JP4499274B2 - 半導体処理装置における温度測定方法および半導体処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱および冷却を行う半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置に関し、特にRTP(Rapid Thermal Process)等に使用され、イン−サイチュ(in−situ)でウエハ温度を測定するための温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の製造工程には、例えばフォトリソグラフィー工程におけるベーキング処理、成膜処理、アッシング処理等の種々の熱処理工程がある。従来、このような熱処理工程においては、被処理基板(半導体ウエハ)に対向して配置されたハロゲンランプの発光によりこの被処理基板を昇温し、また被処理基板を挟んでハロゲンランプと反対側に配置された放射温度計を使って被処理基板の温度を非接触で測定し、この測定結果に基づいてハロゲンランプの光量を調節して加熱温度を制御していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来より温度測定に用いられている放射温度計は、物体表面から放射されるエネルギーを光−エネルギー変換素子によって受け、非接触で物体の表面温度を測定できるという利点がある。また、使用温度範囲も約100〜3,000℃と幅広いという特徴がある。
【0004】
しかしながら、このような放射温度計は温度測定の際に物体表面の放射率が必要であるが、放射率が正確に測定できないことから、温度測定精度が約5〜20℃と低いという問題点がある。特に物体を高速昇温または降温させた場合、放射率の温度に対する依存性が高いので正確な温度測定が困難となる。また、温度、光の波長、CVD(Chemical Vapor Deposition )における成膜材料の種類および膜厚等に依存するという問題点もある。また、校正が難しいという問題点もある。さらに、放射率を測定しながら温度測定をする放射温度計は非常に高価という問題点もある。
【0005】
本発明は、このような問題点を解決するためのものであり、測定精度の高い温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置を安価で提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明に係る温度測定方法は、被処理基板を加熱する加熱手段と、被処理基板を挟んで加熱手段と反対側に配置される熱流束センサとを有し、所定のプロセス条件下で熱処理される被処理基板の温度測定方法であって、加熱手段を制御して被処理基板の温度を上昇または下降させ、プロセス条件で被処理基板の上面温度T1、熱流束センサの上面温度T2、および被処理基板の上面と熱流束センサとの間の熱流束qを温度毎に各々測定し、測定した上面温度T1,上面温度T2,および熱流束qを用い最小自乗法により被処理対象基板の上面と熱流束センサとの間の熱抵抗Rを算出するステップと、実際のプロセスにおいて、熱流束センサの上面温度T2’および被処理基板の上面と熱流束センサとの間の熱流束q’を測定し、測定した上面温度T2’および熱流束q’と、熱抵抗Rとにより、被処理基板の上面温度T’を算出するステップとを含む。
【0007】
また、温度測定装置は、半導体処理装置内において所定のプロセス条件下で熱処理される被処理基板の温度測定装置であって、前記被処理基板に対向配置された検出部を有し、この検出部に前記被処理基板の少なくとも一部から与えられる熱流束を検出する熱流束検出手段と、前記検出部の温度を測定する温度測定手段と、前記所定のプロセス条件下における前記被処理基板と前記検出部との間の熱抵抗を含むパラメータと検出された熱流束と前記検出部の温度とから前記被処理基板の温度を演算する演算手段とを備える。また、前記検出部は、前記被処理基板を挟んで前記被処理基板を加熱する加熱手段と反対側に配置されてもよい。また、前記パラメータは、校正によりあらかじめ求められてもよい。
【0008】
また、半導体処理装置は、被処理基板を加熱する加熱手段と、この加熱手段により熱処理される被処理基板の温度を測定する温度測定手段と、測定された温度に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段を備え、所定のプロセス条件下で前記被処理基板を熱処理する半導体処理装置において、前記温度測定手段は、上記のいずれかの温度測定装置である。また、前記温度測定手段を複数備え、これらの温度測定手段のそれぞれは複数のエリアに分割された前記被処理基板の各エリアの温度を測定し、前記制御手段は、前記温度測定手段によって測定された前記被処理基板の各エリアの温度に基づいて前記加熱手段を制御し、前記加熱手段は、前記制御手段によって複数のエリアに分割された前記被処理基板の一または複数のエリアを加熱するように制御されてもよい。また、複数の異なるプロセス条件のそれぞれに対し前記プロセス条件下における少なくとも前記被処理基板と前記検出部との間の熱抵抗を含むパラメータを記憶する記憶手段を有し、前記温度測定手段の演算手段は、前記記憶手段より読み出された現在のプロセス条件に対応するパラメータに基づいて前記異なるプロセス条件ごとに前記被処理基板の温度を測定してもよい。
【0009】
また、本発明に係る半導体処理方法は、上述した方法により算出した上面温度T’と予め設定されている温度とに基づいて、加熱手段に対する入力電力を制御する。また、熱流束を検出する検出部を複数のエリアに分割された被処理基板の各エリアに対応させて複数設け、被処理基板の各エリアの温度を測定し、加熱手段を制御するステップは、被処理基板の各エリアの温度に基づいて加熱手段を制御し、複数のエリアに分割された被処理基板の一または複数のエリアを加熱してもよい。また、複数の異なるプロセス条件のそれぞれに対しプロセス条件下における少なくとも被処理基板と検出部との間の熱抵抗を含むパラメータを記憶手段にあらかじめ記憶させ、加熱手段により熱処理される被処理基板の温度を測定するステップは、記憶手段より読み出された現在のプロセス条件に対応するパラメータに基づいて異なるプロセス条件ごとに被処理基板の温度を測定してもよい。
【0010】
このように構成することにより本発明においては、同一箇所の熱流束および温度を測定し、これらに基づいて被処理基板の温度を算出するため、従来よりも高精度の温度測定が可能となる。また、高価な放射温度計を用いる必要がなく、安価な温度測定装置およびそれを用いた半導体処理装置を提供することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の一つの実施の形態について図を用いて説明する。
図1は、本発明の一つの実施の形態を示すブロック図である。同図に示すように、被処理基板であるウエハ1は中央部が開口を有する円形のガードリング2に載置されている。このガードリング2は図示しないモータ等の駆動手段によって回転可能である。したがって、ガードリング2を回転させることにより、ウエハ1を回転させることができる。また、ウエハ1から数mm程度下には測定台3が設けられ、この測定台3には熱流束および温度を測定するための熱流束マイクロセンサ4が埋め込まれている。
【0012】
一方、ウエハ1に対向してハロゲンランプ8が設置されており、このハロゲンランプ8の発光によりウエハ1を加熱処理する。ハロゲンランプ8の光量の調整はパワーコントローラ7によって行われ、パワーコントローラ7は熱流束マイクロセンサ4の出力信号を処理するデータ処理装置6の出力に応じてフィードバック制御される。データ処理装置6は熱流束マイクロセンサ4によって測定された熱流束および温度(熱流束マイクロセンサの設置個所)に基づいて、ウエハ1の温度を後述の演算方法に従って算出する。したがって、熱流束マイクロセンサ4およびデータ処理装置6は、ウエハ1の温度を測定するための温度測定装置20を構成している。また、測定台3の内部には冷却水の流れる冷却管(図示せず)が配設されており、流入口5から入った冷却水は測定台3の内部を循環した後、排出口5から排出され、これにより測定台3を冷却することができる。これにより、加熱したウエハ1の温度を下げることができる。
【0013】
図2は、熱流束マイクロセンサを示す斜視図およびブロック図である。同図に示すように、熱流束マイクロセンサ4は本体部4−1とこの本体部4−1から引き出されたケーブル4−2とで構成されている。本体部4−1は直径4mm程度の円筒形状を有し、その内部には熱流束センサ4−1aと温度センサ4−1bとを備えている。したがって、この熱流束マイクロセンサ4を用いることにより、同一箇所における熱流束および温度の両者を測定することができる。
【0014】
図3は、図1に示した装置を鉛直上方から眺めた上面図である。同図に示すように、円形のガードリング2にはウエハ1が載置され、ウエハ1の上方にはハロゲンランプ8が設置されている。真ん中のハロゲンランプ8の直下の測定台3には、熱流束マイクロセンサ4が埋め込まれている。ガードリング2はウエハ1に直交する軸を中心として回転可能である。また、ウエハ1の回転とハロゲンランプ8の制御とは独立して行われ、したがってウエハ1を回転させながらハロゲンランプ8によりウエハ1を任意に加熱することができ、この回転によりウエハ1の表面を均一に加熱することができる。
【0015】
次に、熱流束マイクロセンサ4によって測定した熱流束から、ウエハ1の温度を算出するための原理について説明する。
一般に、熱流束と温度差との関係は次式によって表されることが従来より知られている。
【0016】
q=(T1−T2)/R ・・・(1)
【0017】
ここで、qはウエハ1の上面と熱流束マイクロセンサ4との間の熱流束(熱流束マイクロセンサ4の測定面と垂直な方向)、Rはウエハ1の上面と熱流束マイクロセンサ4との間の熱抵抗(ただし熱伝導、対流、ウエハ1の裏面と測定台3との間の輻射を含む)、T2 は熱流束マイクロセンサ4の上面の温度、T1 はウエハ1の上面の温度を示す。
したがって、式(1)からT1 を求めると、
【0018】
T1=T2+qR ・・・(2)
【0019】
となり、この式(2)を用いることにより、ウエハ温度T1 をqとT2とから間接的に求めることができる。ただし、qとT2 は予め校正によって求めておく必要があり、校正には温度センサ(熱電対など)付きの校正用ウエハを用いる。この校正用ウエハを用いることにより、ウエハ1上面の温度T1 を直接測定することができ、このT1 を用いることにより熱抵抗Rを求めることができる。
【0020】
以上の原理に基づく温度測定装置20による温度測定方法について述べる。
1.校正による熱抵抗Rの算出
まず、上述の温度センサ付き校正用ウエハを用い、実際の製造ラインにおけるプロセスと同じ条件および構成で温度T1,T2と熱流束qを測定し、これらを式(1)に代入することによって熱抵抗Rを求める。熱抵抗Rはウエハの裏面の放射率(高温時)、測定台3の上面の放射率、ウエハ1の厚み、ウエハ1と測定台3との間隔、熱流束マイクロセンサ4の位置、および測定第3の材質に依存するとともに、ウエハ1と測定台3との間の流動状況、圧力、流体の種類にも依存する。校正を行う場合、これらの条件はすべて実際のプロセスと同じ条件で行う。すなわち、同じ条件で温度を上昇または下降させ、温度T1,T2,および熱流束qを測定し、測定結果をプロットしてから最小自乗法により、図4に示すグラフ(直線)が得られる。したがって、上記条件における熱抵抗Rは図4に示す直線の勾配であり、直線とq軸との角度をαとすると次のように表される。
【0021】
R=tanα ・・・(3)
【0022】
2.in−situ温度測定
次に、実際のプロセス中では、上記校正と同じ条件でのRと、測定したT2 ,qを式(2)に代入することにより、ウエハ1の温度T1 を算出する。具体的には構成によって求めた熱抵抗Rをデータ処理装置6に記憶させ、熱流束マイクロセンサ4によって測定されるT2 ,qから式(2)に基づいて温度T1 を算出する演算処理を行う。
【0023】
3.ウエハ温度の制御
上述の図1はウエハ1の温度の測定処理と温度制御の概念を示している。T2 ,qの測定結果は、データ処理装置6でデジタル信号に変換されるとともに、ウエハ1の温度T1 が求められ、ユーザによって予め設定された温度T1’ と比較され、パワーコントローラ7でハロゲンランプ8に対する入力電圧が制御される。この結果、ウエハ1を均等に加熱することができる。
【0024】
次に、上記温度測定方法を利用したCVD装置について説明する。
図5は、CVD装置を示すブロック図である。同図に示すように被処理基板であるウエハ1は、ニクロム線等からなるヒータ14を内蔵したサセプタ13上に載置されている。サセプタ13(ウエハ1を含む)、シャワーヘッド12および熱流束マイクロセンサ4は、冷却管11を備えたチャンバ10内に載置されている。ヒータ14にはパワーコントローラ7が接続され、ヒータ14はこのパワーコントローラ7の供給電力をによって発熱する。パワーコントロー7には熱流束マイクロセンサ4の接続されたデータ処理装置6が接続され、パワーコントローラ7はこのデータ処理装置6の制御によって動作する。熱流束マイクロセンサ4およびデータ処理装置6は図1同様に温度測定装置を構成している。
【0025】
このようなCVD装置においても、上述の1〜3の手順に従うことにより、ウエハ1の温度を求めることができ、求めた温度に基づいてヒータ14の発熱温度を制御することができる。図5においては3個のヒータのそれぞれに対向して3個の熱流束マイクロセンサが設置されており、後述の多点入力多点出力法により温度制御を行ってもよい。
【0026】
次に、多点入力多点出力法によるウエハ面内温度の制御について説明する。
図1においては、1個の熱流束マイクロセンサ4によって測定された温度に基づいて、全てのハロゲンランプ8の光量を制御していたが、ウエハ1を複数のエリアに分割し、エリア毎に設けられたハロゲンランプの光量をそれぞれ独立制御することにより、加熱処理を行ってもよい。
【0027】
図6は、5点制御の例を示すが、これ以外の個数の熱流束マイクロセンサを用いた場合も以下同様である。同図において図1と同一符号のものは同一構成要素を示す。上記式(2)について述べた校正方法と計測方法とを用い、ウエハ1の各点の温度T1 1,T1 2,・・・,T1 nを計測する。そして、この計測結果に基づいて、パワーコントローラ7でハロゲンランプ8a〜8eの光量を調整することにより、各ハロゲンランプに対応するエリアの温度をフィードバック制御する。
【0028】
図7は、図6に示した装置を鉛直上方から眺めた上面図である。同図に示すように、円形のガードリング2にはウエハ1が載置され、ウエハ1の上方にはハロゲンランプ8a〜8eが設置されている。各ハロゲンランプ8a〜8eの直下の測定台3には、熱流束マイクロセンサ4a〜4eが埋め込まれている。ガードリング2はウエハ1に直交する軸を中心として回転可能である。また、ウエハ1の回転とハロゲンランプ8の制御とは独立して行われ、したがってウエハ1を回転させながらハロゲンランプ8a〜8eによりウエハ1を任意に加熱することができ、この回転によりウエハ1を均一に加熱することができる。
【0029】
次に、非定常時の処理面温度の測定方法について述べる。
非定常時の温度T1,T2と熱流束qとの関係は、次式で近似できる。
【0030】
T1−T2=qR+fν ・・・(4)
【0031】
ここでνは昇降温速度であり、fは補正係数であり次式で表される。
【0032】
f=f(ν、R、Cp,ρ,・・・) ・・・(5)
【0033】
また、Cpはウエハ1と測定台3との比熱、ρは密度であり、f,Rは校正プロセスで求められる。図8に示すように、上記の定常時の校正手順でf、Rは求められる。このように非定常時においては、定常時のグラフからfνだけT1−T2軸に沿って平行移動したものとなる。したがって、このfνを考慮すれば、その他の演算について定常時における校正手順と同様に行うことにより、ウエハ温度を求めることができる。すなわち、プロセスを構成する温度状態(定常、上昇、下降など)の異なるサブプロセスによって求められた熱抵抗Rおよびfνをデータ処理装置6に予め記憶させ、ウエハ温度の測定時には熱流束マイクロセンサ4によって測定されたT2 ,qとそのときのサブプロセスに対応するR、fνとを式(4)に代入することにより、ウエハ温度T1 を算出することができる。
【0034】
以上においては、被処理基板としてシリコン等の半導体ウエハを用いたが、本発明は例えばLCD(Liquid Crystal Device )基板、ガラス基板、プリント基板等にも適用できることは明らかである。また、本発明はレジスト塗布後のベーキング、イオン注入、CVD、エッチング、アッシング等の処理前におけるベーキングにも適用できる。また、本発明はベーキング装置に限らず、成膜装置、アッシング装置、その他の熱処理装置にも適用できる。また、ウエハを加熱する手段には、ランプ、ヒータまたはその他の手段を用いてもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したとおり本発明は、同じ位置における熱流束と温度とを測定することにより、離間配置されている被処理基板の温度を容易に測定することができる。また、放射率を測定しないので従来のように高価な放射温度計を用いなくて済むため、温度測定装置およびこの温度測定装置を用いた半導体処理装置を安価で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一つの実施の形態を示すブロック図である。
【図2】 図1に係る熱流束マイクロセンサを示すブロック図である。
【図3】 図1における被処理基板、熱流束マイクロセンサおよびヒータの位置関係を示す上面図である。
【図4】 定常時における測定結果を示すグラフである。
【図5】 CVD装置を示すブロック図である。
【図6】 本発明のその他の実施の形態を示すブロック図である。
【図7】 図5における被処理基板、熱流束マイクロセンサおよびヒータの位置関係を示す上面図である。
【図8】 非定常時における測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1…ウエハ、2…ガードリング、3…測定台、4,4a,4b,4c,4d,4e…熱流束マイクロセンサ、4−1…本体部、4−1a…熱流束センサ、4−1b…温度センサ、4−2…ケーブル、5a…流入管、5b…流出管、6…データ処理装置、7…パワーコントローラ、8,8a,8b,8c,8c,8d,8e…ハロゲンランプ、10…チャンバ、11…冷却管、12…シャワーヘッド、13…サセプタ、14…ヒータ、20…温度測定装置。
Claims (3)
- 被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記被処理基板を挟んで前記加熱手段と反対側に配置される熱流束センサとを有し、
所定のプロセス条件下で熱処理される前記被処理基板の温度測定方法であって、
前記加熱手段を制御して前記被処理基板の温度を上昇または下降させ、前記プロセス条件で前記被処理基板の上面温度T1、前記熱流束センサの上面温度T2、および前記被処理基板の上面と前記熱流束センサとの間の熱流束qを温度毎に各々測定し、測定した前記上面温度T1,上面温度T2,および熱流束qを用い最小自乗法により前記被処理対象基板の上面と前記熱流束センサとの間の熱抵抗Rを算出するステップと、
実際のプロセスにおいて、前記熱流束センサの上面温度T2’および前記被処理基板の上面と前記熱流束センサとの間の熱流束q’を測定し、測定した前記上面温度T2’および前記熱流束q’と、前記熱抵抗Rとにより、前記被処理基板の上面温度T’を算出するステップと
を含むことを特徴とする半導体処理装置における温度測定方法。 - 請求項1で算出した前記上面温度T’と予め設定されている温度とに基づいて、前記加熱手段に対する入力電力を制御する半導体処理方法。
- 前記熱流束センサを複数のエリアに分割された前記被処理基板の各エリアに対応させて複数設け、前記被処理基板の各エリアの温度を測定し、測定した前記被処理基板の各エリアの温度に基づいて前記加熱手段を制御し、複数のエリアに分割された前記被処理基板の一または複数のエリアを加熱する請求項2記載の半導体処理方法。
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