JP7168715B2 - 半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法 - Google Patents
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Description
Rは、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
X、Y、およびZは、それぞれ独立して、-OR1または-OC(=O)R2であり、
この際、R1は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
R2は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20シクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである。
M1は、F、Cl、Br、またはIであり、
M2は、O、S、Se、またはTeであり、
M3は、N、P、As、またはSbであり、
R3~R11は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
R3~R7は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
XaおよびXbは、それぞれ独立して、-OR12または-OC(=O)R13であり、
この際、R12は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
R13は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
M4およびM5は、それぞれ独立して、スズ(Sn)、インジウム(In)、およびアンチモン(Sb)のうちのいずれか1つであり、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の2価の炭素数1~20の飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数3~20の飽和もしくは不飽和の脂環式炭化水素基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の2価の炭素数2~20の不飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基、-O-、-C(=O)-、またはこれらの組み合わせである。
上記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OR1中のR1は、置換もしくは非置換の炭素数1~8のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~8のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~21のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OC(=O)R2中のR2は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~8のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~8のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~21のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり得る。
上記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OR1中のR1は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、フェニル基、トリル基、キシレニル基、ベンジル基、またはこれらの組み合わせであり、
上記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OC(=O)R2中のR2は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、フェニル基、トリル基、キシレニル基、ベンジル基、またはこれらの組み合わせであり得る。
Ra、Rb、Rc、Ri、Rk、およびRlは、それぞれ独立して、上記R1の定義と同義であり、
Rd、Re、Rf、Rg、Rh、およびRjは、それぞれ独立して、上記R2の定義と同義である。
Rは、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合または三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
X、Y、およびZは、それぞれ独立して、-OR1または-OC(=O)R2であり、
この際、R1は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
R2は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
M1は、F、Cl、Br、またはIであり、
M2は、O、S、Se、またはTeであり、
M3は、N、P、As、またはSbであり、
R3~R11は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。
XaおよびXbは、それぞれ独立して、-OR12または-OC(=O)R13であり、
この際、R12は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
R13は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
M4およびM5は、それぞれ独立して、スズ(Sn)、インジウム(In)、およびアンチモン(Sb)のうちのいずれか1つであり、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の2価の炭素数1~20の飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数3~20の飽和もしくは不飽和の脂環式炭化水素基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の2価の炭素数2~20の不飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基、-O-、-C(=O)-、またはこれらの組み合わせである。
Ra、Rb、Rc、Ri、Rk、およびRlは、それぞれ独立して、上記R1の定義と同義であり、
Rd、Re、Rf、Rg、Rh、およびRjは、それぞれ独立して、上記R2の定義と同義である。
250mLの2口丸底フラスコ中で、Ph3SnCl 20g(51.9mmol)を70mlのTHFに溶かし、アイスバス(ice bath)で温度を0℃に下げた。その後、ブチルマグネシウムクロリド(BuMgCl)1M THF溶液(62.3mmol)を徐々に滴下した。滴下が完了した後、25℃で12時間攪拌して、下記化学式13で表される化合物を85%の収率で得た。
ブチルマグネシウムクロリド(BuMgCl)1M THF溶液の代わりに、イソプロピルマグネシウムクロリド(iPrMgCl)2M THF溶液(62.3mmol)を使用したことを除いては、合成例1と同様の方法で合成を行い、下記化学式14で表される化合物を88%の収率で得た。
ブチルマグネシウムクロリド(BuMgCl)1M THF溶液の代わりに、ネオペンチルマグネシウムクロリド1M THF溶液(62.3mmol)を使用したことを除いては、合成例1と同様の方法で合成を行い、下記化学式15で表される化合物を76%の収率で得た。
上記合成例1の化学式13の化合物(10g、24.6mmol)を50mLのCH2Cl2に溶かし、2M HCl ジエチルエーテル溶液3当量(73.7mmol)を-78℃で30分間徐々に滴下した。その後、25℃で12時間攪拌した後、溶媒を濃縮し、真空蒸留して、下記化学式16で表される化合物を80%の収率で得た。
化学式13で表される化合物を使用する代わりに、上記合成例2の化学式14で表されるの化合物を使用したことを除いては、合成例4と同様の方法で合成を行い、下記化学式17で表される化合物を75%の収率で得た。
化学式13で表される化合物を使用する代わりに、上記合成例3の化学式15で表される化合物を使用したことを除いては、合成例4と同様の方法で合成を行い、下記化学式18で表される化合物を70%の収率で得た。
上記合成例4の化学式16で表される化合物10g(25.6mmol)に、25mLの酢酸を25℃で徐々に滴下した後、12時間加熱還流した。温度を25℃に下げた後、酢酸を真空蒸留して、下記化学式19で表される化合物を90%の収率で得た。
上記合成例5の化学式17で表される化合物10g(25.4mmol)に、25mLのアクリル酸を25℃で徐々に滴下した後、80℃で6時間加熱還流した。温度を25℃に下げた後、アクリル酸を真空蒸留して、下記化学式20で表される化合物を50%の収率で得た。
上記合成例6の化学式18で表される化合物10g(23.7mmol)に、25mLのプロピオン酸を25℃で徐々に滴下した後、110℃で12時間加熱還流した。温度を25℃に下げた後、プロピオン酸を真空蒸留して、下記化学式21で表される化合物を40%の収率で得た。
上記合成例4の化学式16で表される化合物10g(35.4mmol)に、無水ペンタン30mLを加え、温度を0℃に下げた。ジエチルアミン 7.8g(106.3mmol)を徐々に滴下した後、tert-ブタノール 7.9g(106.3mmol)を添加し、25℃で1時間攪拌した。反応終了後、濾過して、濾液を濃縮し真空乾燥して、下記化学式22で表される化合物を60%の収率で得た。
上記合成例5の化学式17で表される化合物10g(37.3mmol)に、無水ペンタン30mLを加え、温度を0℃に下げた。ジエチルアミン 8.2g(111.9mmol)を徐々に滴下した後、イソプロパノール 6.7g(111.9mmol)を添加し、25℃で1時間攪拌した。反応終了後、濾過して、濾液を濃縮し真空乾燥して、下記化学式23で表される化合物を65%の収率で得た。
上記合成例6の化学式18の化合物10g(18.7mmol)に、無水ペンタン30mLを加え、温度を0℃に下げた。ジエチルアミン 7.4g(101.3mmol)を徐々に滴下した後、エタノール 6.1g(101.3mmol)を添加し、25℃で1時間攪拌した。反応終了後、濾過して、濾液を濃縮し真空乾燥して、下記化学式24で表される化合物を60%の収率で得た。
100mLの丸底フラスコに、上記化学式14で表される化合物(10g、25.4mmol)を加えた後、25mlのギ酸を25℃で徐々に滴下し、100℃で24時間加熱還流した。その後、温度を25℃に下げ、ギ酸を真空蒸留して、下記化学式25で表される化合物を90%の収率で得た。
合成例7~合成例13で得られた化学式19~化学式25で表される化合物、光酸発生剤としてPAG-1(San Apro社製、ヨードニウム系)またはPAG-2(Sigma-Aldrich社製、スルホニウム系)、および有機酸として乳酸(Sigma-Aldrich社製)を下記表1~6に記載された質量比で、4-メチル-2-ペンタノールに3質量%の濃度で溶かした、0.1μm PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)シリンジフィルターで濾過して、実施例1~実施例48による半導体フォトレジスト用組成物を製造した。
合成例7で得られた化学式19で表される化合物を4-メチル-2-ペンタノール(4-methyl-2-pentanol)に3質量%の濃度で溶かし、0.1μm PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)シリンジフィルターで濾過して、比較例1による半導体フォトレジスト用組成物を製造した。
化学式19で表される化合物の代わりに、nBuSnOOH(東京化成工業株式会社製)を使用したことを除いては、比較例1と同様にして、比較例2による半導体フォトレジスト用組成物およびこれを含むフォトレジスト薄膜を製造した。コーティングおよびベーキング後のフォトレジスト薄膜の厚さは25nmであった。
円形シリコンウエハー上に上記コーティング方法によって製造された実施例1~実施例48、比較例1、および比較例2によるフォトレジスト薄膜を、エネルギーおよびフォーカスを別にして12~100nmのライン/スペースパターンを形成するように極端紫外線で露光した。露光後、180℃で120秒間焼成し、次いで、2-ヘプタノンが入ったペトリ皿に60秒間浸漬して取り出した後、同一の溶剤で10秒間洗浄した。最終的に、150℃で5分間焼成した後、SEM(scanning electron microscopy、走査型電子顕微鏡)によってパターンイメージを得た。SEMイメージから確認された最高解像度、最適エネルギー、およびラインエッジ粗さ(LER)の結果を、下記表7および表8に示す。
102 薄膜、
104 レジスト下層膜、
106 フォトレジスト膜、
106a 未露光領域、
106b 露光された領域、
108 フォトレジストパターン、
112 有機膜パターン、
114 薄膜パターン。
Claims (15)
- 下記化学式1で表される有機金属化合物、光酸発生剤(PAG)、有機酸、および溶媒を含む半導体フォトレジスト用組成物:
前記化学式1中、
Rは、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
X、Y、およびZは、それぞれ独立して、-OR1または-OC(=O)R2であり、
この際、R1は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
R2は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~31のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記光酸発生剤(PAG)は、下記化学式2~化学式4で表される陽イオン化合物から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載の半導体フォトレジスト用組成物:
前記化学式2~化学式4中、
M1は、F、Cl、Br、またはIであり、
M2は、O、S、Se、またはTeであり、
M3は、N、P、As、またはSbであり、
R3~R11は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記化学式1で表される有機金属化合物と前記光酸発生剤(PAG)とが、99:1~60:40の質量比で含まれる、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 前記化学式1で表される有機金属化合物と前記光酸発生剤(PAG)とが、95:5~85:15の質量比で含まれる、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 前記半導体フォトレジスト用組成物は、下記化学式7で表される有機金属化合物、下記化学式8で表される有機金属化合物、またはこれらの組み合わせをさらに含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物:
前記化学式7および化学式8中、
XaおよびXbは、それぞれ独立して、-OR12または-OC(=O)R13であり、
この際、R12は、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
R13は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
M4およびM5は、それぞれ独立して、スズ(Sn)、インジウム(In)、およびアンチモン(Sb)のうちのいずれか1つであり、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の2価の炭素数1~20の飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数3~20の飽和もしくは不飽和の脂環式炭化水素基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の2価の炭素数2~20の不飽和脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基、-O-、-C(=O)-、またはこれらの組み合わせである。 - 前記化学式7で表される有機金属化合物、前記化学式8で表される有機金属化合物、またはこれらの組み合わせと、前記化学式1で表される有機金属化合物とは、1:1~1:20の質量比で含まれる、請求項6に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 前記化学式1中のRは、置換もしくは非置換の炭素数1~8のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~8のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~8の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~21のアリールアルキル基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OR1中のR1は、置換もしくは非置換の炭素数1~8のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~8のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~21のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OC(=O)R2中のR2は、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~8のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~8のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~8のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数7~21のアリールアルキル基、またはこれらの組み合わせである、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記化学式1中のRは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、フェニル基、トリル基、キシレニル基、ベンジル基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OR1中のR1は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、フェニル基、トリル基、キシレニル基、ベンジル基、またはこれらの組み合わせであり、
前記化学式1中のX、Y、およびZで用いられる-OC(=O)R2中のR2は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、フェニル基、トリル基、キシレニル基、ベンジル基、またはこれらの組み合わせである、請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物。 - 前記化学式1で表される有機金属化合物は、下記化学式9で表される化合物、下記化学式10で表される化合物、下記化学式11で表される化合物、下記化学式12で表される化合物、またはこれらの組み合わせを含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物:
前記化学式9~化学式12中、
Rは、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、1つ以上の二重結合もしくは三重結合を含む置換もしくは非置換の炭素数2~20の脂肪族不飽和有機基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、エトキシ基、プロポキシ基、またはこれらの組み合わせであり、
Ra、Rb、Rc、Ri、Rk、およびRlは、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Rd、Re、Rf、Rg、Rh、およびRjは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、またはこれらの組み合わせである。 - 前記組成物は、界面活性剤、架橋剤、レベリング剤、クエンチャー、またはこれらの組み合わせの添加剤をさらに含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物。
- 基板上にエッチング対象膜を形成する段階;
前記エッチング対象膜上に請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体フォトレジスト用組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階;
前記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階;および
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記エッチング対象膜をエッチングする段階、を含むパターン形成方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成する段階は、波長5~150nmの光を使用する、請求項12に記載のパターン形成方法。
- 前記基板と前記フォトレジスト膜との間に形成されるレジスト下層膜を形成する段階をさらに含む、請求項12または13に記載のパターン形成方法。
- 前記フォトレジストパターンは、5~100nmの幅を有する、請求項12~14のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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