CN117597628A - 形成图案的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- -1 phosphorous acid compound Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- BQIYVTCUMQVDEJ-UHFFFAOYSA-N (1-amino-1-phosphonooctyl)phosphonic acid Chemical compound CCCCCCCC(N)(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BQIYVTCUMQVDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSZQTIFGANBTNF-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)phosphonic acid Chemical compound NCCCP(O)(O)=O GSZQTIFGANBTNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N (aminomethyl)phosphonic acid Chemical compound NCP(O)(O)=O MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VMKPDXOZTSISIW-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenecarbohydroxamic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(=O)NO VMKPDXOZTSISIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OHCJMDUSHFIIQM-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-hydroxybenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1Cl OHCJMDUSHFIIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XIGPZJPFILCQSC-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-n-hydroxybenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1F XIGPZJPFILCQSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SEHJHHHUIGULEI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethylphosphonic acid Chemical compound OCCP(O)(O)=O SEHJHHHUIGULEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKGYBSPSUUVQRL-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-hydroxybenzamide Chemical compound NC1=CC=C(C(=O)NO)C=C1 DKGYBSPSUUVQRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DODOQPRLYSBBHR-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-n-hydroxybenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 DODOQPRLYSBBHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TXWGRZYCKOMFFZ-UHFFFAOYSA-N 4-fluoro-n-hydroxybenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 TXWGRZYCKOMFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCP(O)(O)=O JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NVQCNUFHCNCGKU-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxyhexylphosphonic acid Chemical compound OCCCCCCP(O)(O)=O NVQCNUFHCNCGKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 3
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- VDEUYMSGMPQMIK-UHFFFAOYSA-N benzhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1 VDEUYMSGMPQMIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BFPBWJGVRNQWEK-UHFFFAOYSA-N bis(4-methoxyphenyl)phosphinic acid Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1P(O)(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 BFPBWJGVRNQWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INZLXIUOICFWDW-UHFFFAOYSA-N bis(hydroxymethyl)phosphinic acid Chemical compound OCP(O)(=O)CO INZLXIUOICFWDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UOKRBSXOBUKDGE-UHFFFAOYSA-N butylphosphonic acid Chemical compound CCCCP(O)(O)=O UOKRBSXOBUKDGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N decyl-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical compound CCCCCCCCCCP(O)(O)=O DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BEQVQKJCLJBTKZ-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphinic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(=O)(O)C1=CC=CC=C1 BEQVQKJCLJBTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GATNOFPXSDHULC-UHFFFAOYSA-N ethylphosphonic acid Chemical compound CCP(O)(O)=O GATNOFPXSDHULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N medronic acid Chemical compound OP(O)(=O)CP(O)(O)=O MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LGEVIFOJNNPCNI-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-2-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O LGEVIFOJNNPCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IUMZQPHTWYZQAO-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-3-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 IUMZQPHTWYZQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NORABPMBUQMZLT-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-4-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NORABPMBUQMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N octylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCP(O)(O)=O NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 3
- MLCHBQKMVKNBOV-UHFFFAOYSA-N phenylphosphinic acid Chemical compound OP(=O)C1=CC=CC=C1 MLCHBQKMVKNBOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N tetradecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 3
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMBSJPZHUJCMJU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)propanoic acid Chemical compound CCOCCOC(C)C(O)=O QMBSJPZHUJCMJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIXHYWCLUOGIMM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)propanoic acid Chemical compound COCCOC(C)C(O)=O JIXHYWCLUOGIMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQHQBRJAAZQXHL-GQCOAOBCSA-N 2-(4-iodanyl-2,5-dimethoxyphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC(CCN)=C(OC)C=C1[125I] PQHQBRJAAZQXHL-GQCOAOBCSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFAMKDPMPDEXGH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCO SFAMKDPMPDEXGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAMWEWAFFUFOJV-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCC(C)O AAMWEWAFFUFOJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRYMKDNCWBMHIF-UHFFFAOYSA-N 4-methylpent-2-en-1-ol Chemical compound CC(C)C=CCO BRYMKDNCWBMHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLWITNPOEMCJQO-UHFFFAOYSA-N COC(C(C)(C)O)=O.C1(CCCCC1)=O Chemical compound COC(C(C)(C)O)=O.C1(CCCCC1)=O SLWITNPOEMCJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N Methyl-2-hydoxyisobutyric acid Chemical compound COC(=O)C(C)(C)O XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRUDCFGSUDOHDG-UHFFFAOYSA-N acetohydroxamic acid Chemical compound CC(O)=NO RRUDCFGSUDOHDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001171 acetohydroxamic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)C(O)C(C)C YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- JZWFDVDETGFGFC-UHFFFAOYSA-N salacetamide Chemical group CC(=O)NC(=O)C1=CC=CC=C1O JZWFDVDETGFGFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N salicylhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1O HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
提供一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；沿基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；对所得物进行干燥及加热，以在基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及对所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案，其中所述用于去除边珠的组成物可包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物、次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物。
Description
技术领域
本公开涉及一种形成图案的方法，所述方法包括涂布用于去除边珠(edge bead)的组成物的步骤以便减少沿晶圆边缘发生的金属污染。
背景技术
近年来，半导体工业一直伴随着临界尺寸(critical dimension)的不断减小，且此种尺寸上的减小需要满足对处理并图案化出越来越小的特征的需求的新型高效能光致抗蚀剂材料及图案化方法。
另外，随着近来半导体工业的快速发展，要求半导体装置具有一操作速度及大的储存容量，且根据此种要求，正在开发用于改善半导体装置的集成度(integration)、可靠性及响应速度的制程技术。具体而言，重要的是在硅基板的工作区(working region)中准确地控制/植入杂质并对该些区进行互连以形成装置及超高密度集成电路，此可通过微影制程(photolithographic process)来达成。换言之，重要的是对包括以下操作的微影制程进行整合：在基板上涂布光致抗蚀剂，将其选择性地暴露于紫外线(ultraviolet，UV)(包括极紫外线(extreme ultraviolet，EUV))、电子束(electron beam，E-Beam)、X射线或类似射线，且然后对其进行显影。
具体而言，在形成光致抗蚀剂层的制程中，主要在使硅基板旋转的同时将抗蚀剂涂布于基板上，其中抗蚀剂被涂布于基板的边缘及后表面上，此可能在随后的半导体制程(例如蚀刻制程及离子植入制程)中造成压痕(indentation)或图案缺陷。因此，实行使用稀释剂组成物(thinner composition)来剥除及去除涂布于硅基板的边缘及后表面上的光致抗蚀剂的制程，即边珠去除(edge bead removal，EBR)制程。EBR制程需要一种组成物，所述组成物对光致抗蚀剂表现出极佳的溶解度(solubility)，且有效地去除余留于基板中的珠粒及光致抗蚀剂，且不会产生抗蚀剂残留物。
发明内容
发明所要解决的问题
一个实施例提供一种形成图案的方法，具体而言，提供一种包括涂布用于去除边珠的组成物在内的形成图案的方法。
解决问题的技术手段
根据一个实施例的一种形成图案的方法包括：在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；沿基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；对所涂布的所得物进行干燥及加热，以在基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及对经干燥及加热的所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案，
其中所述用于去除边珠的组成物可包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物(phosphorous acid-based compound)、次亚磷酸系化合物(hypophosphorous acid-based compound)、亚硫酸系化合物(sulfurous acid-basedcompound)及氧肟酸系化合物(hydroxamic acid-based compound)。
所述用于去除边珠的组成物可包括0.01重量％至50重量％的所述添加剂以及50重量％至99.99重量％的所述有机溶剂。
所述方法可更包括：在曝光及显影之后，涂布所述用于去除边珠的组成物。
所述亚磷酸系化合物可为膦酸、甲基膦酸、乙基膦酸、丁基膦酸、己基膦酸、正辛基膦酸、十四烷基膦酸、十八烷基膦酸、苯基膦酸、乙烯基膦酸、胺基甲基膦酸、亚甲基二胺四亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、1-胺基1-膦酰基辛基膦酸、羟乙膦酸、2-胺基乙基膦酸、3-胺基丙基膦酸、6-羟基己基膦酸、癸基膦酸、亚甲基二膦酸、氮基三亚甲基三膦酸、1H,1H,2H,2H-全氟辛烷膦酸或其组合中的至少一者。
所述次亚磷酸系化合物可为次膦酸、苯基次膦酸、二苯基次膦酸、双(4-甲氧基苯基)次膦酸、双(羟甲基)次膦酸、对(3-胺基丙基)-对丁基次膦酸或其组合中的至少一者。
所述氧肟酸系化合物可为甲酰氧肟酸、乙酰氧肟酸、苯并氧肟酸、水杨酸基氧肟酸、2-胺基苯并氧肟酸、2-氯苯并氧肟酸、2-氟苯并氧肟酸、2-硝基苯并氧肟酸、3-硝基苯并氧肟酸、4-胺基苯并氧肟酸、4-氯苯并氧肟酸、4-氟苯并氧肟酸、4-硝基苯并氧肟酸或其组合中的至少一者。
所述用于去除边珠的组成物的水分含量可小于或等于1,000ppm。
含金属抗蚀剂组成物可包括金属化合物，所述金属化合物包括烷基锡侧氧基及烷基锡羧基中的至少一者。
包含于含金属抗蚀剂中的金属化合物可由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，
R1选自经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳烷基以及-Ra-O-Rb(其中Ra是经取代或未经取代的C1至C20亚烷基，且Rb是经取代或未经取代的C1至C20烷基)，
R2至R4各自独立地选自-ORc或-OC(＝O)Rd，
Rc是经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合，且
Rd是氢、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合。
发明的效果
根据一个实施例的所述形成图案的方法会减少含金属抗蚀剂中固有的金属系污染，且会去除涂布于基板的边缘及后表面上的抗蚀剂，由此满足处理并图案化出更小的特征的需求。
附图说明
图1是光致抗蚀剂涂布设备的示意图。
[标记说明]
1:基板支撑部分
2:喷嘴
10:光致抗蚀剂溶液
12:边珠
具体实施方式
在下文中，参照附图详细阐述本发明的实施例。在本公开的以下说明中，为了阐明本公开，将不再阐述众所公知的功能或构造。
为清楚地例示本公开，省略了所述阐述及关系，并且在整个公开中，相同或相似的配置元件由相同的参考编号表示。此外，由于附图中所示的每一配置的大小及厚度是为更佳的理解及便于阐述而任意示出，因此本公开未必仅限于此。
在附图中，为清晰起见，夸大了层、膜、面板、区等的厚度。在附图中，为清晰起见，夸大了层或区的一部分的厚度等。应理解，当称一元件(例如层、膜、区或基板)位于另一元件“上(on)”时，所述元件可直接位于所述另一元件上，或者亦可存在中间元件。
图1是光致抗蚀剂涂布设备的示意图。
参照图1，提供上面放置有基板W的基板支撑部分1，且基板支撑部分1包括转动卡盘(spin chuck)或旋涂机(spin coater)。
基板支撑部分1以预定的旋转速度在第一方向上旋转，且向基板W提供离心力。基板支撑部分1上设置有喷嘴(spray nozzle)2，且喷嘴2位于偏离基板W的上部部分的常压区域(atmospheric area)中，且在溶液供应步骤期间移动至基板的上部部分以喷射光致抗蚀剂溶液10。因此，光致抗蚀剂溶液10通过离心力涂布于基板的表面上。此时，供应至基板W的中心的光致抗蚀剂溶液10在通过离心力扩散至基板W的边缘的同时进行涂布，且其一部分移动至基板的侧表面及基板的边缘的下表面。
亦即，在涂布制程中，主要通过旋涂方法(spin coating method)来涂布光致抗蚀剂溶液10。通过将预定量的粘性光致抗蚀剂溶液10供应至基板W的中心，其会通过离心力而逐渐朝向基板的边缘进行扩散。
因此，通过基板支撑部分的旋转速度，光致抗蚀剂的厚度被形成为均一的(flat)。
然而，随着溶剂的蒸发，粘度逐渐增大，且在表面张力的作用下，相对大量的光致抗蚀剂积累于基板的边缘上。更严重的是，光致抗蚀剂会一直积累至基板的边缘的下表面，此被称为边珠12。
在下文中，阐述根据一个实施例的一种形成图案的方法。
根据一个实施例的所述形成图案的方法包括：在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；沿基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；对所涂布的所得物进行干燥及加热，以在基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及对经干燥及加热的所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案。
更具体而言，使用含金属抗蚀剂组成物来形成图案可包括：通过旋涂、狭缝涂布(slit coating)、喷墨印刷等在上面形成有薄膜的基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；以及对所涂布的含金属抗蚀剂组成物进行干燥以形成光致抗蚀剂膜。所述含金属抗蚀剂组成物可包括锡系化合物，举例而言，所述锡系化合物可包括烷基锡侧氧基及烷基锡羧基中的至少一者。
举例而言，包含于含金属抗蚀剂中的金属化合物可由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，
R1选自经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳烷基以及-Ra-O-Rb(其中Ra是经取代或未经取代的C1至C20亚烷基，且Rb是经取代或未经取代的C1至C20烷基)，
R2至R4各自独立地选自-ORc或-OC(＝O)Rd，
Rc是经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合，且
Rd是氢、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合。
在一个示例性实施例中，所述用于去除边珠的组成物可包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物、次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物。
所述用于去除边珠的组成物可包括0.01重量％至50重量％的所述添加剂以及50重量％至99.99重量％的所述有机溶剂。
在一个具体实施例中，所述用于去除边珠的组成物可以0.1重量％至40重量％、具体为0.5重量％至30重量％或更具体为1重量％至20重量％的量包括所述添加剂。
根据一个实施例，包含于所述用于去除边珠的组成物中的有机溶剂可为例如丙二醇甲基醚(propylene glycol methyl ether，PGME)、丙二醇甲基醚乙酸酯(propyleneglycol methyl ether acetate，PGMEA)、丙二醇丁基醚(propylene glycol butyl ether，PGBE)、乙二醇甲基醚、二乙基二醇乙基甲基醚、二丙基二醇二甲基醚、乙醇、2-丁氧基乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、己醇、乙二醇、丙二醇、庚酮、碳酸亚丙酯、碳酸亚丁酯、二乙基醚、二丁基醚、乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、二异戊基醚、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、四氢呋喃、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、乙腈、二丙酮醇、3,3-二甲基-2-丁酮、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基乙酰胺、环己酮甲基-2-羟基-2-甲基丙酸酯(HBM)、γ-丁内酯(gamma butyrolactone，GBL)、1-丁醇(正丁醇)、乳酸乙酯(ethyllactate，EL)、二烯丁基醚(diene butylether，DBE)、二异丙基醚(diisopropyl ether，DIAE)、乙酰丙酮、4-甲基-2-戊烯醇(或称为甲基异丁基甲醇(methyl isobutyl carbinol，MIBC))、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、环戊酮、环己酮、2-羟乙基丙酸酯、2-羟基-2-甲基乙基丙酸酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯(methyl pyruvate)、丙酮酸乙酯(ethyl pyruvate)、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯(乳酸正丁酯)、2-羟基异丁酸甲酯(methyl 2-hydroxyisobutyrate，HBM)、甲氧基苯(methoxy benzene)、乙酸正丁酯、1-甲氧基-2-乙酸丙酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯或其混合物，但不限于此。
根据本发明的所述用于去除边珠的组成物可特别有效地去除含金属抗蚀剂，更具体而言，去除非期望的金属残留物(例如锡系金属残留物)。
举例而言，所述亚磷酸系化合物可为膦酸、甲基膦酸、乙基膦酸、丁基膦酸、己基膦酸、正辛基膦酸、十四烷基膦酸、十八烷基膦酸、苯基膦酸、乙烯基膦酸、胺基甲基膦酸、亚甲基二胺四亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、1-胺基1-膦酰基辛基膦酸、羟乙膦酸、2-胺基乙基膦酸、3-胺基丙基膦酸、6-羟基己基膦酸、癸基膦酸、亚甲基二膦酸、氮基三亚甲基三膦酸、1H,1H,2H,2H-全氟辛烷膦酸或其组合中的至少一者。
举例而言，所述次亚磷酸系化合物可为次膦酸、苯基次膦酸、二苯基次膦酸、双(4-甲氧基苯基)次膦酸、双(羟甲基)次膦酸、对(3-胺基丙基)-对丁基次膦酸或其组合中的至少一者。
举例而言，所述氧肟酸系化合物可为甲酰氧肟酸、乙酰氧肟酸、苯并氧肟酸、水杨酸基氧肟酸、2-胺基苯并氧肟酸、2-氯苯并氧肟酸、2-氟苯并氧肟酸、2-硝基苯并氧肟酸、3-硝基苯并氧肟酸、4-胺基苯并氧肟酸、4-氯苯并氧肟酸、4-氟苯并氧肟酸、4-硝基苯并氧肟酸或其组合中的至少一者。
所述用于去除边珠的组成物包括选自次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物的至少一种添加剂，且因此所述组成物中的水分含量可小于或等于1,000ppm。
当所述组成物中的水分含量超过1,000ppm时，膜质(film quality)可能由于光致抗蚀剂接触部分处的水合作用(hydration)而变形。
举例而言，当包括磷酸或类似材料作为添加剂时，水分含量超过1,000ppm，且因此所述膜质可能由于光致抗蚀剂接触部分处的水合作用而变形。
具体而言，涂布所述用于去除边珠的组成物的步骤可包括在以适宜的速度(例如，500转/分(revolutions per minute，rpm)或大于50转/分)使基板旋转(转动)的同时沿基板的边缘涂布适宜量的所述用于去除边珠的组成物。
随后，实行对上面形成有光致抗蚀剂膜的基板进行加热的第一热处置制程。第一热处置制程可在约80℃至约120℃的温度下实行，且在此种制程中，溶剂被蒸发，且光致抗蚀剂膜可更牢固地粘合至基板。
并且光致抗蚀剂膜被选择性地曝光。
举例而言，可在曝光制程中使用的光的实例可不仅包括例如i线(i-line)(波长365纳米)、KrF准分子激光(波长248纳米)、ArF准分子激光(波长193纳米)等具有短波长的光，而且亦包括EUV(具有高能量波长的光，例如EUV(极紫外线，波长13.5纳米)、E-Beam(电子束)等。
更具体而言，根据一个实施例的用于曝光的光可为具有约5纳米至约150纳米的波长范围的短波长光以及例如EUV(极紫外线，波长13.5纳米)、E-Beam(电子束)等具有高能量波长的光。
在形成光致抗蚀剂图案的步骤中，可形成负型图案。
光致抗蚀剂膜的曝光区具有与光致抗蚀剂膜的未曝光区的溶解度不同的溶解度，此乃因聚合物是通过交联反应(例如有机金属化合物之间的缩合)而形成。
然后，对基板实行第二热处置制程。第二热处置制程可在约90℃至约200℃的温度下实行。通过实行第二热处置制程，光致抗蚀剂膜的曝光区变得难以溶解于显影溶液中。
具体而言，通过使用有机溶剂(例如2-庚酮)来溶解并去除与未曝光区对应的光致抗蚀剂膜，可完成与负色调影像(negative tone image)对应的光致抗蚀剂图案。
在根据所述实施例的所述形成图案的方法中使用的显影溶液可为有机溶剂，例如酮类(例如甲基乙基酮、丙酮、环己酮或2-庚酮)、醇类(例如4-甲基-2-丙醇、1-丁醇、异丙醇、1-丙醇、或甲醇)、酯类(例如丙二醇甲基醚乙酸酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯、乙酸正丁酯或丁内酯)、芳族化合物(例如苯、二甲苯或甲苯)或其组合。
另外，形成图案的方法可更包括在曝光及显影之后涂布所述用于去除边珠的组成物。具体而言，所述涂布所述用于去除边珠的组成物可包括在以适宜的速度(例如，500转/分或大于500转/分)使基板旋转(转动)的同时沿基板的边缘涂布适宜量的所述用于去除边珠的组成物。
如上所述，通过不仅暴露于具有例如i线(波长365纳米)、KrF准分子激光(波长248纳米)、ArF准分子激光(波长193纳米)的波长的光、而且亦暴露于EUV(极紫外线；波长13.5纳米)、而且亦暴露于例如E-Beam(电子束)等具有高能量的光而形成的光致抗蚀剂图案可具有约5纳米至约100纳米的厚度宽度(thickness width)。举例而言，光致抗蚀剂图案可被形成为具有5纳米至90纳米、5纳米至80纳米、5纳米至70纳米、5纳米至60纳米、5纳米至50纳米、5纳米至40纳米、5纳米至30纳米或5纳米至20纳米的厚度宽度。
另一方面，光致抗蚀剂图案所具有的节距(pitch)的半节距(half-pitch)可小于或等于约50纳米，例如小于或等于40纳米、例如小于或等于30纳米、例如小于或等于20纳米、例如小于或等于15纳米，且光致抗蚀剂图案所具有的线宽粗糙度(line widthroughness)可小于或等于约10纳米、小于或等于约5纳米、小于或等于约3纳米或者小于或等于约2纳米。
在下文中，将通过与用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的前述组成物的制备相关的实例来更详细地阐述本发明。然而，本发明的技术特征不受以下实例所限制。
实例1至实例5及比较例1至比较例3：用于去除边珠的组成物的制备
分别对表1中所示组成物中的添加剂及溶剂中的每一者进行了混合，并通过在室温(25℃)下进行摇动(shaking)而使混合物完全溶解。此后，通过通过孔径为1微米的聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)过滤器，获得用于去除边珠的最终组成物。
制备例：含有机金属的光致抗蚀剂组成物的制备
将具有化学式C的结构的有机金属化合物以1重量％的浓度溶解于4-甲基-2-戊醇中，且然后经由0.1微米PTFE注射器过滤器对其进行了过滤，从而获得光致抗蚀剂组成物。
[化学式C]
评价：锡(Sn)残留量
将1.0毫升根据制备例的含有机金属的光致抗蚀剂组成物置于4英吋硅晶圆上，静置达20秒，并以1,500转/分的速度进行旋涂达30秒。在以800转/分的速度使上面形成有涂布膜的晶圆旋转的同时，沿所述边缘添加了6.5毫升在实例1至实例5及比较例1至比较例3中获得的所述用于去除边珠的组成物中的每一者，进行旋涂达3秒，并在以1,500转/分的速度进行旋转的同时，进行干燥达25秒。将添加所述用于去除边珠的组成物、旋涂及干燥的过程重复了三次。然后，将所得物在150℃下烘焙达60秒，且通过气相分解电感耦合电浆质谱术(Vapour Phase Decomposition Inductively Coupled Plasma-Mass spectrometry，VPD ICP-MS)分析确认了Sn量。
(表1)
参照表1，相较于根据比较例1至比较例3的用于去除边珠的组成物而言，根据实例1至实例5的用于去除边珠的组成物表现出了更加改善的金属去除效果，且进一步促进了残留金属的减少。
在上文中，已阐述并例示了本发明的某些实施例，然而，对于此项技术中具有通常知识者而言显而易见的是，本发明并非仅限于所阐述的实施例，且可在不背离本发明的精神及范围的情况下进行各种修改及变换。因此，修改或变换的实施例本身可不与本发明的技术思想及实施例分开理解，且修改的实施例处于本发明的权利要求的范围内。
Claims (9)
1.一种形成图案的方法，包括：
在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；
沿所述基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；
对所涂布的所得物进行干燥及加热，以在所述基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及
对经干燥及加热的所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案，
其中所述用于去除边珠的组成物包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物、次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中
所述用于去除边珠的组成物包括0.01重量％至50重量％的所述添加剂以及50重量％至99.99重量％的所述有机溶剂。
3.根据权利要求1所述的方法，其中
在所述曝光及所述显影之后，再次沿所述基板的所述边缘涂布所述用于去除边珠的组成物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中
所述亚磷酸系化合物是膦酸、甲基膦酸、乙基膦酸、丁基膦酸、己基膦酸、正辛基膦酸、十四烷基膦酸、十八烷基膦酸、苯基膦酸、乙烯基膦酸、胺基甲基膦酸、亚甲基二胺四亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、1-胺基1-膦酰基辛基膦酸、羟乙膦酸、2-胺基乙基膦酸、3-胺基丙基膦酸、6-羟基己基膦酸、癸基膦酸、亚甲基二膦酸、氮基三亚甲基三膦酸、1H,1H,2H,2H-全氟辛烷膦酸或其组合中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的方法，其中
所述次亚磷酸系化合物是次膦酸、苯基次膦酸、二苯基次膦酸、双(4-甲氧基苯基)次膦酸、双(羟甲基)次膦酸、对(3-胺基丙基)-对丁基次膦酸或其组合中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的方法，其中
所述氧肟酸系化合物是甲酰氧肟酸、乙酰氧肟酸、苯并氧肟酸、水杨酸基氧肟酸、2-胺基苯并氧肟酸、2-氯苯并氧肟酸、2-氟苯并氧肟酸、2-硝基苯并氧肟酸、3-硝基苯并氧肟酸、4-胺基苯并氧肟酸、4-氯苯并氧肟酸、4-氟苯并氧肟酸、4-硝基苯并氧肟酸或其组合中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的方法，其中
所述用于去除边珠的组成物的水分含量小于或等于1,000ppm。
8.根据权利要求1所述的方法，其中
所述含金属抗蚀剂组成物包括金属化合物，所述金属化合物包括烷基锡侧氧基及烷基锡羧基中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的方法，其中
所述金属化合物由化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
R1选自经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳烷基以及-Ra-O-Rb(其中Ra是经取代或未经取代的C1至C20亚烷基，且Rb是经取代或未经取代的C1至C20烷基)，
R2至R4各自独立地选自-ORc或-OC(＝O)Rd，
Rc是经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合，且
Rd是氢、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者其组合。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2021-0095960 | 2021-07-21 | ||
| KR1020220060370A KR20230014620A (ko) | 2021-07-21 | 2022-05-17 | 패턴 형성 방법 |
| KR10-2022-0060370 | 2022-05-17 | ||
| PCT/KR2022/009599 WO2023003215A1 (ko) | 2021-07-21 | 2022-07-04 | 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117597628A true CN117597628A (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=89918871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280047231.0A Pending CN117597628A (zh) | 2021-07-21 | 2022-07-04 | 形成图案的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117597628A (zh) |
-
2022
- 2022-07-04 CN CN202280047231.0A patent/CN117597628A/zh active Pending
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