JP7486641B2 - 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 126
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 359
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 68
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 65
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 60
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 58
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 56
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 56
- -1 tert-hexyl group Chemical group 0.000 claims description 40
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 35
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 24
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 claims description 3
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 claims description 3
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 8
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 2
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N ethyl trimethyl methane Natural products CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000001046 glycoluril group Chemical class [H]C12N(*)C(=O)N(*)C1([H])N(*)C(=O)N2* 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUXHCILOWRXCEO-UHFFFAOYSA-M magnesium;butane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].CCC[CH2-] QUXHCILOWRXCEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWXICGTUELOLSQ-UHFFFAOYSA-N 4-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KWXICGTUELOLSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IULUNTXBHHKFFR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IULUNTXBHHKFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009053 Sn—O—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silyl]oxy-dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound C1OC1COCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCOCC1CO1 MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CCCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydron;chloride Chemical compound Cl.CCOCC LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C)C1=CC=CC=C1 DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=C(N)C(N)=CC=C21 NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASQZVMZPZFWONG-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=C1 ASQZVMZPZFWONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
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Description
本発明は、半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法に関する。
次世代の半導体デバイスを製造するための要素技術の１つとして、ＥＵＶ（極端紫外線光）リソグラフィが注目されている。ＥＵＶリソグラフィは、露光光源として波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いるパターン形成技術である。ＥＵＶリソグラフィによれば、半導体デバイス製造プロセスの露光工程で、極めて微細なパターン（例えば、２０ｎｍ以下）を形成することができることが実証されている。
極端紫外線（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＥＵＶ）リソグラフィの実現は、１６ｎｍ以下の空間解像度で行うことができる互換可能なフォトレジストの現像を必要とする。現在、伝統的な化学増幅型（ＣＡ：ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ）フォトレジストは、次世代デバイスのための解像度、光速度、およびフィーチャー粗さ（ｆｅａｔｕｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、ラインエッジ粗さ（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓまたはＬＥＲ）に対する仕様を満足させるために、日々研究が行われている。
化学増幅型フォトレジストは、一般的に有機高分子を含むが、この化学増幅型フォトレジストで起こる酸触媒反応に起因した固有画像のボケは、小さなフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅ）の大きさで解像度を制限し、これは電子ビームリソグラフィにおいて長い間知られてきた事実である。化学増幅型（ＣＡ）フォトレジストは、高い感度のために設計されたが、それらの典型的な元素の構成が、１３．５ｎｍの波長でフォトレジストの吸光度を下げてしまい、その結果、感度は低くなり、部分的にはＥＵＶ露光下でさらに困ることがある。
ＣＡフォトレジストはまた、小さなフィーチャーの大きさで、粗さの問題によって困ることがあり、部分的に酸触媒工程の本質に起因して、光速度が減少するにつれて、ラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）が増加することが実験で確認された。ＣＡフォトレジストの欠点および問題に起因して、半導体産業では新たな類型の高性能フォトレジストに対する要求がある。
上記で説明した化学増幅型の有機系フォトレジストの問題を克服するために、無機系の感光性組成物が研究されてきた。無機系の感光性組成物の場合、主に非化学増幅型機構による化学的変性で、現像剤組成物による除去に耐性を有するネガティブトーンパターニングに使用される。無機系の感光性組成物の場合、炭化水素に比べて高いＥＵＶ吸収率を有する無機系元素を含有していて、非化学増幅型機構でも感度を確保することができ、確率論的なばらつきにもあまり敏感でなくて、ラインエッジ粗さおよび欠陥個数も少ないと知られている。
タングステン、ならびにニオブ、チタン、および／またはタンタルと混合されたタングステンのペルオキソポリ酸に基づいた無機フォトレジストは、パターニングのための放射線感受性材料（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）用として報告されてきた（特許文献１および非特許文献１）。
これら材料は、遠紫外線、ｘ線、および電子ビームソースで二重層構成に大きなフィーチャーをパターニングすることにおいて効果的であった。さらに最近は、プロジェクションＥＵＶ露光によって１５ｎｍハーフピッチを現像するために、ペルオキソ錯化剤と共に、陽イオン性ハフニウム金属オキシドスルフェート（ＨｆＳＯｘ）材料を使用する場合、印象的な性能を示したことが報告されている（特許文献２および非特許文献２）。このシステムは、非ＣＡフォトレジストにおいて最上級の性能を示し、実行可能なＥＵＶフォトレジストのための要件に近い光速度を有する。しかし、ペルオキソ錯化剤を有するハフニウム金属オキシドスルフェート材料は、いくつかの現実的な欠点を有する。第一に、この材料は、高い腐食性の硫酸／過酸化水素の混合物でコーティングされ、保存安定性が良くない。第二に、複合混合物として性能改善のための構造変更が容易でない。第三に、２５質量％程度の極めて高濃度のＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液などで現像されなければならない。
最近は、スズを含む分子が、極端紫外線吸収に優れているということが知られるにつれて、活発な研究が行われている。そのうちの１つである有機スズ高分子は、光吸収またはこれによって生成された二次電子によって、有機配位子が解離しながら、周辺の高分子鎖とのオキソ結合による架橋を通じて、有機系現像液で除去されないネガティブトーンパターニングが可能である。このような有機スズ高分子は、解像度、ラインエッジ粗さを維持しながら、飛躍的に感度が向上することを示したが、商用化のためには上記のようなパターニング特性のさらなる向上が必要である。
Ｈ．Ｏｋａｍｏｔｏ、Ｔ．Ｉｗａｙａｎａｇｉ、Ｋ．Ｍｏｃｈｉｊｉ、Ｈ．Ｕｍｅｚａｋｉ、Ｔ．Ｋｕｄｏ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、４９（５）、２９８－３００、１９８６
Ｊ．Ｋ．Ｓｔｏｗｅｒｓ、Ａ．Ｔｅｌｅｃｋｙ、Ｍ．Ｋｏｃｓｉｓ、Ｂ．Ｌ．Ｃｌａｒｋ、Ｄ．Ａ．Ｋｅｓｚｌｅｒ、Ａ．Ｇｒｅｎｖｉｌｌｅ、Ｃ．Ｎ．Ａｎｄｅｒｓｏｎ、Ｐ．Ｐ．Ｎａｕｌｌｅａｕ、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、７９６９、７９６９１５、２０１１
本発明は、感度、解像度、および保管安定性が顕著に向上したパターンを実現することができる半導体フォトレジスト用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記半導体フォトレジスト用組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明による半導体フォトレジスト用組成物は、下記化学式１で表される第１有機金属化合物、下記化学式２で表される第２有機金属化合物（ただし、上記第１有機金属化合物を除く）、および溶媒を含む。
上記化学式１および化学式２中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含み、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは、１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含み、
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含み、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは、１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含み、
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
上記化学式１中のＲ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式１中のＬ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含むことができる。
上記化学式１中のＬ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含むことができる。
上記第１有機金属化合物は、下記化学式１－１および化学式１－２で表される化合物の少なくとも一方であり得る。
上記化学式１－１および化学式１－２中、
Ｒ３～Ｒ７は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１およびｎ３は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
ｎ２は、１～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ１、Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ３～Ｒ７は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１およびｎ３は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
ｎ２は、１～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ１、Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
上記化学式２中のＲ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式２中のＬ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含むことができる。
上記化学式２中のＬ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含むことができる。
上記第２有機金属化合物は、下記化学式２－１～化学式２－４で表される化合物のうちの少なくとも１種であり得る。
上記化学式２－１～化学式２－４中、
Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ５およびｎ７は、それぞれ独立して、１～５の整数のうちの１つであり、
ｎ４およびｎ６は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ５およびｎ７は、それぞれ独立して、１～５の整数のうちの１つであり、
ｎ４およびｎ６は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
上記Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａまたは－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃであり、
この際、Ｒａは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒｃは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであってもよい。
この際、Ｒａは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒｃは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであってもよい。
上記化学式１中の＊－Ｌ１－Ｒ１は、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－へプチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、またはｔｅｒｔ－デシル基であり、
上記化学式２中の＊－Ｌ２－Ｒ２は、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、ｉｓｏ－へプチル基、ｉｓｏ－オクチル基、ｉｓｏ－ノニル基、ｉｓｏ－デシル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｓｅｃ－へプチル基、またはｓｅｃ－オクチル基であってもよく、この際、＊は隣接原子との結合地点である。
上記化学式２中の＊－Ｌ２－Ｒ２は、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、ｉｓｏ－へプチル基、ｉｓｏ－オクチル基、ｉｓｏ－ノニル基、ｉｓｏ－デシル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｓｅｃ－へプチル基、またはｓｅｃ－オクチル基であってもよく、この際、＊は隣接原子との結合地点である。
上記第１有機金属化合物と上記第２有機金属化合物とは、９９．９：０．１～５０：５０の質量比で含まれてもよい。
上記第１有機金属化合物と上記第２有機金属化合物とは、９９：１～７０：３０の質量比で含まれてもよい。
半導体フォトレジスト用組成物１００質量％を基準にして、上記第１有機金属化合物および上記第２有機金属化合物を含む有機金属化合物の総量は、０．５質量％～３０質量％であってもよい。
上記半導体フォトレジスト用組成物は、界面活性剤、架橋剤、レベリング剤、またはこれらの組み合わせの添加剤をさらに含むことができる。
本発明の他の実施形態によるパターン形成方法は、基板の上にエッチング対象膜を形成する段階、上記エッチング対象膜の上に上述の半導体フォトレジスト用組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、上記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階、および上記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて上記エッチング対象膜をエッチングする段階、を含む。
上記フォトレジストパターンを形成する段階は、波長５ｎｍ～１５０ｎｍの光を使用することができる。
上記パターン形成方法は、上記基板と上記フォトレジスト膜との間にレジスト下層膜を形成する段階をさらに含むことができる。
上記フォトレジストパターンは、５ｎｍ～１００ｎｍの幅を有することができる。
本発明によれば、感度、解像度および保管安定性が向上したフォトレジストパターンを実現することができる半導体フォトレジスト用組成物が提供される。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、本発明の説明において、既に公知である機能あるいは構成に関する説明は、本発明の要旨を明瞭にするために省略することにする。
本発明を明確に説明するために、説明上不必要な部分を省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一な参照符号を付けるようにした。また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したので、本発明は必ずしも図示されたところに限定されない。
図面において様々な層および領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。そして図面において説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」または「上に」あるという場合、これは他の部分「の直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
本発明において、「置換」とは、水素原子が、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、－ＮＲＲ’（ここで、ＲおよびＲ’は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～３０の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数３～３０の飽和もしくは不飽和の脂環族炭化水素基、または置換もしくは非置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基である）、－ＳｉＲＲ’Ｒ”（ここで、Ｒ、Ｒ’、およびＲ”は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～３０の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数３～３０の飽和もしくは不飽和脂環族炭化水素基、または置換もしくは非置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基である）、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～１０のハロアルキル基、炭素数１～１０のアルキルシリル基、炭素数３～３０のシクロアルキル基、炭素数６～３０のアリール基、炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせで置換されたことを意味する。「非置換」とは、水素原子が他の置換基で置換されずに、水素原子として残っていることを意味する。
本明細書において「アルキル基」とは、別途の定義がない限り、直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基を意味する。アルキル基は、いかなる二重結合や三重結合を含んでいない「飽和アルキル基」であってもよい。
上記アルキル基は、炭素数１～１０のアルキル基であってもよい。例えば、上記アルキル基は炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～７のアルキル基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～５のアルキル基、または炭素数１～４のアルキル基であってもよい。例えば、炭素数１～４のアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、または２，２－ジメチルプロピル基であってもよい。
本発明において、「シクロアルキル基」とは、別途の定義がない限り、１価の環状脂肪族炭化水素基を意味する。
シクロアルキル基は、炭素数３～１０のシクロアルキル基、例えば、炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～７のシクロアルキル基、炭素数３～６のシクロアルキル基、炭素数３～５のシクロアルキル基、炭素数３～４のシクロアルキル基であってもよい。例えば、シクロアルキル基はシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基であってもよく、これらに制限されない。
本明細書において、「アリール基」とは、環状の置換基の全ての元素がｐ－軌道を有しており、このｐ－軌道が共役を形成している置換基を意味し、単環または縮合多環（すなわち、炭素原子の隣接した対を共有する環）官能基を含む。
本明細書において、「アルケニル基」とは、別途の定義がない限り、直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基であって、１つ以上の二重結合を含む脂肪族不飽和アルケニル基を意味する。
本明細書において、「アルキニル基」とは、別途の定義がない限り、直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基であって、１つ以上の三重結合を含む脂肪族不飽和アルキニル基を意味する。
本明細書に記載された化学式中、ｔ－Ｂｕはｔｅｒｔ－ブチル基を意味する。
以下、本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物を説明する。
本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物は、第１有機金属化合物、第２有機金属化合物（ただし、上記第１有機金属化合物を除く）、および溶媒を含む。
第１有機金属化合物は下記化学式１で表すことができる化合物である。
上記化学式１中、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含み、
Ｘ１、Ｙ１、およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含み、
Ｘ１、Ｙ１、およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
３級炭素とは、３つの他の炭素で置換されている炭素原子を意味する。すなわち、炭素を中心にして４価の置換位置のうちの３つの置換位置が他の炭素で置換されている炭素原子を３級炭素という。本明細書ではＳｎに向かって連結される部分を除いた残り３価の置換位置が全て他の炭素で置換されている炭素原子を３級炭素と定義する。
このような基準で１級炭素とは、Ｓｎに向かって連結される部分を除いた残り３価の置換位置のうちの１つの置換位置が他の炭素で置換されている炭素原子を意味し、２級炭素とは、Ｓｎに向かって連結される部分を除いた残り３価の置換位置のうちの２つの置換位置が他の炭素で置換されている炭素原子を意味する。
本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物に含まれる第１有機金属化合物は上記化学式１中のＲ１およびＬ１のうちの少なくとも１つが、３級炭素を含み、この場合、有機金属化合物自体が安定しており、外部水分の浸透力を減少させることができる。
これにより、反応性のある溶媒、特に水分に対する反応性の高い溶媒、例えば、アルコール系、エステル系、ケトン系溶媒に対しても優れた保管安定性を示し、さらに、これらの溶媒に水分がさらに含まれている溶媒に対しても優れた保管安定性を維持することができる。
また、嵩高い構造を有することにより、有機金属化合物の極端紫外線（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＥＵＶ）に対する感度を改善することができる。
一例として、上記化学式１中のＲ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式１中のＬ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは３級炭素を有することができる。
上記化学式１中のＬ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは３級炭素を有することができる。
具体的な一例として、上記第１有機金属化合物は、下記化学式１－１および化学式１－２で表される化合物の少なくとも一方であり得る。
上記化学式１－１および化学式１－２中、
Ｒ３～Ｒ７は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１およびｎ３は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
ｎ２は、１～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ１、Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ３～Ｒ７は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１およびｎ３は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
ｎ２は、１～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ１、Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
例えば、上記化学式１中の＊－Ｌ１－Ｒ１は、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－へプチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、またはｔｅｒｔ－デシル基であってもよく、この際、＊は隣接原子との結合地点である。
第２有機金属化合物は、下記化学式２で表される化合物であり得る。
上記化学式２中、
Ｒ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含み、
Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含み、
Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
具体的には、上記化学式２中のＲ２およびＬ２は１級炭素および２級炭素から構成できる。言い換えれば、上記化学式２中のＲ２およびＬ２は３級炭素を含まず、上記化学式１で表される有機金属化合物と区分される。
上記化学式２で表される有機金属化合物が含まれる場合、現像性に優れてラインエッジ粗さが低い。
すなわち、上記二種類の有機金属化合物を同時に含むことによって、優れた感度、ラインエッジ粗さ、および保管安定性を同時に有する半導体フォトレジスト用組成物を提供することができる。
また、上記有機金属化合物は、Ｓｎ－Ｌ１－Ｒ１またはＳｎ－Ｌ２－Ｒ２結合によって有機溶媒に対する溶解性が付与される。また、極端紫外線露光時、Ｓｎ－Ｌ１－Ｒ１またはＳｎ－Ｌ２－Ｒ２結合からＲ１およびＲ２官能基が解離しながらラジカルを生成し、このように生成されたラジカルは追加の－Ｓｎ－Ｏ－Ｓｎ－結合を形成して縮重合反応を開始することによって、本発明の一実施形態による組成物から半導体フォトレジストが形成されるようにする。
一方、上記有機金属化合物は、上記置換基Ｒ１およびＲ２以外に、それぞれ加水分解されてＳｎ－Ｏ結合を形成する三つの有機リガンドをさらに含むことができる。これら有機リガンドは酸性または塩基性触媒下で熱処理するか、あるいは熱処理しないことによって加水分解されて、有機金属化合物間Ｓｎ－Ｏ－Ｓｎ結合を形成し、これによって有機金属共重合体を形成することができる。
一例として、上記化学式２中のＲ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式２中のＬ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含むことができる。
上記化学式２中のＬ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含むことができる。
具体的な一例として、上記第２有機金属化合物は、下記化学式２－１～化学式２－４で表される化合物のうちの少なくとも１種であり得る。
上記化学式２－１～化学式２－４中、
Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ５およびｎ７は、それぞれ独立して、１～５の整数のうちの１つであり、
ｎ４およびｎ６は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ５およびｎ７は、それぞれ独立して、１～５の整数のうちの１つであり、
ｎ４およびｎ６は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、上記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
上記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
例えば、上記化学式２中の＊－Ｌ２－Ｒ２は、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、ｉｓｏ－へプチル基、ｉｓｏ－オクチル基、ｉｓｏ－ノニル基、ｉｓｏ－デシル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｓｅｃ－へプチル基、またはｓｅｃ－オクチル基であってもよく、この際、＊は隣接原子との結合地点である。
本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物は第１有機金属化合物と共に第２有機金属化合物を含むことによって、露光後パターンの感度とラインエッジ粗さ、そして保管安定性を同時に改善することができる。
一例として、上記Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａまたは－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃであり、
この際、Ｒａは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒｃは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであってもよい。
この際、Ｒａは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒｃは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであってもよい。
なお、上記第１有機金属化合物および第２有機金属化合物は、従来公知の合成方法を適宜参照して合成することができる。より具体的には、実施例に記載の合成方法を参照しながら、当業者であれば容易に合成することができる。
上記第１有機金属化合物と上記第２有機金属化合物とは９９．９：０．１～５０：５０の質量比、例えば９９：１～６０：４０の質量比、または９９：１～７０：３０の質量比で含まれてもよく、これらに制限されない。第１有機金属化合物と第２有機金属化合物との質量比が上記範囲を満足する場合、優れた感度および解像度を有する半導体フォトレジスト用組成物を提供することができる。
本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト組成物で、上記半導体フォトレジスト用組成物１００質量％を基準にして、上記第１有機金属化合物および上記第２有機金属化合物を含む有機金属化合物の総量は０．５質量％～３０質量％、例えば、１質量％～２５質量％、例えば、１質量％～２０質量％、例えば、１質量％～１５質量％、例えば、１質量％～１０質量％、例えば、１質量％～５質量％の含量で含まれてもよく、これらに制限されない。有機金属化合物が上記範囲の含量で含まれる場合、半導体フォトレジスト用組成物の保管安定性およびエッチング耐性が向上し、解像度特性が改善される。
本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物は、第１有機金属化合物と第２有機金属化合物とを同時に含むことによって、優れた感度およびパターン形成性を有する半導体フォトレジスト用組成物となる。
本発明の一実施形態による半導体レジスト組成物に含まれる溶媒は、有機溶媒であってもよく、一例として、芳香族化合物類（例えば、キシレン、トルエン等）、アルコール類（例えば、４－メチル－２－ペンタノール、４－メチル－２－プロパノール、１－ブタノール、メタノール、ｉｓｏ－プロピルアルコール、１－プロパノール等）、エーテル類（例えば、アニソール、テトラヒドロフラン等）、エステル類（１－メチル－２－プロピルアセテート、酢酸ｎ－ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル、乳酸エチル等）、ケトン類（例えば、メチルエチルケトン、２－ヘプタノン等）、またはこれらの混合物などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
本発明の一実施形態によれば、半導体レジスト組成物は、第１有機金属化合物、第２有機金属化合物、および溶媒以外に、追加的に樹脂をさらに含むことができる。
樹脂としては、下記グループ１に列記された芳香族モイエティを少なくとも１つ含むフェノール系樹脂であってもよい。
樹脂は、重量平均分子量が５００～２０，０００であってもよい。なお、樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定することができる。
当該樹脂は、半導体レジスト用組成物の総質量に対して０．１質量％～５０質量％の含有量で含まれてもよい。
樹脂が上記含量の範囲で含まれる場合、優れた耐エッチング性および耐熱性を有することができる。
一実施形態による半導体レジスト用組成物は、上述の第１有機金属化合物、第２有機金属化合物、溶媒、および樹脂からなることが好ましい。ただし、上述の実施形態による半導体レジスト用組成物は、場合によって、添加剤をさらに含むことができる。添加剤の例としては、界面活性剤、架橋剤、レベリング剤、有機酸、抑制剤（ｑｕｅｎｃｈｅｒ）、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
界面活性剤は、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルピリジニウム塩、ポリエチレングリコール、第４級アンモニウム塩、またはこれらの組み合わせを使用することができるが、これらに限定されるものではない。
架橋剤は、例えば、メラミン系架橋剤、置換尿素系架橋剤、アクリル系架橋剤、エポキシ系架橋剤、またはポリマー系架橋剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。好ましい架橋剤としては、少なくとも２つの架橋形成置換基を有する架橋剤であって、例えば、メトキシメチル化グリコルリル、ブトキシメチル化グリコルリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグアナミン、ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、４－ヒドロキシブチルアクリレート、アクリル酸、ウレタンアクリレート、アクリルメタクリレート、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、グリシドール、ジグリシジル１，２－シクロヘキサンジカルボキシレート、トリメチルプロパントリグリシジルエーテル、１，３－ビス（グリシドキシプロピル）テトラメチルジシロキサン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素などの化合物を使用することができる。
レベリング剤は、印刷時のコーティング平坦性を向上させるためのものであって、商業的な方法で入手可能な公知のレベリング剤を使用することができる。
有機酸は、ｐ－トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－ドデシルベンゼンスルホン酸、１，４－ナフタレンジスルホン酸、メタンスルホン酸、フルオロ化スルホニウム塩、マロン酸、クエン酸、プロピオン酸、メタクリル酸、シュウ酸、乳酸、グリコール酸、コハク酸、またはこれらの組み合わせであってもよいが、これらに限定されるものではない。
抑制剤（ｑｕｅｎｃｈｅｒ）は、ジフェニル（ｐ－トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、またはこれらの組み合わせであってもよい。
これら添加剤の使用量は所望の物性によって容易に調節することができ、添加しなくてもよい。
また、半導体レジスト用組成物は、基板との密着力などの向上のために（例えば、半導体レジスト用組成物の基板との接着力向上のために）、密着性向上剤としてシランカップリング剤をさらに使用することができる。シランカップリング剤の例としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン；または３－メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン；トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シランなどの炭素－炭素不飽和結合含有シラン化合物などを使用することができるが、これらに限定されるものではない。
半導体フォトレジスト用組成物は、高いアスペクト比を有するパターンを形成しても、パターン崩壊が発生しないかほとんど発生しなくなる。したがって、例えば、５ｎｍ～１００ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～８０ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～７０ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～５０ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～４０ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～３０ｎｍの幅を有する微細パターン、例えば、５ｎｍ～２０ｎｍの幅を有する微細パターンを形成するために、５ｎｍ～１５０ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程、例えば、５ｎｍ～１００ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程、例えば、５ｎｍ～８０ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程、例えば、５ｎｍ～５０ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程、例えば、５ｎｍ～３０ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程、例えば、５ｎｍ～２０ｎｍ波長の光を使用するフォトレジスト工程に使用することができる。したがって、本発明の一実施形態による半導体フォトレジスト用組成物を使用すれば、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ光源を使用する極端紫外線リソグラフィを実現することができる。
一方、本発明の他の実施形態によれば、上述の半導体フォトレジスト用組成物を使用してパターンを形成する方法が提供され得る。一例として、製造されたパターンは、フォトレジストパターンであってもよい。
本発明の一実施形態によるパターン形成方法は、基板上にエッチング対象膜を形成する段階、上記エッチング対象膜の上に上述の半導体フォトレジスト用組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、上記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階、および上記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて上記エッチング対象膜をエッチングする段階を含む。
以下、上述の半導体フォトレジスト用組成物を使用してパターンを形成する方法について、図１～図５を参照して説明する。図１～図５は、本発明による半導体フォトレジスト用組成物を用いたパターン形成方法を説明するための断面概略図である。
図１を参照すれば、まずエッチング対象物を準備する。エッチング対象物の例としては、半導体基板１００上に形成される薄膜１０２であってもよい。以下では、エッチング対象物が薄膜１０２である場合に限って説明する。薄膜１０２上に残留する汚染物などを除去するために薄膜１０２の表面を洗浄する。薄膜１０２は、例えば、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜、またはシリコン酸化膜であってもよい。
次に、洗浄された薄膜１０２の表面上に、レジスト下層膜１０４を形成するためのレジスト下層膜形成用組成物をスピンコーティング方式を適用してコーティングする。ただし、本発明が必ずしもこれに限定されるものではなく、公知の多様なコーティング方法、例えば、スプレーコーティング、ディップコーティング、ナイフエッジコーティング、インクジェット印刷およびスクリーン印刷等の印刷法などを用いることもできる。
レジスト下層膜コーティングの工程は省略することができるが、以下では、レジスト下層膜をコーティングする場合について説明する。
その後、乾燥およびベーキング工程を行って、薄膜１０２上にレジスト下層膜１０４を形成する。ベーキング処理は、１００℃～５００℃で行うことができ、例えば１００℃～３００℃で行うことができる。
レジスト下層膜１０４は、基板１００とフォトレジスト膜１０６との間に形成されて、基板１００とフォトレジスト膜１０６との界面または層間ハードマスクから反射される照射線が意図されないフォトレジスト領域に散乱する場合、フォトレジスト線幅の不均一が起こるのを防ぎ、パターン形成性を妨害するのを防止することができる。
図２を参照すれば、レジスト下層膜１０４の上に、上述の半導体フォトレジスト用組成物をコーティングしてフォトレジスト膜１０６を形成する。フォトレジスト膜１０６は、基板１００上に形成された薄膜１０２の上に上述の半導体フォトレジスト用組成物をコーティングした後、熱処理工程により硬化した形態であってもよい。
より具体的に、半導体フォトレジスト用組成物を使用してパターンを形成する段階は、上述の半導体レジスト用組成物を薄膜１０２が形成された基板１００上にスピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット印刷などの方法により塗布する工程および塗布された半導体フォトレジスト用組成物を乾燥してフォトレジスト膜１０６を形成する工程、を含むことができる。
半導体フォトレジスト用組成物についてはすでに詳しく説明したので、重複する説明は省略する。
次に、フォトレジスト膜１０６が形成されている基板１００を加熱する第１ベーキング工程を行う。第１ベーキング工程は、８０℃～１２０℃の温度で行うことができる。
図３を参照すれば、フォトレジスト膜１０６を選択的に露光する。
一例として、露光工程で使用できる光の例としては、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などの短波長を有する光だけでなく、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；波長１３．５ｎｍ）、Ｅ－Ｂｅａｍ（電子ビーム）などの高エネルギー波長を有する光などが挙げられる。
より具体的には、本発明の一実施形態による露光用光は５ｎｍ～１５０ｎｍの波長範囲を有する短波長光であってもよく、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；波長１３．５ｎｍ）、Ｅ－Ｂｅａｍ（電子ビーム）などの高エネルギー波長を有する光であってもよい。
フォトレジスト膜１０６中の露光された領域１０６ｂは、有機金属化合物間の縮合などの架橋反応等によって重合体を形成することにより、フォトレジスト膜１０６の未露光の領域１０６ａと互いに異なる溶解度を有するようになる。
次に、基板１００に第２ベーキング工程を行う。第２ベーキング工程は、９０℃～２００℃の温度で行うことができる。第２ベーキング工程を行うことにより、フォトレジスト膜１０６の露光された領域１０６ｂは、現像液に溶解し難い状態となる。
図４には、現像液を用いて、未露光の領域に該当するフォトレジスト膜１０６ａを溶解させて除去することによって形成されたフォトレジストパターン１０８が示されている。具体的には、２－ヘプタノンなどの有機溶媒を使用して、未露光の領域に該当するフォトレジスト膜１０６ａを溶解させた後に除去することによって、ネガティブトーンイメージに該当するフォトレジストパターン１０８が完成する。
先に説明したように、本発明の一実施形態によるパターン形成方法で使用される現像液は有機溶媒であってもよい。本発明の一実施形態によるパターン形成方法で使用される有機溶媒の一例としては、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノンなどのケトン類、４－メチル－２－プロパノール、１－ブタノール、ｉｓｏ－プロパノール、１－プロパノール、メタノールなどのアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル、乳酸エチル、ｎ－ブチルアセテート、γ－ブチロラクトンなどのエステル類、ベンゼン、キシレン、トルエンなどの芳香族化合物、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
ただし、フォトレジストパターンが必ずしもネガティブトーンイメージに形成されることに制限されるわけではなく、ポジティブトーンイメージを有するように形成されてもよい。この場合、ポジティブトーンイメージ形成のために使用できる現像剤としては水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、またはこれらの組み合わせなどの第４級アンモニウム水酸化物などが挙げられる。
先に説明したように、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などの波長を有する光だけでなく、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；波長１３．５ｎｍ）、Ｅ－Ｂｅａｍ（電子ビーム）などの高エネルギーを有する光などによって露光されて形成されたフォトレジストパターン１０８は、５ｎｍ～１００ｎｍの幅を有することができる。一例として、フォトレジストパターン１０８は、５ｎｍ～９０ｎｍ、５ｎｍ～８０ｎｍ、５ｎｍ～７０ｎｍ、５ｎｍ～６０ｎｍ、５ｎｍ～５０ｎｍ、５ｎｍ～４０ｎｍ、５ｎｍ～３０ｎｍ、５ｎｍ～２０ｎｍの幅に形成することができる。
一方、フォトレジストパターン１０８は、５０ｎｍ以下、例えば４０ｎｍ以下、例えば３０ｎｍ以下、例えば２０ｎｍ以下、例えば１５ｎｍ以下のハーフピッチおよび、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、３ｎｍ以下、２ｎｍ以下の線幅粗さを有するピッチを有することができる。
次に、フォトレジストパターン１０８をエッチングマスクにしてレジスト下層膜１０４をエッチングする。上記のようなエッチング工程で、有機膜パターン１１２が形成される。形成された有機膜パターン１１２も、フォトレジストパターン１０８に対応する幅を有することができる。
図５を参照すれば、フォトレジストパターン１０８をエッチングマスクとして適用して露出された薄膜１０２をエッチングする。その結果、薄膜１０２は、薄膜パターン１１４として形成される。
薄膜１０２のエッチングは、例えばエッチングガスを使用した乾式エッチングで行うことができ、エッチングガスは、例えばＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、またはこれらの混合ガスを使用することができる。
ＥＵＶ光源を使用して行われた露光工程において形成されたフォトレジストパターン１０８を用いて形成された薄膜パターン１１４は、フォトレジストパターン１０８に対応する幅を有することができる。一例として、フォトレジストパターン１０８と同様に、５ｎｍ～１００ｎｍの幅を有することができる。例えば、ＥＵＶ光源を使用して行われた露光工程によって形成された薄膜パターン１１４は、フォトレジストパターン１０８と同様に、５ｎｍ～９０ｎｍ、５ｎｍ～８０ｎｍ、５ｎｍ～７０ｎｍ、５ｎｍ～６０ｎｍ、５ｎｍ～５０ｎｍ、５ｎｍ～４０ｎｍ、５ｎｍ～３０ｎｍ、５ｎｍ～２０ｎｍの幅を有することができ、より具体的に、２０ｎｍ以下の幅に形成することができる。
以下、前述の半導体フォトレジスト用組成物の製造に関する実施例を通じて本発明をさらに詳しく説明する。しかし、下記実施例によって本発明の技術的特徴が限定されるものではない。
（第１有機金属化合物の合成）
（合成例１：有機スズ化合物１の合成）
下記化学式ａ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、４．８ｇの酢酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
（合成例１：有機スズ化合物１の合成）
下記化学式ａ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、４．８ｇの酢酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
その後、常温へと昇温し、トルエンを真空留去して除去し、残存した液体を分別蒸留して、下記化学式１ａで表される有機スズ化合物１を得た。
（合成例２：有機スズ化合物２の合成）
下記化学式ｂ－１で表される化合物（１０ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、８．３ｇのｉｓｏ－酪酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
下記化学式ｂ－１で表される化合物（１０ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、８．３ｇのｉｓｏ－酪酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
その後、常温へと昇温し、トルエンを真空留去して除去し、残存した液体を分別蒸留して、下記化学式１ｂで表される有機スズ化合物２を得た。
（合成例３：有機スズ化合物３の合成）
上記化学式ｂ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、７．０ｇのプロピオン酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
上記化学式ｂ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、７．０ｇのプロピオン酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
その後、常温へと昇温し、トルエンを真空留去して除去し、残存した液体を分別蒸留して、下記化学式１ｃで表される有機スズ化合物３を得た。
（合成例４：有機スズ化合物４の合成）
下記化学式ｄ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、６．０ｇのプロピオン酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
下記化学式ｄ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、６．０ｇのプロピオン酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
その後、常温へと昇温した後、トルエンを真空留去して除去し、残存した液体を分別蒸留して、下記化学式１ｄで表される有機スズ化合物４を得た。
（合成例５：有機スズ化合物５の合成）
上記化学式ｄ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、６．９ｇのｉｓｏ－酪酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
上記化学式ｄ－１で表される有機スズ化合物（１０ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）を３０ｍｌの無水トルエンに溶かした後、６．９ｇのｉｓｏ－酪酸を０℃で徐々に滴下し、６時間攪拌した。
その後、常温へと昇温した後、トルエンを真空留去して除去し、残存した液体を分別蒸留して、下記化学式１ｅで表される有機スズ化合物５を得た。
（第２有機金属化合物の合成）
（合成例６：有機スズ化合物６の合成）
２５０ｍＬの２口丸底フラスコにＰｈ３ＳｎＣｌ ２０ｇ（５１．９ｍｍｏｌ）を７０ｍｌのＴＨＦに溶かし、氷浴で温度を０℃まで冷却した。その後、ブチルマグネシウムクロリド（ＢｕＭｇＣｌ）１Ｍ ＴＨＦ溶液（６２．３ｍｍｏｌ）を徐々に滴下した。滴下が完了した後、２５℃で１２時間攪拌して、下記化学式２ａ－１で表される化合物を得た。
（合成例６：有機スズ化合物６の合成）
２５０ｍＬの２口丸底フラスコにＰｈ３ＳｎＣｌ ２０ｇ（５１．９ｍｍｏｌ）を７０ｍｌのＴＨＦに溶かし、氷浴で温度を０℃まで冷却した。その後、ブチルマグネシウムクロリド（ＢｕＭｇＣｌ）１Ｍ ＴＨＦ溶液（６２．３ｍｍｏｌ）を徐々に滴下した。滴下が完了した後、２５℃で１２時間攪拌して、下記化学式２ａ－１で表される化合物を得た。
その後、上記化学式２ａ－１で表される化合物（１０ｇ、２４．６ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのＣＨ２Ｃｌ２に溶かし、２Ｍ ＨＣｌ ジエチルエーテル溶液の３当量（７３．７ｍｍｏｌ）を－７８℃で３０分間徐々に滴下した。その後、２５℃で１２時間攪拌後、溶媒を濃縮し、真空蒸留して、下記化学式２ａ－２で表される化合物を得た。
その後、上記化学式２ａ－２で表される化合物１０ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）に２５ｍＬの酢酸を２５℃で徐々に滴下した後、１２時間加熱還流した。温度を２５℃に上げた後、酢酸を真空留去して、最終的に下記化学式２ａで表される化合物を得た。
（実施例１～５、比較例１および２：半導体フォトレジスト用組成物の製造）
合成例１で得られた化学式１ａで表される有機スズ化合物と合成例６で得られた化学式２ａで表される有機スズ化合物とを、下記表１に記載された質量比で１－メチル－２－プロピルアセテートに３質量％の濃度に溶かし、０．１μｍＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）シリンジフィルターでろ過して、半導体フォトレジスト用組成物を製造した。
合成例１で得られた化学式１ａで表される有機スズ化合物と合成例６で得られた化学式２ａで表される有機スズ化合物とを、下記表１に記載された質量比で１－メチル－２－プロピルアセテートに３質量％の濃度に溶かし、０．１μｍＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）シリンジフィルターでろ過して、半導体フォトレジスト用組成物を製造した。
（フォトレジスト膜の形成）
自然酸化物表面を有する直径４インチの円形シリコンウェーハを、薄膜蒸着用基板として使用し、薄膜を蒸着する前にウェーハをＵＶオゾンクリーニングシステムで１０分間処理した。処理された基材上に、実施例１～実施例５、比較例１および比較例２の半導体フォトレジスト用組成物を、１５００ｒｐｍで３０秒間スピンコーティングし、１００℃で１２０秒間ベーク（ポストベーク、ＰＡＢ）して薄膜を形成した。
自然酸化物表面を有する直径４インチの円形シリコンウェーハを、薄膜蒸着用基板として使用し、薄膜を蒸着する前にウェーハをＵＶオゾンクリーニングシステムで１０分間処理した。処理された基材上に、実施例１～実施例５、比較例１および比較例２の半導体フォトレジスト用組成物を、１５００ｒｐｍで３０秒間スピンコーティングし、１００℃で１２０秒間ベーク（ポストベーク、ＰＡＢ）して薄膜を形成した。
その後、偏光解析法により、コーティングおよびベーク後のフィルムの厚さを測定した結果、２５ｎｍであった。
評価１：感度およびラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）評価
ＥＵＶ光（Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＭＥＴ）を使用して、露光量を変化させ、実施例１～５、ならびに比較例１および比較例２のフォトレジスト用組成物がコーティングされたウェーハに投射した。
ＥＵＶ光（Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＭＥＴ）を使用して、露光量を変化させ、実施例１～５、ならびに比較例１および比較例２のフォトレジスト用組成物がコーティングされたウェーハに投射した。
その後、レジストと基材とをホットプレート上で１６０℃で１２０秒間、露光後ベーク（ＰＥＢ）を行った。ベークされた膜を、現像液（２－ヘプタノン）にそれぞれ３０秒間浸漬させた後、同じ現像剤で追加的に１０秒間洗浄して、ネガティブトーンイメージを形成、すなわち、非露光のコーティング部分を除去した。最終的に、１５０℃で２分間、ホットプレートによるベークを行って、Ｌ／Ｓパターン（１：１）を形成した。
また、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を使用してＬ／Ｓパターンで所望の線幅（１４ｎｍ）のパターンを実現することができるＥｏｐ値（最適露光量、感度）とその時のラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）を測定した後、下記表２に示した。
評価２：保管安定性評価
上述の実施例１～実施例５、ならびに比較例１および比較例２による半導体フォトレジスト組成物に対して、以下のような基準で保管安定性を評価して、下記表２に共に示した。
上述の実施例１～実施例５、ならびに比較例１および比較例２による半導体フォトレジスト組成物に対して、以下のような基準で保管安定性を評価して、下記表２に共に示した。
［保管安定性］
常温（２０±５℃）条件で実施例１～５、ならびに比較例１および比較例２による半導体フォトレジスト組成物を特定期間放置時、沈殿が発生される程度を肉眼で観察して、下記保管可能な基準により２段階で評価した。
常温（２０±５℃）条件で実施例１～５、ならびに比較例１および比較例２による半導体フォトレジスト組成物を特定期間放置時、沈殿が発生される程度を肉眼で観察して、下記保管可能な基準により２段階で評価した。
※評価基準
－○：６ヶ月以上保管可能
－×：６ヶ月未満保管可能
－○：６ヶ月以上保管可能
－×：６ヶ月未満保管可能
表２の結果から、実施例１～５による半導体用フォトレジスト組成物を用いて形成されたパターンは比較例１および比較例２に対比して感度、ラインエッジ粗さおよび保管安定性が改善されることを確認することができる。
以上、本発明の特定の実施例が説明され図示されたが、本発明は記載された実施例に限定されるものではなく、本発明の思想および範囲を逸脱せず多様に修正および変形できるのは、この技術の分野における通常の知識を有する者に自明なことである。したがって、そのような修正例または変形例は、本発明の技術的な思想や観点から個別的に理解されてはならず、変形された実施例は本発明の特許請求の範囲に属すると言うべきである。
１００ 基板、
１０２ 薄膜、
１０４ レジスト下層膜、
１０６ フォトレジスト膜、
１０６ａ 未露光の領域、
１０６ｂ 露光された領域、
１０８ フォトレジストパターン、
１１２ 有機膜パターン、
１１４ 薄膜パターン。
１０２ 薄膜、
１０４ レジスト下層膜、
１０６ フォトレジスト膜、
１０６ａ 未露光の領域、
１０６ｂ 露光された領域、
１０８ フォトレジストパターン、
１１２ 有機膜パターン、
１１４ 薄膜パターン。
Claims (15)
- 下記化学式１で表される第１有機金属化合物；
下記化学式２で表される第２有機金属化合物（ただし、前記第１有機金属化合物を除く）；および
溶媒；
を含む、半導体フォトレジスト用組成物：
上記化学式１および化学式２中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
この際、Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含み、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは、１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含み、
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、前記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
前記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記化学式１中のＲ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式１中のＬ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ１およびＬ１のうちの少なくとも１つは、３級炭素を含む、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記第１有機金属化合物は、下記化学式１－１および化学式１－２で表される化合物の少なくとも一方である、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物：
上記化学式１－１および化学式１－２中、
Ｒ３～Ｒ７は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１およびｎ３は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
ｎ２は、１～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ１、Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、前記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
前記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記化学式２中のＲ２は、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式２中のＬ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基であり、
Ｒ２およびＬ２のうちの少なくとも１つは、１級炭素および２級炭素のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記第２有機金属化合物は、下記化学式２－１～化学式２－４で表される化合物のうちの少なくとも１種である、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物：
上記化学式２－１～化学式２－４中、
Ｒ１２～Ｒ１５は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ２は、単結合、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニレン基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルコキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ５およびｎ７は、それぞれ独立して、１～５の整数のうちの１つであり、
ｎ４およびｎ６は、それぞれ独立して、０～５の整数のうちの１つであり、
Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａ、－ＳＲｂ、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃ、または－ＳＣ（＝Ｏ）Ｒｄであり、
この際、前記ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
前記ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～２０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～２０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記化学式１および化学式２中のＸ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立して、－ＯＲａまたは－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒｃであり、
この際、Ｒａは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒｃは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数２～１０のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基、またはこれらの組み合わせである、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記化学式１中の＊－Ｌ１－Ｒ１は、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－へプチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、またはｔｅｒｔ－デシル基であり、
前記化学式２中の＊－Ｌ２－Ｒ２は、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、ｉｓｏ－へプチル基、ｉｓｏ－オクチル基、ｉｓｏ－ノニル基、ｉｓｏ－デシル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｓｅｃ－へプチル基、またはｓｅｃ－オクチル基であり、
この際、＊は隣接原子との結合地点である、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記第１有機金属化合物と前記第２有機金属化合物とは、９９．９：０．１～５０：５０の質量比で含まれる、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 前記第１有機金属化合物と前記第２有機金属化合物とは、９９：１～７０：３０の質量比で含まれる、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 前記半導体フォトレジスト用組成物１００質量％を基準にして、前記第１有機金属化合物および前記第２有機金属化合物を含む有機金属化合物の総量は、０．５質量％～３０質量％である、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 界面活性剤、架橋剤、レベリング剤、またはこれらの組み合わせの添加剤をさらに含む、請求項１に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 基板の上にエッチング対象膜を形成する段階；
前記エッチング対象膜の上に請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体フォトレジスト用組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階；
前記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階；および
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階、を含む、パターン形成方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成する段階は、波長５ｎｍ～１５０ｎｍの光を使用する、請求項１２に記載のパターン形成方法。
- 前記基板と前記フォトレジスト膜との間にレジスト下層膜を形成する段階をさらに含む、請求項１２に記載のパターン形成方法。
- 前記フォトレジストパターンは、５ｎｍ～１００ｎｍの幅を有する、請求項１２に記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020220096208A KR20240018224A (ko) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR10-2022-0096208 | 2022-08-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024021041A JP2024021041A (ja) | 2024-02-15 |
| JP7486641B2 true JP7486641B2 (ja) | 2024-05-17 |
Family
ID=89673215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023079880A Active JP7486641B2 (ja) | 2022-08-02 | 2023-05-15 | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240061336A1 (ja) |
| JP (1) | JP7486641B2 (ja) |
| KR (1) | KR20240018224A (ja) |
| CN (1) | CN117492324A (ja) |
| TW (1) | TW202406917A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020021071A (ja) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体レジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2020184074A (ja) | 2019-04-30 | 2020-11-12 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2021162865A (ja) | 2020-04-02 | 2021-10-11 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
| JP2021179606A (ja) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| WO2023248878A1 (ja) | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
-
2022
- 2022-08-02 KR KR1020220096208A patent/KR20240018224A/ko unknown
-
2023
- 2023-05-15 JP JP2023079880A patent/JP7486641B2/ja active Active
- 2023-05-17 TW TW112118241A patent/TW202406917A/zh unknown
- 2023-05-22 CN CN202310577542.4A patent/CN117492324A/zh active Pending
- 2023-05-24 US US18/323,358 patent/US20240061336A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020021071A (ja) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体レジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2020184074A (ja) | 2019-04-30 | 2020-11-12 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2021162865A (ja) | 2020-04-02 | 2021-10-11 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
| JP2021179606A (ja) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| WO2023248878A1 (ja) | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202406917A (zh) | 2024-02-16 |
| CN117492324A (zh) | 2024-02-02 |
| JP2024021041A (ja) | 2024-02-15 |
| KR20240018224A (ko) | 2024-02-13 |
| US20240061336A1 (en) | 2024-02-22 |
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