JP4342974B2 - 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 - Google Patents
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Description
また上記硬化処理装置において、前記加熱プレートを上下方向に移動可能にしてもよいし、更に前記第1の処理室内に、第1の照射部の劣化を判断するセンサと、前記センサからの信号に基づいて、前記加熱プレートを上昇させる制御部と、を備えるようにしてもよい。更にまた上記硬化処理装置において、前記第1の照射部は2つの異なった波長の紫外線を照射するようにしてもよい。この場合、第1の照射部は、第1の処理室と第2の処理室との間を移動することができる。
しかも同じ雰囲気の下で処理を行い、途中で処理装置外の雰囲気に触れることはないので、絶縁性に悪影響を与えるOH基が膜に付着することはない。
ベーク処理を行うものであるが、ベーク処理で先ず200℃以下の温度まで加熱し、次いでキュア処理で400℃程度の温度まで加熱することにより、ウエハが段階的に加熱されるので温度変化が緩やかになり、急激な温度変化によりダメージを受けやすい材料の塗布膜に対して有効である。
なお照射部74が、前記したように、波長の異なった2つの光源である第1の光源75、第2の光源76を有する場合、図11に示すように、照射部74自体が、第1の処理室S1と第2の処理室S2との間を移動するように構成してもよい。例えば2つの処理室内の天井部に、両処理室に跨ったレール78を取り付け、照射部74をこのレール78に沿って移動可能とすればよい。
このように構成すれば、1つのユニットにおいて1つの照射部74を装備するだけで、2つの処理室において、各々別々の処理、すなわち第1の処理室S1では、第1の光源75を使用したキュア処理、第2の処理室S2では、第2の光源76を使用した改質処理を実施することができる。この場合のコントローラ77は、光源の切り替えや照射部74の移動も制御する。
ところで紫外線照射用の光源、例えば紫外線ランプは、使用しているうちに経年劣化が進み、それに伴って照射エネルギーが弱くなることがある。そうすると所定の硬化処理が達成できないおそれがあり、光源の交換が強いられる。
しかしながら、直ちに光源を交換しなくても、照射されるウエハWを、初期状態よりも光源に近づけて、エネルギーの減衰を補うようにすれば、所定のエネルギーの紫外線をウエハWに供給することが可能である。
それを実現するには、例えば図13に示すように、加熱プレート32を駆動機構110によって上下可能にする。これによって、第1の光源42が劣化して照射エネルギーが弱くなった場合には、それに応じて、加熱プレート32を上昇させてウエハWの位置を第1の光源42に、より近づけることができ、それによって、ウエハWに対しては所定のエネルギーの紫外線を照射することが可能になる。
かかる場合、例えば第1の処理室S1内に、照射される紫外線のエネルギーの強度を測定するセンサ111を設け、このセンサ111からの信号によって、劣化の程度を判断し、その結果に基づいて、駆動機構110による加熱プレート32の上昇量を制御する制御装置112を設ければ、第1の光源42の劣化にかかわらず、ウエハWに対して常に所定量のエネルギーの紫外線を照射することが可能になる。またそれによって、第1の光源42に使用する、例えば紫外線ランプの寿命を実質的に延長することが可能である。
このようなセンサ111、制御装置112は第2の処理装置S2の第2の光源45に適用してもよい。
B1 キャリアブロック
B2 処理ブロック
23 基板搬送手段
24 塗布ユニット
3 キュアユニット
S1 第1の処理室
S2 第2の処理室
32 加熱プレート
41 第1の照射部
44 第2の照射部
51 温調プレート
Claims (13)
- 絶縁膜を形成するための塗布液が塗布された基板を加熱することにより基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理装置において、
塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱処理するための第1の処理室と、
この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、
前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を載置して硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための温調プレートが設けられる第2の処理室と、
前記加熱プレートと前記温調プレートとの間で基板の受け渡しを行うための手段と、
前記第1の処理室または前記第2の処理室に設けられ、塗布膜が硬化された基板に第1の照射部とは異なる波長の紫外線を照射するための第2の照射部と、
前記加熱プレートまたは前記温調プレートに、塗布液が塗布された基板を載置して第1の温度で加熱する加熱処理と、加熱処理が行われた基板に対して前記加熱プレート上において前記第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱すると共に、前記基板に対して前記第1の照射部から紫外線を照射して前記基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理と、硬化処理が行われた基板に対して前記温調プレート上において前記硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整する温調処理と、温調処理の後に前記第2の照射部から前記基板に紫外線を照射して前記塗布膜の改質を行う改質処理と、を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする硬化処理装置。 - 前記温調プレートは、第1の処理室の加熱プレートの上方側の位置と第2の処理室との間を移動自在に構成されたことを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。
- 加熱プレートに載置された基板を昇降部材により上昇させた後、基板と加熱プレートとの間に温調プレートを進入させ、次いで昇降部材を降下させることにより、加熱プレートから温調プレートに基板が受け渡されることを特徴とする請求項2記載の硬化処理装置。
- 前記第1の処理室と第2の処理室との間に形成された温調プレートの通過口には、この通過口を開閉するためのシャッタが設けられていることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。
- 前記第1の処理室と第2の処理室とに不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部と、前記第1の処理室と第2の処理室とを排気するための排気手段と、を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の硬化処理装置。
- 前記第1の照射部から基板に照射される紫外線は波長が300nm〜400nmの紫外線であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の硬化処理装置。
- 前記加熱処理は低酸素雰囲気にて基板を加熱して塗布膜の縮重合反応を起こさせ、化学的に塗布膜を硬化させるための低酸素加熱処理であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の硬化処理装置。
- 前記加熱プレートは、上下方向に移動可能であることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。
- 前記第1の処理室内に、第1の照射部の劣化を判断するセンサと、
前記センサからの信号に基づいて、前記加熱プレートを上昇させる制御部と、を備えたことを特徴とする請求項8記載の硬化処理装置。 - 前記第1の照射部は、前記第2の照射部を兼用するために、2つの異なった波長の紫外線を照射することが可能であり、さらにこの第1の照射部は、第1の処理室と第2の処理室との間を移動可能であることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。
- 基板に塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
基板に塗布液を塗布するための塗布ユニットと、
前記塗布ユニットにおいて、塗布液が塗布された基板上の塗布液を硬化させるための請求項1ないし10のいずれか一つに記載の硬化処理装置と、
前記塗布ユニットと前記硬化処理装置との間で基板を搬送するための搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 塗布液が塗布された基板を第1の処理室内に設けられた加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、
次いで加熱処理が行われた基板を前記加熱プレートに載置したまま、引き続き前記基板を一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱すると共に、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、
続いて、第1の処理室と連通して接続された第2の処理室内に設けられた温調プレート上に前記基板を載置して、前記基板を一枚ずつ前記硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整する工程と、
しかる後、前記基板に対して前記紫外線とは異なる波長の紫外線を一枚ずつ照射して、前記塗布膜の改質処理を行う工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法。 - 塗布液が塗布された基板を第2の処理室内に設けられた温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、
次いで加熱処理が行われた基板が載置された温調プレートを前記第2の処理室と連通して接続された第1の処理室内に設けられた加熱プレートの上方側に位置させ、加熱プレートから昇降機構を上昇させて温調プレート上の基板を昇降機構に受け取らせ、次いで温調プレートを加熱プレートの外方側に移動させた後昇降機構を下降させることにより、前記基板を温調プレートから加熱プレートに受け渡し、前記基板を加熱プレートにより一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱すると共に、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、
続いて、前記温調プレート上に前記基板を載置して、前記基板を一枚ずつ前記硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整する工程と、
しかる後、前記基板に対して前記紫外線とは異なる波長の紫外線を一枚ずつ照射して、前記塗布膜の改質処理を行う工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004035406A JP4342974B2 (ja) | 2003-02-12 | 2004-02-12 | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003033854 | 2003-02-12 | ||
JP2004035406A JP4342974B2 (ja) | 2003-02-12 | 2004-02-12 | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004261801A JP2004261801A (ja) | 2004-09-24 |
JP4342974B2 true JP4342974B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=33133886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004035406A Expired - Fee Related JP4342974B2 (ja) | 2003-02-12 | 2004-02-12 | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4342974B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4743835B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-08-10 | Hoya株式会社 | 光学レンズのコーティング装置 |
EP1900005A1 (en) * | 2005-06-22 | 2008-03-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Apparatus and process for treating dielectric materials |
WO2007043205A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Yatabe Massao | 照射装置、照射方法及び半導体デバイス |
CN101663102B (zh) | 2007-05-23 | 2012-11-14 | 株式会社德山 | 透镜的涂敷装置 |
JP5890255B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-03-22 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
JP6450333B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム |
JP6596257B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2019-10-23 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
JP6518548B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2019-05-22 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、レジストパターン形成装置、紫外線照射方法及びレジストパターン形成方法 |
JP6863041B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置 |
CN107639934A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-30 | 北京印刷学院 | 程控多波长可变频段uvled固化光源 |
KR102200759B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-01-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770454B2 (ja) * | 1985-11-19 | 1995-07-31 | 株式会社芝浦製作所 | レジスト硬化装置 |
JPH02214864A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化方法およびその装置 |
JPH04321217A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-11 | Toshiba Corp | レジスト硬化装置 |
JP2002190445A (ja) * | 1995-06-19 | 2002-07-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3333748B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置および硬化処理装置および硬化処理方法 |
JP2001077011A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、その洗浄方法、および光源ユニット |
-
2004
- 2004-02-12 JP JP2004035406A patent/JP4342974B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004261801A (ja) | 2004-09-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050927 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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