KR102703674B1 - 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102703674B1
KR102703674B1 KR1020220096208A KR20220096208A KR102703674B1 KR 102703674 B1 KR102703674 B1 KR 102703674B1 KR 1020220096208 A KR1020220096208 A KR 1020220096208A KR 20220096208 A KR20220096208 A KR 20220096208A KR 102703674 B1 KR102703674 B1 KR 102703674B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
chemical formula
combination
Prior art date
Application number
KR1020220096208A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20240018224A (ko
Inventor
우창수
한승
채승용
이민영
김지민
장수민
임상균
서야은
강은미
임수빈
문경수
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020220096208A priority Critical patent/KR102703674B1/ko
Priority to JP2023079880A priority patent/JP7486641B2/ja
Priority to TW112118241A priority patent/TW202406917A/zh
Priority to CN202310577542.4A priority patent/CN117492324A/zh
Priority to US18/323,358 priority patent/US20240061336A1/en
Publication of KR20240018224A publication Critical patent/KR20240018224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102703674B1 publication Critical patent/KR102703674B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0044—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists involving an interaction between the metallic and non-metallic component, e.g. photodope systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

제1 유기 금속 화합물, 제2 유기 금속 화합물, 및 용매를 포함하는 반도체 포토레지스트용 조성물과, 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION}
본 기재는 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
차세대의 반도체 디바이스를 제조하기 위한 요소 기술의 하나로서, EUV(극자외선광) 리소그래피가 주목받고 있다. EUV 리소그래피는 노광 광원으로서 파장 13.5 nm의 EUV 광을 이용하는 패턴 형성 기술이다. EUV 리소그래피에 의하면, 반도체 디바이스 제조 프로세스의 노광 공정에서, 극히 미세한 패턴(예를 들어 20 nm 이하)을 형성할 수 있음이 실증되어 있다.
극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 리소그래피의 구현은 16 nm 이하의 공간 해상도(spatial resolutions)에서 수행할 수 있는 호환 가능한 포토레지스트들의 현상(development)을 필요로 한다. 현재, 전통적인 화학 증폭형(CA: chemically amplified) 포토레지스트들은, 차세대 디바이스들을 위한 해상도(resolution), 광속도(photospeed), 및 피쳐 거칠기(feature roughness), 라인 에지 거칠기(line edge roughness 또는 LER)에 대한 사양(specifications)을 충족시키기 위해 노력하고 있다.
이들 고분자형 포토레지스트들에서 일어나는 산 촉매 반응들(acid catalyzed reactions)에 기인한 고유의 이미지 흐려짐(intrinsic image blur)은 작은 피쳐(feature) 크기들에서 해상도를 제한하는데, 이는 전자빔(e-beam) 리소그래피에서 오랫동안 알려져 왔던 사실이다. 화학 증폭형(CA) 포토레지스트들은 높은 민감도(sensitivity)를 위해 설계되었으나, 그것들의 전형적인 원소 구성(elemental makeup)이 13.5 nm의 파장에서 포토레지스트들의 흡광도를 낮추고, 그 결과 민감도를 감소시키기 때문에, 부분적으로는 EUV 노광 하에서 더 어려움을 겪을 수 있다.
CA 포토레지스트들은 또한, 작은 피쳐 크기들에서 거칠기(roughness) 이슈들로 인해 어려움을 겪을 수 있고, 부분적으로 산 촉매 공정들의 본질에 기인하여, 광속도(photospeed)가 감소함에 따라 라인 에지 거칠기(LER)가 증가하는 것이 실험으로 나타났다. CA 포토레지스트들의 결점들 및 문제들에 기인하여, 반도체 산업에서는 새로운 유형의 고성능 포토레지스트들에 대한 요구가 있다.
상기 설명한 화학 증폭형 유기계 감광성 조성물의 단점을 극복하기 위하여 무기계 감광성 조성물이 연구되어 왔다. 무기계 감광성 조성물의 경우 주로 비화학 증폭형 기작에 의한 화학적 변성으로 현상제 조성물에 의한 제거에 내성을 갖는 네거티브 톤 패터닝에 사용된다. 무기계 조성물의 경우 탄화수소에 비해 높은 EUV 흡수율을 가진 무기계 원소를 함유하고 있어, 비화학 증폭형 기작으로도 민감성이 확보될 수 있으며, 스토캐스틱 효과에도 덜 민감하여 선 에지 거칠기 및 결함 개수도 적다고 알려져 있다.
텅스텐, 및 니오븀(niobium), 티타늄(titanium), 및/또는 탄탈륨(tantalum)과 혼합된 텅스텐의 퍼옥소폴리산(peroxopolyacids)에 기초한 무기 포토레지스트들은 패터닝을 위한 방사민감성 재료들(radiation sensitive materials)용으로 보고되어 왔다 (US5061599; H. Okamoto, T. Iwayanagi, K. Mochiji, H. Umezaki, T. Kudo, Applied Physics Letters, 49(5), 298-300, 1986).
이들 재료들은 원자외선(deep UV), x-선, 및 전자빔 소스들로써 이중층 구성(bilayer configuration)에 큰 피쳐들을 패터닝 함에 있어서 효과적이었다. 더 최근에는, 프로젝션 EUV 노광에 의해 15 nm 하프-피치(HP)를 이미징(image)하기 위해 퍼옥소 착화제(peroxo complexing agent)와 함께 양이온 하프늄 메탈 옥사이드 설페이트(cationic hafnium metal oxide sulfate, HfSOx) 재료를 사용하는 경우 인상적인 성능을 보였다(US2011-0045406; J. K. Stowers, A. Telecky, M. Kocsis, B. L. Clark, D. A. Keszler, A. Grenville, C. N. Anderson, P. P. Naulleau, Proc. SPIE, 7969, 796915, 2011). 이 시스템은 비-CA 포토레지스트(non-CA photoresist)의 최상의 성능을 보였고, 실행 가능한 EUV 포토레지스트를 위한 요건에 접근하는 광속도를 갖는다. 그러나 퍼옥소 착화제를 갖는 하프늄 메탈 옥사이드 설페이트 재료(hafnium metal oxide sulfate materials)는 몇가지 현실적인 결점들을 갖는다. 첫째, 이 재료들은 높은 부식성의 황산(corrosive sulfuric acid)/과산화수소(hydrogen peroxide) 혼합물에서 코팅되며, 보존기간(shelf-life) 안정성(stability)이 좋지 않다. 둘째, 복합 혼합물로서 성능 개선을 위한 구조변경이 용이하지 않다. 셋째, 25 wt% 정도의 극히 높은 농도의 TMAH (tetramethylammonium hydroxide) 용액 등에서 현상되어야 한다.
최근에는 주석을 포함하는 분자가 극자외선 흡수가 탁월하다는 것이 알려지면서 활발한 연구가 이루어지고 있다. 그 중 하나인 유기주석 고분자의 경우 광흡수 또는 이에 의해 생성된 이차 전자에 의해 알킬 리간드가 해리되면서, 주변 사슬과의 옥소 결합을 통한 가교를 통해 유기계 현상액으로 제거되지 않는 네거티브 톤 패터닝이 가능하다. 이와 같은 유기주석 고분자는 해상도, 라인 에지 거칠기를 유지하면서도 비약적으로 감도가 향상됨을 보여주었으나, 상용화를 위해서는 상기 패터닝 특성의 추가적인 향상이 필요하다.
일 구현예는 감도, 해상도 및 보관안정성이 현저히 향상된 패턴을 구현할 수 있는 반도체 포토레지스트용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 반도체 포토레지스트용 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 제1 유기 금속 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 제2 유기 금속 화합물, 및 용매를 포함한다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112022080901916-pat00001
Figure 112022080901916-pat00002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함하고,
R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함하고,
X1, X2, Y1, Y2, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 1의 R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
상기 화학식 1의 L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112022080901916-pat00003
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
R3 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
R8 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
n1 및 n3은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이고,
n2는 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
X1, Y1 및 Z1은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 2의 R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
상기 화학식 2의 L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 유기 금속 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2]
Figure 112022080901916-pat00004
[화학식 2-3] [화학식 2-4]
Figure 112022080901916-pat00005
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서,
R12 내지 R15는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
n5 및 n7은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수 중 하나이고,
n4 및 n6은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이며,
X2, Y2 및 Z2은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 X1, X2, Y1, Y2, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa 또는 -OC(=O)Rc이고,
Ra은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합이며,
Rc은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 1의 *-L1-R1은 tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헥실기, tert-헵틸기, tert-옥틸기, tert-노닐기, 또는 tert-데실기이고,
상기 화학식 2의 *-L2-R2는 n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, iso-프로필기, iso-부틸기, iso-펜틸기, iso-헥실기, iso-헵틸기, iso-옥틸기, iso-노닐기, iso-데실기, sec-부틸기, sec-펜틸기, sec-헥실기, sec-헵틸기, 또는 sec-옥틸기일 수 있다.
상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물은 99.9 : 0.1 내지 50 : 50의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물은 99 : 1 내지 70 : 30의 중량비로 포함될 수 있다.
반도체 포토레지스트용 조성물 100 중량%를 기준으로, 상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물을 포함하는 유기 금속 화합물의 총량은 0.5 중량% 내지 30 중량%일 수 있다.
상기 반도체 포토레지스트용 조성물은 계면활성제, 가교제, 레벨링제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계, 상기 식각 대상 막 위에 전술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 적용하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 5 nm 내지 150 nm 파장의 광을 사용할 수 있다.
상기 패턴 형성 방법은 상기 기판과 상기 포토레지스트 막 사이에 형성되는 레지스트 하층막을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴은 5 nm 내지 100 nm의 폭을 가질 수 있다.
일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물은 감도, 해상도 및 보관안정성이 향상된 포토레지스트 패턴을 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 5는 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 기재를 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 기재의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 기재를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분을 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로 본 기재가 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 또는 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 위에” 있는 경우 뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 기재에서, "치환"이란 수소 원자가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, -NRR’(여기서, R 및 R’은, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 포화 또는 불포화 지환족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 탄화수소기이다), -SiRR’R” (여기서, R, R’, 및 R”은, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 포화 또는 불포화 지환족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 탄화수소기이다), C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 할로알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다. "비치환"이란 수소 원자가 다른 치환기로 치환되지 않고 수소 원자로 남아있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란, 별도의 정의가 없는 한, 직쇄형 또는 분지쇄형 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C10인 알킬기일 수 있다. 예를 들어, 상기 알킬기는 C1 내지 C8 알킬기, C1 내지 C7 알킬기, C1 내지 C6 알킬기, C1 내지 C5 알킬기, 또는 C1 내지 C4 알킬기일 수 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-부틸기, 아이소부틸기, sec-부틸기, 또는 tert-부틸기, 2,2-디메틸프로필기일 수 있다.
본 기재에서 "사이클로알킬(cycloalkyl)기"란 별도의 정의가 없는 한, 1가의 고리형 지방족 포화 탄화수소기를 의미한다.
사이클로알킬기는 C3 내지 C10인 사이클로알킬기, 예를 들어, C3 내지 C8 사이클로알킬기, C3 내지 C7 사이클로알킬기, C3 내지 C6 사이클로알킬기, C3 내지 C5 사이클로알킬기, C3 내지 C4 사이클로알킬기일 수 있다. 예를 들어, 사이클로알킬기는 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
본 명세서에서, "아릴(aryl)기"는, 고리형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노사이클릭 또는 융합 고리 폴리사이클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서, “알케닐(alkenyl)기”란, 별도의 정의가 없는 한, 직쇄형 또는 분지쇄형의 지방족 탄화수소기로서, 하나 이상의 이중결합을 포함하고 있는 지방족 불포화 알케닐(unsaturated alkenyl)기를 의미한다.
본 명세서에서, “알카이닐(alkynyl)기”란, 별도의 정의가 없는 한, 직쇄형 또는 분지쇄형의 지방족 탄화수소기로서, 하나 이상의 삼중결합을 포함하고 있는 지방족 불포화 알카이닐(unsaturated alkynyl)기를 의미한다.
본 명세서에 기재된 화학식에서, t-Bu는 tert-부틸기를 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물은 제1 유기 금속 화합물, 제2 유기 금속 화합물 및 용매를 포함한다.
제1 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112022080901916-pat00006
상기 화학식 1에서,
R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함하고,
X1, Y1 및 Z1은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
3차 탄소란, 3개의 다른 탄소로 치환되어 있는 탄소 원자를 의미한다. 즉, 탄소를 중심으로 4가의 치환 자리 중 3개의 치환 자리가 다른 탄소로 치환되어 있는 탄소 원자를 3차 탄소라 한다. 본 명세서에서는 Sn을 향해 연결되는 부분을 제외한 나머지 3가의 치환 자리가 모두 다른 탄소로 치환되어 있는 탄소 원자를 3차 탄소로 정의하고자 한다.
이와 같은 기준으로 1차 탄소란, Sn을 향해 연결되는 부분을 제외한 나머지 3가의 치환 자리 중 1개의 치환 자리가 다른 탄소로 치환되어 있는 탄소 원자를 의미하며, 2차 탄소란, Sn을 향해 연결되는 부분을 제외한 나머지 3가의 치환 자리 중 2개의 치환 자리가 다른 탄소로 치환되어 있는 탄소 원자를 의미한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물에 포함되는 제1 유기 금속 화합물은 상기 화학식 1의 R1 및 L1 중 적어도 하나가 3차 탄소를 포함하며, 이 경우 유기 금속 화합물이 자체적으로 안정하여 외부 수분의 침투력이 감소될 수 있다.
이에 따라 반응성이 있는 용매, 특히 수분에 대한 반응성이 높은 용매, 예를 들어 알코올계, 에스테르계, 케톤계 용매에 대해서도 우수한 보관안정성을 나타내며, 나아가 이들 용매에 수분이 더욱 포함된 용매에 대해서도 우수한 보관안정성을 유지할 수 있다.
또한 벌키(bulky)한 구조를 갖게 되어 유기금속 화합물의 극자외선(extreme ultraviolet, EUV)에 대한 감도를 개선할 수 있다.
일 예로 상기 화학식 1의 R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
상기 화학식 1의 L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함할 수 있다.
구체적인 일 예로 상기 제1 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112022080901916-pat00007
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
R3 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
R8 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
n1 및 n3은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이고,
n2는 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
X1, Y1 및 Z1은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
예컨대 상기 화학식 1의 *-L1-R1은 tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헥실기, tert-헵틸기, tert-옥틸기, tert-노닐기, 또는 tert-데실기일 수 있다.
제2 유기 금속 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112022080901916-pat00008
상기 화학식 2에서,
R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함하고,
X2, Y2, 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
구체적으로는 상기 화학식 2의 R2 및 L2는 1차 탄소 및 2차 탄소로 구성될 수 있다. 다시 말해 상기 화학식 2의 R2 및 L2는 3차 탄소를 포함하지 않아 상기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물과 구분될 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 유기 금속 화합물이 포함되는 경우 현상성이 우수하여 라인 에지 거칠기가 낮다.
즉, 상기 두 종류의 유기 금속 화합물을 동시에 포함함으로써, 우수한 감도, 라인 에지 거칠기, 및 보관안정성을 동시에 가지는 반도체 포토 레지스트용 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 상기 유기 금속 화합물은 Sn-L1-R1 또는 Sn-L2-R2 결합에 의해 유기 용매에 대한 용해성이 부여된다. 또한, 극자외선 노광 시 Sn-L1-R1 또는 Sn-L2-R2 결합으로부터 R1 및 R2 작용기가 해리되면서 라디칼을 생성하고, 이와 같이 생성된 라디칼은 추가의 -Sn-O-Sn- 결합을 형성하여 축중합 반응을 개시함으로써, 일 구현예에 따른 조성물로부터 반도체 포토 레지스트가 형성되도록 한다.
한편, 상기 유기 금속 화합물은, 상기 치환기 R1 및 R2 외에, 각각 가수분해되어 Sn-O 결합을 형성하는 세 개의 유기 리간드를 더 포함할 수 있다. 이들 유기 리간드는 산성 또는 염기성 촉매 하에서 열처리하거나, 또는 열처리하지 않음으로써 가수분해되어, 유기 금속 화합물 간 Sn-O-Sn 결합을 형성하고, 이로써 유기 금속 공중합체를 형성할 수 있다.
일 예로 상기 화학식 2의 R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
상기 화학식 2의 L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
구체적인 일 예로 상기 제2 유기 금속 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2]
Figure 112022080901916-pat00009
[화학식 2-3] [화학식 2-4]
Figure 112022080901916-pat00010
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서,
R12 내지 R15는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
n5 및 n7은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수 중 하나이고,
n4 및 n6은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이며,
X2, Y2 및 Z2은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
예컨대, 상기 화학식 2의 *-L2-R2는 n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, iso-프로필기, iso-부틸기, iso-펜틸기, iso-헥실기, iso-헵틸기, iso-옥틸기, iso-노닐기, iso-데실기, sec-부틸기, sec-펜틸기, sec-헥실기, sec-헵틸기, 또는 sec-옥틸기일 수 있다.
일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물은 제1 유기 금속 화합물과 함께 제2 유기 금속 화합물을 포함함으로써, 노광 후 패턴의 감도와 라인 에지 거칠기 그리고 보관안정성을 동시에 개선할 수 있다.
일 예로 상기 X1, X2, Y1, Y2, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa 또는 -OC(=O)Rc이고,
Ra은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합이며,
Rc은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물은 99.9 : 0.1 내지 50 : 50의 중량비, 예를 들어 99 : 1 내지 60 : 40의 중량비, 또는 99 : 1 내지 70 : 30의 중량비로 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 제1 유기 금속 화합물과 제2 유기 금속 화합물의 중량비가 상기 범위를 만족하는 경우, 우수한 감도 및 해상도를 갖는 반도체 포토레지스트용 조성물을 제공할 수 있다.
일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트 조성물에서, 상기 반도체 포토레지스트용 조성물 100 중량%를 기준으로, 상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물을 포함한 유기 금속 화합물의 총량은 0.5 중량% 내지 30 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 25 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 20 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 15 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 10 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 유기 금속 화합물이 상기 범위의 함량으로 포함될 경우, 반도체 포토레지스트용 조성물의 보관안정성 및 에치 내성이 향상되고, 해상도 특성이 개선된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물은 제1 유기 금속 화합물과 제2 유기 금속 화합물을 동시에 포함함에 따라, 우수한 감도 및 패턴형성성을 갖는 반도체 포토레지스트용 조성물을 제공할 수 있다.
일 구현예에 따른 반도체 레지스트 조성물에 포함되는 용매는 유기용매일 수 있으며, 일 예로, 방향족 화합물류(예를 들어, 자일렌, 톨루엔), 알콜류(예를 들어, 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-2-프로판올, 1-부탄올, 메탄올, 이소프로필 알콜, 1-프로판올), 에테르류(예를 들어, 아니솔, 테트라하이드로푸란), 에스테르류(n-부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 아세테이트, 에틸 락테이트), 케톤류(예를 들어, 메틸 에틸 케톤, 2-헵타논), 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 상기 반도체 레지스트 조성물은 상기한 제1 유기 금속 화합물, 제2 유기 금속 화합물, 및 용매 외에, 추가로 수지를 더 포함할 수 있다.
상기 수지로는 하기 그룹 1에 나열된 방향족 모이어티를 적어도 하나 이상 포함하는 페놀계 수지일 수 있다.
[그룹 1]
상기 수지는 중량평균분자량이 500 내지 20,000일 수 있다.
상기 수지는 상기 반도체 레지스트용 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
상기 수지가 상기 함량 범위로 함유될 경우, 우수한 내식각성 및 내열성을 가질 수 있다.
한편, 일 구현예에 따른 반도체 레지스트용 조성물은 전술한 제1 유기 금속 화합물, 제2 유기 금속 화합물, 용매, 및 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 다만, 전술한 구현예에 따른 반도체 레지스트용 조성물은 경우에 따라 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제의 예시로는 계면활성제, 가교제, 레벨링제, 유기산, 억제제(quencher) 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
계면활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염, 또는 이들의 조합을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
가교제는 예컨대 멜라민계 가교제, 치환요소계 가교제, 아크릴계 가교제, 에폭시계 가교제, 또는 폴리머계 가교제 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 적어도 2개의 가교형성 치환기를 갖는 가교제로, 예를 들면, 메톡시메틸화 글리코루릴, 부톡시메틸화 글리코루릴, 메톡시메틸화 멜라민, 부톡시메틸화 멜라민, 메톡시메틸화 벤조구아나민, 부톡시메틸화 벤조구아나민, 4-히드록시부틸 아크릴레이트, 아크릴산, 우레탄 아크릴레이트, 아크릴 메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디클리시딜 에테르, 글리시돌, 디글리시딜 1,2-시클로헥산 디크르복실레이트, 트리메틸프로판 트리글리시딜 에테르, 1,3-비스(글리시독시프로필_)테트라메틸디실록산, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 또는 메톡시메틸화 티오요소 등의 화합물을 사용할 수 있다.
레벨링제는 인쇄시 코팅 평탄성을 향상시키기 위한 것으로, 상업적인 방법으로 입수 가능한 공지의 레벨링제를 사용할 수 있다.
유기산은 p-톨루엔설폰산, 벤젠설폰산, p-도데실벤젠설폰산, 1,4-나프탈렌디설폰산, 메탄설폰산, 플루오르화 술포늄염, 말론산, 시트르산, 프로피온산, 메타크릴산, 옥살산, 락트산, 글리콜릭산, 석시닉산, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
억제제(quencher)는 디페닐(p-트릴) 아민, 메틸 디페닐 아민, 트리페닐 아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있으며, 생략될 수도 있다.
또한 상기 반도체 레지스트용 조성물은 기판과의 밀착력 등의 향상을 위해 (예컨대 반도체 레지스트용 조성물의 기판과의 접착력 향상을 위해), 접착력 증진제로서 실란 커플링제를 첨가제로 더 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제는 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합 함유 실란 화합물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 반도체 포토레지스트용 조성물은 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 패턴을 형성해도 패턴 무너짐이 발생하지 않을 수 있다. 따라서, 예를 들어, 5nm 내지 100nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 80 nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 70 nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 50nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 40nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 30nm의 폭을 가지는 미세 패턴, 예를 들어, 5nm 내지 20nm의 폭을 가지는 미세 패턴을 형성하기 위하여, 5nm 내지 150nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정, 예를 들어, 5nm 내지 100nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정, 예를 들어, 5nm 내지 80nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정, 예를 들어, 5nm 내지 50nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정, 예를 들어, 5nm 내지 30nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정, 예를 들어, 5nm 내지 20nm 파장의 광을 사용하는 포토레지스트 공정에 사용할 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 이용하면, 약 13.5nm 파장의 EUV 광원을 사용하는 극자외선 리소그래피를 구현할 수 있다.
한편, 다른 일 구현예에 따르면, 상술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법이 제공될 수 있다. 일 예로, 제조된 패턴은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
일 구현예에 다른 패턴 형성 방법은 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계, 상기 식각 대상 막 위에 전술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 적용하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함한다.
이하, 상술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 도 1 내지 5를 참고하여 설명한다. 도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 우선 식각 대상물을 마련한다. 상기 식각 대상물의 예로서는 반도체 기판(100) 상에 형성되는 박막(102)일 수 있다. 이하에서는 상기 식각 대상물이 박막(102)인 경우에 한해 설명한다. 상기 박막(102)상에 잔류하는 오염물 등을 제거하기 위해 상기 박막(102)의 표면을 세정한다. 상기 박막(102)은 예컨대 실리콘 질화막, 폴리실리콘막 또는 실리콘 산화막일 수 있다.
이어서, 세정된 박막(102)의 표면상에 레지스트 하층막(104)을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성용 조성물을 스핀 코팅방식을 적용하여 코팅한다. 다만, 일 구현예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 공지된 다양한 코팅 방법, 예를 들어 스프레이 코팅, 딥 코팅, 나이프 엣지 코팅, 프린팅법, 예컨대 잉크젯 프린팅 및 스크린 프린팅 등을 이용할 수도 있다.
상기 레지스트 하층막 코팅과정은 생략할 수 있으며 이하에서는 상기 레지스트 하층막을 코팅하는 경우에 대해 설명한다.
이후 건조 및 베이킹 공정을 수행하여 상기 박막(102) 상에 레지스트 하층막(104)을 형성한다. 상기 베이킹 처리는 약 100 내지 약 500℃에서 수행하고, 예컨대 약 100 ℃ 내지 약 300 ℃에서 수행할 수 있다.
레지스트 하층막(104)은 기판(100)과 포토레지스트 막(106) 사이에 형성되어, 기판(100)과 포토레지스트 막(106)의 계면 또는 층간 하드마스크(hardmask)로부터 반사되는 조사선이 의도되지 않은 포토레지스트 영역으로 산란되는 경우 포토레지스트 선폭(linewidth)의 불균일 및 패턴 형성성을 방해하는 것을 방지할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 레지스트 하층막(104) 위에 상술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 코팅하여 포토레지스트 막(106)을 형성한다. 상기 포토레지스트 막(106)은 기판(100) 상에 형성된 박막(102) 위에 상술한 반도체 포토레지스트용 조성물을 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화한 형태일 수 있다.
보다 구체적으로, 반도체 포토레지스트용 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 단계는, 상술한 반도체 레지스트용 조성물을 박막(102)이 형성된 기판(100) 상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정 및 도포된 반도체 포토레지스트용 조성물을 건조하여 포토 레지스트 막(106)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
반도체 포토레지스트용 조성물에 대해서는 이미 상세히 설명하였으므로, 중복 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 상기 포토레지스트 막(106)이 형성되어 있는 기판(100)을 가열하는 제1 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제1 베이킹 공정은 약 80℃ 내지 약 120℃의 온도에서 수행할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 포토레지스트 막(106)을 선택적으로 노광한다.
일 예로, 상기 노광 공정에서 사용할 수 있는 광의 예로는 활성화 조사선도 i-line(파장 365nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 등의 단파장을 가지는 광 뿐만 아니라, EUV(Extreme UltraViolet; 파장 13.5 nm), E-Beam(전자빔)등의 고에너지 파장을 가지는 광 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로, 일 구현예에 따른 노광용 광은 5 nm 내지 150 nm 파장 범위를 가지는 단파장 광일 수 있으며, EUV(Extreme UltraViolet; 파장 13.5 nm), E-Beam(전자빔)등의 고에너지 파장을 가지는 광일 수 있다.
포토레지스트 막(106) 중 노광된 영역(106b)은 유기금속화합물간의 축합 등 가교 반응에 의해 중합체를 형성함에 따라 포토레지스트 막(106)의 미노광된 영역(106a)과 서로 다른 용해도를 갖게 된다.
이어서, 상기 기판(100)에 제2 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제2 베이킹 공정은 약 90℃ 내지 약 200℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 제2 베이킹 공정을 수행함으로 인해, 상기 포토레지스트 막(106)의 노광된 영역(106b)은 현상액에 용해가 어려운 상태가 된다.
도 4에는, 현상액을 이용하여 상기 미노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막(106a)을 용해시켜 제거함으로써 형성된 포토레지스트 패턴(108)이 도시되어 있다. 구체적으로, 2-햅타논(2-heptanone) 등의 유기 용매를 사용하여 상기 미노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막(106a)을 용해시킨 후 제거함으로써 상기 네가티브 톤 이미지에 해당하는 포토레지스트 패턴(108)이 완성된다.
앞서 설명한 것과 같이, 일 구현예에 따른 패턴 형성 방법에서 사용되는 현상액은 유기 용매 일 수 있다. 일 구현예에 따른 패턴 형성 방법에서 사용되는 유기 용매의 일 예로, 메틸에틸케톤, 아세톤, 사이클로헥사논, 2-햅타논 등의 케톤류, 4-메틸-2-프로판올, 1-부탄올, 이소프로판올, 1-프로판올, 메탄올 등의 알코올 류, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 아세테이트, 에틸 락테이트, n-부틸 아세테이트, 부티로락톤 등의 에스테르 류, 벤젠, 자일렌, 톨루엔 등의 방향족 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
다만, 일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴이 반드시 네가티브 톤 이미지로 형성되는 것에 제한되는 것은 아니며, 포지티브 톤 이미지를 갖도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 포지티브 톤 이미지 형성을 위해 사용될 수 있는 현상제로는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 또는 이들의 조합과 같은 제4 암모늄 하이드록사이드 조성물 등을 들 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이, i-line(파장 365 nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248 nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193 nm) 등의 파장을 가지는 광 뿐만 아니라, EUV(Extreme UltraViolet; 파장 13.5 nm), E-Beam(전자빔)등의 고에너지를 가지는 광 등에 의해 노광되어 형성된 포토레지스트 패턴(108)은 5 nm 내지 100 nm 두께의 폭을 가질 수 있다. 일 예로, 상기 포토레지스트 패턴(108)은, 5 nm 내지 90 nm, 5 nm 내지 80 nm, 5 nm 내지 70 nm, 5 nm 내지 60 nm, 5 nm 내지 50 nm, 5 nm 내지 40 nm, 5 nm 내지 30 nm, 5 nm 내지 20 nm 두께의 폭으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 포토레지스트 패턴(108)은 약 50 nm 이하, 예를 들어 40 nm 이하, 예를 들어 30 nm 이하, 예를 들어 20 nm 이하, 예를 들어 15 nm 이하의 반피치(half-pitch) 및, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 약 3 nm 이하, 약 2 nm 이하의 선폭 거칠기을 갖는 피치를 가질 수 있다.
이어서, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막(104)을 식각한다. 상기와 같은 식각 공정으로 유기막 패턴(112)이 형성된다. 형성된 상기 유기막 패턴(112) 역시 포토레지스트 패턴(108)에 대응되는 폭을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 적용하여 노출된 박막(102)을 식각한다. 그 결과 상기 박막은 박막 패턴(114)으로 형성된다.
상기 박막(102)의 식각은 예컨대 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
앞서 수행된 노광 공정에서, EUV 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴(108)을 이용하여 형성된 박막 패턴(114)은 상기 포토레지스트 패턴(108)에 대응되는 폭을 가질 수 있다. 일 예로, 상기 포토레지스트 패턴(108)과 동일하게 5 nm 내지 100 nm의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, EUV 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 박막 패턴(114)은 상기 포토레지스트 패턴(108)과 마찬가지로 5 nm 내지 90 nm, 5 nm 내지 80 nm, 5 nm 내지 70 nm, 5 nm 내지 60 nm, 5 nm 내지 50 nm, 5 nm 내지 40 nm, 5 nm 내지 30 nm, 5 nm 내지 20 nm의 폭을 가질 수 있으며, 보다 구체적으로 20 nm 이하의 폭으로 형성될 수 있다.
이하, 상술한 반도체 포토레지스트용 조성물의 제조에 관한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 하기 실시예들에 의하여 본 발명의 기술적 특징이 한정되는 것은 아니다.
실시예
(제1 유기 금속 화합물의 합성)
합성예 1: 유기 주석 화합물 1의 합성
하기 화학식 a-1로 표현되는 유기 주석화합물 (10 g, 26.4 mmol)을 30 ml의 무수 톨루엔에 녹인 후, 4.8g의 아세트산을 0℃에서 천천히 적가하고 6시간 동안 교반하였다.
이후, 온도를 상온으로 올린 후 상기 톨루엔을 진공 증류하여 제거하고, 남은 여액을 분별 증류하여 하기 화학식 1a로 표현되는 유기 주석 화합물 1을 얻었다.
[화학식 a-1] [화학식 1a]
합성예 2: 유기 주석 화합물 2의 합성
하기 화학식 b-1로 표현되는 화합물 (10 g, 31.0 mmol)을 30ml의 무수 톨루엔에 녹인 후 8.3g의 이소부티르산을 0℃에서 천천히 적가하고 6시간 동안 교반하였다.
이후, 온도를 상온으로 올린 후 상기 톨루엔을 진공 증류하여 제거하고, 남은 여액을 분별 증류하여 하기 화학식 1b로 표현되는 유기 주석 화합물 2를 얻었다.
[화학식 b-1] [화학식 1b]
합성예 3: 유기 주석 화합물 3의 합성
상기 화학식 b-1로 표현되는 유기 주석화합물 (10 g, 31.0 mmol)을 30ml의 무수 톨루엔에 녹인 후 7.0g의 프로피온산을 0℃에서 천천히 적가하고 6시간 동안 교반하였다.
이후, 온도를 상온으로 올린 후 상기 톨루엔을 진공 증류하여 제거하고, 남은 여액을 분별 증류하여 하기 화학식 1c로 표현되는 유기 주석 화합물 3을 얻었다.
[화학식 1c]
합성예 4: 유기 주석 화합물 4의 합성
하기 화학식 d-1로 표현되는 유기 주석화합물 (10 g, 25.5 mmol)을 30ml의 무수 톨루엔에 녹인 후 6.0g의 프로피온산을 0℃에서 천천히 적가하고 6시간 동안 교반하였다.
이후, 온도를 상온으로 올린 후 상기 톨루엔을 진공 증류하여 제거하고, 남은 여액을 분별 증류하여 하기 화학식 1d로 표현되는 유기 주석 화합물 4를 얻었다.
[화학식 d-1] [화학식 1d]
합성예 5: 유기 주석 화합물 5의 합성
상기 화학식 d-1로 표현되는 유기 주석화합물 (10 g, 25.5 mmol)을 30ml의 무수 톨루엔에 녹인 후 6.9g의 이소부티르산을 0℃에서 천천히 적가하고 6시간 동안 교반하였다.
이후, 온도를 상온으로 올린 후 상기 톨루엔을 진공 증류하여 제거하고, 남은 여액을 분별 증류하여 하기 화학식 1e로 표현되는 유기 주석 화합물 5를 얻었다.
[화학식 1e]
(제2 유기 금속 화합물의 합성)
합성예 6: 유기 주석 화합물 6의 합성
250mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 Ph3SnCl 20g (51.9 mmol)을 70ml의 THF에 녹이고, 아이스 배스(ice bath)에서 온도를 0 ℃로 낮춘다. 이후 부틸 마그네슘클로라이드(BuMgCl) 1M THF 용액 (62.3mmol)을 천천히 적가한다. 적가가 완료된 후, 25 ℃에서 12 시간 교반하여, 하기 화학식 2a-1로 표시되는 화합물을 얻었다.
이 후, 상기 화학식 2a-1의 화합물(10g, 24.6mmol)을 50mL의 CH2Cl2에 녹이고, 2M HCl diethyl ether 용액 3 당량 (73.7mmol)을 -78 ℃에서 30분 간 천천히 적가한다. 이 후, 25℃에서 12시간 교반 후 용매를 농축하고, 진공 증류하여, 하기 화학식 2a-2로 표시되는 화합물을 얻었다.
이 후, 상기 화학식 2a-2의 화합물 10g (25.6mmol)에 25mL의 아세트산(acetic acid)을 25 ℃에서 천천히 적가한 후, 12시간 가열 환류한다. 온도를 25 ℃으로 올린 후, 아세트산을 진공 증류하여, 최종적으로 하기 화학식 2a로 표시되는 화합물을 얻었다.
[화학식 2a-1] [화학식 2a-2] [화학식 2a]
실시예 1 내지 5, 비교예 1 및 2: 반도체 포토레지스트용 조성물의 제조
합성예 1에서 얻어진 화학식 1a로 표시되는 유기 주석 화합물과 합성예 6에서 얻어진 화학식 2a로 표시되는 유기 주석 화합물을 하기 표 1에 기재된 중량비로 1-메틸-2-프로필 아세테이트(1-Methoxy-2-Propyl Acetate)에 3 wt%의 농도로 녹이고, 0.1㎛ PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌) 시린지 필터(syringe filter)로 여과하여, 반도체 포토레지스트용 조성물을 제조하였다.
포토레지스트 막의 형성
네이티브-산화물 표면을 가지는 직경 4인치의 원형 실리콘 웨이퍼를 박막 증착용 기판으로 사용하고, 상기 박막을 증착하기 전에 웨이퍼를 UV 오존 클리닝 시스템에서 10분 간 처리한다. 처리된 기재 상에 상기 실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 1500rpm에서 30초 간 스핀코팅하고, 100 ℃에서 120초간 소성 (적용 후 소성, post-apply bake, PAB)하여 박막을 형성한다.
이후 편광계측법(ellipsometry)을 통해 코팅 및 소성 후의 필름의 두께를 측정한 결과 25 nm이었다.
조성물
제1 유기 금속 화합물
(중량부)		 제2 유기 금속 화합물
(중량부)
실시예 1 99 1
실시예 2 95 5
실시예 3 90 10
실시예 4 80 20
실시예 5 75 25
비교예 1 100 0
비교예 2 0 100
평가 1: 감도 및 라인 에지 거칠기(LER) 평가
EUV 광(Lawrence Berkeley National Laboratory Micro Exposure Tool, MET)을 사용하여 노광량을 달리 하여 실시예 1 내지 5, 비교예 1 및 비교예 2의 포토 레지스트용 조성물이 코팅된 웨이퍼에 투사하였다.
이후 레지스트와 기재를 hotplate 상에서 160 ℃ 에서 120 초 동안 노출 후 소성(post-exposure bake, PEB)하였다. 소성된 필름을 현상액(2-heptanone)에 각각 30 초 동안 침지시킨 후, 동일한 현상제로 추가로 10초간 세정하여 네가티브 톤 이미지를 형성, 즉 비노출된 코팅 부분을 제거하였다. 최종적으로 150 ℃, 2 분 열판 소성을 수행하여 L/S 패턴 (1:1)을 형성하였다.
전자현미경(FE-SEM)을 사용하여 L/S 패턴에서 원하는 선폭(14nm)의 패턴을 구현할 수 있는 Eop값과 그 때의 라인 에지 거칠기(LER)를 측정한 후, 하기 표 2에 표시하였다.
평가 2: 보관안정성 평가
한편, 전술한 실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 및 2에 따른 반도체 포토 레지스트 조성물에 대하여, 아래와 같은 기준으로 보관안정성을 평가하여, 하기 표 2에 함께 표시하였다.
[보관안정성]
상온(20±5℃) 조건에서 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 및 2에 따른 반도체 포토 레지스트 조성물을 특정 기간 방치 시, 침전이 발생되는 정도를 육안으로 관찰하여, 하기 보관 가능한 기준에 따라 2 단계로 평가하였다.
※ 평가기준
- ○: 6개월 이상 보관 가능
- X: 3개월 미만 보관 가능
감도 (mJ/cm2) LER (nm) 보관안정성
실시예 1 180 1.9 ○
실시예 2 190 1.8 ○
실시예 3 210 1.8 ○
실시예 4 230 1.7 ○
실시예 5 240 1.7 ○
비교예 1 175 2.4 X
비교예 2 260 2.0 X
표 2의 결과로부터, 실시예 1 내지 5에 따른 반도체용 포토레지스트 조성물을이용하여 형성된 패턴은 비교예 1 및 2 대비 감도, 라인 에지 거칠기 및 보관안정성이 개선되는 것을 확인할 수 있다. 앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 기판 102: 박막
104: 레지스트 하층막 106: 포토레지스트 막
106a: 미노광된 영역 106b: 노광된 영역
108: 포토레지스트 패턴 112: 유기막 패턴
114: 박막 패턴

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 제1 유기 금속 화합물;
    하기 화학식 2로 표시되는 제2 유기 금속 화합물; 및
    용매
    를 포함하는 반도체 포토레지스트용 조성물:
    [화학식 1] [화학식 2]
    Figure 112022080901916-pat00023
    Figure 112022080901916-pat00024

    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함하고,
    R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함하고,
    X1, X2, Y1, Y2, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
    상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
    상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에서,
    상기 화학식 1의 R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    상기 화학식 1의 L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
    R1 및 L1 중 적어도 하나는 3차 탄소를 포함하는, 반도체 포토레지스트용 조성물.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는, 반도체 포토레지스트용 조성물:
    [화학식 1-1] [화학식 1-2]
    Figure 112022080901916-pat00025

    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
    R3 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    R8 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
    n1 및 n3은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이고,
    n2는 1 내지 5의 정수 중 하나이며,
    X1, Y1 및 Z1은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
    상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
    상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
  4. 제1항에서,
    상기 화학식 2의 R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    상기 화학식 2의 L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이며,
    R2 및 L2 중 적어도 하나는 1차 탄소 및 2차 탄소 중 적어도 하나를 포함하는, 반도체 포토레지스트용 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 제2 유기 금속 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시되는, 반도체 포토레지스트용 조성물:
    [화학식 2-1] [화학식 2-2]
    Figure 112022080901916-pat00026

    [화학식 2-3] [화학식 2-4]
    Figure 112022080901916-pat00027

    상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서,
    R12 내지 R15는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알카이닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
    n5 및 n7은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수 중 하나이고,
    n4 및 n6은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수 중 하나이며,
    X2, Y2 및 Z2은 각각 독립적으로 -ORa, -SRb, -OC(=O)Rc 또는 -SC(=O)Rd이고,
    상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이며,
    상기 Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
  6. 제1항에서,
    상기 X1, X2, Y1, Y2, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -ORa 또는 -OC(=O)Rc이고,
    Ra은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합이며,
    Rc은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알카이닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합인 반도체 포토레지스트용 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 화학식 1의 *-L1-R1은 tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헥실기, tert-헵틸기, tert-옥틸기, tert-노닐기, 또는 tert-데실기이고,
    상기 화학식 2의 *-L2-R2는 n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, iso-프로필기, iso-부틸기, iso-펜틸기, iso-헥실기, iso-헵틸기, iso-옥틸기, iso-노닐기, iso-데실기, sec-부틸기, sec-펜틸기, sec-헥실기, sec-헵틸기, 또는 sec-옥틸기인 반도체 포토레지스트용 조성물.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물은 99.9 : 0.1 내지 50 : 50의 중량비로 포함되는, 반도체 포토레지스트용 조성물.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물은 99 : 1 내지 70 : 30의 중량비로 포함되는, 반도체 포토레지스트용 조성물.
  10. 제1항에서,
    반도체 포토레지스트용 조성물 100 중량%를 기준으로, 상기 제1 유기 금속 화합물 및 상기 제2 유기 금속 화합물을 포함하는 유기 금속 화합물의 총량은 0.5 중량% 내지 30 중량%인, 반도체 포토레지스트용 조성물.
  11. 제1항에서,
    상기 반도체 포토레지스트용 조성물은 계면활성제, 가교제, 레벨링제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 반도체 포토레지스트용 조성물.
  12. 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계;
    상기 식각 대상 막 위에 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 적용하여 포토 레지스트 막을 형성하는 단계;
    상기 포토 레지스트 막을 패터닝하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 5 nm 내지 150 nm 파장의 광을 사용하는 패턴 형성 방법.
  14. 제12항에서,
    상기 기판과 상기 포토 레지스트 막 사이에 형성되는 레지스트 하층막을 제공하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
  15. 제12항에서,
    상기 포토 레지스트 패턴은 5 nm 내지 100 nm의 폭을 가지는 패턴 형성 방법.
KR1020220096208A 2022-08-02 2022-08-02 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 KR102703674B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220096208A KR102703674B1 (ko) 2022-08-02 2022-08-02 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP2023079880A JP7486641B2 (ja) 2022-08-02 2023-05-15 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
TW112118241A TW202406917A (zh) 2022-08-02 2023-05-17 半導體光阻組成物及使用所述組成物形成圖案的方法
CN202310577542.4A CN117492324A (zh) 2022-08-02 2023-05-22 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
US18/323,358 US20240061336A1 (en) 2022-08-02 2023-05-24 Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220096208A KR102703674B1 (ko) 2022-08-02 2022-08-02 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20240018224A KR20240018224A (ko) 2024-02-13
KR102703674B1 true KR102703674B1 (ko) 2024-09-04

Family

ID=89673215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220096208A KR102703674B1 (ko) 2022-08-02 2022-08-02 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240061336A1 (ko)
JP (1) JP7486641B2 (ko)
KR (1) KR102703674B1 (ko)
CN (1) CN117492324A (ko)
TW (1) TW202406917A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023248878A1 (ja) 2022-06-20 2023-12-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110780536B (zh) 2018-07-31 2023-05-16 三星Sdi株式会社 半导体抗蚀剂组合物及使用组合物形成图案的方法及系统
US11092889B2 (en) * 2018-07-31 2021-08-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition
KR102606844B1 (ko) * 2019-04-30 2023-11-27 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US11609494B2 (en) 2019-04-30 2023-03-21 Samsung Sdi Co., Ltd. Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition
KR102573327B1 (ko) 2020-04-02 2023-08-30 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102619719B1 (ko) 2020-05-12 2023-12-28 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102690557B1 (ko) * 2020-12-18 2024-07-30 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토레지스트용 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102598259B1 (ko) * 2020-12-18 2023-11-02 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023248878A1 (ja) 2022-06-20 2023-12-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117492324A (zh) 2024-02-02
TW202406917A (zh) 2024-02-16
KR20240018224A (ko) 2024-02-13
US20240061336A1 (en) 2024-02-22
JP2024021041A (ja) 2024-02-15
JP7486641B2 (ja) 2024-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102606844B1 (ko) 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102598259B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102690557B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102619719B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102296818B1 (ko) 반도체 레지스트용 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240008692A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102586112B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102577299B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102703674B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102538092B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102706491B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102710054B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102678333B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102586110B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240071798A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102586099B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102671848B1 (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240109491A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240146419A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240153178A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240153179A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240047829A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20230166367A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240025957A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20240040479A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant