JP2002190445A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 レジスト硬化品質を向上させることが可能な
基板処理装置を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布後の基板３に紫外線を出射
するランプとして、波長３００ｎｍ以上の紫外線を発生
する誘電体バリア放電ランプ９が用いられている。誘電
体バリア放電ランプを点灯し、所定時間が経過するか、
又はエネルギー量が所定量に達するまで点灯状態を維持
することによって、所定量の紫外線エネルギーを基板に
与えることができる。紫外線照射後の基板は加熱乾燥を
受ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディ
スプレイなどのフラットパネルディスプレイ製造装置な
どにおいて、半導体ウエハ，ガラス基板や各種ワークな
どの被処理物（以下、「基板」と総称する）に対してレ
ジスト硬化処理を行う基板処理装置および基板処理方法
に関する。

【０００２】

【発明の背景】周知のように、基板のフォトリソグラフ
ィプロセスでは、基板の表面に塗布されたレジスト膜に
対して回路パターンなどを転写する。そして、その後に
レジスト膜を現像して不要部分を選択的に除去し、次い
で現像後のレジスト膜を硬化させる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このうち、レジストの
硬化品質は、製品品質に大きく影響することが知られて
いる。このため、基板処理においてはレジストの硬化品
質を向上させることが従来より望まれている。

【０００４】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、その目的は、レジストの硬化品質
を高めることができる基板処理装置を提供することであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、基板のレジスト硬化を行う基板
処理装置であって、レジスト硬化を行うべき基板の現像
を行う現像装置と、前記現像装置によって現像された後
の基板に波長３００ｎｍ以上の紫外線を照射する紫外線
照射装置と、を備えることを特徴とする。

【０００６】また請求項２の発明は、請求項１の基板処
理装置において、前記紫外線照射装置によって紫外線を
照射された後の基板を加熱乾燥する加熱乾燥装置をさら
に備えることを特徴とする。

【０００７】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の基板処理装置において、前記紫外線照射装置
が、前記基板に波長３００ｎｍ以上の紫外線を照射する
誘電体バリア放電ランプと、前記誘電体バリア放電ラン
プの点灯制御を行う制御系とを備えることを特徴とす
る。

【０００８】請求項４の発明は、請求項３の基板処理装
置において、前記制御系が、前記誘電体バリア放電ラン
プの点灯・消灯を切り替える切替手段と、前記切替手段
を制御して、前記誘電体バリア放電ランプを点灯後、前
記基板への前記所定量の紫外線エネルギーの照射が完了
した時点で前記誘電体バリア放電ランプを消灯させる制
御手段とを備えることを特徴とする。

【０００９】さらに、請求項５の発明は、請求項３の基
板処理装置において、前記制御系が、前記基板の表面の
照度を測定する照度計と、前記照度計により測定される
照度の変化に基づき、変化後の照度で基板に紫外線を照
射する場合に基板に与えられる紫外線エネルギーが前記
所定量に達するまでに要する時間を求め、当該時間を前
記誘電体バリア放電ランプの点灯持続時間とする照度調
整手段とを備える。

【００１０】そして、前記制御手段は前記切替手段を制
御して、前記照度調整手段により求められた点灯持続時
間の間、前記誘電体バリア放電ランプを持続的に点灯さ
せることを特徴とする。

【００１１】請求項６の発明は、請求項３の基板処理装
置において、前記制御系が、前記誘電体バリア放電ラン
プに与える電力を制御して前記誘電体バリア放電ランプ
からの波長３００ｎｍ以上の紫外線の強度を調整する調
光手段と、前記支持手段により支持される基板表面の照
度を測定する照度計と、前記照度計により測定される照
度の変化に基づき、変化前の照度で基板に紫外線を照射
するために前記誘電体バリア放電ランプに与えるべき電
力の変化量を求める照度調整手段とを備える。

【００１２】そして、前記制御手段は前記調光手段を制
御して、前記照度調整手段により求められた変化量に基
づき前記誘電体バリア放電ランプに与える電力を変更
し、前記基板での照度を一定に維持することを特徴とす
る。

【００１３】また、請求項７の発明は、基板のレジスト
硬化を行う基板処理方法であって、レジスト膜が形成さ
れた基板を現像する工程と、現像された後の基板に波長
３００ｎｍ以上の紫外線を照射する工程と、波長３００
ｎｍ以上の前記紫外線が照射された後の基板を加熱乾燥
する工程とを備えることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態にかかる基
板処理装置は、(1)基板のレジストの現像装置、(2)基板
への紫外線照射装置、(3)基板の加熱乾燥装置、を含ん
で構成されるが、まず、ここで使用される紫外線照射装
置の構成例について説明する。

【００１５】＜１．第１の実施の形態＞図１はこの発明
の第１の実施の形態にかかる基板処理装置で使用される
紫外線照射装置を示す平面図であり、図２はこの実施の
形態の断面図である。この紫外線照射装置では、図２に
示すように、基板ボックス１の底面部を貫通して上方向
に複数の支持ピン２が突設されており、昇降駆動源２２
により昇降可能に設けられ、これらの支持ピン２により
基板３を支持する。このように、この実施の形態では、
複数の支持ピン２が基板３を支持する支持手段として機
能する。なお、基板３の支持方法はこれに限定されるも
のではなく、例えば真空吸引式のチャックにより基板３
を支持してもよい。

【００１６】この基板ボックス１の上面部には、支持ピ
ン２により支持される基板３よりも大きなサイズの開口
４が設けられている。

【００１７】そして、この開口４とほぼ同一サイズの開
口５を底面部に有するランプボックス６が、両開口４，
５が対向するようにして、基板ボックス１の上に配置さ
れている。また、この開口５を塞ぐように、ランプボッ
クス６内に石英板７が配置され、ランプ空間ＳＰLが形
成されている。さらに、この石英板７の上方位置に８本
の誘電体バリア放電ランプ９が一列に整列配置されてい
る。この誘電体バリア放電ランプ９は波長３００ｎｍ以
上の紫外線を発生するようになっている。したがって、
後述するタイミングでランプ電源１０から電力が送電さ
れると、電源中継ボックス１１を介して誘電体バリア放
電ランプ９に与えられて誘電体バリア放電ランプ９が点
灯する。これにより、誘電体バリア放電ランプ９から波
長３００ｎｍ以上の紫外線が下方に向けて出射され、石
英板７を通過した後、支持ピン２に支持された基板３の
表面に照射される。

【００１８】このランプボックス６内には、ランプボッ
クス６の上面と誘電体バリア放電ランプ９との間に反射
板１２が配置されており、誘電体バリア放電ランプ９か
ら紫外線を効率良く基板３側に導く。また、図２に示す
ように、ランプボックス６の左側部には窒素ガスの導入
口１３が設けられており、図示を省略する窒素ガス供給
部からの窒素ガスをランプボックス６と石英板７とで形
成されるランプ空間ＳＰLに導入可能となっている。一
方、ランプボックス６の右側部には窒素ガスの排気口１
４が設けられており、この排気口１４と連結された排気
システムや排気ポンプなどの排気手段（図示省略）によ
りランプ空間ＳＰLから外部に排気されるように構成さ
れている。したがって、ランプ空間ＳＰL内では、誘電
体バリア放電ランプ９から出射される紫外線の吸収減衰
の主原因となる酸素が排除されるとともに、当該紫外線
の減衰に影響を及ぼさない窒素ガスが充満され、その結
果、誘電体バリア放電ランプ９からの紫外線を効率良く
基板３に照射することができる。なお、この実施の形態
ではランプ空間ＳＰLを形成するために、石英板７を用
いているが、紫外線を透過する板材であればよく、石英
板に限定されるものではない。

【００１９】一方、基板ボックス１側にも、排気システ
ムや排気ポンプなどの排気手段（図示省略）が接続され
ており、基板ボックス１と石英板７とで形成される基板
処理空間ＳＰTが排気されている。また、この基板処理
空間ＳＰT内では、図１に示すように、基板３と干渉し
ない位置に照度計１５が配置されて石英板７を介して基
板３側に照射される紫外線を受光し、基板３への紫外線
照度を測定する。この照度計１５は照度調整部１６と電
気的に接続され、照度計１５により測定された照度が照
度調整部１６に与えられる。

【００２０】この照度調整部１６では、照度計１５から
与えられた照度の変化に基づき誘電体バリア放電ランプ
９の点灯時間を求める。ここで、基板３に与えられる紫
外線エネルギーは、基板３での照度と照射時間とを掛け
合わせることにより求まる総照射量で決まる。そこで、
この実施の形態では、基板３での照度が変化したとき、
変化後の照度で基板に紫外線を照射する場合に基板に与
えられる紫外線エネルギーが所定量に達するまでに要す
る時間を求め、当該時間を誘電体バリア放電ランプの点
灯時間とする。

【００２１】この照度調整部１６は装置全体を制御する
制御部１７と電気的に接続されており、上記のようにし
て求められた点灯時間に関する信号が制御部１７に与え
られる。そして、この信号を受けて制御部１７は、誘電
体バリア放電ランプ９の点灯・消灯を切り替える切替手
段として機能するランプ電源調整部１８を介してランプ
電源１０から誘電体バリア放電ランプ９への電力供給を
制御し、誘電体バリア放電ランプ９の点灯時間を制御し
て基板３に与えられる紫外線エネルギーを調整するよう
に構成されている。

【００２２】次に、図３および図４を参照しつつ、基板
処理工程について説明する。ここでは、タクトタイム
（処理時間）が時間ｔ2であると仮定する。なお、ここ
でいうタクトタイムとは、搬送ロボットが複数の装置間
を循環して、複数の基板を順次入れ換えて搬送しつつ処
理を施す場合においては、その搬送ロボットが各装置を
一順するのに要する時間であり、各装置においては、搬
送ロボットによる装置への基板搬入から搬出までの時間
であり、その装置への基板の搬入搬出に要する時間を含
む。

【００２３】まず、処理すべき基板３を基板搬入搬出口
１９（図１）を介して基板処理空間ＳＰT内に搬入し、
支持ピン２上に載置した後、支持ピン２が上昇して基板
３を誘電体バリア放電ランプ９に所定の距離まで近接さ
せる。次に制御部１７からの処理開始指令に応じてラン
プ電源１０から誘電体バリア放電ランプ９に電力が供給
されて基板への照射処理が開始される。このとき、誘電
体バリア放電ランプ９の出力（同図のランプ出力）は、
図３に示すように、電力供給から一定時間Δｔだけ経過
して安定状態に達するが、当該時間Δｔは従来の低圧水
銀ランプのそれ（図７のΔｔ）に比べて大幅に短縮され
ており、例えば４０秒間の点灯と２０秒間の消灯とを繰
り返す場合、低圧水銀ランプのΔｔは数分であるのに対
し、誘電体バリア放電ランプ９のΔｔは１秒以下であ
り、実使用においてはほぼ瞬間的に安定化するとみなす
ことができる。

【００２４】誘電体バリア放電ランプ９が点灯すると、
基板３の表面に適当な照度（例えば「１００」）で紫外
線が照射され、所定の基板処理が開始される。そして、
タクトタイムｔ2より短い一定時間ｔ1だけ誘電体バリア
放電ランプ９が点灯状態に維持された後、時刻Ｔ₁で制
御部１７からの停止指令に応じてランプ電源１０から誘
電体バリア放電ランプ９への電力供給が停止され、誘電
体バリア放電ランプ９が消灯される。こうして、基板３
には、適量の紫外線エネルギー（図４の斜線部分Ｒ1の
面積「１００×ｔ1」に相当）が与えられる。なお、消
灯後、タクトタイムｔ2が経過するまでの間は、消灯状
態が維持され、図４に示すように、時刻Ｔ₂まで基板３
上の紫外線照度はゼロとなっている。また、基板３の搬
出と、次なる基板の搬入は、図４におけるタクトタイム
ｔ2内の最後の時間ｔ4の間になされ、その後、次のタク
トタイムの間に次なる基板の処理がなされる。尚、図４
では誘電体バリア放電ランプ９の点灯時を時刻０とし
て、タクトタイムｔ2の最後の基板の搬出・搬入の時間
ｔ4として図示しているが、一枚の基板の処理に注目す
れば、この時間ｔ4のうち、基板の搬入のための時間は
誘電体バリア放電ランプ９の点灯前にあることになる。

【００２５】以上のように、この実施の形態によれば、
タクトタイムｔ2よりも短い時間ｔ1だけ誘電体バリア放
電ランプ９を点灯させて基板３に所定量の紫外線エネル
ギーを与えるようにしているので、たとえタクトタイム
が変化したとしても、基板３への紫外線エネルギーが所
定量（図４の斜線部分Ｒ1の面積「１００×ｔ1」に相
当）となった時点で誘電体バリア放電ランプ９を消灯し
て紫外線エネルギーを調整することができる。しかも、
紫外線ランプとして誘電体バリア放電ランプ９を用いて
いるので、ランプの点灯・消灯を繰り返したとしても、
ランプ点灯後短時間で出力を安定させることができる。

【００２６】これに対して、紫外線ランプとして低圧水
銀ランプを用いた場合には、低圧水銀ランプの点灯・消
灯によりランプの点灯状態が安定するまでに長時間を要
してしまい、処理工程全体のタクトが長くなりがちであ
る。このため、紫外線ランプとしては、この実施の形態
のように誘電体バリア放電ランプ９を使用することが好
ましい。

【００２７】また、上記実施の形態では、照度計１５を
設け、支持ピン２により支持される基板３の表面での照
度を測定し、照度調整部１６に与えて、その照度の変化
に基づき、変化後の照度で基板に紫外線を照射する場合
に基板に与えられる紫外線エネルギーが所定量に達する
までに要する時間を求め、当該時間を誘電体バリア放電
ランプの点灯時間としている。例えば、長時間使用によ
る経時変化により誘電体バリア放電ランプ９のランプ出
力が低下すると、図４に示すように、基板３の表面での
紫外線照度が低下する。このように照度が低下したま
ま、変化前と同一時間ｔ1だけ誘電体バリア放電ランプ
９を点灯させていたのでは基板３に与えられる紫外線エ
ネルギーが所定量以下になってしまう。そこで、この実
施の形態では、照度調整部１６で変化後の照度（例え
ば、「８０」）に対応して誘電体バリア放電ランプ９の
点灯時間ｔ3（＝１．２５×ｔ1）を求め、この点灯時間
ｔ3だけ誘電体バリア放電ランプ９を点灯させているの
で、基板３の表面に与えられる紫外線エネルギーは変化
前と同一となる。したがって、誘電体バリア放電ランプ
９の経時変化などによりランプ出力が変化した場合であ
っても、自動的にランプ点灯時間が補正されて、常に適
量の紫外線エネルギーを基板に与えることができる。

【００２８】＜２．第２の実施の形態＞図５は、この発
明にかかる基板処理装置の第２の実施の形態で使用され
る紫外線照射装置を示す断面図である。この紫外線照射
装置が先に説明した実施の形態（図２）と大きく相違す
る点は、照度調整部１６での処理内容が異なる点と、照
度調整部１６での処理結果に応じて誘電体バリア放電ラ
ンプ９に与える電力を変更して誘電体バリア放電ランプ
９のランプ出力を調整するランプ調光部２０がさらに設
けられている点であり、その他の構成は同一である。

【００２９】この実施の形態における照度調整部１６で
は、照度計１５により測定された照度の変化が検出され
る。例えば、誘電体バリア放電ランプ９を長時間使用す
ると、上記のように経時変化などにより、そのランプ出
力が低下し、基板３の表面での照度が低下する。したが
って、この状態のまま変化前と同一時間ｔ1だけ基板３
への紫外線照射を行うと、基板３に与えられる紫外線エ
ネルギーが所定量以下になってしまう。この場合、誘電
体バリア放電ランプ９に与える電力を適切に増加させる
ことで誘電体バリア放電ランプ９のランプ出力を元に戻
すことができる。そこで、この実施の形態では、変化前
の照度で基板３に紫外線を照射するために誘電体バリア
放電ランプに与えるべき電力の変化量を求めている。そ
して、こうして求められた変化量に関する信号が制御部
１７に与えられ、さらに制御部１７からの指令に基づき
ランプ調光部２０がランプ電源１０を制御して誘電体バ
リア放電ランプ９に与えられる電力がその変化量だけ増
加される。こうして誘電体バリア放電ランプ９からのラ
ンプ出力が調整されて基板３での照度が一定に維持され
て、常に適量の紫外線エネルギーが基板に与えられる。

【００３０】なお、この実施の形態では、経時変化など
により誘電体バリア放電ランプ９のランプ出力が低下し
たとき、誘電体バリア放電ランプ９に与える電力を増加
させてランプ出力を元に戻すようにしているので、誘電
体バリア放電ランプ９の使用開始の当初においては、誘
電体バリア放電ランプ９が最大能力よりも低い能力を発
揮するように予め誘電体バリア放電ランプ９に供給する
電力を低く設定しておくのが望ましい。

【００３１】＜３．全体構成＞図６は液晶ディスプレイ
用などのガラス基板の製造工程の概略を示す図である。
図示するようにこの製造工程は洗浄工程、現像工程、エ
ッチング工程、レジスト剥離工程から成る。

【００３２】このうちの現像工程を実行する基板処理装
置が図７に示されている。

【００３３】図７のスピン式現像装置Ｍ5において現像
された基板３をロボットハンドＲh2およびＲh1を介して
紫外線照射装置Ｍuvの誘電体バリア放電ランプ９からの
紫外線を照射してレジストを硬化した後、ロボットハン
ドＲh1を介してダイレクトホットプレートを利用した乾
燥装置Ｍ3において乾燥を行う。

【００３４】この利用形態で用いられる紫外線は波長３
００ｎｍ以上の長いものであるが、これは、例えば、キ
セノン−フッ素を用いた誘電体バリア放電ランプを利用
することにより実現される。また、紫外線照射量の適正
化による品質の安定化や装置内部の温度上昇の防止によ
る基板の反りの防止といった効果が得られる。

【００３５】反りの発生防止に関しては特に、厚さ０．
７ｍｍ以下、熱膨張係数３０〜５０（×１０^-7／℃）の
無アルカリガラスや厚さ１．１ｍｍ以下、熱膨張係数５
０〜９０（×１０^-7／℃）の膨張率の高い低アルカリガ
ラス・アルカリガラスにおいてこの反り防止の効果が得
られる。とりわけ、厚さが上記数値以下の例えば０．３
ｍｍの薄く反りが発生しやすいガラス基板でも反りの発
生を顕著に軽減して確実に搬送し処理することができ
る。なお、以上の熱膨張係数は、液晶表示器や半導体素
子製造におけるフォトリソ工程などこの種装置の使用温
度範囲での値を示し、ここでは０〜３００℃の温度範囲
を示す。

【００３６】＜４．変形例＞以上、この発明に係る実施
の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の
形態に限定されるものではない。

【００３７】例えば、上記第１および第２の実施の形態
では、照度計１５および照度調整部１６を設け、誘電体
バリア放電ランプ９の経時変化などによりランプ出力が
変化した場合であっても、自動的にランプ出力あるいは
ランプ点灯時間を補正して、常に適量の紫外線エネルギ
ーを基板に与えることができるように構成しているが、
誘電体バリア放電ランプ９の経時変化などを考慮する必
要性がない、あるいは少ない場合には、これらの構成は
必須構成とはならない。

【００３８】また、上記第１および第２の実施の形態で
は、照度計１５は基板３表面の照度を直接に測定するも
のであったが、例えば、他の部位の照度の変化を測定し
て基板３表面の照度を計算により算出するなど、間接的
に測定するものでもよい。

【００３９】また、上記第１のおよび第２の実施の形態
では、８本の誘電体バリア放電ランプ９により基板３に
紫外線を照射するようにしているが、誘電体バリア放電
ランプ９の本数は任意であり、１本あるいは複数であっ
てもよい。

【００４０】さらに、図７では、現像装置Ｍ５、紫外線
照射装置Ｍuvおよび乾燥装置Ｍ３を分離した形態で説明
してきたが、これらを１つのユニットに統合してもよ
い。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
７の発明によれば、レジスト塗布後の基板に波長３００
ｎｍ以上の紫外線を照射し、その後に加熱乾燥させるこ
とにより、レジストの硬化品質を向上させることができ
る。

【００４２】特に、請求項３の発明によれば、基板に紫
外線を照射するために、特に誘電体バリア放電ランプを
用いているので、必要に応じて誘電体バリア放電ランプ
を点灯するとともに、所定時間が経過するまで点灯状態
を維持することで所定量の紫外線エネルギーを基板に与
えることができ、基板処理工程全体のタクトが変化して
も、基板にダメージを与えることなく、しかも処理工程
全体のタクトを長くすることなく、適量の紫外線エネル
ギーを基板に与えることができる。

【００４３】請求項５の発明によれば、照度計により支
持手段により支持される基板表面での照度を測定し、照
度の変化に基づき、変化後の照度で基板に紫外線を照射
する場合に基板に与えられる紫外線エネルギーが所定量
に達するまでに要する時間を求め、当該時間を誘電体バ
リア放電ランプの点灯時間としているので、誘電体バリ
ア放電ランプの経時変化などによりランプ出力が変化し
た場合であっても、常に適量の紫外線エネルギーを基板
に与えることができる。

【００４４】請求項６の発明では、照度計により支持手
段により支持される基板表面での照度を測定し、変化前
の照度で基板に紫外線を照射するために誘電体バリア放
電ランプに与えるべき電力の変化量を求め、その変化量
に基づき誘電体バリア放電ランプに与える電力を変更し
ているので、基板での照度を一定に維持することがで
き、その結果、誘電体バリア放電ランプの経時変化など
によりランプ出力が変化した場合であっても、常に適量
の紫外線エネルギーを基板に与えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施の形態
における紫外線照射装置を示す平面図である。

【図２】図１の紫外線照射装置の断面図である。

【図３】誘電体バリア放電ランプのランプ出力特性を示
すグラフである。

【図４】図１の紫外線照射装置の動作を示す図である。

【図５】この発明の実施の形態における基板処理装置で
使用される紫外線照射装置の他の例を示す断面図であ
る。

【図６】ガラス基板の製造工程を示すフローチャートで
ある。

【図７】この発明の実施の形態としての、レジスト現像
工程に適合した基板処理装置を示す図である。

【符号の説明】

２ 支持ピン ３ 基板 ９ 誘電体バリア放電ランプ １５ 照度計 １６ 照度調整部 １７ 制御部 １８ ランプ電源調整部（切替手段） ２０ ランプ調光部 Ｍuv 紫外線照射装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 AA28 HA03 4F042 AA06 AA07 BA22 DB41 5F046 LA18

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板のレジスト硬化を行う基板処理装置
   であって、 レジスト硬化を行うべき基板の現像を行う現像装置と、 前記現像装置によって現像された後の基板に波長３００
   ｎｍ以上の紫外線を照射する紫外線照射装置と、を備え
   ることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記紫外線照射装置によって紫外線を照射された後の基
   板を加熱乾燥する加熱乾燥装置、をさらに備えることを
   特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２の基板処理装置
   であって、 前記紫外線照射装置が、 前記基板に波長３００ｎｍ以上の紫外線を照射する誘電
   体バリア放電ランプと、 前記誘電体バリア放電ランプの点灯制御を行う制御系
   と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３の基板処理装置であって、 前記制御系が、 前記誘電体バリア放電ランプの点灯・消灯を切り替える
   切替手段と、 前記切替手段を制御して、前記誘電体バリア放電ランプ
   を点灯後、前記基板への前記所定量の紫外線エネルギー
   の照射が完了した時点で前記誘電体バリア放電ランプを
   消灯させる制御手段と、を備えることを特徴とする基板
   処理装置。
5. 【請求項５】 請求項３の基板処理装置であって、 前記制御系が、 前記基板の表面の照度を測定する照度計と、 前記照度計により測定される照度の変化に基づき、変化
   後の照度で基板に紫外線を照射する場合に基板に与えら
   れる紫外線エネルギーが前記所定量に達するまでに要す
   る時間を求め、当該時間を前記誘電体バリア放電ランプ
   の点灯持続時間とする照度調整手段と、を備え、 前記制御手段は前記切替手段を制御して、前記照度調整
   手段により求められた点灯持続時間の間、前記誘電体バ
   リア放電ランプを持続的に点灯させることを特徴とする
   基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項３の基板処理装置であって、 前記制御系が、 前記誘電体バリア放電ランプに与える電力を制御して前
   記誘電体バリア放電ランプからの波長３００ｎｍ以上の
   紫外線の強度を調整する調光手段と、 前記支持手段により支持される基板表面の照度を測定す
   る照度計と、 前記照度計により測定される照度の変化に基づき、変化
   前の照度で基板に紫外線を照射するために前記誘電体バ
   リア放電ランプに与えるべき電力の変化量を求める照度
   調整手段と、を備え、 前記制御手段は前記調光手段を制御して、前記照度調整
   手段により求められた変化量に基づき前記誘電体バリア
   放電ランプに与える電力を変更し、前記基板での照度を
   一定に維持することを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 基板のレジスト硬化を行う基板処理方法
   であって、 レジスト膜が形成された基板を現像する工程と、 現像された後の基板に波長３００ｎｍ以上の紫外線を照
   射する工程と、 波長３００ｎｍ以上の前記紫外線が照射された後の基板
   を加熱乾燥する工程と、を備えることを特徴とする基板
   処理方法。