させる駆動手段とを有するものであ
る。
の製造装置は上記目的達成のため、処理室と、フォトレ
ジストが塗布されたウェハを加熱する加熱手段を有する
とともに、該ウェハを設置する該処理室内に設けられた
ウェハ設置手段と、該ウェハに電磁波を照射する照射手
段と、該ウェハ設置手段を該処理室壁に接触させるとと
もに、該処理室壁から離間させて該ウェハと該照射手段
の離間距離を可変させる駆動手段とを有するものであ
る。
【０００９】本発明に係る電磁波には、紫外線、マイク
ロ波、赤外線等が挙げられる。本発明においては、前記
処理室壁を冷却する冷却手段を設ける場合が好ましく、
この場合、ウェハ加熱後、加熱手段をＯＦＦして駆動手
段でウェハ設置手段を冷却手段を有する処理室壁に接触
させることにより、冷却手段がない場合よりもウェハを
効率良く冷却することができるので、より短時間にウェ
ハを所望の温度に冷却することができる。
ロ波、赤外線等が挙げられる。本発明においては、前記
処理室壁を冷却する冷却手段を設ける場合が好ましく、
この場合、ウェハ加熱後、加熱手段をＯＦＦして駆動手
段でウェハ設置手段を冷却手段を有する処理室壁に接触
させることにより、冷却手段がない場合よりもウェハを
効率良く冷却することができるので、より短時間にウェ
ハを所望の温度に冷却することができる。
【００１０】本発明においては、前記処理室を他の半導
体製造装置と連結して、異なる工程を連続して行う場合
に好ましく適用させることができる。
体製造装置と連結して、異なる工程を連続して行う場合
に好ましく適用させることができる。
【００１１】
【作用】本発明では、後述する実施例の図１に示す如
く、駆動装置７のリフター７ａでウェハ３を設置するウ
ェハステージ２を上下可変移動させることができるた
め、ウェハステージ２上のウェハ３と紫外線ランプ５の
距離を適宜変化させることができる。このため、紫外線
ランプ５の紫外線強度を一定な状態のままでウェハ３と
紫外線ランプ５の距離を適宜変化させてウェハ３への紫
外線強度を適宜変化させることができるので、最初、強
度の弱い紫外線を照射した後、強度の強い紫外線を照射
してフォトレジストを均一に架稿反応させることができ
る。しかも、これ以外の高照度、低照度が要求される様
々な紫外線照射を紫外線強度制御装置を新たに設けるこ
となく安価な装置で実現することができる。
く、駆動装置７のリフター７ａでウェハ３を設置するウ
ェハステージ２を上下可変移動させることができるた
め、ウェハステージ２上のウェハ３と紫外線ランプ５の
距離を適宜変化させることができる。このため、紫外線
ランプ５の紫外線強度を一定な状態のままでウェハ３と
紫外線ランプ５の距離を適宜変化させてウェハ３への紫
外線強度を適宜変化させることができるので、最初、強
度の弱い紫外線を照射した後、強度の強い紫外線を照射
してフォトレジストを均一に架稿反応させることができ
る。しかも、これ以外の高照度、低照度が要求される様
々な紫外線照射を紫外線強度制御装置を新たに設けるこ
となく安価な装置で実現することができる。
【００１２】また、本発明では、ヒータ４が内蔵される
ウェハステージ２のウェハ３が設置される４ｍｍという
薄い上板（ヒータ部は１２ｍｍ）を加熱し、この加熱さ
れた薄いウェハステージ２上板を介してウェハ３を加熱
しているため、従来の２５ｍｍという厚いウェハステー
ジ２全体を加熱して行う場合よりもウェハ３の加熱時間
を短縮することができる。そして、ウェハステージ２の
冷却（次のウェハ３の処理のためのウェハステージ２の
冷却）は、駆動装置７のリフター７ａを下降させること
で予め水冷チューブ８内に冷却水が導入されて冷却され
た処理室１底壁に接触させることで行うようにしている
ため、従来の１８０℃という高温に加熱されたウェハス
テージ２を冷却してから行う場合よりも冷却時間を著し
く短縮させることができる。
ウェハステージ２のウェハ３が設置される４ｍｍという
薄い上板（ヒータ部は１２ｍｍ）を加熱し、この加熱さ
れた薄いウェハステージ２上板を介してウェハ３を加熱
しているため、従来の２５ｍｍという厚いウェハステー
ジ２全体を加熱して行う場合よりもウェハ３の加熱時間
を短縮することができる。そして、ウェハステージ２の
冷却（次のウェハ３の処理のためのウェハステージ２の
冷却）は、駆動装置７のリフター７ａを下降させること
で予め水冷チューブ８内に冷却水が導入されて冷却され
た処理室１底壁に接触させることで行うようにしている
ため、従来の１８０℃という高温に加熱されたウェハス
テージ２を冷却してから行う場合よりも冷却時間を著し
く短縮させることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構成を
示す概略図であり、図示例は紫外線照射装置に適用する
場合である。図１において、１は空間の高さが３０ｍｍ
ある処理室であり、２はウェハ３を加熱する抵抗加熱ヒ
ータ等のヒータ４を有するとともに、ウェハ３を設置す
る処理室１内に設けられた寸法がφ２０５×厚さ１２〜
１５ｍｍのウェハステージ２であり、５はウェハ３に透
明石英ガラス窓６を介して紫外線照射するための紫外線
ランプである。そして、７は恒温水（冷却水）が導入さ
れる水冷チューブ８が設けられた処理室１底壁にウェハ
ステージ２をリフター７ａによって接触させるととも
に、リフター７ａによって処理室１底壁からウェハステ
ージ２を離間させてウェハ３と紫外線ランプ５の離間距
離を上下方向に可変させる駆動装置である。なお、駆動
装置７のリフター７ａとウェハステージ２とは一体とな
っている。９は真空保持するためのベローズであり、10
は処理室１底壁に固定されたウェハ３を支持するための
３本のリフトピンである。なお、図示はしていないが、
ウェハ３温度を制御する温度制御部と、駆動装置７を制
御する制御部は別に設けられており、ウェハ３を処理室
１内から出し入れするためのゲートバルブは処理室１に
設けられている。
１は本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構成を
示す概略図であり、図示例は紫外線照射装置に適用する
場合である。図１において、１は空間の高さが３０ｍｍ
ある処理室であり、２はウェハ３を加熱する抵抗加熱ヒ
ータ等のヒータ４を有するとともに、ウェハ３を設置す
る処理室１内に設けられた寸法がφ２０５×厚さ１２〜
１５ｍｍのウェハステージ２であり、５はウェハ３に透
明石英ガラス窓６を介して紫外線照射するための紫外線
ランプである。そして、７は恒温水（冷却水）が導入さ
れる水冷チューブ８が設けられた処理室１底壁にウェハ
ステージ２をリフター７ａによって接触させるととも
に、リフター７ａによって処理室１底壁からウェハステ
ージ２を離間させてウェハ３と紫外線ランプ５の離間距
離を上下方向に可変させる駆動装置である。なお、駆動
装置７のリフター７ａとウェハステージ２とは一体とな
っている。９は真空保持するためのベローズであり、10
は処理室１底壁に固定されたウェハ３を支持するための
３本のリフトピンである。なお、図示はしていないが、
ウェハ３温度を制御する温度制御部と、駆動装置７を制
御する制御部は別に設けられており、ウェハ３を処理室
１内から出し入れするためのゲートバルブは処理室１に
設けられている。
【００１４】本実施例では、まず、処理室１底壁に固定
された３本のリフトピン10上にウェハ３を搬送用ロボッ
ト等で搬送した後、処理室１内の真空引き（圧力０．１
Ｔｏｒｒ）を行うと同時に駆動装置７のリフター７ａを
上昇させることによってウェハステージ２を上昇させて
ウェハステージ２上の所定位置にウェハ３を設置する。
この時、透明石英ガラス窓６とウェハ３との距離は１０
ｍｍである。次いで、ウェハステージ２内のヒータ４を
通電（１００Ｖ，６００Ｗ）してウェハ３を１１０℃に
なるまで加熱した後、この状態で紫外線ランプ５で透明
石英ガラス窓６を介してウェハ３に紫外線（ＵＶλ＝２
５４ｎｍ，３０ｍＷ／ｃｍ2 （ランプ下１５ｍｍ））を
照射する。
された３本のリフトピン10上にウェハ３を搬送用ロボッ
ト等で搬送した後、処理室１内の真空引き（圧力０．１
Ｔｏｒｒ）を行うと同時に駆動装置７のリフター７ａを
上昇させることによってウェハステージ２を上昇させて
ウェハステージ２上の所定位置にウェハ３を設置する。
この時、透明石英ガラス窓６とウェハ３との距離は１０
ｍｍである。次いで、ウェハステージ２内のヒータ４を
通電（１００Ｖ，６００Ｗ）してウェハ３を１１０℃に
なるまで加熱した後、この状態で紫外線ランプ５で透明
石英ガラス窓６を介してウェハ３に紫外線（ＵＶλ＝２
５４ｎｍ，３０ｍＷ／ｃｍ2 （ランプ下１５ｍｍ））を
照射する。
【００１５】次いで、ウェハ３を１１０℃にした状態で
駆動装置７のリフター７ａによりウェハステージ２を更
に５ｍｍ上昇させた後紫外線ランプ５で透明石英ガラス
窓６を介してウェハ３に上記条件と同じ紫外線（ＵＶλ
＝２５４ｎｍ，３０ｍＷ／ｃｍ2 （ランプ下１５ｍ
ｍ））を照射する。この時、透明石英ガラス窓６とウェ
ハ３との距離は５ｍｍである。
駆動装置７のリフター７ａによりウェハステージ２を更
に５ｍｍ上昇させた後紫外線ランプ５で透明石英ガラス
窓６を介してウェハ３に上記条件と同じ紫外線（ＵＶλ
＝２５４ｎｍ，３０ｍＷ／ｃｍ2 （ランプ下１５ｍ
ｍ））を照射する。この時、透明石英ガラス窓６とウェ
ハ３との距離は５ｍｍである。
【００１６】次いで、ヒータ４で（１００Ｖ，６００
Ｗ）でウェハ３を１８０℃に昇温してフォトレジストを
ベークする。ベーク時間は３０秒である。次いで、処理
室１内を大気圧に戻すためにＮ2 パージを始めると同時
にヒータ４の通電を止めた後、駆動装置７のリフター７
ａを下降させることによって、冷却水（２５℃の恒温
水）が導入された水冷チューブ８で冷却 された処理室
１底壁に接触するまでウェハステージ２を下降させる。
この時、ウェハ３は処理室１底壁に固定されたリフトピ
ン10に支持される。次いで、ウェハステージ２は水冷チ
ューブ８で冷却された処理室１底壁によって１１０℃に
なるまで冷却する。冷却時間は３０秒である。そして、
大気圧に戻された処理室１内の処理済みのウェハ３を搬
送ロボット等で処理室１から取り出し２次工程のエッチ
ング工程に移した後、次のウェハ３を処理室１内に搬送
して上記と同様の処理を行う。
Ｗ）でウェハ３を１８０℃に昇温してフォトレジストを
ベークする。ベーク時間は３０秒である。次いで、処理
室１内を大気圧に戻すためにＮ2 パージを始めると同時
にヒータ４の通電を止めた後、駆動装置７のリフター７
ａを下降させることによって、冷却水（２５℃の恒温
水）が導入された水冷チューブ８で冷却 された処理室
１底壁に接触するまでウェハステージ２を下降させる。
この時、ウェハ３は処理室１底壁に固定されたリフトピ
ン10に支持される。次いで、ウェハステージ２は水冷チ
ューブ８で冷却された処理室１底壁によって１１０℃に
なるまで冷却する。冷却時間は３０秒である。そして、
大気圧に戻された処理室１内の処理済みのウェハ３を搬
送ロボット等で処理室１から取り出し２次工程のエッチ
ング工程に移した後、次のウェハ３を処理室１内に搬送
して上記と同様の処理を行う。
【００１７】このように、本実施例では、駆動装置７の
リフター７ａでウェハ３を設置するウェハステージ２を
上下可変移動させることができるため、ウェハステージ
２上のウェハ３と紫外線ランプ５の距離を適宜変化させ
ることができる。このため、紫外線ランプ５の紫外線強
度を一定な状態のままでウェハ３と紫外線ランプ５の距
離を適宜変化させてウェハ３への紫外線強度を変化させ
ることができるので、上記の如く最初、強度の弱い紫外
線を照射した後、強度の強い紫外線を照射してフォトレ
ジストを均一に架橋反応させることができる。しかも、
これ以外の高照度、低照度が要求される様々な紫外線照
射を紫外線強度制御装置を設けることなく安価な装置で
実現することができる。
リフター７ａでウェハ３を設置するウェハステージ２を
上下可変移動させることができるため、ウェハステージ
２上のウェハ３と紫外線ランプ５の距離を適宜変化させ
ることができる。このため、紫外線ランプ５の紫外線強
度を一定な状態のままでウェハ３と紫外線ランプ５の距
離を適宜変化させてウェハ３への紫外線強度を変化させ
ることができるので、上記の如く最初、強度の弱い紫外
線を照射した後、強度の強い紫外線を照射してフォトレ
ジストを均一に架橋反応させることができる。しかも、
これ以外の高照度、低照度が要求される様々な紫外線照
射を紫外線強度制御装置を設けることなく安価な装置で
実現することができる。
【００１８】また、本実施例では、ヒータ４が内蔵され
ているウェハステージ２のウェハ３が設置される４ｍｍ
という薄い上板を加熱し、この加熱された薄いウェハス
テージ２上板を介してウェハ３を加熱しているため、従
来の２５ｍｍという厚いウェハステージ２全体を加熱し
て行う場合よりもウェハ３の加熱時間を短縮することが
できる。そして、ウェハステージ２の冷却（次のウェハ
３の処理のためのウェハステージ２の冷却）は駆動装置
７のリフター７ａを下降させることで予め水冷チューブ
８内に冷却水が導入されて冷却された処理室１底壁に接
触させることができるようにしているため、従来の１８
０℃という高温に加熱されたウェハステージ２を冷却し
てから行う場合よりも冷却時間を著しく短縮することが
できる。従って、ウェハ３の処理能力を向上させること
ができる。
ているウェハステージ２のウェハ３が設置される４ｍｍ
という薄い上板を加熱し、この加熱された薄いウェハス
テージ２上板を介してウェハ３を加熱しているため、従
来の２５ｍｍという厚いウェハステージ２全体を加熱し
て行う場合よりもウェハ３の加熱時間を短縮することが
できる。そして、ウェハステージ２の冷却（次のウェハ
３の処理のためのウェハステージ２の冷却）は駆動装置
７のリフター７ａを下降させることで予め水冷チューブ
８内に冷却水が導入されて冷却された処理室１底壁に接
触させることができるようにしているため、従来の１８
０℃という高温に加熱されたウェハステージ２を冷却し
てから行う場合よりも冷却時間を著しく短縮することが
できる。従って、ウェハ３の処理能力を向上させること
ができる。
【００１９】これについては、図２から判るように、本
実施例では、枚葉処理であるので、１カセット（２５枚
ウェハ）処理においては従来の場合よりも１５２５秒短
縮することができた。なお、本実施例では、エッチング
を行う前にウェハ３に塗布されたフォトレジストに紫外
線ランプで紫外線を照射して架橋反応させる場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えばマイクロ波発生装置でマイクロ波を照射して
エッチングを行う場合にも適用させることができる。
実施例では、枚葉処理であるので、１カセット（２５枚
ウェハ）処理においては従来の場合よりも１５２５秒短
縮することができた。なお、本実施例では、エッチング
を行う前にウェハ３に塗布されたフォトレジストに紫外
線ランプで紫外線を照射して架橋反応させる場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えばマイクロ波発生装置でマイクロ波を照射して
エッチングを行う場合にも適用させることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハの加熱時間及び
ウェハステージの冷却時間を短縮することができ、ウェ
ハの処理能力を上げることができ、しかも、紫外線ラン
プの紫外線強度制御装置を設けることなくウェハへの紫
外線強度を可変することができ、安価な装置で実現する
ことができるという効果がある。
ウェハステージの冷却時間を短縮することができ、ウェ
ハの処理能力を上げることができ、しかも、紫外線ラン
プの紫外線強度制御装置を設けることなくウェハへの紫
外線強度を可変することができ、安価な装置で実現する
ことができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図２】本発明と従来の場合におけるウェハ一枚当りに
要する所要時間の比較を示す図である。
要する所要時間の比較を示す図である。
【図３】従来例の半導体製造装置の構成を示す概略図で
ある。
ある。
１ 処理室 ２ ウェハステージ ３ ウェハ ４ ヒータ ５ 紫外線ランプ ６ 透明石英ガラス窓 ７ 駆動装置 ７ａ リフター ８ 水冷チューブ ９ ベローズ 10 リフトピン
Claims (4)
- 【請求項１】 処理室（１）と、フォトレジストが塗布
されたウェハ（３）を加熱する加熱手段（４）を有する
とともに、該ウェハ（３）を設置する該処理室（１）内
に設けられたウェハ設置手段（２）と、該ウェハ（３）
に電磁波を照射する照射手段（５）と、該ウェハ設置手
段（２）を該処理室（１）壁に接触させるとともに、該
処理室（１）壁から離間させて該ウェハ（３）と該照射
手段（５）の離間距離を可変させる駆動手段（７，７
ａ）とを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記電磁波は紫外線又はマイクロ波であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記処理室（１）壁を冷却する冷却手段
（８）を設けることを特徴とする請求項１乃至２記載の
半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記処理室を他の半導体製造装置と連結
して、異なる工程を連続して行う半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25122092A JPH06104169A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25122092A JPH06104169A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104169A true JPH06104169A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17219493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25122092A Withdrawn JPH06104169A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104169A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006003608A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 熱安定化装置 |
| JP2008166316A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処置装置 |
| JP2009181969A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処置装置 |
| JP2017037169A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、レジストパターン形成装置、紫外線照射方法及びレジストパターン形成方法 |
| JP2018159828A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP25122092A patent/JPH06104169A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006003608A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 熱安定化装置 |
| JP4508738B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2010-07-21 | 東京応化工業株式会社 | 熱安定化装置 |
| JP2008166316A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処置装置 |
| JP2009181969A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処置装置 |
| JP2017037169A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、レジストパターン形成装置、紫外線照射方法及びレジストパターン形成方法 |
| JP2018159828A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |