JPH01225120A - プレベーク装置 - Google Patents
プレベーク装置Info
- Publication number
- JPH01225120A JPH01225120A JP5104388A JP5104388A JPH01225120A JP H01225120 A JPH01225120 A JP H01225120A JP 5104388 A JP5104388 A JP 5104388A JP 5104388 A JP5104388 A JP 5104388A JP H01225120 A JPH01225120 A JP H01225120A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heater
- semiconductor wafer
- hot plate
- measuring instrument
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプレベーク装置に関し、特に半導体ウェーハの
レジスト膜用のプレベーク装置に関する。
レジスト膜用のプレベーク装置に関する。
従来のプレベーク装置は、第２図（ａ）、（ｂ）の平面
図及びｘ−ｘ’線断面図に示すように、ヒーター７を内
蔵するし−タブロック１と、ヒータブロック上面に設け
たウェーハチャック２と、ウェーハチャック２の上に搭
載した半導体ウェーハを吸着させるための真空配管３と
、ヒータブロックの表面近傍に装着して温度を測定する
ための熱電対８とを備えて構成したホットプレートと、
熱電対８の電位を検知してヒータブロックの温度を所定
の値に設定するためにヒータ７への供給電力を制御する
温度制御器５とを有していた。
図及びｘ−ｘ’線断面図に示すように、ヒーター７を内
蔵するし−タブロック１と、ヒータブロック上面に設け
たウェーハチャック２と、ウェーハチャック２の上に搭
載した半導体ウェーハを吸着させるための真空配管３と
、ヒータブロックの表面近傍に装着して温度を測定する
ための熱電対８とを備えて構成したホットプレートと、
熱電対８の電位を検知してヒータブロックの温度を所定
の値に設定するためにヒータ７への供給電力を制御する
温度制御器５とを有していた。
半導体ウェーハ上に形成したレジスト膜のプレベークの
条件によって、バターニングされたレジスト膜の線幅が
大きく変化することが、第３図のベーク時間とレジスト
パターンの線幅の関係を示す図（サイエンスフォーラム
発行 半導体製造装置実用便覧 図−７６より引用）に
示されるように知られている。即ち、ホットプレート方
式のプレベークはベーク時間を一定とすると、線幅はベ
ーク温度により大きく変動し、所定の線幅を得るために
はベース温度を厳密に制御する必要がある。
条件によって、バターニングされたレジスト膜の線幅が
大きく変化することが、第３図のベーク時間とレジスト
パターンの線幅の関係を示す図（サイエンスフォーラム
発行 半導体製造装置実用便覧 図−７６より引用）に
示されるように知られている。即ち、ホットプレート方
式のプレベークはベーク時間を一定とすると、線幅はベ
ーク温度により大きく変動し、所定の線幅を得るために
はベース温度を厳密に制御する必要がある。
しかしながら、上述した従来のプレベーク装置は、熱電
対によりヒータブロック表面近傍の温度を計測し、得ら
れた温度のデータによりヒータへの供給電力を制御して
間接的に半導体ウェーハの温度を設定しているため、ホ
ットプレートと半導体ウェーハとの密着不良や、ホット
プレートの温度の不均一性等により、半導体ウェーハの
表面の温度を所定の値に正確に設定することが困難とな
り、パターニングされたレジスト膜の線幅を再現性よく
制御することができないという問題点がある。
対によりヒータブロック表面近傍の温度を計測し、得ら
れた温度のデータによりヒータへの供給電力を制御して
間接的に半導体ウェーハの温度を設定しているため、ホ
ットプレートと半導体ウェーハとの密着不良や、ホット
プレートの温度の不均一性等により、半導体ウェーハの
表面の温度を所定の値に正確に設定することが困難とな
り、パターニングされたレジスト膜の線幅を再現性よく
制御することができないという問題点がある。
本発明の目的は、半導体ウェーハの温度を直接計測して
レジスト膜のパターンを精度良く形成することができる
プレベーク装置を提供することにある。
レジスト膜のパターンを精度良く形成することができる
プレベーク装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、ヒータを内蔵するヒーターブロ
ック及び該ヒーターブロック上面に設けたウェーハチャ
ックを備えたホットプレートと、前記ホットプレート上
に搭載した半導体ウェーハの温度を計測する赤外線計測
器と、前記赤外線計測器のデータにより前記ヒータへの
供給電力を制御する温度制御器とを有している。
ック及び該ヒーターブロック上面に設けたウェーハチャ
ックを備えたホットプレートと、前記ホットプレート上
に搭載した半導体ウェーハの温度を計測する赤外線計測
器と、前記赤外線計測器のデータにより前記ヒータへの
供給電力を制御する温度制御器とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明するための一部断面模
式図である。
式図である。
第１図に示すように、従来例と同様にヒータ（図示せず
）を内蔵したヒータブロック１と、ヒータブロック１の
上面に設けなウェーハチャック２と、ウェーハチャック
２の上に搭載した半導体ウェーハを吸着させるための真
空配管３とを備えて構成したホットプレートの上に、ホ
トレジストを回転塗布した半導体ウェーハ６を搬送し、
ウェーハチャック２の上に搭載して真空配管３により半
導体ウェーハ６の下部の空気を吸引して固定する。次に
、前記ホットプレートの上方に設置した例えばサーモビ
ジョン８７０（株式会社ナック社商品名）等の赤外線計
測器４により、半導体ウェーハ６の表面温度及びその温
度分布を計測しデータを出力する。赤外線計測器４に接
続した温度制御器５は、赤外線計測器４の出力データに
よりヒータブロック１の前記ヒータに供給する電力を制
御し、前記ホットプレートの温度を所定の値に設定して
半導体ウェーハ６の温度を所定の値に設定する。
）を内蔵したヒータブロック１と、ヒータブロック１の
上面に設けなウェーハチャック２と、ウェーハチャック
２の上に搭載した半導体ウェーハを吸着させるための真
空配管３とを備えて構成したホットプレートの上に、ホ
トレジストを回転塗布した半導体ウェーハ６を搬送し、
ウェーハチャック２の上に搭載して真空配管３により半
導体ウェーハ６の下部の空気を吸引して固定する。次に
、前記ホットプレートの上方に設置した例えばサーモビ
ジョン８７０（株式会社ナック社商品名）等の赤外線計
測器４により、半導体ウェーハ６の表面温度及びその温
度分布を計測しデータを出力する。赤外線計測器４に接
続した温度制御器５は、赤外線計測器４の出力データに
よりヒータブロック１の前記ヒータに供給する電力を制
御し、前記ホットプレートの温度を所定の値に設定して
半導体ウェーハ６の温度を所定の値に設定する。
本実施例によって半導体ウェーハ６の表面温度はプレベ
ーク温度１００℃に対して０．５％以下で且つ温度分布
の高低差が±１℃以内の制御が可能となった。
ーク温度１００℃に対して０．５％以下で且つ温度分布
の高低差が±１℃以内の制御が可能となった。
以上説明したように本発明は、赤外線熱計測器を用いて
、半導体ウェーハ表面の温度及び温度分布をリアルタイ
ムに計測し、得られたデータに基づき、ヒータブロック
のヒーターに供給する電力をヒータ毎にそれぞれ調整す
ることにより、半導体ウェーハ表面の温度及び温度分布
を精度良くかつ均一にでき、その結果、パターニングし
たホトレジスト膜のパターンの精度を向上させることが
できるという効果を有する。
、半導体ウェーハ表面の温度及び温度分布をリアルタイ
ムに計測し、得られたデータに基づき、ヒータブロック
のヒーターに供給する電力をヒータ毎にそれぞれ調整す
ることにより、半導体ウェーハ表面の温度及び温度分布
を精度良くかつ均一にでき、その結果、パターニングし
たホトレジスト膜のパターンの精度を向上させることが
できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための一部断面模
式図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来のプレベーク装置の
一例を示す平面図及びｘ−ｘ’線断面図、第３図はベー
ク時間とレジストパターンの線幅の関係を示す図である
。 １・・・ヒータブロック、２・・・ウェーハチャック、
３・・・真空配管、４・・・赤外線計測器、５・・・温
度制御器、６・・・半導体ウェーハ、７・・・ヒータ、
８・・・熱電対。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 図 第 ２ 霞
式図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来のプレベーク装置の
一例を示す平面図及びｘ−ｘ’線断面図、第３図はベー
ク時間とレジストパターンの線幅の関係を示す図である
。 １・・・ヒータブロック、２・・・ウェーハチャック、
３・・・真空配管、４・・・赤外線計測器、５・・・温
度制御器、６・・・半導体ウェーハ、７・・・ヒータ、
８・・・熱電対。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 図 第 ２ 霞
Claims (1)
- ヒータを内蔵するヒータブロック及び該ヒータブロッ
ク上面に設けたウェーハチャックを備えたホットプレー
トと、前記ホットプレート上に搭載した半導体ウェーハ
の温度を計測する赤外線計測器と、前記赤外線計測器の
データにより前記ヒータへの供給電力を制御する温度制
御器とを有することを特徴とするプレベーク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5104388A JPH01225120A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | プレベーク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5104388A JPH01225120A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | プレベーク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225120A true JPH01225120A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12875773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5104388A Pending JPH01225120A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | プレベーク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323375A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Mtc:Kk | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2007311520A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法、熱処理プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP2013536453A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-09-19 | アデイクセン・バキユーム・プロダクト | フォトマスクを乾燥させる装置および方法 |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP5104388A patent/JPH01225120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323375A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Mtc:Kk | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2007311520A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法、熱処理プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP2013536453A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-09-19 | アデイクセン・バキユーム・プロダクト | フォトマスクを乾燥させる装置および方法 |
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