JP2020021071A - 半導体レジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、または−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)であり、
R2〜R4は、それぞれ独立して、−ORaまたは−OC(=O)Rbであり、
この際、Raは、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
Rbは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである。
R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のベンジルアリールアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択され、
R2〜R4は、それぞれ独立して、−ORaまたは−OC(=O)Rbであり、
この際、Raは、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
Rbは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである。
前記Rbは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択される。
R1は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択され、
R12、R13、R14、およびR33は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択され、
R22、R23、R24、R32、およびR34は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択される。
下記化学式A−1で表される化合物(10g、25.6mmol)に25mlの酢酸を常温で徐々に滴下した後、110℃で24時間加熱還流した。
下記化学式A−2で表される化合物(10g、25.4mmol)に25mlのアクリル酸を常温で徐々に滴下した後、80℃で6時間加熱還流した。
下記化学式A−3で表される化合物(10g、23.7mmol)に25mlのプロピオン酸を常温で徐々に滴下した後、110℃で24時間加熱還流した。
前記合成例2の化学式A−2で表される化合物(10g、25.4mmol)に、25mlのイソブチル酸を常温で徐々に滴下した後、110℃で24時間加熱還流した。
下記化学式A−4で表される化合物(10g、24.6mmol)に、25mlのプロピオン酸を常温で徐々に滴下した後、110℃で24時間加熱還流した。
前述の化学式A−1で表される化合物(10g、24.6mmol)を50mLのCH2Cl2に溶かし、4M HClジエチルエーテル溶液(3当量、36.9mmol)を−78℃で30分間徐々に滴下した。その後、常温で12時間攪拌し、溶媒を濃縮して、下記化学式A−5で表される化合物を得た(収率:80%)。
前述の化学式A−5で表される化合物の合成工程で、前述の化学式A−1で表される化合物の代わりに前述の化学式A−2で表される化合物を使用したことを除いては同様の方法で、下記化学式A−6で表される化合物を得た(収率:75%)。
前述の化学式A−5で表される化合物の合成工程で、前述の化学式A−1で表される化合物の代わりに前述の化学式A−3で表される化合物を使用したことを除いては同様の方法で、下記化学式A−7で表される化合物を得た(収率:70%)。
下記化学式A−2で表される化合物(10g、25.4mmol)に25mlのギ酸を常温で徐々に滴下した後、100℃で24時間加熱還流した。
ジブチル錫ジクロリド(Dibutyltin dichloride、10g、33mmol)を30mLのエーテルに溶かした後、1Mの水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液70mLを添加し、1時間攪拌した。攪拌後、生成された固体をろ過して脱イオン水25mLで3回洗浄した後、100℃で減圧乾燥を行って、下記化学式14で表される重量平均分子量1,500の有機金属化合物を得た。
合成例1〜9で合成された有機金属化合物をそれぞれキシレン(xylene)に2質量%の濃度で溶かした後、0.1μmPTFEシリンジフィルターでろ過して、実施例1〜9の半導体レジスト用組成物を製造した。
比較合成例で合成された上記化学式14で表される化合物を、4−メチル−2−ペンタノール(4−methyl−2−pentanol)に1質量%の濃度で溶かした後、0.1μmPTFEシリンジフィルターでろ過して半導体レジスト用組成物を製造した。
直径が500μmである50個の円形パッド直線アレイをEUV光(Lawrence Berkeley National Laboratory Micro Exposure Tool、MET)を使用して、実施例1〜9および比較例のレジストがコーティングされたウェハーに投射した。パッド露光時間を調節して、EUV増加線量が各パッドに適用されるようにした。
合成例1〜9の化学式5〜13で表される化合物および比較合成例の化学式14で表される化合物を、キシレン(xylene)に溶解させたときの溶解度を、下記3段階で評価した:
○:キシレンに3質量%以上溶解する
△:キシレンに1質量%以上3質量%未満で溶解する
×:キシレンに1質量%未満で溶解する。
常温(0℃〜30℃)条件で、所定期間放置したとき、沈殿が発生される程度を肉眼で観察し、保管可能という基準を設定して、下記3段階で評価した。
△:1週間以上1ヵ月未満保管可能
×:1週間未満保管可能
実施例1〜9および比較例のレジストでコーティングされた基板を、極端紫外線(Lawrence Berkeley National Laboratory Micro Exposure Tool)で露光した。36nmピッチの18nmラインパターンを、波長13.5nmの放射線、双極子照明(dipole illumination)、0.3の開口数(numerical aperture)、および67mJ/cm2のイメージング線量を使用してウェハー上に投射した。次いで、パターニングされたレジストおよび基板をホットプレート上で、2分間180℃で露光後焼成(PEB)を行った。次いで、露光された薄膜を2−ヘプタノンに30秒間浸漬させ、同じ現像剤で15秒間追加洗浄して、ネガティブトーンイメージを形成し、非露光のコーティング部分を除去した。現像後に、最終的に150℃で5分間、ホットプレートでの焼成を行った。図6は、実施例3のレジストでコーティングされた基板を、3.4nmの計算された線幅粗さ(LWR)を有する36nmピッチで、パターニングして生成されたレジスト線のSEM写真である。
102 薄膜、
104 レジスト下層膜、
106 フォトレジスト膜、
106a 露光領域、
106b 未露光領域、
108 フォトレジストパターン、
112 有機膜パターン、
114 薄膜パターン。
Claims (16)
- 下記化学式1で表される有機金属化合物、および溶媒を含む、半導体レジスト用組成物:
上記化学式1中、
R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択され、
R2〜R4は、それぞれ独立して、−ORaまたは−OC(=O)Rbであり、
この際、Raは、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
Rbは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択される、請求項1に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記Raは、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択され、
前記Rbは、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択される、請求項1または2に記載の半導体レジスト用組成物。 - 前記R2〜R4のうちの少なくとも一つは、−OC(=O)Rbである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記有機金属化合物は、下記化学式2〜化学式4で表される化合物のうちの少なくとも一つである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物:
上記化学式2〜化学式4中、
R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択され、
R12、R13、R14、およびR33は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択され、
R22、R23、R24、R32、およびR34は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2〜8のアルキニル基、および置換もしくは非置換の炭素数7〜30のアリールアルキル基の中から選択される。 - 前記R1は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルケニルアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3〜20のアルキニルアルキル基、および−Rc−O−Rd(ここで、Rcは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキレン基であり、Rdは、置換または非置換の炭素数1〜20のアルキル基である)の中から選択される、請求項5に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記半導体レジスト用組成物は、界面活性剤、架橋剤、レベリング剤、またはこれらの組み合わせの添加剤をさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記界面活性剤は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルピリジニウム塩、ポリエチレングリコール、第4級アンモニウム塩、またはこれらの組み合わせを含む、請求項7に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記架橋剤は、メラミン系の架橋剤、置換尿素系の架橋剤、ポリマー系の架橋剤、またはこれらの組み合わせを含む、請求項7または8に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記添加剤は、シランカップリング剤をさらに含む、請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物。
- 前記有機金属化合物は、下記化学式5〜化学式13で表される化合物のうちの少なくとも一つである、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物。
- エッチング対象膜の上に請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体レジスト用組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階;
前記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階;および
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階を含む、パターン形成方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成する段階は、波長5nm〜150nmの光を使用することを含む、請求項12に記載のパターン形成方法。
- 前記エッチング対象膜を基板上に形成する段階をさらに含む、請求項12または13に記載のパターン形成方法。
- 前記基板と前記フォトレジスト膜との間にレジスト下層膜を形成する段階をさらに含む、請求項12または14に記載のパターン形成方法。
- 前記フォトレジストパターンは、5nm〜100nmの線幅を有する、請求項12〜15のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210311387A1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
JP2022097386A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびその製造方法、ならびにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2022097388A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
US11609494B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
JP7336607B2 (ja) | 2020-09-14 | 2023-08-31 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
WO2023248878A1 (ja) * | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
JP7486641B2 (ja) | 2022-08-02 | 2024-05-17 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004295104A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ポリマー、およびそれを含むフォトレジスト |
WO2016140057A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
WO2017066319A2 (en) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
JP2018507933A (ja) * | 2015-02-11 | 2018-03-22 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ハードマスク組成物および半導体基板上での微細パターンの形成方法 |
WO2018123388A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、パターン形成方法並びに金属含有樹脂及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2981094B2 (ja) * | 1993-11-10 | 1999-11-22 | 沖電気工業株式会社 | 放射線感応性樹脂組成物 |
US11287740B2 (en) * | 2018-06-15 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist composition and method of forming photoresist pattern |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004295104A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ポリマー、およびそれを含むフォトレジスト |
JP2018507933A (ja) * | 2015-02-11 | 2018-03-22 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ハードマスク組成物および半導体基板上での微細パターンの形成方法 |
WO2016140057A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
WO2017066319A2 (en) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
JP2019500490A (ja) * | 2015-10-13 | 2019-01-10 | インプリア・コーポレイションInpria Corporation | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
WO2018123388A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、パターン形成方法並びに金属含有樹脂及びその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11609494B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
US20210311387A1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
JP2021162865A (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-11 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
JP7168715B2 (ja) | 2020-04-02 | 2022-11-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
JP7336607B2 (ja) | 2020-09-14 | 2023-08-31 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 |
JP2022097386A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびその製造方法、ならびにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2022097388A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 三星エスディアイ株式会社 | 半導体フォトレジスト用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
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WO2023248878A1 (ja) * | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
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