TWI663488B - 阻劑圖型形成裝置及阻劑圖型形成方法 - Google Patents

Abstract

本發明課題為提供一種可得到兼顧透光性及耐久性的高信賴性圖型之阻劑圖型形成裝置及阻劑圖型形成方法。

課題解決手段關於一種阻劑圖型形成裝置，其係具備在基板上塗佈阻劑膜之塗佈裝置；進行阻劑膜的顯像處理而形成預圖型之顯像裝置；對顯像後的預圖型進行脫水處理之脫水裝置；對脫水後的預圖型進行照光處理之照光裝置；及將照光後的預圖型加熱而使其硬化之加熱裝置。

Description

阻劑圖型形成裝置及阻劑圖型形成方法

本發明關於一種阻劑圖型形成裝置及阻劑圖型形成方法。

過去有一種藉由對於在塗佈阻劑材料並且預烘之後進行曝光及顯像的預圖型進行漂白曝光，以提升該預圖型的透光性或耐久性的技術(參考例如專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-237854號公報

然而，在上述先前技術中，無法充分得到漂白效果，漂白曝光後的圖型無法兼顧透光性及耐久性，而成為使用該圖型所製造出的有機EL面板或TFT面板等的 信賴性降低的主要原因。

本發明鑑於這樣的課題而完成，目的為提供一種可得到兼顧透光性及耐久性的高信賴性的圖型之阻劑圖型形成裝置及阻劑圖型形成方法。

依據本發明之第1態樣，可提供一種阻劑圖型形成裝置，具備：在基板上塗佈阻劑膜的塗佈裝置；進行前述阻劑膜的顯像處理而形成預圖型的顯像裝置；對顯像後的前述預圖型進行脫水處理的脫水裝置；對脫水後的前述預圖型進行照光處理的照光裝置；及將前述照光後的前述預圖型加熱，使其硬化的加熱裝置。

依據第1態樣所關連之阻劑圖型形成裝置，藉由脫水處理預先除去預圖型的水分，可抑制曝光後的二疊氮萘醌變化為茚羧酸。若羧酸的生成受到抑制，則預圖型會良好地高分子化。所以，在照光處理後可形成兼顧透光性及耐久性的預圖型，因此使該預圖型硬化而成的阻劑圖型具有高信賴性。

在上述第1態樣之中，前述脫水裝置亦可設計成包含在供給惰性氣體的脫水腔室內將前述預圖型加熱之加熱機構。

依據此設計，可良好地除去預圖型內的水分。

在上述第1態樣之中，前述脫水裝置亦可設計成包含使收納前述預圖型的空間成為真空氣體環境之真 空機構。

依據此設計，藉由真空氣體環境，水分容易蒸發，因此可良好地由預圖型內除去水分。

此外，前述脫水裝置宜設計成進一步含有在前述真空氣體環境內，將前述預圖型加熱的加熱機構。

如此一來，能夠更有效地除去預圖型內的水分。

在上述第1態樣之中，前述脫水裝置亦可設計成包括將前述預圖型加熱的加熱機構。

依據此設計，可良好地除去預圖型內的水分。

在上述第1態樣之中，前述照光裝置亦可設計成進行前述照光處理的處理腔室內為低露點氣體環境。

依據此設計，腔室內的水分含量少，因此預圖型所含的重氮萘醌發生光化學反應，所產生的茚烯酮會與樹脂的羥基鍵結，膜全體良好地高分子化。所以，預圖型良好地高分子化，因此可形成透光性及耐久性優異的阻劑圖型。

在上述第1態樣之中，前述照光裝置亦可設計成進行前述照光處理時，在20℃~200℃的處理溫度下將前述預圖型加熱。

依據此設計，可良好地進行預圖型的照光處理(漂白處理)。

在上述第1態樣之中，前述照光裝置亦可設計成包含在前述照光處理之前，在低露點氣體環境下保持前述基板直到前述預圖型到達前述處理溫度之預熱部。

依據此設計，可維持預圖型的脫水狀態，同時藉由預 熱部，可將預圖型的溫度預熱至處理溫度。所以，預圖型可在從表面到內部皆到達既定溫度的狀態下進行照光，因此可良好地高分子化。

依據本發明之第2態樣，可提供一種阻劑圖型形成方法，具備：在基板上塗佈阻劑膜之塗佈步驟；進行前述阻劑膜的顯像處理而形成預圖型之顯像步驟；對前述顯像步驟後的前述預圖型進行脫水處理之脫水步驟；對前述脫水步驟後的前述預圖型進行照光處理之照光步驟；及將前述照光步驟後的前述預圖型加熱，使其硬化之加熱步驟。

依據第2態樣所關連之阻劑圖型形成方法，藉由脫水處理預先除去預圖型的水分，可抑制曝光後的二疊氮萘醌變化為茚羧酸。若羧酸的生成受到抑制，則預圖型會良好地高分子化。所以，可形成兼顧透光性及耐久性的預圖型，因此使該預圖型硬化的阻劑圖型具有高信賴性。

在上述第2態樣之中，前述脫水步驟亦可設計成包含在供給惰性氣體的脫水腔室內將前述預圖型加熱之加熱步驟。

依據此設計，可良好地除去預圖型內的水分。

在上述第2態樣之中，前述脫水步驟亦可設計成包含使收納前述預圖型的空間成為真空氣體環境之真空步驟。

依據此設計，藉由真空氣體環境，水分容易蒸發，因 此可良好地由預圖型內除去水分。

此外，前述脫水步驟宜設計成在前述真空氣體環境內，將前述預圖型加熱。

如此一來，能夠更有效地除去預圖型內的水分。

在上述第2態樣之中，前述脫水步驟亦可設計成將前述預圖型加熱以進行脫水處理。

依據此設計，可良好地除去預圖型內的水分。

在上述第2態樣之中，前述照光步驟亦可設計成在低露點氣體環境的處理腔室內進行前述照光處理。

依據此設計，腔室內的水分含量少，因此預圖型所含的重氮萘醌發生光化學反應所產生的茚烯酮會與樹脂的羥基鍵結，膜全體良好地高分子化。所以，預圖型良好地高分子化，因此可形成透光性及耐久性優異的阻劑圖型。

在上述第2態樣之中，亦可設計成在進行前述照光處理時，在20℃~200℃的處理溫度將前述預圖型加熱。

依據此設計，可良好地進行預圖型的照光處理(漂白處理)。

在上述第2態樣之中，前述照光步驟亦可設計成包括前述照光處理之前，在低露點氣體環境下保持前述基板直到前述預圖型到達前述處理溫度之預熱步驟。

依據此設計，可維持預圖型的脫水狀態，同時可藉由預熱部將預圖型的溫度預熱至處理溫度。所以，預圖型可在表面至內部皆到達既定溫度的狀態下進行照光，因此可 良好地高分子化。

依據本發明，可得到兼顧透光性及耐久性的高信賴性圖型。

SPA‧‧‧圖型形成裝置(阻劑圖型形成裝置)

LU‧‧‧裝卸機

CD‧‧‧塗佈顯像處理部

IF‧‧‧介面部

CONT‧‧‧控制部

G、G1、G2、G3‧‧‧基板

C‧‧‧卡匣

SR‧‧‧洗滌單元

DH‧‧‧脫水烘烤單元

CT‧‧‧塗佈單元

PR‧‧‧預烘單元

DV‧‧‧顯像單元(顯像裝置)

UV‧‧‧照光單元

PB‧‧‧後烘單元

CV1~CV10‧‧‧輸送帶機構

TR1~TR5‧‧‧搬運機構

EX‧‧‧曝光裝置

EE‧‧‧周邊曝光裝置

S1‧‧‧塗佈步驟

S2‧‧‧預烘步驟

S3‧‧‧曝光步驟

S4‧‧‧顯像步驟

S5‧‧‧照光步驟(漂白曝光步驟)

S6‧‧‧後烘步驟

SS1‧‧‧脫水步驟

10‧‧‧卡匣待機部

11、11a、11b‧‧‧搬運機構

12、12a、12b‧‧‧搬運臂

41‧‧‧乾式洗淨裝置

42‧‧‧濕式洗淨裝置

43‧‧‧氣刀裝置

44‧‧‧加熱裝置

45‧‧‧冷卻裝置

46‧‧‧HMDS裝置

47‧‧‧塗佈裝置

48‧‧‧減壓乾燥裝置

49‧‧‧周緣部除去裝置

50‧‧‧加熱裝置

51‧‧‧冷卻裝置

52‧‧‧緩衝裝置

55‧‧‧顯像裝置

56‧‧‧清洗裝置

57‧‧‧氣刀裝置

58、158‧‧‧脫水單元(脫水裝置)

59‧‧‧加熱裝置

60‧‧‧冷卻裝置

70‧‧‧腔室(脫水腔室)

71‧‧‧氣體供給部

72‧‧‧加熱機構

80‧‧‧預備裝置

80b‧‧‧連接部

81‧‧‧照光裝置

81a‧‧‧基板搬出入口

82‧‧‧腔室

83‧‧‧減壓機構

84‧‧‧昇降機構

84a‧‧‧支持銷

85‧‧‧腔室(處理腔室)

85a‧‧‧頂部

85b‧‧‧開口部

85c‧‧‧蓋部

85d‧‧‧遮光構件

85F‧‧‧第1基板搬運部

85P‧‧‧處理部

85S‧‧‧第2基板搬運部

86‧‧‧照光部

87‧‧‧台座

87a‧‧‧第1開口部

87b‧‧‧第2開口部

88‧‧‧交接機構

88a‧‧‧基板保持構件

88b‧‧‧傳送構件

88c‧‧‧驅動機構

88d‧‧‧昇降機構

88e‧‧‧支持銷

88f、88g、88h、88i、88j、89f、89g、89h、89i、89j‧‧‧滑輪部

89‧‧‧搬運機構(基板搬運部)

89a‧‧‧基板保持構件

89b‧‧‧傳送構件

89c‧‧‧驅動機構

90‧‧‧加熱部(預熱部)

91‧‧‧氣體供給部

100‧‧‧櫛狀部

101‧‧‧移動部

102‧‧‧固定機構

105、105X、105Y‧‧‧鋼索

107‧‧‧支持構件

109‧‧‧固定機構

180‧‧‧腔室

180a‧‧‧基板搬入出口

182‧‧‧第一台座

183‧‧‧第一搬運部

183a‧‧‧搬運機構

183b‧‧‧加熱機構

184‧‧‧第二台座

185‧‧‧第二搬運部

185a‧‧‧搬運機構

185b‧‧‧加熱機構

180f‧‧‧腔室180的-X側(既定面)

180a‧‧‧基板搬入出口

180b‧‧‧連接部

R1‧‧‧第一基板搬運路徑

R2‧‧‧第二基板搬運路徑

D1、D2‧‧‧方向

170‧‧‧腔室

171‧‧‧減壓機構

172‧‧‧加熱機構

圖1表示第一實施形態所關連之圖型形成裝置之平面圖。

圖2表示由-Y方向觀察第一實施形態所關連之脫水單元時之構造圖。

圖3表示由-Z方向觀察第一實施形態所關連之照光單元時之構造圖。

圖4表示第一實施形態所關連之照光單元的動作之圖。

圖5表示第一實施形態所關連之照光單元的動作之圖。

圖6表示第一實施形態所關連之圖型形成方法之步驟圖。

圖7表示由-Y方向觀察第二實施形態所關連之照光單元時之構造圖。

圖8表示第二實施形態所關連之照光單元的動作之圖。

圖9表示第二實施形態所關連之照光單元的動作之圖。

圖10表示第二實施形態所關連之照光單元的動作之圖。

圖11表示由-Y方向觀察變形例所關連之脫水單元時之構造圖。

以下參考圖式對本發明之實施形態作說明。在以下的說明中，設定XYZ正交座標系，參考此XYZ正交座標系，同時針對各構件的位置關係作說明。將水平面內的既定方向定為X軸方向，在水平面內與X軸方向正交的方向定為Y軸方向、與X軸方向及Y軸方向皆正交的方向(亦即鉛直方向)定為Z軸方向。另外，將繞X軸、Y軸、及Z軸旋轉(傾斜)的方向分別定為θX、θY、及θZ方向。

(第一實施形態)

圖1表示本實施形態所關連之圖型形成裝置SPA的平面圖。

圖型形成裝置SPA具備例如在X方向配置成一列的裝卸機LU、塗佈顯像處理部CD、介面部IF及控制部CONT。圖型形成裝置SPA的配置方式是設計成塗佈顯像處理部CD夾在裝卸機LU與介面部IF之間。控制部 CONT會對圖型形成裝置SPA的各部統合處理。

(裝卸機)

裝卸機LU是將收納多個基板G的卡匣C搬入及搬出的部分。裝卸機LU具有卡匣待機部10及搬運機構11。

卡匣待機部10配置於例如圖型形成裝置SPA的-X側的端部，可收納多個卡匣C。被收納於卡匣待機部10的卡匣C排列在例如Y方向。卡匣待機部10的-X側形成了未圖示的開口部，透過該開口部，圖型形成裝置SPA與外部之間可進行卡匣C的交接。

搬運機構11配置於卡匣待機部10的+X側，在卡匣C與塗佈顯像處理部CD之間進行基板G的搬運。搬運機構11例如沿Y方向配置兩個，該兩個搬運機構11具有例如相同的構造。配置於-Y側的搬運機構11a，可將基板G由裝卸機LU搬運至塗佈顯像處理部CD。配置於+Y側的搬運機構11b，可將基板G由塗佈顯像處理部CD搬運至裝卸機LU。

搬運機構11具有搬運臂12(12a、12b)。搬運臂12具有保持玻璃基板的保持部，並設置成例如可往某個方向伸縮。搬運臂12設計成可往θZ方向旋轉。搬運臂12藉由例如往θZ方向旋轉，可朝向卡匣待機部10與塗佈顯像處理部CD的各方向。藉由使搬運臂12伸縮，搬運臂12可抵達卡匣待機部10及塗佈顯像處理部CD各部。

(塗佈顯像處理部)

塗佈顯像處理部CD是對基板G實施包括阻劑塗佈及顯像一連串的處理的部分。塗佈顯像處理部CD具有洗滌單元SR、脫水烘烤單元DH、塗佈單元CT、預烘單元PR、介面部IF、顯像單元DV、脫水單元58、照光單元UV及後烘單元PB。

塗佈顯像處理部CD設計成在Y方向分成兩側的構造，在-Y側的部分，來自裝卸機LU的基板G會沿+X方向被搬運往介面部IF。在+Y側的部分，來自介面部IF的基板G會沿-X方向被搬運往裝卸機LU。

洗滌單元SR是連接於裝卸機LU的下游，並且進行基板G的洗淨的單元。洗滌單元SR具有乾式洗淨裝置41、濕式洗淨裝置42及氣刀裝置43。在乾式洗淨裝置41的-X側及氣刀裝置43的+X側分別設置了輸送帶機構CV1、CV2。在輸送帶機構CV1、CV2設置了搬運基板G並且未圖示的帶機構。

乾式洗淨裝置41是藉由例如對基板G照射準分子雷射等的紫外線，將基板G上的有機物除去。濕式洗淨裝置42具有例如未圖示的毛刷。濕式洗淨裝置42是使用洗淨液及該毛刷將基板G洗淨。氣刀裝置43具有例如未圖示的氣刀噴射機構。氣刀裝置43是使用氣刀噴射機構在基板G上形成氣刀，將基板G上的雜質除去。

脫水烘烤單元DH是連接於洗滌單元SR的下 游，並且將基板G脫水的單元。脫水烘烤單元DH具有加熱裝置44、HMDS裝置46及冷卻裝置45。加熱裝置44及HMDS裝置46是以往Z方向堆疊的方式配置。在從Z方向觀看時與加熱裝置44及HMDS裝置46重疊的位置設置了輸送帶機構CV3，在從Z方向觀看時與冷卻裝置45重疊的位置設置了輸送帶機構CV4。在加熱裝置44及HMDS裝置46與冷卻裝置45之間設置了可搬運基板G的搬運機構TR1。搬運機構TR1可設計成例如與設置於裝卸機LU的搬運機構11相同的構造。

加熱裝置44可設計成例如在可收納基板G的腔室內具有加熱器的構造。加熱裝置44在Z方向配置成例如多階段。加熱裝置44可將基板G以既定溫度加熱。HMDS裝置46可使HMDS氣體與基板G發生作用而實施疏水化處理，是用來提升在塗佈單元CT塗佈於基板G的阻劑膜與基板G的密著性的裝置。冷卻裝置45是例如在可收納基板G的腔室內具有溫調機構，能將基板G冷卻至既定溫度。

塗佈單元(塗佈裝置)CT連接於脫水烘烤單元DH的下游，並在基板G上的既定區域形成阻劑膜。塗佈單元CT具有塗佈裝置47、減壓乾燥裝置48、周緣部除去裝置49。塗佈裝置47是在基板G上塗佈阻劑膜的裝置。塗佈裝置47可使用例如旋轉式塗佈裝置、非旋轉式塗佈裝置、狹縫噴嘴塗佈裝置等。亦可設計成可將這些各種不同的塗佈裝置替換。減壓乾燥裝置48可使塗佈阻劑 膜後的基板G表面乾燥。周緣部除去裝置49是將塗佈於基板G周緣部的阻劑膜除去，並調整阻劑膜形狀的裝置。

預烘單元PR是連接於塗佈單元CT的下游，並且對基板G進行預烘處理的單元。預烘單元PR具有加熱裝置50及冷卻裝置51。在與加熱裝置50重疊的位置設置了輸送帶機構CV5。在與冷卻裝置51重疊的位置設置了輸送帶機構CV6。加熱裝置50與冷卻裝置51配置成沿Y方向包夾搬運機構TR2。

介面部IF是連接於曝光裝置EX的部分。介面部IF具有緩衝裝置52、搬運機構TR3、輸送帶機構CV7、CV8及周邊曝光裝置EE。緩衝裝置52配置於預烘單元PR的搬運機構TR2的+X側。在緩衝裝置52的-X側設置了搬運機構TR3。

緩衝裝置52是使基板G暫時待機的裝置。在緩衝裝置52中設置了收納基板G並且未圖示的腔室、或調整該腔室內的溫度的溫調裝置、調整被收納在腔室內的基板G的θZ方向的位置的旋轉控制裝置等。在緩衝裝置52的腔室內，可將基板G的溫度保持在既定溫度。輸送帶機構CV7、CV8是配置成在X方向包夾預烘單元PR的冷卻裝置51。

顯像單元(顯像裝置)DV連接於預烘單元PR的冷卻裝置51的-X側，並且對曝光後的基板G進行顯像處理。在顯像後的基板G形成了以既定形狀圖型化的阻劑膜(預圖型)。

顯像單元DV具有顯像裝置55、清洗裝置56及氣刀裝置57。顯像裝置55可對基板G供給顯像液，並且進行顯像處理。清洗裝置56可對顯像後的基板G供給清洗液，將基板G洗淨。氣刀裝置57可在基板G上形成氣刀，使基板G上的預圖型乾燥。在顯像裝置55的+X側設置了輸送帶機構CV9，在氣刀裝置57的-X側設置了輸送帶機構CV10。輸送帶機構CV10可將來自氣刀裝置57的基板G搬運至脫水單元58。

(脫水單元)

脫水單元58連接於顯像單元DV的-X側，並且對顯像後的基板G進行脫水處理。

圖2表示往+Y方向觀察脫水單元58時的構造圖。

如圖2所示般，脫水單元58具有腔室(脫水腔室)70、氣體供給部71、及加熱機構72。腔室70可收納進行脫水處理的基板G。氣體供給部71可對腔室70內供給惰性氣體。氣體供給部71可供給例如氮(N₂)、氦(He)、氬(Ar)等的惰性氣體。加熱機構72包含在腔室70內將基板G加熱的加熱器等的加熱部。加熱機構72的加熱溫度是設定在可使形成於基板G的預圖型中的水分蒸發的值。

在脫水單元58的-X側設置了搬運機構TR4。搬運機構TR4可將來自脫水單元58的基板G搬運至後烘單元PB。搬運機構TR4具有可保持基板G，同時可往Z方向昇降的機械臂。

照光單元UV連接於搬運機構TR4的+Y側。照光單元UV可藉由對顯像後的基板G(預圖型)照射例如既定波長的光線，進行提升預圖型的可見光的透光性的漂白曝光。

搬運機構TR4可將來自脫水單元58的基板G搬運至照光單元UV，並將來自照光單元UV的基板G交接至後烘單元PB。搬運機構TR4具有可保持基板G，同時可往Z方向昇降的機械臂。

後烘單元PB連接於搬運機構TR4的下游側，可烘烤照光處理後的基板G。後烘單元PB具有加熱裝置59及冷卻裝置60。在加熱裝置59與冷卻裝置60之間設置了搬運機構TR5。搬運機構TR5可將基板G由加熱裝置59搬運至冷卻裝置60。加熱裝置59可對顯像後的基板G進行後烘。冷卻裝置60可使後烘後的基板G冷卻。

(照光單元)

圖3表示由+Z方向觀察照光單元UV時的構造圖。圖4(a)及圖4(b)表示往+Y方向觀察照光單元UV時的構造圖。圖5(a)、(b)表示往+X方向觀察照光單元UV時的構造圖。此外，在圖3~圖5之中，為了使圖容易判別，分別將一部分的構造省略表示。

如圖3、4所示般，照光單元UV具有預備裝置80及照光裝置81。預備裝置80具有腔室82、減壓機 構83及昇降機構84。預備裝置80是設置作為例如暫時收納搬運至照光裝置81的基板G的預備室。理所當然亦可作為其他用途。預備裝置80在例如+Y側具有基板搬出入口80a。在預備裝置80中，藉由減壓機構83，能夠在使腔室82內減壓的狀態收納基板G。減壓機構83可使用例如幫浦機構等。

昇降機構84設置成可沿Z方向移動。在昇降機構84的+Z側設置了例如多個支持銷84a。多個支持銷84a的+Z側的端部設置在例如與XY平面平行的相同面內。因此，藉由多個支持銷84a可將基板G支持成與XY平面平行。昇降機構84可支持被收納在腔室82內的基板G，同時將該基板G往腔室82內的Z方向搬運。

照光裝置81是連接於預備裝置80，並對基板G進行照光的裝置。照光裝置81具有腔室(處理腔室)85、照光部86、台座87、交接機構88、搬運機構(基板搬運部)89、加熱部90及氣體供給部91。照光裝置81在例如+X側具有基板搬出入口81a。

該基板搬出入口81a連接於預備裝置80的-X側，能夠讓基板G搬入及搬出預備裝置80。另外，在腔室82的+X側設置了用來連接至脫水單元58的連接部80b。連接部80b使腔室82物理性連接在脫水單元58側，同時也藉由連接腔室82的電線等，使腔室82與脫水單元58電連接。

腔室85可收納進行照光處理的基板G。腔室 85設計成俯視時呈矩形，例如某個方向為長邊。在腔室85的頂部85a設置了照光用的開口部85b。開口部85b是設置在俯視時腔室85之中對應於照光部86的位置。另外，在腔室85的頂部85a設置了蓋部85c。蓋部85c可設置在多處，例如設置在俯視時沿腔室85的長邊方向的3處。蓋部85c是設置在腔室85的頂部85a之中，離開開口部85b的位置。

在腔室85內，在包夾住開口部85b的位置設置了遮光構件85d。遮光構件85d安裝於例如腔室85的頂部85a，是將來自照光部86的光線遮住的板狀構件。遮光構件85d形成於例如可將腔室85內區隔的位置。以下將腔室85內被遮光構件85d區隔的部分，分別表記為第1基板搬運部85F、處理部85P及第2基板搬運部85S。第1基板搬運部85F是在腔室85內的預備裝置80側的部分。處理部85P是形成開口部85b的部分。第2基板搬運部85S是離預備裝置80最遠的部分。

照射至處理部85P的光線會被遮光構件85d遮住。所以，來自照光部86的光線，不會照射至第1基板搬運部85F及第2基板搬運部85S，僅照射至處理部85P。

照光部86安裝在腔室85的開口部85b。照光部86具有可照射包括紫外線(例如i射線等)及可見光兩者的光線(藉由濾光片等，將波長未滿300nm遮斷，宜進一步將波長超過450nm遮斷的光線)的照射燈。照射燈是由 例如金屬鹵素燈或LED燈所構成。

此處，本實施形態中，「紫外線」意指波長範圍的下限為1nm左右，上限為可見光的短波長端的光，「可見光」意指波長範圍的下限為360~400nm左右，上限為760~830nm左右的光。

照光部86照射的光線(照射光)的波長為300nm以上，宜為300~450nm。藉由將照射光的波長定在300nm以上，預圖型從表層到內部，圖型全體容易硬化。另一方面，只要在合適的上限值以下，可抑制輻射熱的產生，並且可抑制硬化時溫度過度上昇。

台座87被收納於腔室85內，是沿腔室85的長邊方向形成的板狀構件。台座87配置之處遍及第1基板搬運部85F、處理部85P及第2基板搬運部85S。台座87具有第1開口部87a、第2開口部87b。第1開口部87a形成於配置於第1基板搬運部85F的部分。第2開口部87b形成之處大致遍及台座87的整個面。第2開口部87b連接於例如未圖示的空氣供給機構及吸入機構。因此，可由第2開口部87b噴出空氣，藉由該空氣，在台座87上全面形成空氣層。

交接機構88具有基板保持構件88a、傳送構件88b、驅動機構88c及昇降機構88d。交接機構88設置成可在預備裝置80與照光裝置81這兩個裝置之間移動。

基板保持構件88a具有櫛狀部100及移動部101。櫛狀部100是設置成例如櫛部分在Y方向呈對向。 櫛狀部100可保持基板G。櫛狀部100的底部連接於移動部101。移動部101是設置成貫通腔室85的+Y側及-Y側的壁部。移動部101在腔室85的+Y側及-Y側具有固定機構102。移動部101透過固定機構102固定於上述傳送構件88b。

傳送構件88b是使用例如鋼索等的線狀構件。傳送構件88b至少相接於腔室85的+Y側及-Y側的側部而呈環狀。傳送構件88b沿X方向設置在該腔室85的+Y側及-Y側。

如圖3及圖5(b)所示般，傳送構件88b在腔室85的-X側的角部，分別被滑輪部88f、88g引導到Y方向。如圖5(b)所示般，在腔室85的-X側端面設置了多個滑輪部88h。傳送構件88b在腔室85的-X側的端面，透過該滑輪部88h連接於驅動機構88c。另外，在傳送構件88b的+X側，如圖3及圖4(b)所示般，掛在設置於腔室85的+X側的角部的滑輪部88i、88j。

驅動機構88c設置於腔室85外部並且在該腔室85的-Z側。驅動機構88c具有未圖示的馬達，並可藉由使該馬達旋轉來驅動傳送構件88b。圖4所示的昇降機構88d設置於第1基板搬運部85F的-Z側，並設置成可藉由未圖示的致動器沿Z方向移動。昇降機構88d具有多個支持銷88e。支持銷88e配置在從Z方向觀看時，與設置於台座87的第1開口部87a重疊的位置。藉由昇降機構88d沿Z方向移動，支持銷88e會從第1開口部87a出 没於台座87上。

交接機構88可藉由設置於腔室85外部的驅動機構88c來驅動傳送構件88b，透過該傳送構件88b，可使基板保持構件88a往X方向移動。像這樣，藉由設置於腔室85外部的驅動機構88c的驅動，可使腔室85內部的基板保持構件88a移動。另外，在交接機構88中，藉由使昇降機構88d往Z方向移動，可接收被保持在櫛狀部100的基板G。

搬運機構89具有基板保持構件89a、傳送構件89b及驅動機構89c。例如圖5(a)等所示般，搬運機構89設置於交接機構88的-Z側。

基板保持構件89a設計成從Z方向觀看時呈L字型，對應於基板G每個角部位置合計配置4個。基板保持構件89a可保持住基板G的角部。較具體而言，基板保持構件89a可保持住基板G的角部之中，X側及Y側表面(側面)與-Z側表面(底面)。4個基板保持構件89a固定於支持用鋼索105。支持用鋼索105，是由沿X方向設置的鋼索2根，沿Y方向設置的鋼索4根，合計6根鋼索所構成。支持用鋼索105全部都在具有張力的狀態。

沿X方向設置的2根鋼索105X將4個基板保持構件89a之中沿X方向配置的基板保持構件89a彼此連接。沿Y方向設置的4根鋼索105Y是設置成往Y方向貫通腔室85。4根鋼索105Y之中，+X側最外側的鋼索105Y透過支持構件106連接於+X側的兩個基板保持構件 89a。-X側最外側的鋼索105Y透過支持構件107連接於-X側的兩個基板保持構件89a。

在腔室85的+Y側設置了固定於傳送構件89b的兩個固定機構108。鋼索105Y的+Y側的端部分別連接在該兩個固定機構108。在腔室85的-Y側設置了固定於傳送構件89b的兩個固定機構109，鋼索105Y的-Y側的端部分別連接在該固定機構109。

傳送構件89b使用了例如鋼索等的線狀構件。傳送構件89b設置例如兩個。上述的兩個固定機構108及固定機構109分別固定於各傳送構件89b。所以，兩個傳送構件89b之中的一個連接於-X側的兩個基板保持構件89a，另一個傳送構件89b連接於+X側的兩個基板保持構件89a。

各傳送構件89b例如沿X方向設置在腔室85的側部。另外，各傳送構件89b至少相接於腔室85的+Y側及-Y側的側部而呈環狀。各傳送構件89b沿X方向設置在該腔室85的+Y側及-Y側。

如圖3及圖5(b)所示般，各傳送構件89b在腔室85的-X側的角部，分別被滑輪部89f、89g引導到Y方向。如圖5(b)所示般，在腔室85的-X側端面設置了多個滑輪部89h。各傳送構件89b在腔室85的-X側端面，透過該滑輪部89h，連接於驅動機構89c。藉由滑輪部89f、89g及89h，兩個傳送構件89b不會糾纏而能獨立移動。

此外，滑輪部88f、89f、88g、89g、88h、89h的配置，只要是使上述傳送構件88b及兩個傳送構件89b不會互相糾纏而能夠獨立移動的形態，則不受限於本實施形態所示的配置，理所當然可為其他配置。

傳送構件89b，與例如傳送構件88b同樣地，使用了例如鋼索等的線狀構件。如圖4(b)所示般，設置於搬運機構89的傳送構件89b，相對於設置於交接機構88的傳送構件88b，配置於-Z側。

另外，如圖3等所示般，傳送構件88b與傳送構件89b之中，例如沿腔室85設置的各部分，是配置成從Z方向觀看時重疊。所以，與傳送構件88b同樣地，傳送構件89b是例如在腔室85的側部沿X方向設置。

如圖3及圖5(b)所示般，各傳送構件89b在腔室85的-X側的角部，分別被滑輪部89f、89g引導到Y方向。如圖5(b)所示般，在腔室85的-X側端面設置了多個滑輪部89h。

各傳送構件89b在腔室85的-X側端面，透過該滑輪部89h連接於驅動機構89c。另外，在各傳送構件89b的+X側，如圖3及圖4(b)所示般，掛在設置於腔室85的+X側的角部的滑輪部89i、89j。

驅動機構89c設置在腔室85外部並且在該腔室85的-Z側。驅動機構89c具有未圖示的馬達，設計成藉由使該馬達旋轉來驅動各傳送構件89b。驅動機構89c是對兩個傳送構件89b各設置一個。藉由例如同期控制驅 動機構89c，可使4個基板保持構件89a以相等的速度移動。

搬運機構89可藉由驅動機構89c來驅動傳送構件89b，透過該傳送構件89b，可使基板保持構件89a往X方向移動。像這樣，藉由設置於腔室85外部的驅動機構89c的驅動，可使腔室85內部的基板保持構件89a移動。

加熱部90設置於例如腔室85的處理部85P的底部。加熱部90的內部具有例如電熱線等的加熱裝置、或調整該加熱裝置的加熱溫度的溫度控制裝置等。

氣體供給部91可供給乾燥的氮(N₂)、氦(He)、氬(Ar)等的惰性氣體。藉此，本實施形態的腔室85可藉由供給該惰性氣體來控制內部氣體環境的露點，調節氣體環境內的水分濃度。

氣體供給部91可調整上述乾燥氣體的供給，使腔室85內部氣體環境成為例如露點-80℃(水分濃度0.54ppm質量基準)~-5℃(水分濃度4000ppm質量基準)。具體而言，氣體供給部91可使腔室85內部氣體環境成為露點-80℃(水分濃度0.54ppm質量基準)以上，-14℃(水分濃度1791ppm質量基準)以下為較佳，露點-60℃(水分濃度10.7ppm質量基準)以上，-20℃(水分濃度1020ppm質量基準)以下為更佳。

像這樣，進行預圖型的硬化的氣體環境的露點(水分濃度)只要在合適的上限值以下，則圖型的硬化更容易進 行。另一方面，只要在合適的下限值以上，則可提升操作性等(例如裝置容易運用、具有成本優勢等)。

腔室85內部氣體環境的氧濃度(質量基準)愈低愈好，具體的氧濃度係以1000ppm以下為佳，500ppm以下為較佳。像這樣，只要將氧濃度設定在合適的上限值以下，則如後述般，圖型的硬化更容易進行。

照光單元UV可藉由加熱部90，在低露點氣體環境的腔室85內，將基板G加熱。加熱部90可將藉由曝光、顯像處理形成於基板G上的預圖型，在比室溫(例如20℃)還高且在200℃以下的範圍加熱。

照光單元UV在藉由加熱部90將基板G加熱的狀態下驅動照光部86，在低露點氣體環境內對基板G照射既定波長的光線。

(圖型形成方法)

對於利用如以上所述方式構成的圖型形成裝置SPA的圖型形成方法作說明。

圖6(a)表示作為比較的以往的圖型形成方法之步驟圖，圖6(b)表示本實施形態所關連之圖型形成方法之步驟圖。

如圖6(a)所示般，以往的圖型形成方法，是依序進行塗佈步驟S1、預烘步驟S2、曝光步驟S3、顯像步驟S4、照光步驟(漂白曝光步驟)S5、及後烘步驟S6。

相對於此，本實施形態的圖型形成方法如圖 6(b)所示般，是依序進行塗佈步驟S1、預烘步驟S2、曝光步驟S3、顯像步驟S4、脫水步驟SS1、照光步驟S5、及後烘步驟S6。

亦即，本實施形態之圖型形成方法與以往的圖型形成方法相比，明顯的不同點在於在照光步驟S5與後烘步驟S6之間具有脫水步驟SS1。

以下針對本實施形態之圖型形成方法的各步驟作說明。

首先，將收納基板G的卡匣C裝載到裝卸機LU的卡匣待機部10。卡匣C內的基板G會透過搬運機構11被搬運至洗滌單元SR。

被搬運至洗滌單元SR的基板G會透過輸送帶機構CV1，被搬運至乾式洗淨裝置41。該基板G會依序經過乾式洗淨裝置41、濕式洗淨裝置42及氣刀裝置43進行處理。由氣刀裝置43搬出的基板G會透過輸送帶機構CV2被搬運至脫水烘烤單元DH。

在脫水烘烤單元DH中，首先藉由加熱裝置44進行基板G的加熱處理。加熱後的基板G被搬運往例如Z方向，在HMDS裝置46之中，利用HMDS氣體進行處理。HMDS處理後的基板G可藉由搬運機構TR1搬運至冷卻裝置45，進行冷卻處理。冷卻處理後的基板G可藉由輸送帶機構CV4搬運至塗佈單元CT。

(塗佈步驟S1)

然後，在塗佈單元CT中，進行塗佈阻劑組成物而在基板G上形成阻劑膜的塗佈步驟。

在本實施形態中，將藉由曝光及顯像使曝光部溶解除去而形成預圖型的正型阻劑組成物塗佈在基板G上。這種阻劑組成物可列舉例如以下例示的阻劑組成物(r1)、(r2)。

<阻劑組成物(r1)>

阻劑組成物(r1)是使鹼可溶性樹脂、作為感度提升劑的特定酚化合物、及作為感光性成分的二疊氮醌酯化物溶解於有機溶劑而成的正型阻劑組成物。

阻劑組成物(r1)中，鹼可溶性樹脂可從被膜形成物質通常使用的產品之中任意選擇。可列舉例如已知作為正型阻劑組成物的被膜形成用樹脂的酚樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯與丙烯酸的共聚物、羥基苯乙烯的聚合物、聚乙烯基酚、聚α-甲基乙烯基酚等。該等之中，尤其宜使用酚樹脂，特別適合為不會膨潤、容易溶解於鹼水溶液、顯像性優異的酚醛樹脂。

酚樹脂可列舉酚類與醛類的縮合反應生成物、酚類與酮類的縮合反應生成物、乙烯基酚系聚合物、異丙烯基酚系聚合物，這些酚樹脂的氫化反應生成物等。

前述縮合反應生成物中的酚類，可列舉例如酚、間甲酚、對甲酚、鄰甲酚、2,3-二甲酚、2,5-二甲酚、3,5-二甲酚、3,4-二甲酚等的二甲酚類；間乙基酚、 對乙基酚、鄰乙基酚、2,3,5-三甲基酚、2,3,5-三乙基酚、4-第三丁基酚、3-第三丁基酚、2-第三丁基酚、2-第三丁基-4-甲基酚、2-第三丁基-5-甲基酚等的烷基酚類；對甲氧基酚、間甲氧基酚、對乙氧基酚、間乙氧基酚、對丙氧基酚、間丙氧基酚等的烷氧基酚類；鄰異丙烯基酚、對異丙烯基酚、2-甲基-4-異丙烯基酚、2-乙基-4-異丙烯基酚等的異丙烯基酚類；苯基苯酚等的芳香基酚類；4,4'-二羥基聯苯基、雙酚A、間苯二酚、氫醌、五倍子酚等的多羥基酚類等。該等可單獨使用或將2種以上組合使用。

這些酚類之中，尤其宜為間甲酚、對甲酚、2,5-二甲酚、3,5-二甲酚、2,3,5三甲基酚。

前述縮合反應生成物中的醛類，可列舉例如甲醛、聚甲醛、三聚甲醛、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、巴豆醛、環己烷醛、糠醛、呋喃基丙烯醛、苯甲醛、對酞醛、苯基乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、對羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、桂皮醛等。該等可單獨使用或將2種以上組合使用。

這些醛類之中，從取得的方便性的觀點看來，宜為甲醛，尤其為了提升耐熱性，宜為將羥基苯甲醛類與甲醛組合使用。

前述縮合反應生成物中的酮類，可列舉例如丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二苯酮等。該等可單獨使 用或將2種以上組合使用。

在酚類與酮類的組合之中，五倍子酚與丙酮的組合為特佳。

酚類與醛類或酮類的縮合反應生成物，可在酸性觸媒的存在下，藉由周知的方法製造。酸性觸媒可使用鹽酸、硫酸、蟻酸、草酸、對甲苯磺酸等。

以這樣的方式所得到的縮合反應生成物，在藉由實施分離等的處理將低分子區域截斷之後，由於耐熱性優異，因此適合。分離等的處理可藉由使縮合反應所得到的樹脂溶解於良溶劑，例如甲醇、乙醇等的醇；丙酮、甲基乙基酮等的酮；乙二醇單乙醚醋酸酯、四氫呋喃等，接下來注入水中使其沉澱等的方法來進行。

上述之中，尤其宜為全酚系重複單元中，含有對甲酚系重複單元60莫耳%以上，且含有間甲酚系重複單元30莫耳%以上，聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)為2000~20000的酚醛樹脂。

在對甲酚系重複單元未滿60莫耳%時，加熱處理時的溫度不均容易造成感度發生變化，另外，在間甲酚系重複單元未滿30莫耳%時，會有感度不良的傾向。

在鹼可溶性樹脂中，亦可含有二甲酚系重複單元、或三甲基酚系重複單元等的其他酚系重複單元。

尤其宜為由對甲酚系重複單元60~70莫耳%與間甲酚系重複單元40~30莫耳%所構成的2成分系的酚醛樹脂，且酚類的2核體(具有兩個酚核的縮合物分子)含量以 GPC(凝膠滲透層析)法測定的結果為10%以下，低分子量酚類的含量少的酚醛樹脂。前述2核體會在高溫(例如130℃)的預烘或後烘中昇華，而污染到火爐的頂部等，甚至污染到塗佈阻劑組成物的玻璃基板，而成為產率降低的原因，由此觀點看來，宜為2核體含量少的酚醛樹脂。

在阻劑組成物(r1)之中，感度提升劑可列舉下述一般式(I)所表示之酚化合物。

[式中，R¹~R⁸各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、碳原子數1~6的烷基、碳原子數1~6之烷氧基、或碳原子數3~6之環烷基，R⁹~R¹¹各自獨立，表示氫原子或碳原子數1~6之烷基，Q表示氫原子、碳原子數1~6之烷基、與R⁹鍵結而形成碳原子數3~6之環烷基之基團，或下述化學式(II)所表示之基團。

(式中，R¹²及R¹³各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、或碳原子數3~6之環烷基；c表示1~3之整數)；a、b表示1~3之整數；d表示0~3之整數；n表示0~3之整數]。

阻劑組成物(r1)中的感度提升劑，可列舉參(4-羥苯基)甲烷、雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4羥基-2,5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥苯基)-3-甲氧基-4-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-2-羥 苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷、1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羥苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(3-甲基-4-羥苯基)乙基]苯、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(2',3',4'-三羥苯基)丙烷、2-(2,4-二羥苯基)-2-(2',4'-二羥苯基)丙烷、2-(4-羥苯基)-2-(4'-羥苯基)丙烷、2-(3-氟-4-羥苯基)-2-(3'-氟-4'-羥苯基)丙烷、2-(2,4-二羥苯基)-2-(4'-羥苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(4'-羥苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(4'-羥基-3',5'-二甲基苯基)丙烷、雙(2,3,4-三羥苯基)甲烷、雙(2,4-二羥苯基)甲烷、2,3,4-三羥苯基-4'-羥苯基甲烷、1,1-二(4-羥苯基)環己烷、2,4-雙[1-(4-羥苯基)異丙基]-5-羥基酚等。

該等之中，從感度提升效果特別優異的觀點看來，宜為雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、2,4-雙[1-(4-羥苯基)異丙基-5-羥基酚、1,1-二(4-羥苯基)環己烷、1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]苯等。

感度提升劑可單獨使用，或將2種以上組合使用。

感度提升劑的含量，相對於鹼可溶性樹脂100質量份，宜為5~25質量份，較佳為10~20質量份的範圍。

在阻劑組成物(r1)之中，感光性成分可列舉下述一般式(III)所表示之二疊氮醌酯化物(感光性成分1)、下述一般式(IV)所表示之二疊氮醌酯化物(感光性成分2)、上述一般式(I)所表示之酚化合物與1,2-二疊氮萘醌- 5(或4)-磺醯基化合物的酯化物等。

[式(III)中，R¹⁴獨立地表示碳原子數1~5之烷基，D獨立地表示氫原子、或1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基，D之至少一個表示1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基，l、m各自獨立，表示1或2。式(IV)中、多個D各自獨立表示氫原子、或1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基，D之至少一個為1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基]。

感光性成分1的平均酯化率宜為40~60%，較佳為45~55%。在此平均酯化率未滿40%的情況，顯像後的膜損失容易發生、成膜率容易降低。另一方面，若超過60%，則明顯有感度不良的傾向。

從能夠以較低的價格調製出感度、解像性、直線性優 異的阻劑組成物的觀點看來，感光性成分1宜為由雙(2-甲基-4-羥基-5-環己基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷的1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基化合物產生的二疊氮醌酯化物，其中以酯化率50%者為最佳。

感光性成分2的平均酯化率宜為50~70%，較佳為55~65%。在平均酯化率未滿50%的情況，顯像後容易發生膜損失，成膜率容易降低。另一方面，若超過70%，則有保存安定性降低的傾向。

從能夠以非常低的價格調製出感度優異的阻劑組成物的觀點看來，感光性成分2宜為由2,3,4,4'-四羥基二苯基酮的1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基化合物產生的醌二疊氮化物酯化物，其中以酯化率59%者為最佳。

感光性成分可單獨使用或將2種以上組合使用。

感光性成分的含量，相對於鹼可溶性樹脂與感度提升劑的合計量100質量份，宜為15~40質量份，較佳為20~30質量份的範圍。

阻劑組成物(r1)中，有機溶劑可列舉丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等的酮額；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、乙二醇單醋酸酯、丙二醇單醋酸酯、二乙二醇單醋酸酯、或該等的單甲醚、單乙醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等的多元醇類及其衍生物；如二噁烷般的環式醚類；乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲 酯、乙氧基丙酸乙酯等的酯類；苯、甲苯、二甲苯、甲基異丁基酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、環己醇、碳酸甲酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯等。

有機溶劑可單獨使用或將2種以上混合使用。

從對阻劑組成物賦予優異的塗佈性，對基板上的阻劑被膜賦予優異的膜厚均勻性的觀點看來，上述之中，宜為丙二醇單甲醚醋酸酯(PGMEA)。

PGMEA宜以單獨溶劑的方式使用，然而亦可混合使用PGMEA以外的有機溶劑。這種有機溶劑可列舉例如乳酸乙酯酯、γ-丁內酯、丙二醇單丁醚等。

從在支持體上的塗佈性優異的觀點看來，阻劑組成物(r1)中，鹼可溶性樹脂、感度提升劑與感光性成分的總量相對於該組成物的總質量，宜為30質量%以下，較佳為20~28質量%。

此情況下，考慮到後述任意使用的添加劑的量，有機溶劑的含量，相對於該組成物的總質量，宜為50~90質量%，較佳為65~85質量%，更佳為70~75質量%。

阻劑組成物(r1)中，可因應必要使用用來防止光暈的紫外線吸收劑、例如2,2',4,4'-四羥基二苯基酮、4-二甲基胺基-2',4'-二羥基二苯基酮、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥苯基偶氮)吡唑-4-二甲基胺基-4'-羥基偶氮苯、4-二乙基胺基-4'-乙氧基偶氮苯、4-二乙基胺基偶氮苯、薑黃素等。

另外，在阻劑組成物(r1)中，可使用用來防止條紋的 界面活性劑，例如Fluorad FC-430、FC431(商品名，住友8M股份有限公司製)；FTOP EF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名，Tochem Products股份有限公司製)；XR-104(製品名，大日本油墨化學工業股份有限公司製)、BYK-310)(製品名，BYK Chemie Japan股份有限公司製)等。

另外，在阻劑組成物(r1)中，可因應必要含有苯醌、萘醌、對甲苯磺酸等的保存安定化劑，進一步含有因應必要而添加的樹脂、可塑劑、安定化劑、對比提升劑等的慣用添加劑。

<阻劑組成物(r2)>

阻劑組成物(r2)為含有具有下述一般式(1)所表示之重複單元及一般式(2)所表示之重複單元的共聚物、及感光性成分的正型阻劑組成物。

在將藉由阻劑組成物(r2)形成的阻劑膜適用於例如微透鏡的情況，可形成耐熱性、耐藥品性良好的微透鏡。

[式(1)、(2)中，R⁰各自獨立，表示氫原子或甲基，R²¹表示單鍵或碳數1~5之烷基。R²²表示碳數1~5之烷基，R²³表示具有熱交聯性的1價有機基。p表示1~5之整數，q表示0~4之整數，且p+q為5以下。但是，重複單元中的多個R⁰及R²²可相異]。

(一般式(1)所表示之重複單元)

一般式(1)所表示之重複單元(以下亦稱為「重複單元(1)」)會表現出鹼可溶性。

前述式(1)之中，R⁰宜為甲基。

R²¹中的碳數1~5之伸烷基可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、異伸丙基、伸正丁基、伸異丁基、伸第三丁基、伸戊基、異伸戊基、新伸戊基等，尤其宜為亞甲基、伸乙基。

在重複單元(1)所具有的苯環上鍵結至少一個羥基。表示羥基鍵結數的p為1~5之整數，從製造上的觀點看來，宜為1。另外，在苯環之中，將「-C(=O)-O-R²¹-」的鍵結位置定為1位時，羥基的鍵結位置宜為至少其中一個在4位的位置。

此外，在重複單元(1)所具有的苯環中，亦可鍵結碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀的烷基作為R²²。這種烷基可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等，工業上以甲基或乙基為較 佳。q表示0~4之整數，0為較佳。

重複單元(1)可使用1種或將2種以上混合使用。

具有重複單元(1)及重複單元(2)的共聚物之中，重複單元(1)的含量，相對於構成該共聚物的重複單元的合計，宜為20~50莫耳%。藉由設定在此範圍，容易確保顯像時的鹼可溶性。

(一般式(2)所表示之重複單元)

一般式(2)所表示之重複單元(以下亦稱為「重複單元(2)」)含有熱交聯基(R²³)。

前述式(2)中，R⁰宜為甲基。

R²¹中的碳數1~5之伸烷基，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、異伸丙基、正伸丁基、異伸丁基、第三伸丁基、伸戊基、異伸戊基、新伸戊基等，尤其宜為亞甲基、伸乙基。

前述式(2)中，R²³表示具有熱交聯性的1價有機基(以下將此有機基稱為「熱交聯基」。熱交聯基為可藉由加熱而交聯的基團。

R²³宜為含有環氧基、氧環丁烷基之任一者的有機基。該等之中，從可提升熱處理的交聯效率的觀點看來，R²³以含有環氧基的有機基為較佳。

重複單元(2)可使用1種或將2種以上混合使用。

在具有重複單元(1)及重複單元(2)的共聚物中，重複單元(2)的含量，相對於構成該共聚物的重複單元的合計，宜為50~80莫耳%。

藉由將該共聚物之中重複單元(2)的含量定在合適的下限值以上，可減輕加熱處理造成的透光率降低，同時容易確保熱硬化性，另一方面，藉由定在合適的上限值以下，較能夠抑制顯像時的殘渣的產生。

具有重複單元(1)及重複單元(2)的共聚物可由隨機聚合或嵌段聚合的任一者所構成。

如上述般，藉由設計成具有重複單元(1)與重複單元(2)不同的重複單元的共聚物，容易控制鹼溶解速度及耐熱性。

該共聚物的質量平均分子量(Mw：藉由凝膠滲透層析(GPC)的苯乙烯換算所得到的測定值)宜為10000~30000。藉由使該共聚物的Mw在合適的下限值以上，可提升耐熱性，例如在使用共聚物形成微透鏡的情況，在進行用以使微透鏡硬化的燒成處理時，容易維持透鏡形狀。另一方面，藉由定在合適的上限值以下，可抑制顯像時殘渣的發生。

此外，阻劑組成物(r2)宜具有重複單元(1)與重複單元(2)，藉由含有Mw為10000~30000的共聚物，玻璃轉移溫度高，可形成暴露於高溫時也能夠維持形狀而具有耐熱性的阻劑膜。此外，由於阻劑組成物(r2)中共聚物含有具有熱交聯基(R²³)的重複單元，因此可形成硬度高且耐藥品 性優異的阻劑膜。

阻劑組成物(r2)中，亦可併用具有上述重複單元(1)及重複單元(2)的共聚物，以及該共聚物以外的樹脂成分。該樹脂成分可列舉丙烯酸樹脂、羥基苯乙烯樹脂、酚醛樹脂等。

阻劑組成物(r2)所使用的感光性成分，可列舉與上述阻劑組成物(r1)所使用的感光性成分同樣的物品。

感光性成分可單獨使用或將2種以上組合使用。

阻劑組成物(r2)中，感光性成分的含量，相對於阻劑組成物(r2)的固體成分，宜為10~40質量%的範圍內。藉由使感光性成分的含量在合適的上限值以下，可良好地形成圖型。在將阻劑組成物(r2)使用於微透鏡形成的情況，顯像時可形成良好的透鏡形狀。另一方面，藉由將感光性成分的含量定在合適的上限值以下，可提升顯像性，並可抑制顯像時殘渣的產生。

阻劑組成物(r2)可因應必要使用具有重複單元(1)及重複單元(2)的共聚物及感光性成分以外的成分。

在阻劑組成物(r2)中，從例如在支持體上的塗佈性的觀點看來，亦可摻合界面活性劑或添加增感劑、消泡劑等的各種添加劑。

阻劑組成物(r2)可藉由使共聚合物、感光性成分、及因應必要使該等以外的成分溶解於有機溶劑而調製。

(預烘步驟S2)

塗佈處理後的基板G會被搬運至預烘單元PR，在加熱裝置50進行預烘處理，在冷卻裝置51進行冷卻處理。在預烘單元PR處理結束的基板G會藉由搬運機構TR2被搬運至介面部IF。

(曝光步驟S3)

在介面部IF中，例如在緩衝裝置52進行溫度調整後，在周邊曝光裝置EE進行周邊曝光。周邊曝光之後，基板G會藉由搬運機構TR3被搬運至曝光裝置EX進行曝光處理。

(顯像步驟S4)

曝光處理後的基板G在進行加熱處理及冷卻處理之後，會被搬運至顯像單元DV。在顯像單元DV依序對基板G進行顯像處理、清洗處理及乾燥處理，在基板G上形成既定形狀的預圖型。乾燥處理之後，基板G會藉由輸送帶機構CV10被搬運至脫水單元58。

(脫水步驟SS1)

在脫水單元58中，基板G首先會被搬運至腔室70內。脫水單元58透過未圖示的基板搬出入口，將基板G搬入腔室70內後，將基板搬出入口關閉而使腔室70密閉，使氣體供給部71運作，對腔室70內供給惰性氣體。脫水單元58可在供給惰性氣體而成為脫水分氣體環境的 腔室70內，藉由加熱機構72將基板G加熱。加熱機構72可藉由將基板G(形成於該基板G的預圖型)加熱來降低預圖型中的水分含量。

(照光步驟S5)

脫水處理後的基板G可藉由搬運機構TR4搬運至照光單元UV。在照光單元UV中，基板G首先會被搬運至預備裝置80的腔室82內。照光單元UV在透過基板搬出入口80a將基板G搬運至腔室82內之後，將基板搬出入口80a關閉而使腔室82密閉，在短時間作出低氧氣體環境，使減壓機構83運作，進行減壓處理。在減壓處理之後，使昇降機構84往+Z側移動，藉由支持銷84a將基板G撐起。此時，將基板G撐起至比交接機構88的基板保持構件88a的高度還高的位置(+Z側的位置)。

在撐起基板G之後，將基板保持構件88a的櫛狀部100插入腔室82內，使櫛狀部100配置於基板G的-Z側。在配置櫛狀部100之後，使昇降機構84往-Z側移動，以使撐起的基板G往-Z側移動。在基板G的-Z側配置了櫛狀部100，因此基板G會由支持銷84a移交到櫛狀部100。

接收基板G之後，藉由驅動機構88c的驅動，透過傳送構件88b，使基板保持構件88a往-X側移動，將基板G搬入腔室85內。將基板G搬入後，使腔室85密閉，並使氣體供給部91運作，使腔室85內成為低 露點氣體環境。本實施形態中，照光單元UV可使腔室85內部氣體環境成為例如露點-39.7℃、氧濃度812ppm。

另外，使腔室85內成為低露點氣體環境，同時使驅動機構88c進一步驅動，並將基板G配置成從Z方向觀看時與第1基板搬運部85F的第1開口部87a重疊。

將基板G配置好之後，使昇降機構88d往+Z側移動，而使支持銷88e從第1開口部87a伸出。在支持銷88e的+Z側配置了基板G，因此基板G會由基板保持構件88a移交到支持銷88e。移交基板G之後，使驅動機構89c驅動，使基板保持構件89a往基板G的-Z側移動。此時，以使4個基板保持構件89a從Z方向觀看時分別與基板G的4個角部重疊的方式使驅動機構89c驅動。

在配置基板保持構件89a之後，使昇降機構88d往-Z側移動，而使基板G往-Z側移動。在基板G的-Z側配置了基板保持構件89a，因此基板G會由支持銷88e被運送至基板保持構件89a。在運送該基板G時，使例如未圖示的空氣供給部運作，在第2開口部87b以既定噴出量及吸入量噴出及吸入空氣，在台座87上形成空氣層。在運送基板G時，基板G與台座87之間形成空氣層，因此基板G會被空氣層與基板保持構件89a保持住。因此，基板保持構件89a即使僅保持基板G的角部，基板G也不會彎曲或破裂，會被安定地保持住。

基板G被保持在基板保持構件89a之後，使驅動機構89c驅動，而將基板G搬運至處理部85P。基板 G會浮在空氣層上並且被搬運，因此能夠以低驅動力搬運基板G。因此，傳送構件89b能夠以低的負擔完成運作。

在基板G被搬運至處理部85P之後，加熱部90可在低露點氣體環境的腔室85內保持加熱的狀態至基板G到達既定的處理溫度為止。例如加熱部90預熱至基板G(形成於該基板G的預圖型)的溫度到達100℃(既定處理溫度)。亦即，在本實施形態中，加熱部90兼具將預圖型預熱的預熱部的機能。此外，除了加熱部90之外，還可另外設置可將預圖型預熱(加熱)的預熱機構。

照光單元UV可在基板G的溫度到達100℃後，藉由加熱部90，將基板G(預圖型)以既定的處理溫度加熱，同時，在處理部85P內將該基板G往-X側搬運，同時驅動照光部86。

藉由此動作，在處理部85P中，在搬運基板G的狀態下由照光部86對基板G上的預圖型照射既定波長的光線。在處理部85P的+X側及-X側設置了遮光構件85d，因此進行處理時光線不會由處理部85P漏出。

在利用照光單元UV進行預圖型的漂白曝光處理時，由正型阻劑所構成的預圖型所含的重氮萘醌，會因為光化學反應而變化為茚烯酮。茚烯酮與樹脂的羥基鍵結，膜全體高分子化，重氮萘醌會消失，藉此，重氮萘醌的色素(淡黃色至淡褐色)消失，構成預圖型的膜的透光性提升。

附帶一提，若在大氣中進行例如漂白曝光， 則茚烯酮會與大氣中的水(H₂O)發生反應，立刻變成羧酸。羧酸與茚烯酮不同，不會與樹脂鍵結，膜全體不會高分子化。因此難以充分提升阻劑膜的耐久性(耐乾式蝕刻性或耐熱性)。

亦即，在提升阻劑膜的耐久性的時，重點在於抑制重氮萘醌與水的反應產生羧酸。

在本實施形態之阻劑圖型形成方法中，在利用照光單元UV進行漂白曝光之前，設置了上述脫水步驟。藉由該脫水步驟，預圖型會在脫水分氣體環境內被加熱，因此可成為內部所含的水分蒸發，預圖型中的水分含有量(水含量)減少的狀態。所以，在漂白曝光時，可抑制重氮萘醌與水的反應造成羧酸的產生。

另外，本實施形態是在低露點氣體環境的腔室85內對預圖型進行照光。因此重氮萘醌因為光化學反應而變化為茚烯酮時，預圖型的周邊(腔室85內)為水分少的環境(低露點氣體環境)，因此不會產生羧酸。

在本實施形態中，藉由上述脫水步驟，預先降低預圖型中的水分含量，因此在漂白曝光時可進一步抑制羧酸的產生。

所以，茚烯酮不會變為羧酸，而會與樹脂的羥基鍵結，膜全體良好地高分子化，因此膜全體的硬度提升，且耐久性亦優異。另外，藉由高分子化，重氮萘醌的色素消失，因此透光性優異。所以，依據本實施形態，可形成兼顧透光性及耐久性的預圖型。

在本實施形態中，照光部86可將例如350~450nm的波長帶的光線照射至預圖型。藉此，上述光化學反應良好地發生，而能夠使預圖型從表層側遍及內部而全體硬化。另外，藉由上述波長帶的照光，可抑制輻射熱的發生，同時可抑制硬化時預圖型溫度過度上昇。

另外，在處理部85P中可搬運基板G同時照光，因此從照光結束的部分開始徐緩地將基板G搬出第2基板搬運部85S。對基板G的照光全部結束時，整個基板G會被收納於第2基板搬運部85S。照光結束後，停止照光部86及加熱部90的運作，並將基板G搬運至第1基板搬運部85F。

被搬運至第1基板搬運部85F的基板G，會由搬運機構89移交到基板交接機構88，並藉由基板交接機構88，由腔室85搬運至腔室82。在腔室82中，基板G會由基板交接機構88移交到昇降機構84，然後透過未圖示的搬運機構，基板G會由腔室82內透過基板搬出入口80a被搬到照光單元UV外部。

(後烘步驟S6)

接下來，基板G會在加熱裝置59中進行後烘處理。加熱裝置59能夠以既定處理溫度將基板G加熱(烘烤)。

基板G的處理溫度可設定在例如180℃以上。此外，加熱裝置59的處理時間(烘烤時間)是由基板G到達處理溫度之後開始算起。

此外，加熱裝置59在將基板G加熱至既定溫度時，可一次完成加熱，亦可設置多個加熱階段以使溫度徐緩上昇。

在本實施形態中，所形成的預圖型具有優異的耐久性(耐熱性)，因此即使在以高溫進行後烘處理的情況，預圖型也不會變形，可維持形狀。所以，使該預圖型硬化而得到的阻劑圖型，不會因為後烘處理而變形，因此信賴性高。另外，預圖型的透光性優異，因此後烘處理之後阻劑圖型的透光性亦優異。

經過加熱裝置59加熱後的基板G會在冷卻裝置60冷卻。在冷卻處理後，基板G會透過搬運機構11而收納於卡匣C。以這樣的方式，對基板G進行塗佈、曝光及顯像這一連串的處理。

如以上所述般，依據本實施形態，可得到兼顧透光性及耐久性(耐熱性)的預圖型，因此藉由對該預圖型實施後烘處理使其硬化，可形成高信賴性的阻劑圖型。

在本實施形態所形成的阻劑圖型具有優異的耐久性(耐乾式蝕刻性)及透光性，因此亦適合使用作為例如液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等所使用的主動矩陣基板的層間絕緣膜、或半導體元件的晶圓塗膜材料(表面保護膜、凸塊保護膜、MCM(multi-chip module)層間保護膜、接點塗膜)、封裝材(密封材、黏晶材)等的永久阻劑膜。

(第二實施形態)

接下來針對本發明之第二實施形態作說明。

本實施形態與上述實施形態的不同在於照光單元的構造。因此以下以照光單元的構造為主體作說明，與上述實施形態相同或共通的構造，則採用相同符號，並省略其詳細說明。

圖7表示往+Y方向觀察本實施形態之照光單元UV1時的構造圖。如圖7所示般，照光單元UV1具有腔室180、照光部86、第一台座182、第一搬運部183、第二台座184及第二搬運部185。腔室180呈立方體的箱狀，藉由未圖示的氣體供給部供給惰性氣體，使內部成為低露點氣體環境狀態。腔室180是配置於顯像單元DV的側面(+Y側)。此外，本實施形態中，照光單元UV1的腔室180是配置於脫水單元56(參考圖1)的上面(+Z側)。

在腔室180的-X側(既定面)180f設置了基板搬入出口180a。基板搬入出口180a能夠讓基板G搬入及搬出腔室180。另外，在腔室180的既定面180f設置了用來連接至脫水單元58的連接部180b。連接部180b將腔室180物理性地連接至脫水單元58側，同時也藉由連接腔室180的電線等，使腔室180與脫水單元58電連接。

本實施形態中，照光部86安裝在腔室180的+Z側，配置成+Z側的端部伸出腔室180外部。

第一台座182設置於腔室180內部。第一台座182支持著被搬入腔室180內部的基板G。第一台座 182配置於基板搬入出口180a的+X側，可支持住由基板搬入出口180a搬入的基板G。第一台座182具有將基板G往X方向搬運並且未圖示的搬運機構。另外，第一台座182可往Z方向昇降。第一台座182可在與第一搬運部183相等高度的位置(Z方向上的位置)以及與第二搬運部185相等高度的位置之間移動。第一台座182可將來自第二搬運部185的基板G支持在與第二搬運部185相等高度的位置。另外，第一台座182可在支持著基板G的狀態下昇降。

第一搬運部183可搬運從第一台座182搬運過來的基板G。第一搬運部183具有搬運機構183a及加熱機構183b。搬運機構183a可將基板G的姿勢保持與水平面(XY平面)平行而往+X方向搬運。在使搬運機構183a的運作停止的狀態下，可保持著基板G的姿勢並支持住基板G。加熱機構183b可調整後來受到照光的基板G的溫度到適當的溫度。例如加熱機構183b可將基板G的溫度維持在100℃左右。

第二台座184設置於腔室180內部並且在+X側的端部。第二台座184可支持從第一搬運部183搬運過來的基板G。第二台座184具有將基板G往X方向搬運並且未圖示的搬運機構。另外，第二台座184可往Z方向昇降。第二台座184可在與第一搬運部183相等高度的位置(Z方向上的位置)以及與第二搬運部185相等高度的位置之間移動。另外，第二台座184可在支持著基板G的狀 態下昇降。第二台座184配置於與第二搬運部185相等高度的位置時，可將基板G送至第二搬運部185。

第二搬運部185可搬運從第二台座184搬運過來的基板G。第二搬運部185配置於第一搬運部183的+Z側。第二搬運部185配置成與照光部86對向。第二搬運部185具有搬運機構185a及加熱機構185b。搬運機構185a可將基板G的姿勢保持與水平面(XY平面)平行，並往-X方向搬運。在使搬運機構185a的動作停止的狀態下，可保持基板G的姿勢並支持住基板G。加熱機構185b配置在Z方向與照光部86之間包夾住基板G的位置。加熱機構185b可由-Z側將受到照光部86照光的基板G加熱。加熱機構185b可將被搬運機構185a支持的基板G加熱。在第一搬運部185的-X側配置了第一台座182的情況，搬運機構185a可將基板G搬運至第一台座182。

由基板搬入出口180a搬入的基板G，會經過第一台座182及第一搬運部183往+X方向被搬運至第二台座184。像這樣，在腔室180內，形成了將基板G往某個方向(+X方向)搬運的第一基板搬運路徑R1。被支持在第二台座184的基板G，會經過該第二台座184及第二搬運部185往-X方向被搬運至第一台座182。像這樣，在腔室180內形成了將基板G往某個方向(-X方向)搬運的第二基板搬運路徑R2。第二基板搬運路徑R2配置成與第一基板搬運路徑R1相對，並在+Z方向並排。

本實施形態中，照光部86亦可沿著受到照光的基板G的搬運路徑(第二基板搬運路徑R2)移動。亦即，照光部86可往與圖7中的X軸平行的方向D1及方向D2移動。例如在腔室180中可設置使照光部86水平移動的水平移動機構。藉由設計成這種構造，可使照光部86往方向D1或方向D2移動，同時對基板G照光。藉此，可自由變更在第二搬運部185上往-X方向搬運的基板G與照光部86的相對速度。其結果，可自由設定對基板G的照光量或產距時間。

具體而言，藉由使照光部86往與基板G相同方向(方向D1)移動，同時進行照光，照光部86相對於基板G的相對速度降低，因此即使不提高照光部86的輸出，也能夠增加對基板G的照光量。從另一個觀點看來，即使搬運速度上昇，也能夠將對基板G的照光量維持在同等，因此可使基板G在裝置內的搬運速度上昇，還可提升產出量。

另一方面，若使照光部86往與基板G相反方向(方向D2)移動，同時進行照光，則基板G與照光部86的相對速度上昇，因此對基板G照光所需要的時間(產距時間)變短。藉此，在照光步驟為瓶頸的情況，可謀求產出量的提升。另外，藉由變更照光部86的移動速度，不需變更基板G的搬運速度或照光部86的輸出，即可調整對基板G的照光量。在使照光部86往方向D2移動的情況，容易調低對基板G的照光量。

此外，照光部86的移動方向與第二搬運部185的基板搬運方向只要大概平行即可。具體而言，照光部86的移動方向與第二搬運部185的基板搬運方向的夾角只要在30度以下即可。

接下來針對本實施形態之照光單元UV1中的照光處理作說明。

圖8至圖10為照光單元UV1的動作說明圖。以下，在照光單元UV1之中，有多個基板G被搬入的情況，依照多個基板被搬入的順序表記為G1、G2、G3、...。

控制部CONT會使保持基板G的機械臂往+Z方向移動，如圖8(a)所示般，將基板G1由基板搬入出口180a搬入腔室180內部。在照光單元UV1中，使第一台座182配置於與第一搬運部183相等高度的位置。藉此，被搬入腔室180的基板G1可配置於第一台座182。

接下來，控制部CONT如圖8(b)所示般，將載置於第一台座182的基板G1往+X方向搬運，移動至第一搬運部183。控制部CONT在將基板G1搬運至第一搬運部183的X方向的大致中央部之後，會使搬運機構183a暫時停止，並使加熱機構183b運作。藉由此動作，被搬運機構183a支持的基板G1可藉由加熱機構183b調整成所希望的溫度。

將基板G1預熱一定時間之後，控制部CONT如圖8(c)所示般，藉由搬運機構183a，將基板G1往+X方向搬運。基板G1會由第一搬運部183交接至第二台座 184。

另外，控制部CONT會將從顯像單元DV搬運過來的其他基板G2搬入腔室180。控制部CONT會使搬運機構TR4的機械臂移動至基板搬入出口180a，將基板G2由基板搬入出口180a搬到腔室180內部。搬入腔室180內部的基板G2會被載置於第一台座182。

接下來，控制部CONT如圖9(a)所示般，使支持著基板G1的狀態的第二台座184往+Z側移動，並對準第二搬運部185的高度位置。另外，控制部CONT會將載置於第一台座182的基板G2往+X方向搬運，移動至第一搬運部183。控制部CONT在將基板G2搬運至第一搬運部183的X方向的大致中央部之後，會使搬運機構183a暫時停止，並使加熱機構183b運作。藉由此動作，被搬運機構183a支持的基板G2可藉由加熱機構183b調整成所希望的溫度。

接下來，控制部CONT如圖9(b)所示般，使第一台座182往+Z方向移動，並對準第二搬運部185的高度位置。另外，控制部CONT會將載置於第二台座184的基板G1往-X方向搬運，移動至第二搬運部185。控制部CONT會對被搬運至第二搬運部185的基板G1，藉由照光部86進行照光。控制部CONT會使搬運機構185a運作，而使基板G1往-X方向移動，同時使加熱機構185b運作，而將基板G1的溫度維持在100℃左右。

在此狀態下，控制部CONT會使照光部86射 出光線。由照光部86射出的光線會照射至基板G1。藉由此動作，可對藉由搬運機構185a在水平面移動的基板G1照光。照光進行至基板G1的全體沿-X方向通過照光部86為止。藉由第二搬運部185往-X方向搬運的基板G1如圖9(c)所示般，載置於預先配置的第一台座182。控制部CONT在基板G1被載置於第一台座182之後，會使第一台座182往-Z方向移動，使高度位置對準第一搬運部183。

接下來，控制部CONT如圖10(a)所示般，使用第一台座182及搬運機構TR4的機械臂，將第一台座182上的基板G1搬出。另外，控制部CONT會使在第一搬運部183進行預熱的基板G2往+X方向移動，並載置於第二台座184。

接下來，控制部CONT如圖10(b)所示般，使支持著基板G2的狀態的第二台座184往+Z側移動，並對準第二搬運部185的高度位置。另外，控制部CONT會將載置於第一台座182的基板G3往+X方向搬運，移動至第一搬運部183。控制部CONT在將基板G3搬運至第一搬運部183的X方向的大致中央部之後，會使搬運機構183a暫時停止，並將基板G3預熱。

然後，控制部CONT與上述同樣地依序對基板G2、基板G3進行照光，並透過基板搬入出口180a由腔室180搬出。另外，透過基板搬入出口180a，將新的基板搬入腔室180並且進行照光L。由腔室180搬出的基 板G1~G3會透過搬運機構TR4搬運至後烘單元PB。藉由重複進行以上的動作，可對經過顯像單元DV的基板G進行照光處理。

如以上所述般，依據本實施形態，能讓基板G被搬入及搬出的基板搬入出口180a是設置於既定面180f，基板G是以通過該基板搬入出口180a搬入腔室180內部並通過基板搬入出口180a被搬到腔室180外部的方式在腔室180內部移動，因此基板G的搬入及搬出是在腔室180的相同側(既定側)進行。藉此可節省現有裝置之間基板G的交接所必要的空間，因此可提供佔用空間小的照光部86。

此外，在圖10(b)所示的照光步驟之中，控制部CONT也能夠使照光部86往方向D1或方向D2移動，同時對基板G1照光。例如在使照光部86往方向D1移動，同時對基板G1進行照光的情況，控制部CONT會在將照光部86配置於既定移動起始位置的狀態下將基板G1由第二台座184搬入第二搬運部185，在基板G1的前端到達上述移動起始位置時，使照光部86開始往方向D1移動，同時開始對基板G1照光。控制部CONT會使照光部86以比基板G1還慢的速度移動，同時照光。控制部CONT會在移動得比基板G1還慢的照光部86到達基板G1的後端的位置時停止照光部86的移動。然後，控制部CONT會使照光部86往方向D2移動，返回上述移動起始位置。

以上針對本發明之實施形態作說明，然而並不受上述實施形態的內容所限定，在不脫離發明主旨的範圍可作適當地變更。

[變形例]

在上述實施形態中，是舉照光單元UV之中，在低露點氣體環境內將基板G加熱的狀態下進行照光的情況為例，然而亦可在低露點氣體環境內保持低溫(例如常溫)的狀態下對基板G照光。在此情況下，照光裝置81不需要加熱部90。如此一來，不需要加熱部90，因此可簡化照光裝置81的裝置構造，謀求成本降低。

另外，亦可使設置基板G冷卻的冷卻裝置來代替加熱部90。如此一來，冷卻裝置可將在脫水單元58被加熱而在溫度較高狀態的基板G冷卻，使該基板G的溫度在短時間降低至常溫。所以，照光單元UV內，基板G大致上沒有待機時間(基板G降至低溫的待機時間)，因此可縮短裝置全體的產距時間。

另外，進行脫水處理的脫水單元58的構造，不受上述實施形態及態樣所限定。

圖11表示由-Y方向觀察變形例所關連之脫水單元158時的構造圖。

如圖11所示般，脫水單元158具有腔室170、減壓機構171、加熱機構172，可進行預圖型的真空脫水。

腔室170可收納進行脫水處理的基板G。減 壓機構171是由例如真空幫浦承等所構成，藉由使腔室170內部減壓，以人工的方式增加水蒸氣分壓差，在低溫度下使預圖型內的水分蒸發。在本構造中，腔室170內為真空氣體環境，因此預圖型內的水分會在常溫左右蒸發。因此，本形態的加熱機構172，藉使由水分蒸發，將基板G的溫度保持一定，使預圖型的溫度不會降低。藉此，可使預圖型內的水分效率良好地蒸發。

此外，在圖11所示的脫水單元158之中，加熱機構172的構造並非必要，亦可由構成要素省略加熱機構172。如此一來，可簡化脫水單元158的裝置構造，因此可謀求小型化及低成本化。

另外，在上述實施形態之脫水單元58中，是舉具備為了使腔室70內成為低水分氣體環境而供給惰性氣體的氣體供給部71的構造為例，然而本發明並不受其限定。例如亦可由脫水單元58的構成要素省略氣體供給部71。依據此構造，在腔室70內，藉由將基板G加熱這樣的簡單構造，可進行預圖型的脫水處理，因此可謀求裝置構造簡化，成本降低。

另外，上述實施形態中，亦可在照光單元UV內設置進行預圖型的脫水處理的脫水裝置。例如亦可在照光單元UV的預備裝置80的腔室82內進行基板G的脫水處理(基板)。此情況下，只要設置對腔室82內供給惰性氣體的氣體供給機構代替減壓機構S3，同時在腔室82內設置將基板G加熱的加熱裝置即可。

只要藉由這種方式，即可將設置於圖1所示的顯像單元DV及搬運機構TR4間的脫水單元58省略，因此可降低圖型形成裝置SPA的設置面積。

另外，在上述實施形態中，是舉將正型阻劑組成物塗佈於基板G上，形成阻劑圖型的情況為例，然而本發明不受正型阻劑所限定。例如未曝光部被溶解除去而形成預圖型的負型阻劑組成物亦適用於本發明。這種阻劑組成物可列舉例如以下例示的阻劑組成物(r3)、(r4)。

<阻劑組成物(r3)>

阻劑組成物(r3)是含有鹼可溶性樹脂與酸產生劑之負型化學增幅阻劑組成物。

阻劑組成物(r3)中的鹼可溶性樹脂，可因應使一般作為負型化學增幅型阻劑組成物的基材樹脂所使用的樹脂曝光所使用的光源，由以往周知的產品之中任意選擇使用。可列舉例如酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂等。

鹼可溶性樹脂可分別單獨使用酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂等，或將2種以上混合使用。

上述鹼可溶性樹脂的含量，例如在阻劑組成物(r3)含有鹼可溶性樹脂、酸產生劑與後述可塑劑的情況下，相對於鹼可溶性樹脂、酸產生劑與可塑劑的固體成分總量100質量份，宜為30~99質量份，較佳為65~95質量份的範圍。

阻劑組成物(r3)中的酸產生劑，只要是藉由照光直接或間接產生酸的化合物，則不受特別限定，可由以往周知的產品之中任意選擇使用。

酸產生劑可單獨使用1種，或將2種以上混合使用。

阻劑組成物(r3)中，上述酸產生劑的含量，相對於阻劑組成物(r3)的固體成分總量100質量份，宜為0.01~5質量份，較佳為0.05~2質量份，更佳為0.1~1質量份的範圍。

在阻劑組成物(r3)之中，可因應必要使用鹼可溶性樹脂及酸產生劑以外的成分。例如除了鹼可溶性樹脂、及酸產生劑之外，還可摻入可塑劑。藉由摻合可塑劑，可抑制龜裂的發生。可塑劑可列舉丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂等。

另外，在阻劑組成物(r3)中，除了使用鹼可溶性樹脂及酸產生劑之外，或除了使用鹼可溶性樹脂、酸產生劑與可塑劑之外，還可摻入交聯劑。

該交聯劑為胺基化合物，可列舉例如三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、胍胺樹脂、甘脲-甲醛樹脂、琥珀醯胺-甲醛樹脂、乙烯尿素-甲醛樹脂等，尤其適合使用烷氧基甲基化三聚氰胺樹脂或烷氧基甲基化尿素樹脂等的烷氧基甲基化胺基樹脂等。

在阻劑組成物(r3)中，除了上述各成分之外，亦可因應必要摻合具有含鹼解離性基(宜為含有氟原子的鹼解離性基)的構造單元的含氟的高分子化合物。

「鹼解離性基」是指可藉由鹼的作用而解離的有機基。亦即，「鹼解離性基」會藉由鹼顯像液(例如在23℃下，2.38質量%的TMAH水溶液)的作用而解離。

若鹼解離性基藉由鹼顯像液的作用而解離，則會產生親水性基，因此對鹼顯像液的親和性提升。亦即，含氟的高分子化合物為疏水性高的「具有氟原子的高分子化合物」，而同時也具有「鹼解離性基」，因此藉由鹼顯像液的作用，對鹼顯像液的親和性提升。所以，藉由使用該負型阻劑組成物，可形成在浸漬曝光時為疏水性且在顯像時可良好地溶解於鹼顯像液中的阻劑膜。

阻劑組成物(r3)中，除了上述各成分之外，還可因應必要添加三乙胺、三丁胺、二丁胺、三乙醇胺等的二級或三級胺等的猝熄劑；界面活性劑、作為接著助劑的官能性矽烷偶合劑、填充材、著色劑、黏度調整劑、消泡劑等。

阻劑組成物(r3)，可藉由使鹼可溶性樹脂、酸產生劑；及因應必要使該等以外的成分溶解於有機溶劑而調製。

<阻劑組成物(r4)>

阻劑組成物(r4)為含有鹼可溶性樹脂、陽離子聚合起始劑、及增感劑的負型阻劑組成物。

阻劑組成物(r4)中，鹼可溶性樹脂可列舉多官能環氧樹脂。多官能環氧樹脂只要是1分子中具有充分的環氧基 以形成厚膜的阻劑圖型的環氧樹脂，則並未受到特別限定，可列舉多官能苯酚酚醛型環氧樹脂、多官能鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、多官能三苯基型酚醛型環氧樹脂、多官能雙酚A酚醛型環氧樹脂等。

另外，該鹼可溶性樹脂還可使用具有光硬化性的鹼可溶性基材。

阻劑組成物(r4)中的陽離子聚合起始劑，是在受到紫外線、遠紫外線、KrF、ArF等的準分子雷射、X光或電子束等的照射時，會產生陽離子部，該陽離子部可成為聚合起始劑之化合物。該陽離子聚合起始劑，可由以往周知的產品之中任意選擇使用。

陽離子聚合起始劑可單獨使用或將2種以上混合使用。

阻劑組成物(r4)中、上述陽離子聚合起始劑的含量，相對於鹼可溶性樹脂100質量份，宜為0.5~20質量份。藉由將陽離子聚合起始劑的含量定在0.5質量份以上，可得到充分的感光度。另一方面，藉由定在20質量份以下，可提升阻劑膜的特性。

阻劑組成物(r4)中，增感劑宜為由可與上述多官能環氧樹脂形成交聯的萘衍生物或蒽或其衍生物所構成。藉由這種增感劑的增感機能，可使阻劑組成物進一步高感度化。其中尤其宜為由含有具有兩個羥基的二羥基萘、或蒽所構成的增感劑。這些增感劑具有多個芳香環，因此可使阻劑圖型高硬度化。

增感劑可單獨使用或將2種以上混合使用。

阻劑組成物(r4)中，增感劑的含量，相對於鹼可溶性樹脂100質量份，宜為1~50質量份。

在阻劑組成物(r4)之中，可因應必要使用鹼可溶性樹脂、陽離子聚合起始劑及增感劑以外的成分。

從更加提高例如阻劑圖型的硬化性的觀點看來，宜使用氧環丁烷衍生物。

另外還可使用上述陽離子聚合起始劑以外的感光性樹脂組成物用的光聚合起始劑。此外，從曝光時不易發生硬化不良，容易得到充分的耐熱性的觀點看來，亦可摻合光聚合性化合物。

此外，在阻劑組成物(r4)中，可依照需要適當地摻合具有混和性的添加劑，例如用來改良阻劑圖型的性能而添加的樹脂、可塑劑、安定劑、著色劑、偶合劑、整平劑等的以往周知的物質。

阻劑組成物(r4)可藉由使鹼可溶性樹脂、陽離子聚合起始劑、增感劑、及因應必要該等以外的成分溶解於有機溶劑而調製。

Claims (14)

1. 一種阻劑圖型形成裝置，其係具備：在基板上塗佈阻劑膜之塗佈裝置；進行前述阻劑膜的顯像處理而形成預圖型之顯像裝置；對顯像後的前述預圖型進行脫水處理之脫水裝置；對脫水後的前述預圖型進行照光處理之照光裝置；及將前述照光後的前述預圖型加熱而使其硬化之加熱裝置，前述照光裝置，為了預熱至到達既定的處理溫度為止，在前述照光處理之前，在低露點氣體環境下保持前述基板直到前述預圖型到達100℃為止，前述照光裝置在前述預圖型到達100℃後，將350nm~450nm的波長帶的光線照射至前述預圖型。
2. 如申請專利範圍第1項之阻劑圖型形成裝置，其中前述脫水裝置包含在供給惰性氣體的脫水腔室內將前述預圖型加熱之加熱機構。
3. 如申請專利範圍第1項之阻劑圖型形成裝置，其中前述脫水裝置包含使收納前述預圖型的空間成為真空氣體環境之真空機構。
4. 如申請專利範圍第3項之阻劑圖型形成裝置，其中前述脫水裝置進一步包含在前述真空氣體環境內將前述預圖型加熱之加熱機構。
5. 如申請專利範圍第1項之阻劑圖型形成裝置，其中前述脫水裝置包含將前述預圖型加熱之加熱機構。
6. 如申請專利範圍第1~5項中任一項之阻劑圖型形成裝置，其中前述照光裝置中，進行前述照光處理之處理腔室內為低露點氣體環境。
7. 如申請專利範圍第6項之阻劑圖型形成裝置，其中前述照光裝置包含進行前述照光處理時，在20℃~200℃的處理溫度將前述預圖型加熱之加熱部。
8. 一種阻劑圖型形成方法，其係具備：在基板上塗佈阻劑膜之塗佈步驟；進行前述阻劑膜的顯像處理而形成預圖型之顯像步驟；對前述顯像步驟後的前述預圖型進行脫水處理之脫水步驟；對前述脫水步驟後的前述預圖型進行照光處理之照光步驟；及將前述照光步驟後的前述預圖型加熱而使其硬化之加熱步驟，前述照光步驟，為了預熱至到達既定的處理溫度為止，在前述照光處理之前，在低露點氣體環境下保持前述基板直到前述預圖型到達100℃為止，在前述預圖型到達100℃後，將350nm~450nm的波長帶的光線照射至前述預圖型。
9. 如申請專利範圍第8項之阻劑圖型形成方法，其中前述脫水步驟包含在供給惰性氣體的脫水腔室內將前述預圖型加熱之加熱步驟。
10. 如申請專利範圍第8項之阻劑圖型形成方法，其中前述脫水步驟包含使收納前述預圖型之空間成為真空氣體環境之真空步驟。
11. 如申請專利範圍第10項之阻劑圖型形成方法，其中前述脫水步驟係在前述真空氣體環境內將前述預圖型加熱。
12. 如申請專利範圍第8項之阻劑圖型形成方法，其中前述脫水步驟係將前述預圖型加熱以進行脫水處理。
13. 如申請專利範圍第8~12項中任一項之阻劑圖型形成方法，其中前述照光步驟係在低露點氣體環境的處理腔室內進行前述照光處理。
14. 如申請專利範圍第13項之阻劑圖型形成方法，其中前述照光步驟係在進行前述照光處理時，在20℃~200℃的處理溫度將前述預圖型加熱。