JPH02214864A - レジスト硬化方法およびその装置 - Google Patents
レジスト硬化方法およびその装置Info
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- JPH02214864A JPH02214864A JP3682589A JP3682589A JPH02214864A JP H02214864 A JPH02214864 A JP H02214864A JP 3682589 A JP3682589 A JP 3682589A JP 3682589 A JP3682589 A JP 3682589A JP H02214864 A JPH02214864 A JP H02214864A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶テレビ、固体撮像素子等に用いる着色フォ
トレジストなどのレジストの硬化方法および装置に関す
る。
トレジストなどのレジストの硬化方法および装置に関す
る。
従来の技術
従来、ガラス基板上に液状の着色フォトレジストを塗布
した後、このレジストを乾燥硬化しかつレジストのガラ
ス基板への接着性を確保する工程では８０℃〜１００℃
の比較的高温のホットプレート上にガラス基板を置いて
接触伝導加熱していた。
した後、このレジストを乾燥硬化しかつレジストのガラ
ス基板への接着性を確保する工程では８０℃〜１００℃
の比較的高温のホットプレート上にガラス基板を置いて
接触伝導加熱していた。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記の様な硬化方法では、硬化後のレジスト
表面に第４図に示すようなりレータ状の凹凸が発生し表
面平滑性が損なわれ、その結果分光透過率が低下すると
いう問題点があった。 第４図において、１はガラス
基板、２はレジスト、３はレジスト２の膜表面にできた
クレータである。
表面に第４図に示すようなりレータ状の凹凸が発生し表
面平滑性が損なわれ、その結果分光透過率が低下すると
いう問題点があった。 第４図において、１はガラス
基板、２はレジスト、３はレジスト２の膜表面にできた
クレータである。
クレータ３の直径は０．５〜１．０ミクロンで、約０．
２ミクロン程度周囲の正常な膜面よりへこんでおり、ク
レータ３の縁は僅かに盛り上がっている。 これはレ
ジスト２を塗布したガラス基板１を高温のホットプレー
トにのせた時に急激な加熱が行われてレジスト２中に存
在していた微小な気泡が急膨張して突沸現象を呈し、そ
のとき未硬化のレジストの流動を同時に引き起こし、突
沸が終った後表面のレベリングが充分行われないまま硬
化してしまい、その結果クレータ状の凹凸が生成したと
考えられる。レジスト２中の気泡は、スピンナーによる
レジスト塗布時に空気を巻き込んだり、あるいは大気中
に浮遊するダストがその表面に空気を保持したままレジ
スト膜中に侵入することによって存在する。
２ミクロン程度周囲の正常な膜面よりへこんでおり、ク
レータ３の縁は僅かに盛り上がっている。 これはレ
ジスト２を塗布したガラス基板１を高温のホットプレー
トにのせた時に急激な加熱が行われてレジスト２中に存
在していた微小な気泡が急膨張して突沸現象を呈し、そ
のとき未硬化のレジストの流動を同時に引き起こし、突
沸が終った後表面のレベリングが充分行われないまま硬
化してしまい、その結果クレータ状の凹凸が生成したと
考えられる。レジスト２中の気泡は、スピンナーによる
レジスト塗布時に空気を巻き込んだり、あるいは大気中
に浮遊するダストがその表面に空気を保持したままレジ
スト膜中に侵入することによって存在する。
このように、従来のレジスト硬化方法ではレジスト硬化
後に表面の平滑性が損なわれ、分光透過率が低下する問
題点があった。
後に表面の平滑性が損なわれ、分光透過率が低下する問
題点があった。
課題を解決するための手段
本発明は上記問題点を解消するため、レジストをガラス
基板上に塗布後、前記基板の裏面ら先ず低温で接触伝導
加熱しレジストに流動性を失わせた後、高温で再び接触
伝導加熱するものである。
基板上に塗布後、前記基板の裏面ら先ず低温で接触伝導
加熱しレジストに流動性を失わせた後、高温で再び接触
伝導加熱するものである。
又、低温加熱から高温加熱への切り換えは、レジストに
含まれている溶剤濃度又はレジストの膜厚を検出して行
うことができる。
含まれている溶剤濃度又はレジストの膜厚を検出して行
うことができる。
作 用
本発明は上記した方法により基板上に塗布したレジスト
を先ず低温で接触伝導加熱するため、溶剤を徐々に蒸発
させ、レジスト中の気泡の急膨張による突沸現象が起こ
らず、表面の平滑性を保持したまま流動性を失って硬化
し、その後品温で再び接触伝導加熱してレジスト中溶剤
の蒸発除去とレジストのガラス基板に対する接着性を確
保することができる。
を先ず低温で接触伝導加熱するため、溶剤を徐々に蒸発
させ、レジスト中の気泡の急膨張による突沸現象が起こ
らず、表面の平滑性を保持したまま流動性を失って硬化
し、その後品温で再び接触伝導加熱してレジスト中溶剤
の蒸発除去とレジストのガラス基板に対する接着性を確
保することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。なお、第１図〜第４図において共通する構成要素には
同一番号を付している。
。なお、第１図〜第４図において共通する構成要素には
同一番号を付している。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例におけるレジ
スト硬化方法の工程を示した図である。
スト硬化方法の工程を示した図である。
第１図（ａ） において、４はアルミニウム、銅、鉄
等の熱の良導体よりなり、低温に設定した低温用レジス
ト硬化用ホットプレートであり、ホットプレート表面の
温度を６０°Ｃに設定している。２は、感光性樹脂に顔
料を分散した着色フォトレジストで、例えば富士ハント
エレクトロニクステクノロジー（株）製のカラーモザイ
クＣＢＶである。第１図（ａ）はこのレジスト２をガラ
ス基板１上にスピンナにより均一に塗布し、かつホット
プレート４上に載せた直後の状態を示している。このと
きレジスト２は未硬化で溶剤成分を多く含んでおり流動
性を有している。
等の熱の良導体よりなり、低温に設定した低温用レジス
ト硬化用ホットプレートであり、ホットプレート表面の
温度を６０°Ｃに設定している。２は、感光性樹脂に顔
料を分散した着色フォトレジストで、例えば富士ハント
エレクトロニクステクノロジー（株）製のカラーモザイ
クＣＢＶである。第１図（ａ）はこのレジスト２をガラ
ス基板１上にスピンナにより均一に塗布し、かつホット
プレート４上に載せた直後の状態を示している。このと
きレジスト２は未硬化で溶剤成分を多く含んでおり流動
性を有している。
レジスト２はガラス基板１を介してホットプレート４か
ら加熱される。しかし、ホットプレート４の温度が低い
ためガラス基板１の温度上昇はゆるやかである。従って
レジスト２に対する熱流束も小さく、レジスト２中に含
まれた気泡の成長は緩慢で突沸現象も起こらずレジスト
表面の平滑性は保たれたまま硬化する（第１図（ｂ））
。
ら加熱される。しかし、ホットプレート４の温度が低い
ためガラス基板１の温度上昇はゆるやかである。従って
レジスト２に対する熱流束も小さく、レジスト２中に含
まれた気泡の成長は緩慢で突沸現象も起こらずレジスト
表面の平滑性は保たれたまま硬化する（第１図（ｂ））
。
次に、このガラス基板１を高温に設定した高温用レジス
ト硬化用ホットプレート５上に置いてレジスト２の再加
熱を行う（第１図（Ｃ））。ホットプレート５の温度は
１００℃に設定されている。この高温での再加熱は低温
のホットプレート４で充分蒸発しきれなかった溶剤をほ
ぼ完全に除去し、さらに現像時にレジスト膜がガラス基
板１から剥離しないようにレジスト２をガラス基板１と
の接着性を向上させるために必要である。
ト硬化用ホットプレート５上に置いてレジスト２の再加
熱を行う（第１図（Ｃ））。ホットプレート５の温度は
１００℃に設定されている。この高温での再加熱は低温
のホットプレート４で充分蒸発しきれなかった溶剤をほ
ぼ完全に除去し、さらに現像時にレジスト膜がガラス基
板１から剥離しないようにレジスト２をガラス基板１と
の接着性を向上させるために必要である。
表は、低温用ホットプレート４（温度ＴＩ）と高温用ホ
ットプレート５（温度Ｔ２）の設定温度の組合せと、そ
のときのクレータ発生状況を示している。
ットプレート５（温度Ｔ２）の設定温度の組合せと、そ
のときのクレータ発生状況を示している。
ホットプレート上に保持する時間は低温用が３０秒、高
温用が６０秒である。レジスト２は前述のＣＢＶで、膜
厚は硬化後で約２ミクロンである。
温用が６０秒である。レジスト２は前述のＣＢＶで、膜
厚は硬化後で約２ミクロンである。
（シズ下仔ｂ）
表 クレータ発生状況
表かられかるように、低温用ホットプレート４の温度Ｔ
１が７０°Ｃ以下でクレータは発生していない。低温用
ホットプレート４で加熱する時間は３０秒で、この間に
レジスト２は硬化を終了し流動性がなくなり、高温用ホ
ットプレート５ （１００°Ｃ）で再加熱してもクレー
タは発生しない。
１が７０°Ｃ以下でクレータは発生していない。低温用
ホットプレート４で加熱する時間は３０秒で、この間に
レジスト２は硬化を終了し流動性がなくなり、高温用ホ
ットプレート５ （１００°Ｃ）で再加熱してもクレー
タは発生しない。
なお、低温用ホットプレート４の温度はここでは７０℃
以下が適していたが、この温度はレジスト２に含まれる
溶剤の種類、レジスト２の膜厚によって種々に変わりう
る数値である。また、本実施例では低温用と高温用と二
つホットプレート４．５を設けたが、一つのホットプレ
ートで低温と高温を時間的に変化させてもよい。
以下が適していたが、この温度はレジスト２に含まれる
溶剤の種類、レジスト２の膜厚によって種々に変わりう
る数値である。また、本実施例では低温用と高温用と二
つホットプレート４．５を設けたが、一つのホットプレ
ートで低温と高温を時間的に変化させてもよい。
第２図はレジスト２に含まれる溶剤濃度を検出する機能
を付加したレジスト硬化装置の一例である。溶剤濃度を
検出する方法として溶剤の成分分子の赤外線に対する吸
収特性を利用するＦ’ｒ−ＩＲ（フーリエ変換赤外吸収
分析法）をここでは用いている。
を付加したレジスト硬化装置の一例である。溶剤濃度を
検出する方法として溶剤の成分分子の赤外線に対する吸
収特性を利用するＦ’ｒ−ＩＲ（フーリエ変換赤外吸収
分析法）をここでは用いている。
第２図において、６はＦＴ−ＩＲ光学系で、赤外線７を
レジスト膜２に照射し反射光７′を受光し、ＦＴ−ＩＲ
演算処理部８で溶剤成分分子による吸収度合から溶剤濃
度を計測する。９は設定温度が可変のホットプレートで
、レジスト２を塗布されたばかりのガラス基板１を置く
ときは低温に設定されている。溶剤濃度の値はコントロ
ーラ１０に入力され、規定値以下の溶剤濃度になった場
合、即ちレジストに流動性がなくなったことを検知して
、ホットプレート９に埋め込まれたヒータ１１に供給す
る電力を変化させホットプレート９の温度を高温にして
再加熱を行う。
レジスト膜２に照射し反射光７′を受光し、ＦＴ−ＩＲ
演算処理部８で溶剤成分分子による吸収度合から溶剤濃
度を計測する。９は設定温度が可変のホットプレートで
、レジスト２を塗布されたばかりのガラス基板１を置く
ときは低温に設定されている。溶剤濃度の値はコントロ
ーラ１０に入力され、規定値以下の溶剤濃度になった場
合、即ちレジストに流動性がなくなったことを検知して
、ホットプレート９に埋め込まれたヒータ１１に供給す
る電力を変化させホットプレート９の温度を高温にして
再加熱を行う。
また第３図はレジストの流動性がなくなったことの判定
手段として、レジスト２の膜厚変化を利用するレジスト
硬化装置の一例である。レジスト２は重量割合で７５％
の溶剤を含んでおり、従ってレジスト２を硬化させる前
と、加熱が始まり溶剤が蒸発してレジスト２の流動性が
失われたときとでは膜厚が１／４に減少することになる
。１２はレーザ変位計で、レーザ光１３をレジスト２の
表面に照射しその表面からの反射光１３゛を検出し、演
算処理器１４でレジスト２の膜厚を計算するもので、レ
ジスト２の膜厚が約１／４に減少したとき、演算処理器
１４と接続されたコントローラ１５はホットプレート９
に埋め込まれたヒータ１１に供給する電力を変化させ、
ホットプレート９の温度を高温にして再加熱を行う。レ
ジストの流動性が失われる時間はレジストの溶剤種類、
塗布膜厚等により変化するが、これら第２図および第３
図に示した硬化装置を用いた方法によれば自動的にしか
も効率的に低温加熱と甚温による再加熱が行える。
手段として、レジスト２の膜厚変化を利用するレジスト
硬化装置の一例である。レジスト２は重量割合で７５％
の溶剤を含んでおり、従ってレジスト２を硬化させる前
と、加熱が始まり溶剤が蒸発してレジスト２の流動性が
失われたときとでは膜厚が１／４に減少することになる
。１２はレーザ変位計で、レーザ光１３をレジスト２の
表面に照射しその表面からの反射光１３゛を検出し、演
算処理器１４でレジスト２の膜厚を計算するもので、レ
ジスト２の膜厚が約１／４に減少したとき、演算処理器
１４と接続されたコントローラ１５はホットプレート９
に埋め込まれたヒータ１１に供給する電力を変化させ、
ホットプレート９の温度を高温にして再加熱を行う。レ
ジストの流動性が失われる時間はレジストの溶剤種類、
塗布膜厚等により変化するが、これら第２図および第３
図に示した硬化装置を用いた方法によれば自動的にしか
も効率的に低温加熱と甚温による再加熱が行える。
発明の効果
本発明はガラス基板等の上に均一にレジストを塗布した
後、ガラス基板裏面より低温で接触伝導加熱するため、
レジスト表面にクレータを生じることなく硬化すること
ができ、さらに高温で再び接触伝導加熱することにより
レジストとガラス基板との接着性も確保することができ
、安定で信頼性のあるレジスト膜を基板上に形成できる
。
後、ガラス基板裏面より低温で接触伝導加熱するため、
レジスト表面にクレータを生じることなく硬化すること
ができ、さらに高温で再び接触伝導加熱することにより
レジストとガラス基板との接着性も確保することができ
、安定で信頼性のあるレジスト膜を基板上に形成できる
。
また、レジストの流動性がなくなったことを溶剤濃度の
減少あるいは膜厚の減少によって判定し、低温での接触
伝導加熱時間を制御することができ、レジスト硬化を効
率的に行うことができる。
減少あるいは膜厚の減少によって判定し、低温での接触
伝導加熱時間を制御することができ、レジスト硬化を効
率的に行うことができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例におけるレジ
スト硬化方法を示す工程図、第２図はレジスト中の溶剤
濃度を検出しホットプレート温度を制御する機能を付加
したレジスト硬化装置の一例の構成図、第３図はレジス
トの膜厚を検出しホットプレート温度を制御する機能を
付加したレジスト硬化装置の一例の構成図、第４図は従
来の硬化方法による場合のレジスト表面のクレータを示
す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・レジスト、３・・・クレ
ータ、４・・・低温用ホットプレート、５・・・高温用
ホットプレート、６・・・ＦＴ−ＩＲ光学系、９・・・
設定温度可変ホットプレート、１２・・・レーザ変位計
。
スト硬化方法を示す工程図、第２図はレジスト中の溶剤
濃度を検出しホットプレート温度を制御する機能を付加
したレジスト硬化装置の一例の構成図、第３図はレジス
トの膜厚を検出しホットプレート温度を制御する機能を
付加したレジスト硬化装置の一例の構成図、第４図は従
来の硬化方法による場合のレジスト表面のクレータを示
す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・レジスト、３・・・クレ
ータ、４・・・低温用ホットプレート、５・・・高温用
ホットプレート、６・・・ＦＴ−ＩＲ光学系、９・・・
設定温度可変ホットプレート、１２・・・レーザ変位計
。
Claims (5)
- （１）レジストを基板上に塗布し、前記基板の裏面から
先ず低温で接触伝導加熱しレジストの流動性を失わせた
後、高温で再び接触伝導加熱を行うことを特徴とするレ
ジスト硬化方法。 - （２）低温で接触伝導加熱する際に、レジストに含まれ
ている溶剤濃度を検出することを特徴とする請求項１記
載のレジスト硬化方法。 - （３）低温で接触伝導加熱する際に、レジスト膜の膜厚
を検出することを特徴とする請求項１記載のレジスト硬
化方法。 - （４）レジストを塗布された基板の裏面に接触して伝導
加熱する加熱温度調節可能な加熱手段と、レジストに含
まれている溶剤濃度を検出する手段とを備えたことを特
徴とするレジスト硬化装置。 - （５）請求項４記載のレジスト硬化装置における溶剤濃
度検出手段に代えて、レジストの膜厚を検出する手段を
備えたことを特徴とするレジスト硬化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3682589A JPH02214864A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト硬化方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3682589A JPH02214864A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト硬化方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214864A true JPH02214864A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12480527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3682589A Pending JPH02214864A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト硬化方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JP2004261801A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 |
| JP2010217086A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Anritsu Corp | 印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置 |
| JP2012206411A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3682589A patent/JPH02214864A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JP2004261801A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
| JP2010217086A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Anritsu Corp | 印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置 |
| JP2012206411A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | 電子部品の製造方法 |
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