JPH04321217A - レジスト硬化装置 - Google Patents

レジスト硬化装置

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Publication number
JPH04321217A
JPH04321217A JP9017891A JP9017891A JPH04321217A JP H04321217 A JPH04321217 A JP H04321217A JP 9017891 A JP9017891 A JP 9017891A JP 9017891 A JP9017891 A JP 9017891A JP H04321217 A JPH04321217 A JP H04321217A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling device
contact
heating plate
cooling
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9017891A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Oyabu
大薮 誠
Kouichi Takene
浩一 竹根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9017891A priority Critical patent/JPH04321217A/ja
Publication of JPH04321217A publication Critical patent/JPH04321217A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線の持つ化学作用を
利用した半導体用レジスト硬化装置の冷却室の構造に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波誘導加熱室と冷却室を別置
きにしたタイプの代表的な半導体用レジスト硬化装置の
縦断面図の一例を図4に示す。
【0003】図4において、1はレジスト硬化処理室、
2は加熱板、3はレジスト塗布基板、4は高周波誘導加
熱装置、5は紫外線透過板、6は紫外線、7aは底板、
7bは基板搬送口、7b1 ,7b2 は側板、7cは
上板、8は冷却装置、9は冷却室である。
【0004】更に図5,図6は図4の冷却装置8の詳細
図を示す図である。図5は加熱板2と冷却装置8が接触
しない状態を示したものである。図6は両者が接触して
いる状態を示したもので、この状態で冷却装置8はレジ
スト塗布基板3を冷却する。
【0005】図5,図6で8−1は冷却装置上部フラン
ジ、8−2は同下部フランジ、8−3は取り付け座、8
−4はエアーシリンダのピストン、8−5はエアーシリ
ンダ、8−5−1は同用空気下部取り出し口、8−5−
2は同用空気上部取り出し口、8−6はエアーシリンダ
固定枠、8−7は加熱板固定枠、8−8は冷却水取入れ
口、8−9は冷却水取り出し口である。
【0006】レジスト塗布基板3は処理室1で紫外線照
射と加熱によるレジスト硬化処理が終わると搬送系によ
り冷却室9に搬送され定位置に停止する。この時、図5
にて示すように冷却装置8は加熱板2と一定の距離をお
いて離れた位置にある。この冷却装置8はエアーシリン
ダ8−5のピストン8−4とボルト等により剛に結合さ
れ、上下に駆動される。次に図6に示すように冷却装置
8はエアーシリンダ8−5により上方に動かされ加熱板
2に密着し、主に熱伝導により加熱板2を介してレジス
ト基板3を冷却する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでの説
明で明かなように冷却装置8が駆動シリンダ8−5のピ
ストン8−4と剛結合であるため、冷却するに必要な部
材間の接触、すなわち加熱板2と冷却装置の接触が片当
りとなり効率良い冷却が行われ難いと言う欠点があった
。またこの片当りは長時間の精密な調整により避けられ
るが装置組み立ておよび性能維持は多くのエネルギを必
要とする。 [発明の構成]
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は紫外
線の持つ化学作用を利用した半導体レジスト硬化装置の
基板冷却装置と基板加熱板の接触を柔構造とすることに
よって上記欠点が大幅に改良される。
【0009】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明する
。図1,図2は本発明の一実施例の基板冷却装置の断面
図である。
【0010】図1は加熱板2と冷却装置8が接触しない
状態を示したものである。図2は両者が接触している状
態を示したもので、この状態で冷却装置8はレジスト塗
布基板3を冷却する。なお図1,図2は図5と同一部分
には同符号を付し、重複した説明を省略する。
【0011】図1において、冷却装置8の下部フランジ
8−2と取り付け座8−3は一体ではなく、図1のA−
A断面図である図3にて明らかなように両者はピストン
8−4の軸芯と同心円上に等配されたバネ8−8を介し
て接触している。このバネ8−8はバネ定数および形状
が同じである。また取り付け座8−3の外周は下部フラ
ンジ8−2と互いに駆動方向の動きを拘束しない程度の
インローになっている。図1のまだ加熱板2と接触しな
い状態においても十分インローのままである。次に以上
の構成による本発明の作用を説明する。
【0012】レジスト塗布基板3は処理室1で紫外線照
射と加熱によるレジスト硬化処理が終わると搬送系によ
り冷却室9に搬送され定位置に停止する。この時、図1
にて示すように冷却装置8は加熱板2と一定の距離をお
いて離れた位置にある。この冷却装置8はピストン8−
4とバネ8−8を介して柔結合されている。次に図2に
示すように冷却装置8はエアーシリンダ8−5により上
方に動かされ加熱板2に密着し、主に熱伝導により加熱
板2を介してレジスト基板3を冷却する。この時、組み
立て等によるこれら部材間の片当りによる冷却上の不具
合はバネ定数および形状が同じであるバネ8−8が冷却
装置下部フランジ8−2と取り付け座8−3の間にある
ため、冷却装置8と加熱板2を密着させる。
【0013】これまでの説明で明かなように冷却装置8
が駆動シリンダ8−5のピストン8−4とバネ8−8を
介した柔結合であるため、冷却するに必要な部材間の接
触、すなわち加熱板2と冷却装置8の接触が片当りが解
消され効率良い冷却が行われる。
【0014】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
冷却装置8が駆動シリンダ8−5のピストン8−4はバ
ネ8−8を介した柔結合であるため、冷却するに必要な
部材間の接触、すなわち加熱板2と冷却装置8の接触が
片当りが解消され効率良い冷却が行われる。またこれに
より従来必要とされた片当りを小さくするための長時間
の精密な調整作業は避けられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部断面図。
【図2】本発明の一実施例の要部断面図。
【図3】図1のA−A断面図。
【図4】紫外線硬化装置処理室の要部断面図。
【図5】従来構造の要部断面図。
【図6】従来構造の要部断面図。
【符号の説明】
1…レジスト硬化処理室、      2…加熱板、3
…レジスト塗布基板、        4…高周波誘導
加熱装置、5…紫外線透過板、           
 6…紫外線、7a…底板、            
      7b…基板搬送口、7a1 …側板、  
    7b2 …側板、7c…上板、       
           8…冷却装置、8−1…冷却装
置上部フランジ、8−2…同下部フランジ、8−3…取
り付け座、  8−4…ピストン、8−5…エアーシリ
ンダ、      8−6…同固定枠、8−7…加熱板
固定枠、        8−8…バネ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  紫外線の持つ化学作用を利用した半導
    体用レジスト硬化装置において、基板冷却装置がバネを
    介して基板加熱板と接触することを特徴とするレジスト
    硬化装置。
JP9017891A 1991-04-22 1991-04-22 レジスト硬化装置 Pending JPH04321217A (ja)

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JP (1) JPH04321217A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004261801A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004261801A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置

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