KR101350924B1 - 실런트 경화장치 - Google Patents

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채정재
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Abstract

본 발명은 실런트 경화장치에 관한 것으로 본 발명에 따른 실런트 경화장치는 챔버와 상기 챔버의 내측에 설치되어, 기판이 안착되는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지방향으로 자외선을 조사하는 엘이디 모듈을 구비하는 노광부를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따른 실런트 경화장치는 실런트 경화에 사용되는 자외선 조사 광원으로 엘이디를 사용하여 전기소비량을 감축시키고 램프 교체 주기가 길어지는 효과가 있다. 또한 엘이디 소자를 실런트의 패턴과 대응되도록 구성하여 마스크를 사용하지 않고 실런트 경화 공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.

Description

실런트 경화장치{Sealant curing apparatus}
본 발명은 실런트 경화장치 및 경화방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정표지장치(LCD:Liquid Crystal Display)를 형성하는 두 패널의 합착을 위하여 도포된 실런트를 경화하기 위한 실런트 경화장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치(LCD:liquid crystal display)는 전 공정에서 제조된 TFT 기판과 컬러필터 기판에 실런트와 액정을 도포하여 정열하고 합착시켜 제조된다. 이때 두 기판의 합착을 위하여 사용되는 실런트는 기판의 가장자리를 따라 도포되어 합착된 기판 내의 액정이 외부로 누출되지 않도록 기판을 밀봉시키는 역할을 한다.
한편, 두 기판 사이의 실런트를 경화시키는 방법에는 열 경화방법과 자외선 경화방법이 있다. 이 중 자외선 경화방법에는 자외선을 조사하는 자외선 광원이 사용되며, 자외선 조사 광원으로는 메탈 할라이드 램프(Metal Halide Lamp)가 일반적으로 사용된다. 그러나 메탈 할라이드 램프는 수은을 함유하고 있으며 오존 발생 등 환경적인 문제점과 수명이 짧다는 문제점을 내포하고 있다.
본 발명의 목적은 빛의 직진성이 강하며, 수명이 길고, 소비전력은 낮은 엘이디(LED:Light Emitting Diode)를 자외선 조사 광원으로 사용하여 실런트를 경화시킬 수 있도록 하는 실런트 경화장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제1실시예에 따른 실런트 경화장치는 챔버와 상기 챔버의 내측에 설치되어, 기판이 안착되는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지 방향으로 자외선을 조사하는 엘이디 모듈을 구비하는 노광부를 포함한다.
상기 엘이디 모듈은 서로 다른 파장 특성을 갖는 복수개의 엘이디 소자를 포함하여 구성될 수 있고, 상기 엘이디 모듈은 240nm 이상 300nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제1 엘이디 소자, 300nm 이상 365nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제2 엘이디 소자 및 365nm 이상 400nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제3 엘이디 소자를 포함할 수 있다.
상기 엘이디 모듈은 복수개의 엘이디 소자 및 상기 복수개의 엘이디 소자가 소정의 패턴으로 설치되는 회로기판을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제2실시예에 따른 실런트 경화장치는 상기 복수개의 엘이디 소자가 상기 기판에 도포되는 실런트의 패턴과 대응되는 패턴으로 설치될 수 있다.
상기 노광부는 상기 엘이디 모듈에서 조사되는 광을 집속시키는 집광렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제3실시예에 따르면 상기 노광부는 바 형태의 유닛으로 형성되며, 수평방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제4실시예에 따른 실런트 경화장치는 챔버와 상기 챔버의 내측에 설치되어, 기판이 안착되는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지를 승강시키는 기판 스테이지 구동부 및 상기 기판 스테이지 방향으로 광을 조사하는 노광부를 포함하고, 상기 노광부는 200nm 이상 400nm 이하의 파장대에 속하는 광을 조사하는 복수개의 엘이디 소자를 포함할 수 있다.
상기 복수개의 엘이디 소자는 서로 다른 파장 특성을 갖는 제1 엘이디 소자, 제2 엘이디 소자 및 제3 엘이디 소자를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 제1 엘이디 소자는 240nm 이상 300nm 이하의 파장대에 속하는 광을 조사하고, 상기 제2 엘이디 소자는 300nm 이상 365nm 이하의 파장대에 속하는 광을 조사하고, 상기 제3 엘이디 소자는 365nm 이상 400 nm 이하의 파장대에 속하는 광을 조사할 수 있다.
본 발명에 따른 실런트 경화 장치는 자외선 조사 광원으로 엘이디를 사용하여 전기 소비량을 감축시키고 광원 교체 주기가 길어지게 된다. 그리고 엘이디에서 방출되는 빛은 파장 영역이 좁은 특징이 있으므로 불필요한 파장이 없는 특정 주파수대를 주사함으로 원하지 않는 반응을 억제 시킬 수 있다. 또한 엘이디 소자를 실런트의 패턴과 대응되도록 구성하여 불필요한 에너지 소비를 줄임과 동시에 마스크를 사용하지 않고 실런트 경화 공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 실런트 경화장치의 단면도;
도 2는 도 1의 실런트 경화장치의 노광부 저면도;
도 3은 도 2의 노광부의 다른 적용예에 따른 저면도;
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 실런트 경화장치의 노광부 저면도;
도 5는 도 4의 실런트 경화장치의 노광부에 집광렌즈를 설치한 개략도;
도 6는 본 발명의 제3실시예에 따른 실런트 경화장치의 정면도;
도 7는 본 발명의 제3실시예에 따른 노광부의 개략적 저면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 이하, 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서는 중복되는 설명을 피한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 실런트 경화장치(100)의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에 따른 실런트 경화장치(100)는 내측에 공정 공간을 형성하는 챔버(110), 자외선을 조사하는 노광부(130), 마스크(M)를 고정시키는 마스크 고정부(120) 그리고, 기판이 안착되는 기판 스테이지(140)를 포함하여 구성할 수 있다.
여기서, 챔버(110)는 실런트 경화장치(100)의 골격을 이루며, 내측에는 실런트 경화 공정이 이루어지는 공정공간을 형성한다. 그리고 내부에 각종 구성요소들이 설치될 수 있다.
챔버(110)의 내측 상부에는 노광부(130)가 설치된다. 이때, 노광부(130)는 기판 스테이지 방향으로 자외선을 조사하기 위한 광원 모듈을 포함하여 구성할 수 있다. 다만, 광원 모듈의 구체적인 구성에 대해서는 아래에서 구체적으로 설명하도록 한다.
노광부(130)는 지지부(134)에 의해 챔버(110) 상측에 설치될 수 있다. 이때, 지지부(134)는 노광부(130)를 승강시킬 수 있는 별도의 구동부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 이 경우, 기판 스테이지(140)로 자외선을 조사하는 높이를 제어하는 것이 가능하다. 이러한, 구동부는 정역회전모터나 볼스크류를 이용하여 구성될 수 있고, 접철식 동작이 가능한 복수개의 링크 구조를 이용하여 구성될 수도 있다.
한편, 챔버(110)의 내부에는 기판(S)이 안착되는 기판 스테이지(140)가 설치된다. 따라서, 실런트가 도포된 기판(S)이 외부로부터 반입되면, 상기 기판 스테이지(140)에 안착된 상태에서 노광공정이 진행될 수 있다.
이때, 상기 기판 스테이지(140) 상에는 상하로 구동되는 다수개의 리프트 핀(150)이 구비될 수 있다. 상기 리프트 핀(150)은 기판(S)이 챔버(110) 내부로 반입되면 기판(S)의 저면을 지지하거나 흡착한 채로 하강하여 기판(S)을 기판 스테이지(140)에 안착시킬 수 있다. 나아가, 외부로부터 반입되는 마스크(M) 또한 리프트 핀을 이용하여 마스크 고정부(120)에 고정시킬 수 있다.
기판 스테이지(140)의 외측 주변에는 복수개의 클램프(미도시)가 구비될 수 있다. 여기서 클램프는 기판(S)이 기판 스테이지(140)에 안착되었을 때 기판(S)을 고정시키는 역할을 수행한다.
기판 스테이지(140)의 하부에는 기판 스테이지(140)를 X축 Y축으로 이동 및 회전시키는 정렬 스테이지(170)가 구비될 수 있다. 그리고 정렬 스테이지(170)의 테두리 부분에는 복수개의 카메라(180)가 위치할 수 있다. 카메라(180)는 기판 스테이지(140)에 구비된 조명창(141)을 이용하여 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인 마크(미도시)를 촬영할 수 있도록 설치된다. 따라서 카메라(180)의 촬영에 의해 기판(S)과 마스크(M) 사이의 정렬 상태를 파악하면, 정렬 스테이지(170)는 이를 기초로 기판 스테이지(140)의 수평 위치를 조절하여 기판(S)과 마스크(M)를 정렬시킬 수 있다.
나아가, 정렬 스테이지(170)의 하부에는 정렬 스테이지(170) 및 기판 스테이지(140)의 수직방향의 위치를 조절할 수 있도록 정렬 스테이지(170) 및 기판 스테이지(140)를 승강시키는 승강기(191)와 승강축(190)이 구비될 수 있다. 승강기(191)는 정역회전모터나 볼스크류를 이용하여 구성될 수 있고 접철식 동작이 가능한 복수개의 링크 구조로 구성될 수도 있다.
한편, 노광부(130)와 기판 스테이지(140)의 사이에는 마스크(M)를 고정시키기 위한 마스크 고정부(120)가 구비된다. 여기서, 마스크(M)에는 소정 패턴이 형성되어, 노광부(130)로부터 조사되는 자외선을 선택적으로 투과시킨다. 따라서 마스크(M)를 이용하여 기판(S) 상에서 실런트가 도포된 부분으로만 자외선을 조사하여 노광공정을 진행할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 마스크 고정부(120)는 흡착 유닛(121,122)을 이용하여 구성할 수 있다. 따라서 흡착 유닛(121,122)이 마스크(M)의 양 측 가장자리를 흡착하여 위치를 고정시킬 수 있다. 다만, 이는 일 실시예로서 이 이외에도 클램프(미도시) 등의 다양한 고정 장치를 이용하여 마스크 고정부(120)를 구성할 수 있다.
마스크 고정부 승강기(123)는 마스크 고정부(120)와 연결되어 마스크 고정부(120)를 챔버(110)의 내측에서 승강시키도록 구성될 수 있다. 마스크 고정부 승강기(123)는 LM 가이드와 LM 가이드에 설치된 볼스크류, 그리고 서보모터로 구성되거나 또는 리니어 모터일 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여 도 1의 노광부(130)에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 2는 도 1의 노광부(130)의 저면을 도시한 저면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 노광부(130)는 엘이디 모듈(131,132)을 이용하여 자외선을 조사하도록 구성되는 것이 바람직하다.
종래의 자외선 광원으로 사용되는 메탈할라이드 램프는 하나의 광원으로부터 240nm - 400nm의 파장을 갖는 자외선을 포함하는 다양한 파장의 빛이 조사된다. 한편 실런트의 경화 정도 및 상태는 실런트로 조사되는 자외선의 파장에 따라 달라진다. 따라서 발산하는 자외선의 파장대가 다양한 메탈할라이드 램프가 광원으로 사용되는 경우 실런트 경화시에 원하지 않는 반응이 일어나기도 한다.
이에 반해 엘이디 소자는 종래의 광원에 비해 좁은 파장대의 광을 조사하는 성질이 있다. 따라서 노광부(130)를 특정 파장대를 갖는 엘이디를 이용하여 구성하는 경우 상기 문제점을 개선할 수 있다.
따라서 본 실시예의 노광부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 엘이디 모듈(131,132)을 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 엘이디 모듈(131,132)은 복수개의 엘이디 소자(131)와 엘이디 소자(131)가 소정 패턴으로 설치되는 회로 기판(132)을 포함하여 구성된다. 엘이디 소자(131)는 질화갈륨(GaN)계열 또는 산화아연(ZnO) 계열의 단파장 자외선 엘이디를 이용하여 구성할 수 있으며, 기판(S)에 도포되는 실런트의 종류를 고려하여 최적 파장대를 갖는 엘이디 소자(131)를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명과 같이 엘이디 광원을 이용하여 노광부(130)를 구성하는 경우, 엘이디 광원의 직진성을 이용하여 기판(S)과 수직 방향으로 자외선을 조사할 수 있다. 종래의 메탈할라이드 램프는 자외선이 방사형으로 조사되므로 마스크(M)를 이용해 자외선이 기판(S)에 선택적으로 입사되도록 하더라도 광이 실런트 주변부로 산란되어 실런트 경화의 신뢰성 및 액정표시장치의 제조 신뢰성에 한계가 있었다.
그러나 엘이디 광원에 의해 방출되는 빛은 직진성이 강하므로 자외선 조사 광원으로 엘이디 소자(131)를 사용하면 마스크(M)를 통과한 자외선이 실런트 주변부로 광이 산란되는 것을 방지하여 실런트 경화 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
나아가, 엘이디 소자(131)는 메탈 할라이드 램프에 비하여 5배 이상의 사용 수명을 갖는 바, 유지 보수가 용이한 실런트 경화장치(100)를 제공할 수 있다.
본 실시예의 노광부(130)는 단일한 파장대를 갖는 복수개의 엘이디 소자(131)를 이용하여 구성하는 것도 가능하고, 상이한 파장대를 갖는 다양한 종류의 엘이디 소자(131)를 이용하여 구성하는 것도 가능하다.
도 3은 도 2의 다른 적용예를 도시한 저면도이다.
일반적으로 실런트 노광공정시 실런트의 종류에 따라 상이한 파장대가 요구된다. 따라서 보다 정밀한 실런트 경화 공정을 위해 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 다른 파장 특성을 갖는 복수개의 엘이디 소자(131)를 이용하여, 다양한 파장대의 자외선을 조사할 수 있도록 구성할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 240nm이상 300nm이하의 범위에 속하는 파장대를 갖는 제1 엘이디 소자와 300nm이상 365nm이하의 범위에 속하는 파장대를 갖는 제2 엘이디 소자 및 365nm이상 400nm이하의 범위에 속하는 파장대를 갖는 제3 엘이디 소자를 상기 회로기판(132)에 배치하여 구성할 수 있다.
상기와 같이 파장대를 구분하여 설치하는 것은 엘이디 소자를 회로기판에 분포시키는 일 예에 불과하며, 실런트의 특성이나 공정의 특성에 따라 240nm 이하의 파장대를 갖는 빛을 방출하는 엘이디 소자 또는 400nm 이상의 파장대를 갖는 빛을 방출하는 엘이디 소자를 설치할 수 있다. 또한 도 3에 도시된 각 파장대 별 엘이디 소자의 배치도 엘이디 소자를 회로기판에 분포시키는 일 예에 불과하며, 실런트의 특성이나 공정의 특성을 고려하여 다양한 방식으로 분포시켜 사용할 수 있다.
여기서, 각각의 엘이디 소자(131)가 해당 구간의 파장 특성을 갖는다는 것은, 해당 구간의 모든 파장대에 해당하는 광을 조사하는 것을 의미하는 것이 아니며, 엘이디 소자(131)가 해당 구간의 범위에서 특정 영역의 파장대를 갖는다는 의미임을 밝혀둔다. 예를 들어, 제1 엘이디 소자의 경우 265nm의 파장을 갖는 엘이디 소자를 이용할 수 있으며, 제2 엘이디 소자의 경우 340nm의 파장을 갖는 엘이디 소자를, 제3 엘이디 소자의 경우 380nm의 파장을 갖는 엘이디 소자를 이용할 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 전체 엘이디 소자(131)의 10∼15%는 제1 엘이디 소자로, 10∼20%는 제2 엘이디 소자로, 70∼80%는 제3 엘이디 소자로 구성될 수 있다. 다만, 이는 현재 적용 검토 중인 실런트의 특성에 맞추어 설계한 것으로, 실런트의 종류에 따라 보다 다양한 종류의 엘이디를 이용하여 최적의 분포 비율로 구성할 수 있음은 물론이다.
나아가, 본 실시예에서는 모든 엘이디 소자(131)가 자외선 파장을 조사하도록 구성하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 특정 파장대의 가시광선을 조사하는 엘이디 소자(131)를 이용하여 구성할 수 있음을 밝혀둔다.
이하에서는 전술한 제1실시예에 의한 실런트 경화장치(100)의 동작에 대하여 설명한다.
우선 마스크(M)가 로봇암(미도시) 등에 의해 챔버(110) 내로 반입된다. 챔버(110) 내로 마스크(M)가 반입되면 리프트 핀(150)이 상승하여 상기 마스크(M)를 지지 또는 흡착하게 된다. 마스크 고정부(120)는 리프트 핀(150)에 의해 지지된 마스크(M)를 흡착하거나 클램프(미도시) 등에 의해 고정하는 등의 방법으로 마스크 고정부(120)에 고정시킨다.
마스크(M)의 고정이 종료되면 기판(S)이 챔버(110) 내로 반입되고, 리프트 핀(150)이 다시 상승하여 기판(S)을 지지 또는 흡착하게 된다. 후에 리프트 핀(150)은 하강하여 기판(S)을 기판 스테이지(140)에 안착시킨다.
기판(S)이 안착되면, 마스크 고정부(120)는 마스크(M)가 기판(S)에 근접하도록 기판 스테이지(140)를 향해 하강하고 기판 스테이지(140)에 설치된 카메라(180)는 조명창(141)을 통해 얼라인 마크(미도시)를 촬영한다. 촬영된 얼라인 마크(미도시)를 바탕으로 마스크(M)가 기판(S)이 정렬되도록 정렬 스테이지(170)가 구동하게 되고, 정렬 후 마스크와 기판(S)이 접하면 기판 스테이지(140)가 노광부(130)로 상승하거나 노광부(130)가 기판 스테이지(140)로 하강하여 기판(S)과 노광부(130)를 근접시킨다.
기판(S)과 노광부(130)가 근접하면 노광부(130)에 설치된 엘이디 소자(131)에서 자외선이 조사되어 기판(S)에 도포된 실런트가 경화되게 된다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 실런트 경화장치에 대하여 설명하도록 한다. 다만, 설명의 편의를 위하여 제 1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용하고, 제 1실시예와 공통되는 부분은 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 실런트 경화장치의 노광부(130) 저면을 도시한 저면도이다.
제 1실시예에서는 기판 스테이지(140)에 대응되는 크기로 엘이디 모듈(131,132)을 구비한 후, 기판의 전 범위에 걸쳐 자외선을 조사할 수 있도록 엘이디 소자(131)를 설치하였다. 이에 비해, 본 실시예에서는 전 범위에 걸쳐 자외선을 조사하지 않고, 노광 공정이 필요한 영역으로만 자외선을 조사하도록 구성할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 엘이디 모듈(131,132)은 회로 기판 및 회로 기판에 설치되는 복수개의 엘이디 소자(131)를 이용하여 구성된다. 이때, 각각의 소자는 다른 광원에 비해 미세한 크기의 광원을 형성하는 바, 회로 기판 상에 소정의 패턴을 형성하도록 설치되는 것이 가능하다.
여기서, 복수개의 엘이디 소자(131)는 기판(S) 상에 실런트가 도포된 패턴과 대응되는 패턴으로 설치되는 것이 바람직하다. 따라서 회로기판(132)의 전면적에 엘이디 소자(131)를 설치하여 노광 공정을 진행하는 것에 비해, 전력 소모를 현저하게 줄일 수 있다.
나아가, 본 실시예에 의할 경우 별도의 마스크(M)를 이용하지 않고 노광공정을 진행하는 것이 가능하다. 본 발명에서 이용하는 엘이디 소자(131)에서 조사되는 빛은 종래의 광원에 비해 직진성이 뛰어나다. 따라서 본 실시예와 같이 기판의 실런트 패턴에 대응되도록 엘이디 소자(131)가 설치되는 경우, 기판(S)을 노광부(130) 저면에 근접시킴으로서 실런트가 도포된 위치에만 노광 공정을 진행하는 것이 가능하다.
도 5는 마스크(M)를 이용하지 않고 노광공정을 진행할 수 있도록 엘이디 소자(131)의 조사 방향에 대략 수직하게 집광렌즈(133)를 설치한 노광부에 대한 개략도이다.
일반적으로 양 기판 사이에 도포되는 실런트(162)의 폭은 약 0.6mm - 1.2mm 이고, 엘이디 소자(131)에서 조사되는 빔의 폭은 약 10mm 내외이다. 이처럼 실런트(162)가 도포된 폭이 엘이디 소자(131)에 의해 조사되는 빔의 폭 보다 좁은 경우에 마스크(M)를 사용하지 않는다면, 실런트(162)가 도포된 부분 뿐만 아니라 실런트(162) 주변부에 위치하는 액정(161)에 자외선이 조사되어 액정(161)이 오염되게 된다.
따라서 엘이디 소자(131)에서 조사되는 자외선이 실런트(162)가 도포된 부분으로만 조사되도록 엘이디 소자(131)의 조사 방향에 대략 수직하게 집광렌즈(133)를 설치하여 빔의 폭이 실런트(162)가 도포된 폭에 대응되도록 구성할 수 있다. 상기와 같은 구성에 의해 실런트 경화공정에서 마스크(M)를 사용하지 않고도 기판(S) 사이에 존재하는 액정(161)이 자외선에 의해 오염되지 않게 함과 동시에 실런트를 경화시킬 수 있다.
상기와 같이 집광렌즈(133)를 추가로 구성하는 것은 본 실시예 뿐만 아니라, 상술한 제1 실시예에서도 적용될 수 있으며, 후술할 제3 실시예에서도 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시예에 의한 실런트 경화장치는 제1 실시예와 비교하여 마스크(M) 고정 및 마스크(M)의 위치 조절을 위한 구성요소가 필요하지 않으므로, 보다 단순한 구조의 실런트 경화장치를 제공할 수 있다. 또한, 제1 실시예와 비교하여 노광 공정시 마스크(M)를 설치하고 이동시키는 각종 제어를 생략할 수 있으므로, 공정 시간을 단축시켜 패널의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 실런트 경화장치(200)를 설명하도록 한다. 다만, 설명의 편의를 위하여 제1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용하고, 제1실시예와 공통되는 부분은 설명을 생략한다.
도 6는 본 발명의 제3실시예에 따른 실런트 경화장치(200)의 정면도이고, 도 7는 본 발명의 제3실시예에 따른 노광부(130)의 개략적 저면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이 본 실시예의 실런트 경화장치(200)는 상기 기판 스테이지(140) 상부에 위치하며 바 형태의 유닛으로 형성된 노광부(130)를 구비한다. 상기 노광부(130)는 상기 기판 스테이지(140)에 설치된 수평 이송기(210)에 결합된다.
도 6에 도시된 바와 같이 수평 이송기(210)는 상기 노광부(130)가 결합되는 노광부지지부(211)와 상기 수평 이송기(210)가 수평으로 이동될 수 있도록 지지하는 가이드레일(220) 및 노광부지지부(211)와 결합되어 가이드레일(220)을 따라 움직이는 수평 이동대(212)를 포함하여 구성된다. 상기 수평 이송기(210)는 서보모터나 볼스크류를 이용하여 구성될 수 있다.
따라서 수평 이동대(212)가 가이드레일(220)을 따라 이동하면 상기 바 형태의 노광부(130)는 기판(S) 면을 따라 수평으로 이동하며 자외선을 조사하게 된다.
도 6에 도시된 수평 이송기(210)는 노광부(130)를 수평이동하기 위한 장치의 한 예시에 불과하며, 수평 이송기(210)는 기판 스테이지(140)와 결합되지 않고 챔버(110)의 상부에 별도의 이송부를 설치하여 기판(S) 면을 따라 수평으로 이동할 수 있도록 설치되는 등 다양한 방법으로 구성될 수 있다.
본 실시예에 의한 실런트 경화장치(200)는 도 7에 도시된 바와 같이 바 형태의 노광부(130)가 기판 스테이지(140) 상에 위치하는 기판(S) 면을 따라 수평으로 이동하며 자외선을 조사하게 된다. 따라서 상기 노광부(130)가 기판(S) 면적만큼 큰 사이즈로 구성될 필요가 없고, 바 형태의 상기 노광부(130)는 넓은 면적을 갖는 노광부(130)에 비해 상대적으로 적은 개수의 엘이디 소자(131)를 사용하므로 에너지 소비량을 줄일 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 전술한 제3 실시예에 의한 실런트 경화장치(200)의 동작에 대하여 설명한다.
전술한 제1실시예의 동작과 마스크(M)의 반입 및 고정 과정, 기판(S)의 반입 및 고정 과정, 마스크(M)와 기판(S)을 접하게 하는 과정은 동일하므로 설명을 생략한다.
마스크(M)와 기판(S)이 인접하게 되면 마스크 고정부(120)는 마스크(M)와 분리되어 상승하게 되고 노광부(130)는 마스크(M)와 일정 간격 이격되어 마스크(M)의 상면을 따라 수평으로 이동하며 자외선을 조사함으로 기판(S)에 도포된 실런트를 경화하게 된다.
100, 200: 실런트 경화장치
110: 챔버
130: 노광부
131: 엘이디 소자
132: 회로기판

Claims (10)

  1. 챔버(110);
    상기 챔버(110)의 내측에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 스테이지(140); 및
    상기 챔버(110)의 내측에서 상기 기판 스테이지(140)의 상측에 배치되며, 상기 기판 스테이지(140)에 구비된 가이드레일(220)을 따라 이동하는 수평 이동대(212)와 노광부지지부(211)에 의해 연결되어 상기 가이드레일(220)을 따라 이송하는 노광부(130)를 포함하되,
    상기 노광부(130)는 상기 기판에 도포되는 실런트의 패턴과 대응되는 패턴으로 설치되는 복수 개의 엘이디 소자를 포함하는 엘이디 모듈(131, 132)과, 상기 기판과 상기 복수 개의 엘이디 소자 사이에서 상기 복수 개의 엘이디 소자에 대응하도록 복수 개로 구비되어 상기 복수 개의 엘이디 소자로부터 조사되는 자외선을 상기 실런트가 도포된 부분으로 집속시키는 집광렌즈(133)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실런트 경화장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 엘이디 소자는 서로 다른 파장 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 실런트 경화장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 엘이디 모듈은 240nm 이상 300nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제1 엘이디 소자, 300nm 이상 365nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제2 엘이디 소자 및 365nm 이상 400nm 이하의 파장대에 속하는 자외선을 조사하는 제3 엘이디 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 실런트 경화장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 엘이디 모듈은 상기 복수 개의 엘이디 소자 및 상기 복수 개의 엘이디 소자가 소정의 패턴으로 설치되는 회로기판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 실런트 경화장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 노광부는 바 형태의 유닛으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실런트 경화장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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