TW202307146A - 用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物以及形成圖案的方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物以及一種形成圖案的方法，所述方法包括使用所述組成物來去除邊珠的步驟，且所述組成物包括有機溶劑以及具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的平均分子量的化合物。
Description
[相關申請案的交叉參考]
本申請案主張於2021年8月10日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2021-0105523號及於2022年5月17日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2022-0060372號的優先權及權益，所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
本揭露是有關於一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠（edge bead）的組成物以及一種形成圖案的方法，所述方法包括使用所述組成物來去除邊珠的步驟。
近年來，半導體工業一直伴隨著臨界尺寸（critical dimension）的不斷減小，且此種尺寸上的減小需要滿足對處理並圖案化出越來越小的特徵的需求的新型高效能光致抗蝕劑材料及圖案化方法。
另外，隨著近來半導體工業的快速發展，要求半導體裝置具有一操作速度及大的儲存容量，且根據此種要求，正在開發用於改善半導體裝置的積體度（integration）、可靠性及響應速度的製程技術。具體而言，重要的是在矽基板的工作區（working region）中準確地控制/植入雜質並對該些區進行互連以形成裝置及超高密度積體電路，此可藉由微影製程（photolithographic process）來達成。換言之，重要的是對包括以下操作的微影製程進行整合：在基板上塗佈光致抗蝕劑，將其選擇性地暴露於紫外線（ultraviolet，UV）（包括極紫外線（extreme ultraviolet，EUV））、電子束（electron beam，E-Beam）、X射線或類似射線，且然後對其進行顯影。
具體而言，在形成光致抗蝕劑層的製程中，主要在使矽基板旋轉的同時將抗蝕劑塗佈於基板上，其中抗蝕劑被塗佈於基板的邊緣及後表面上，此可能在隨後的半導體製程（例如蝕刻製程及離子植入製程）中造成壓痕（indentation）或圖案缺陷。因此，實行使用稀釋劑組成物（thinner composition）來剝除及去除塗佈於矽基板的邊緣及後表面上的光致抗蝕劑的製程，即邊珠去除（edge bead removal，EBR）製程。EBR製程需要一種組成物，所述組成物對光致抗蝕劑表現出極佳的溶解度（solubility），且有效地去除餘留於基板中的珠粒及光致抗蝕劑，且不會產生抗蝕劑殘留物。
一個實施例提供一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物。
另一實施例提供一種形成圖案的方法，所述方法包括使用所述組成物來去除邊珠的步驟。
根據一個實施例的一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物包括有機溶劑以及具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的平均分子量（average molecular weight，AMW）的化合物。
AMW是在假定所述化合物中所包含的原子的類型皆相同的條件下藉由將所述化合物的總分子量除以原子數而獲得。
亦即，其可被表達為AMW=分子量/原子數（g/mol·ea）。
AMW可為7 g/mol·ea ≤ AMW ≤ 50 g/mol·ea。
具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的所述化合物可包括兒茶酚、乙烯基膦酸、4-氯鄰苯二酚、乙醇酸、4-甲基鄰苯二酚、䓬酚酮（tropolone）、草酸、4-硝基鄰苯二酚、乙醯氧肟酸、丁基膦酸或其組合。
所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物可包括50重量%至99.99重量%的所述有機溶劑；以及0.01重量%至50重量%的具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的所述化合物。
包含於含金屬抗蝕劑中的金屬化合物可包括烷基錫側氧基及烷基錫羧基中的至少一者。
包含於含金屬抗蝕劑中的金屬化合物可由化學式1表示。
[化學式1]
在化學式1中，
R
1選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C6至C30芳烷基以及-R
a-O-R
b（其中R
a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R
b是經取代或未經取代的C1至C20烷基），
R
2至R
4各自獨立地選自-OR
c或-OC(=O)R
d，
R
c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且
R
d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。
根據另一實施例的一種形成圖案的方法包括：在基板上塗佈含金屬抗蝕劑組成物；沿基板的邊緣塗佈用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物；對所塗佈的所得物進行乾燥及加熱以在基板上形成含金屬抗蝕劑膜；以及對經乾燥及加熱的所得物進行曝光及顯影以形成抗蝕劑圖案。
所述形成圖案的方法可更包括：在曝光及顯影之後，沿基板的邊緣塗佈用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物並對其進行洗滌以移除邊珠。
根據一個實施例的所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物會減少含金屬抗蝕劑中固有的金屬系污染，且會去除塗佈於基板的邊緣及後表面上的抗蝕劑，藉此滿足處理並圖案化出更小的特徵的需求。
在下文中，參照附圖詳細闡述本發明的實施例。在本揭露的以下說明中，為了闡明本揭露，將不再闡述眾所習知的功能或構造。
為清楚地例示本揭露，省略了所述闡述及關係，並且在整個揭露中，相同或相似的配置元件由相同的參考編號表示。此外，由於圖式中所示的每一配置的大小及厚度是為更佳的理解及便於闡述而任意示出，因此本揭露未必僅限於此。
在圖式中，為清晰起見，誇大了層、膜、面板、區等的厚度。在圖式中，為清晰起見，誇大了層或區的一部分的厚度等。應理解，當稱一元件（例如層、膜、區或基板）位於另一元件「上（on）」時，所述元件可直接位於所述另一元件上，或者亦可存在中間元件。
在本揭露中，「經取代」是指氫原子被氘、鹵素基、羥基、胺基、經取代或未經取代的C1至C30胺基、硝基、經取代或未經取代的C1至C40矽烷基、C1至C30烷基、C1至C10鹵代烷基、C1至C10烷基矽烷基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基或氰基代替。「未經取代」是指氫原子保持為氫原子，而未被另一取代基代替。
在本揭露中，除非另有定義，否則用語「烷基」意指直鏈或支鏈脂族烴基。烷基可為不包含任何雙鍵或三鍵的「飽和烷基」。
烷基可為C1至C20烷基。更具體而言，烷基可為C1至C10烷基或C1至C6烷基。舉例而言，C1至C4烷基意指烷基鏈包含1至4個碳原子，且可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基。
烷基的具體實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。
在本揭露中，當未以其他方式提供定義時，用語「環烷基」是指單價環狀脂族烴基。
在本揭露中，當未以其他方式提供定義時，用語「烯基」是直鏈或支鏈脂族烴基，且是指包含一或多個雙鍵的脂族不飽和烯基。
在本揭露中，當未以其他方式提供定義時，用語「炔基」是直鏈或支鏈脂族烴基，且是指包含一或多個三鍵的不飽和炔基。
在本揭露中，「芳基」意指其中環狀取代基的所有元素皆具有p-軌域（p-orbital）的取代基，且該些p-軌域形成共軛且可包括單環或稠環多環（即，共享相鄰碳原子對的環）官能基。
圖1是光致抗蝕劑塗佈設備的示意圖。
參照圖1，提供上面放置有基板W的基板支撐部分1，且基板支撐部分1包括轉動卡盤（spin chuck）或旋塗機（spin coater）。
基板支撐部分1以預定的旋轉速度在第一方向上旋轉，且向基板W提供離心力。基板支撐部分1上設置有噴嘴（spray nozzle）2，且噴嘴2位於偏離基板W的上部部分的常壓區域（atmospheric area）中，且在溶液供應步驟期間移動至基板的上部部分以噴射光致抗蝕劑溶液10。因此，光致抗蝕劑溶液10藉由離心力塗佈於基板的表面上。此時，供應至基板W的中心的光致抗蝕劑溶液10在藉由離心力擴散至基板W的邊緣的同時進行塗佈，且其一部分移動至基板的側表面及基板的邊緣的下表面。
亦即，在塗佈製程中，主要藉由旋塗方法（spin coating method）來塗佈光致抗蝕劑溶液10。藉由將預定量的黏性光致抗蝕劑溶液10供應至基板W的中心，其會藉由離心力而逐漸朝向基板的邊緣進行擴散。
因此，藉由基板支撐部分的旋轉速度，光致抗蝕劑的厚度被形成為平坦的。
然而，隨著溶劑的蒸發，黏度逐漸增大，且在表面張力的作用下，相對大量的光致抗蝕劑積累於基板的邊緣上。更嚴重的是，光致抗蝕劑會一直積累至基板的邊緣的下表面，此被稱為邊珠12。
在下文中，闡述根據一個實施例的一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物。
根據本發明一個實施例的所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物包括有機溶劑以及具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的化合物。
AMW是在假定所述化合物中所包含的原子的類型皆相同的條件下藉由將所述化合物的總分子量除以原子數而獲得。
亦即，在假定原子的類型皆相同的條件下，AMW的增大意味著包含較碳原子重的相對大量的氧原子、氮原子、硫原子等，且分子的親水性相對高，且該些很可能主要藉由孤對電子等與光致抗蝕劑形成極性鍵（polar-bond）。另一方面，當AMW變小時，包含相對大量的碳原子及較輕的氫原子（其主要傾向於共價鍵而非極性鍵），分子的疏水性相對高，且接合至光致抗蝕劑的機率低。
根據一個實施例，在具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的所述化合物的情形中，所述化合物在有機溶劑中變得弱親水，且容易配位至含金屬抗蝕劑的金屬（例如，Sn），藉此有助於降低Sn的殘留量。
具體而言，AMW可期望地為7 g/mol·ea ≤ AMW ≤ 50 g/mol·ea，且更具體而言，為7 g/mol·ea ≤ AMW ≤ 30 g/mol·ea。在以上範圍內，可降低Sn的殘留量，且同時可提供在有機溶劑中的適宜溶解度。
舉例而言，具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的所述化合物可包括兒茶酚、乙烯基膦酸、4-氯鄰苯二酚、乙醇酸、4-甲基鄰苯二酚、䓬酚酮、草酸、4-硝基鄰苯二酚、乙醯氧肟酸、丁基膦酸或其組合，但不限於此。
在實例性實施例中，所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物可包括50重量%至99.99重量%的所述有機溶劑以及0.01重量%至50重量%的具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的前述化合物。
在一個具體實施例中，所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物可以0.05重量%至40重量%（具體而言，0.5重量%至30重量%，或者更具體而言，1重量%至20重量%）的量包含具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的AMW的前述化合物。
根據一個實施例，包含於所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物中的有機溶劑可為例如丙二醇甲基醚（propylene glycol methyl ether，PGME）、丙二醇甲基醚乙酸酯（propylene glycol methyl ether acetate，PGMEA）、丙二醇丁基醚（propylene glycol butyl ether，PGBE）、乙二醇甲基醚、二乙基二醇乙基甲基醚、二丙基二醇二甲基醚、乙醇、2-丁氧基乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、己醇、乙二醇、丙二醇、庚酮、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯、二乙基醚、二丁基醚、乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、二異戊基醚、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、四氫呋喃、二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、乙腈、二丙酮醇、3,3-二甲基-2-丁酮、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、環己酮、γ-丁內酯（gamma butyrolactone，GBL）、1-丁醇（正丁醇）、乳酸乙酯（ethyl lactate，EL）、二烯丁基醚（diene butylether，DBE）、二異丙基醚（diisopropyl ether，DIAE）、乙醯丙酮、4-甲基-2-戊烯醇（或稱為甲基異丁基甲醇（methyl isobutyl carbinol，MIBC））、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、甲苯、環戊酮、2-羥乙基丙酸酯、2-羥基-2-甲基乙基丙酸酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸丁酯（乳酸正丁酯）、2-羥基異丁酸甲酯（methyl-2-hydroxyisobutyrate，HBM）、甲氧基苯、乙酸正丁酯、1-甲氧基-2-乙酸丙酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯或其混合物，但不限於此。
根據本發明的所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物可特別有效地去除含金屬抗蝕劑，更具體而言，去除非期望的金屬殘留物，例如錫系金屬殘留物。
包含於含金屬抗蝕劑中的金屬化合物可包括烷基錫側氧基及烷基錫羧基中的至少一者。
舉例而言，包含於含金屬抗蝕劑中的金屬化合物可由化學式1表示。
[化學式1]
在化學式1中，
R
1選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C6至C30芳烷基以及-R
a-O-R
b（其中R
a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R
b是經取代或未經取代的C1至C20烷基），
R
2至R
4各自獨立地選自-OR
c或-OC(=O)R
d，
R
c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且
R
d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。
同時，根據另一實施例，一種形成圖案的方法包括使用用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物來去除邊珠的步驟。舉例而言，所製造的圖案可為光致抗蝕劑圖案。更具體而言，其可為負型光致抗蝕劑圖案（negative type photoresist pattern）。
根據一個實施例的所述形成圖案的方法包括：在基板上塗佈含金屬抗蝕劑組成物；沿基板的邊緣塗佈用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物；對所塗佈的所得物進行乾燥及加熱以在基板上形成含金屬抗蝕劑膜；以及對經乾燥及加熱的所得物進行曝光及顯影以形成抗蝕劑圖案。
更具體而言，使用含金屬抗蝕劑組成物來形成圖案可包括：藉由旋塗、狹縫塗佈（slit coating）、噴墨印刷等在上面形成有薄膜的基板上塗佈含金屬抗蝕劑組成物；以及對所塗佈的含金屬抗蝕劑組成物進行乾燥以形成光致抗蝕劑膜。所述含金屬抗蝕劑組成物可包括錫系化合物，舉例而言，所述錫系化合物可包括烷基錫側氧基及烷基錫羧基中的至少一者。
隨後，可實行塗佈用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物的步驟，且更具體而言，可在以適宜的速度（例如，500轉/分（revolutions per minute，rpm）或大於500轉/分）使基板旋轉的同時沿著基板的邊緣塗佈用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物。
隨後，實行對上面形成有光致抗蝕劑膜的基板進行加熱的第一熱處置製程。第一熱處置製程可在約80℃至約120℃的溫度下實行，且在此種製程中，溶劑被蒸發，且光致抗蝕劑膜可更牢固地黏合至基板。
並且光致抗蝕劑膜被選擇性地曝光。
舉例而言，可在曝光製程中使用的光的實例可不僅包括例如i線（i-line）（波長365奈米）、KrF準分子雷射（波長248奈米）、ArF準分子雷射（波長193奈米）等具有短波長的光，而且亦包括EUV（具有高能量波長的光，例如EUV（極紫外線，波長13.5奈米）、E-Beam（電子束）等。
更具體而言，根據一個實施例的用於曝光的光可為具有約5奈米至約150奈米的波長範圍的短波長光以及例如EUV（極紫外線，波長13.5奈米）、E-Beam（電子束）等具有高能量波長的光。
在形成光致抗蝕劑圖案的步驟中，可形成負型圖案。
光致抗蝕劑膜的曝光區具有與光致抗蝕劑膜的未曝光區的溶解度不同的溶解度，此乃因聚合物是藉由交聯反應（例如有機金屬化合物之間的縮合）而形成。
然後，對基板實行第二熱處置製程。第二熱處置製程可在約90℃至約200℃的溫度下實行。藉由實行第二熱處置製程，光致抗蝕劑膜的曝光區變得難以溶解於顯影溶液中。
具體而言，藉由使用有機溶劑（例如2-庚酮）來溶解並去除與未曝光區對應的光致抗蝕劑膜，可完成與負色調影像（negative tone image）對應的光致抗蝕劑圖案。
在根據所述實施例的所述形成圖案的方法中使用的顯影溶液可為有機溶劑，例如酮類（例如甲基乙基酮、丙酮、環己酮或2-庚酮）、醇類（例如4-甲基-2-丙醇、1-丁醇、異丙醇、1-丙醇、或甲醇）、酯類（例如丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯、乙酸正丁酯、或丁內酯）、芳族化合物（例如苯、二甲苯或甲苯）或其組合。
另外，形成圖案的方法可更包括在曝光及顯影之後塗佈所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物。具體而言，所述方法可包括在以適宜的速度（例如，500轉/分或大於500轉/分）使基板旋轉的同時沿基板的邊緣塗佈適宜量的所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物。
如上所述，藉由不僅暴露於具有例如i線（波長365奈米）、KrF準分子雷射（波長248奈米）、ArF準分子雷射（波長193奈米）的波長的光、而且亦暴露於EUV（極紫外線；波長13.5奈米）、而且亦暴露於例如E-Beam（電子束）等具有高能量的光而形成的光致抗蝕劑圖案可具有約5奈米至約100奈米的厚度寬度（thickness width）。舉例而言，光致抗蝕劑圖案可被形成為具有5奈米至90奈米、5奈米至80奈米、5奈米至70奈米、5奈米至60奈米、5奈米至50奈米、5奈米至40奈米、5奈米至30奈米或5奈米至20奈米的厚度寬度。
另一方面，光致抗蝕劑圖案所具有的節距（pitch）的半節距（half-pitch）可小於或等於約50奈米，例如小於或等於40奈米、例如小於或等於30奈米、例如小於或等於20奈米、例如小於或等於15奈米，且光致抗蝕劑圖案所具有的線寬粗糙度（line width roughness）可小於或等於約10奈米、小於或等於約5奈米、小於或等於約3奈米或者小於或等於約2奈米。
在下文中，將藉由與用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的前述組成物的製備相關的實例來更詳細地闡述本發明。然而，本發明的技術特徵不受以下實例所限制。
製備例：含有機金屬的光致抗蝕劑組成物的製備
將具有化學式C的結構的有機金屬化合物以1重量%的濃度溶解於4-甲基-2-戊醇中，且然後經由0.1微米聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）注射器過濾器對其進行了過濾，從而獲得光致抗蝕劑組成物。
[化學式C]
評價：錫（ Sn ）殘留量
將1.0毫升根據製備例的光致抗蝕劑組成物置於4英吋矽晶圓上，靜置達20秒，並以1,500轉/分的速度進行旋塗達30秒。沿上面形成有塗佈膜的晶圓上的邊緣添加了6.5毫升在表1中闡述的根據實例1至實例10及比較例1至比較例9的所述用於去除邊珠的組成物中的每一者，進行旋塗達3秒，並在以1,500轉/分的速度進行旋轉的同時，進行乾燥達25秒。將添加所述用於去除邊珠的組成物、旋塗及乾燥的過程重複了三次。然後，將所得物在150℃下熱處置達60秒，且藉由氣相分解電感耦合電漿質譜術（Vapour Phase Decomposition Inductively Coupled Plasma - Mass spectrometry，VPD ICP-MS）分析確認了Sn量。
（表1）
| 用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物 | AMW （g/mol·ea） | Sn殘留量 （×10 10原子/平方公分） | ||
| 化合物 （10重量%） | 溶劑 （90重量%） | |||
| 實例1 | 兒茶酚 | PGMEA | 7.87 | 420 |
| 實例2 | 乙烯基膦酸 | PGMEA | 9.82 | 26 |
| 實例3 | 4-氯鄰苯二酚 | PGMEA | 10.33 | 32 |
| 實例4 | 乙醇酸 | PGMEA | 8.45 | 220 |
| 實例5 | 4-甲基鄰苯二酚 | PGMEA | 7.30 | 360 |
| 實例6 | 䓬酚酮 | PGMEA | 8.14 | 8 |
| 實例7 | 乙醯氧肟酸 | PGMEA | 7.51 | 477 |
| 實例8 | 4-硝基鄰苯二酚 | PGMEA | 8.14 | 8 |
| 實例9 | 草酸 | PGMEA | 11.26 | 150 |
| 實例10 | 丁基膦酸 | PGMEA | 7.27 | 150 |
| 比較例1 | 乙醇胺 | PGMEA | 5.56 | 2,000 |
| 比較例2 | 2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇 | PGMEA | 5.68 | 2,100 |
| 比較例3 | 1,2-丙二醇 | PGMEA | 5.86 | 2,900 |
| 比較例4 | 1,3-丙二醇 | PGMEA | 5.86 | 3,000 |
| 比較例5 | 1,2-苯二胺 | PGMEA | 6.76 | 3,500 |
| 比較例6 | 2-羥基丁酸乙酯 | PGMEA | 6.29 | 3,500 |
| 比較例7 | 甘油 | PGMEA | 6.58 | 3,700 |
| 比較例8 | 丙二醇丙基醚 | PGMEA | 5.37 | 4,600 |
| 比較例9 | 丙酮肟 | PGMEA | 6.09 | 4,900 |
參照表1，相較於根據比較例1至比較例9的用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物而言，根據實例1至實例10的用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物表現出了更加改善的金屬去除效果，且進一步促進了殘留金屬的減少。
在上文中，已闡述並例示了本發明的某些實施例，然而，對於此項技術中具有通常知識者而言顯而易見的是，本發明並非僅限於所闡述的實施例，且可在不背離本發明的精神及範圍的情況下進行各種修改及變換。因此，修改或變換的實施例本身可不與本發明的技術思想及態樣分開理解，且修改的實施例處於本發明的申請專利範圍的範圍內。
1:基板支撐部分
2:噴嘴
10:光致抗蝕劑溶液
12:邊珠
W:基板
圖1是光致抗蝕劑塗佈設備的示意圖。
1:基板支撐部分
2:噴嘴
10:光致抗蝕劑溶液
12:邊珠
W:基板
Claims (8)
- 一種用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物，包括： 有機溶劑；以及 化合物，具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的平均分子量， 其中所述平均分子量是在假定所述化合物中所包含的原子的類型皆相同的條件下藉由將所述化合物的總分子量除以原子數而獲得。
- 如請求項1所述的組成物，其中 所述平均分子量為7 g/mol·ea ≤ 平均分子量 ≤ 50 g/mol·ea。
- 如請求項1所述的組成物，其中 具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的所述平均分子量的所述化合物包括兒茶酚、乙烯基膦酸、4-氯鄰苯二酚、乙醇酸、4-甲基鄰苯二酚、䓬酚酮、草酸、4-硝基鄰苯二酚、乙醯氧肟酸、丁基膦酸或其組合。
- 如請求項1所述的組成物，其中所述組成物包括 50重量%至99.99重量%的所述有機溶劑；以及 0.01重量%至50重量%的具有7 g/mol·ea或大於7 g/mol·ea的所述平均分子量的所述化合物。
- 如請求項1所述的組成物，其中 包含於所述含金屬抗蝕劑中的金屬化合物包括烷基錫側氧基及烷基錫羧基中的至少一者。
- 如請求項1所述的組成物，其中 包含於所述含金屬抗蝕劑中的金屬化合物由化學式1表示： [化學式1]其中，在化學式1中， R 1選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C6至C30芳烷基以及-R a-O-R b，其中R a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R b是經取代或未經取代的C1至C20烷基， R 2至R 4各自獨立地選自-OR c或-OC(=O)R d， R c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且 R d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。
- 一種形成圖案的方法，包括 在基板上塗佈含金屬抗蝕劑組成物； 沿所述基板的邊緣塗佈如請求項1至請求項6中任一項所述的用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物； 對所塗佈的所得物進行乾燥及加熱，以在所述基板上形成含金屬抗蝕劑膜；以及 對經乾燥及加熱的所得物進行曝光及顯影，以形成抗蝕劑圖案。
- 如請求項7所述的方法，其中 在曝光及顯影之後，再次沿所述基板的邊緣塗佈所述用於從含金屬抗蝕劑中去除邊珠的組成物。
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